Транзисторы MOSFET - фирмы VISHAY (IR)
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Производитель: Vishay

Транзисторы MOSFET - фирмы VISHAY (IR)

TRANZYSTORY MOSFET - FIRMY IR typ TRANZYSTORY MOSFET - FIRMY IR TRANZYSTORY MOSFET - FIRMY IR TRANZYSTORY MOSFET - FIRMY IR TRANZYSTORY MOSFET - FIRMY IR TRANZYSTORY MOSFET - FIRMY IR TRANZYSTORY MOSFET - FIRMY IR TRANZYSTORY MOSFET - FIRMY IR
Канал N управляемые логическим уровнем

IRF7402

 20 0,035 6,8 5,4 50 2,5

S
O
-
8

IRF7401

 20 0,022 8,7 7 50 2,5

IRF7460

 20 0,01 10 8 50 2,5

IRF7459

 20 0,01 10 8 50 2,5

IRF7457

 20 0,007 15 12 50 2,5

IRF7456

 20 0,0065 16 10 50 2,5

IRF7811A

 28 0,012 11,4 11,2 50 2,5

IRF9410

 30 0,03 7 5,8 50 2,5

IRF7201

 30 0,03 7 5,6 50 2,5

IRF7807

 30 0,025 8,3 6,6 50 2,5

IRF7403

 30 0,022 8,5 5,4 50 2,5

SI4410DY

 30 0,0135 10 8 50 2,5

IRF7413A

 30 0,0135 12 8,4 50 2,5

IRF7467

 30 0,0115 10 8 50 2,5

IRF7466

 30 0,0115 10 8 50 2,5

IRF7805

 30 0,011 13 10 50 2,5

IRF7413A

 30 0,011 13 9,2 50 2,5

SI4420DY

 30 0,009 12,5 10 50 2,5

IRF7809A

 30 0,0085 14,5 14,2 50 2,5

IRF7463

 30 0,008 13 10 50 2,5

IRF7458

 30 0,008 14 11 50 2,5

IRF7455

 30 0,0075 13 10 50 1,6

IRF7468

 40 0,017 9 7 50 2,5

IRF7470

 40 0,013 11 9 50 2,5

IRF7464

 200 0,73 1,2 1 50 2,5
Двойной Канал N управляемые логическим уровнем

IRF7101

 20 0,1 3,5 2,3 62,5 2

S
O
-
8

IRF7301

 20 0,5 5,2 4,1 62,5 2

IRF7311

 20 0,029 6,6 5,3 62,5 2

IRF9956

 30 0,1 3,5 2,8 62,5 2

IRF7303

 30 0,05 4,9 3,9 62,5 2

IRF7313

 30 0,029 6,5 5,2 62,5 2

IRF7103

 50 0,13 3 2,3 62,5 2

IRF7341

 55 0,043 4,7 3,8 62,5 2
Канал P управляемые логическим уровнем

IRF7233

 -12 0,013 -9,5 -6 50 2,5

S
O
-
8

IRF7220

 -12 0,0082 -11 -8,8 50 2,5

IRF7210

 -12 0,005 -16 -12 50 1,6

IRF7207

 -20 0,06 -5,4 -4,3 50 2,5

IRF7204

 -20 0,06 -5,3 -4,2 50 2,5

IRF7404

 -20 0,04 -6,7 -5,4 50 2,5

IRF7205

 -30 0,07 -4,6 -3,7 50 2,5

IRF7406

 -30 0,045 -5,8 -3,7 50 2,5

SI4435DY

 -30 0,02 -8 -6,4 50 2,5

IRF7416

 -30 0,02 -10 -7,1 50 2,5

TRANZYSTORY MOSFET - FIRMY IR - TYP Tranzystor MOSFET Napięcie dren-źródło
Двойной Канал P управляемые логическим уровнем

IRF7104

 -20 0,25 -2,3 -1,8 62,5 2

S
O
-
8

IRF7304

 -20 0,09 -4,3 -3,4 62,5 2

IRF7314

 -20 0,058 -5,3 -4,3 62,5 2

IRF9953

 -30 0,25 -2,3 -1,8 62,5 2

IRF7306

 -30 0,1 -3,6 -2,9 62,5 2

IRF7316

 -30 0,058 -4,9 -3,9 62,5 2

IRF7342

 -55 0,105 -3,4 -2,7 62,5 2
Канал N i P управляемые логическим уровнем

IRF7307(N)

 20 0,05 4,3 3,4 90 1,4

S
O
-
8

IRF7307(P)

 -20 0,09 -3,6 -2,9    

IRF7317(N)

 20 0,029 6,6 5,3 62,5 2

IRF7317(P)

 -20 0,058 -5,3 -4,3 62,5 2

IRF7105(N)

 25 0,109 3,5 2,8 62,5 2

IRF7105(P)

 -25 0,25 -2,3 -1,8 62 2

IRF9952(N)

 30 0,1 3,5 2,8 62,5 2

IRF9952(P)

 -30 0,25 -2,3 -1,8 62,5 2

IRF7309(N)

