Полупроводниковые элементы из карбида кремния (SiC)

We’re an experienced supplier of necessary products for the category of transistors. 

We’re offering field-effect transistors: MOS-FET and IGBT transistors, as well as silicon carbide (SiC) semiconductor elements.

MOS-FET transistors
MOS-FET transistors...

We’re an experienced supplier of necessary products for the category of transistors. 

We’re offering field-effect...
Читать больше
Информация close
Товаров, помеченных как «Под заказ» в столбце «Доступное количество», обычно нет в наличии. Такие продукты доступны для покупки, однако из-за их ограниченной клиентской базы они обычно имеют более высокие минимальные количества. DACPOL предлагает продукты, которых нет на складе по следующим причинам: DACPOL в настоящее время имеет большое количество электронных компонентов на складе и ежедневно добавляет новые продукты, однако десятки тысяч дополнительных компонентов и их различных вариантов доступны у наших поставщиков. Несмотря на то, что иметь все эти продукты на складе неразумно из-за ограниченных продаж, мы считаем, что сделать их доступными в интересах наших клиентов. Наша цель - проинформировать клиентов о максимальном количестве доступных продуктов и дать им возможность принимать решения на основе характеристик, цен, наличия, необходимых минимумов и наших технических рекомендаций. Обратите внимание, что установка флажка «В наличии» может ограничить отображение только продуктов, доступных для доставки прямо с полки.
PDF Изображение
Производитель
Наименование товара
Посмотреть продукт Номер производителя
Доступное количество
picture_as_pdf SiliconCarbide (SiC) poluvodički elementi Mitsubishi SiliconCarbide (SiC) poluvodički elementi ПОСМОТРЕТЬ -- Под заказ
picture_as_pdf Silicone carbide (SiC)modules - Powerex and Mitsubishi Mitsubishi Модули карбида кремния - Powerex и Mitsubishi ПОСМОТРЕТЬ -- Под заказ
Результатов на странице:

We’re an experienced supplier of necessary products for the category of transistors. 

We’re offering field-effect transistors: MOS-FET and IGBT transistors, as well as silicon carbide (SiC) semiconductor elements.

MOS-FET transistors
MOS-FET transistors cooperate well in parallel connections. They can be combined in parallel up to several dozen pieces. They are easily controlled and do not require adjustment in the load current distribution between them.

IGBT transistors
IGBT transistors are characterized by a small decrease in conduction voltage (from 2.15 - 5.2V) at high current (10 - 3600A), high voltage blocking capacity (250 - 6500V), voltage control via an isolated gate, and high switching speed. They are produced in the form of standard modules, high-frequency modules, high voltage modules as well as intelligent modules, and high voltage intelligent modules. In addition, high-voltage diode modules are offered for cooperation with IGBT transistors.

The IGBT transistors manufactured in the form of intelligent modules contain, besides transistors, control systems as well as short circuit and overvoltage protection.