 30 0,05 4,9 3,9 62,5 2

IRF7309(P)

 -30 0,1 -3,6 -2,9    

IRF7379(N)

 30 0,038 5,8 4,6 50 2,5

IRF7379(P)

 -30 0,07 -4,3 -3,4 50 2,5

IRF7389(N)

 30 0,029 7,3 5,9 50 2,5

IRF7389(P)

 -30 0,058 -5,3 -4,2 50 2,5

IRF7319(N)

 30 0,029 6,5 5,2 62,5 2

IRF7319(P)

 -30 0,058 -4,9 -3,9 62,5 2

IRF7343(N)

 55 0,043 4,7 3,8 62,5 2

IRF7343(P)

 -55 0,056 -3,4 -2,7 62,5 2
Канал N  

IRFL014N

 55 0,16 1,9 1,5 120 2,1

S
O
T
-
2
2
3

IRFL024N

 55 0,075 4 2,3 60 2,1

IRFL4105

 55 0,045 3,7 3 60 2,1

IRFL1006

 60 0,22 2,3 1,3 120 2,1

IRFL014

 60 0,2 2,7 1,7 60 2

IRFL110

 100 0,54 1,5 0,96 60 2

IRFL4310

 100 0,2 1,6 1,3 60 2,1

IRFL210

 200 1,5 0,96 0,6 60 2

IRFL214

 250 2 0,79 0,5 60 2
Канал P  

IRFL9014

 -60 0,5 -1,8 -1,1 60 2

SO
T-
223

IRFL9110

 -100 1,2 -1,1 -0,69 60 2

TRANZYSTORY MOSFET - FIRMY IR - TYP Tranzystor MOSFET Napięcie dren-źródło
Канал N управляемые логическим уровнем

IRLL2703

 30 0,045 5,5 3,1 120 2,1 S
O
T
-
2
2
3

IRLL3303

 30 0,031 4,6 3,7 60 2,1

IRLL014N

 55 0,14 2 1,6 60 2,1

IRLL024N

 55 0,065 4,4 2,5 120 2,1

IRLL2705

 55 0,04 3,8 3 60 2,1

IRLL110

 100 0,54 1,5 0,93 60 3,1
Канал N  

IRFR3704

 20 0,0095 62 52 1,7 90

D
-
P
a
k

IRFR3303

 30 0,031 33 21 2,2 57

IRFR024N

 55 0,075 16 10 3,3 38

IRFR4105

 55 0,045 25 16 2,7 48

IRFR1205

 55 0,027 37 23 1,8 69

IRFR2405

 55 0,016 56 40 1,4 110

IRFR014

 60 0,2 7,7 5 4,9 25

IRFR2407

 75 0,026 42 29 1,4 110

IRFR110

 100 0,54 4,3 2,7 5 25

IRFR120N

 100 0,21 9,1 5,8 3,2 39

IRFR3910

 100 0,11 15 9,5 2,4 52

IRFR13N15D

 150 0,18 14 9,8 1,75 86

IRFR18N15D

 150 0,125 18 13 1,4 110

IRFR210

 200 1,5 2,6 1,7 5 25

IRFR220

 200 0,8 4,8 3 3 42

IRFR9N20D

 200 0,38 9,4 6,7 1,75 86

IRFR13N20D

 200 0,235 14 9,5 1,4 110

IRFR214

 250 2 2,2 1,4 5 25

IRFR224

 250 1,1 3,8 2,4 3 42

IRFR310

 400 3,6 1,7 1,1 5 25

IRFR320

 400 1,8 3,1 2 3 42

IRFR420

 500 3 2,4 1,5 3 42

IRFR1N60A

 600 7 1,4 0,89 3,5 36

IRFRC20

 600 4,4 2 1,3 3 42
Канал P  

IRFR9024N

 -55 0,175 11 8 3,3 38

D
-
P
a
k

IRFR5505

 -55 0,11 -18 -11 2,2 57

IRFR5305

 -55 0,065 -28 -18 1,4 89

IRFR9014

 -60 0,5 -5,1 -3,2 5 25

IRFR9024

 -60 0,28 -8,8 -5,6 3 42

IRFR9110

 -100 1,2 -3,1 -2 5 25

IRFR9120

 -100 0,6 -5,6 -3,6 3 42

IRFR9120N

 -100 0,48 -6,5 -4,1 3,2 39

IRFR5410

 -100 0,205 13 8,2 1,9 66

IRFR6215

 -150 0,295 13 9 1,4 110

IRFR9210

 -200 3 -1,9 -1,2 5 25

IRFR9220

 -200 1,5 -3,6 -2,3 3 42

IRFR9214

 -250 3 -2,7 -1,7 2,5 50

IRFR9310

 -400 7 -1,8 -1,1 2,5 50
Канал N управляемые логическим уровнем

IRLR2703

 30 0,045 22 14 3,3 38

D
-
P
a
k

IRLR3303

 30 0,031 33 21 2,2 57

IRLR3103

 30 0,019 46 29 1,8 69

IRLR8503

 30 0,012 49 34 2 62

IRLR8103

 30 0,006 89 61 1,4 89

IRLR024N

 55 0,065 17 11 3,3 38

IRLR2705

 55 0,04 24 15 2,7 46

IRLR2905

 55 0,027 36 23 1,8 69

IRLR120N

 100 0,185 11 6,9 3,2 39

IRLR3410

 100 0,1 15 9,5 2,4 52

TRANZYSTORY MOSFET - FIRMY IR - TYP Tranzystor MOSFET Napięcie dren-źródło

IRF1404S

 40 0,004 162 115 0,75 200 D2
-
P
a
k

IRFZ24NS

 55 0,07 17 12 3,3 45

IRFZ34NS

 55 0,04 29 20 2,2 68

IRFZ44NS

 55 0,022 49 35 1,4 110

IRFZ46NS

 55 0,02 53 37 1,3 120

IRFZ48NS

 55 0,016 64 45 1,1 140

IRF1010NS

 55 0,011 84 60 40 3,8

IRF3205S

 55 0,008 110 80 0,75 200

IRFZ44ES

 60 0,023 48 34 1,4 110

IRF1010ES

 60 0,012 83 59 0,9 170

IRF2807S

 75 0,013 82 58 0,75 200

IRF510S

 100 0,54 5,6 4 3,5 43

IRF520NS

 100 0,2 9,5 6,7 3,2 47

IRF530NS

 100 0,11 17 12 1,9 3,8

IRF540NS

 100 0,052 33 23 1,1 3,8

IRF1310NS

 100 0,036 42 30 0,95 3,8

IRFS59N10D

 100 0,025 59 42 0,5 200

IRF3710S

 100 0,025 57 40 0,75 3,8

IRFS23N15D

 150 0,09 23 17 1,1 3,8

IRF3315S

 150 0,082 21 15 1,6 94

IRFS33N15D

 150 0,056 33 24 0,9 3,8

IRFS41N15D

 150 0,045 41 29 0,75 200

IRF3515S

 150 0,045 41 29 0,75 200

IRF3415S

 150 0,042 43 30 0,75 3,8

IRF610S

 200 1,5 3,3 2,1 3,5 36

IRF620S

 200 0,8 5,2 3,3 2,5 50

IRF630S

 200 0,4 9 5,7 1,7 74

IRF640S

 200 0,18 18 11 1 125

IRFS17N20D

 200 0,17 16 12 1,1 140

IRFS23N20D

 200 0,1 24 17 0,9 170

IRFS31N20D

 200 0,082 31 22 0,75 200

IRF614S

 250 2 2,7 1,7 3,5 36

IRF624S

 250 1,1 4,4 2,8 2,5 50

IRF632S

 250 0,45 8,1 5,1 1,7 74

IRF644S

 250 0,28 14 8,5 1 125

IRF710S

 400 3,6 2 1,2 3,5 36

IRF720S

 400 1,8 3,3 2,1 2,5 50

IRF730S

 400 1 5,5 3,3 1,7 74

IRF730AS

 400 1 5,5 3,5 1,7 74

IRF740S

 400 0,55 10 6,3 1 125

IRF740AS

 400 0,55 10 6,3 1 125

IRF820S

 500 3 2,5 1,6 2,5 50

IRF820AS

 500 3 2,5 1,6 2,5 50

IRF830S

 500 1,5 4,5 2,9 1,7 74

IRF830AS

 500 1,4 5 3,2 1,7 74

IRF840S

 500 0,85 8 5,1 1 125

IRF840LCS

 500 0,85 8 5,1 1 125

IRF840AS

 500 0,85 8 5,1 1 125

IRFS11N50A

 500 0,52 11 7 0,75 170

IRFBC20S

 600 4,4 2,2 1,4 2,5 50

IRFBC30S

 600 2,2 3,6 2,3 1,7 74

IRFBC30AS

 600 2,2 3,6 2,3 1,7 74

IRFBC40S

 600 1,2 6,2 3,9 1 130

IRFBC40AS

 600 1,2 6,2 3,9 1 125

IRFS9N60A

 600 0,75 9,2 5,8 0,75 170

IRFBF20S

 900 8 1,7 1,1 2,3 54

TRANZYSTORY MOSFET - FIRMY IR - TYP Tranzystor MOSFET Napięcie dren-źródło
Канал P  

IRL5602S

 -20 0,042 24 -17 2 75 D2
-
P
a
k

IRF9Z24NS

 -55 0,175 -12 -8,5 3,3 45

IRF9Z34NS

 -55 0,1 19 14 2,2 68

IRF5305S

 -55 0,06 -31 -22 1,4 110

IRF4905S

 -55 0,02 -74 -52 40 3,8

IRF9Z14S

 -60 0,5 -6,7 -4,7 3,5 43

IRF9Z24S

 -60 0,28 -11 -7,7 2,5 60

IRF9Z34S

 -60 0,14 -18 -13 1/7 88

IRF9510S

 -100 1,2 -4 -2,8 3,5 43

IRF9520NS

 -100 0,48 -6,8 -4,8 3,1 3,8

IRF9530NS

 -100 0,2 -14 -10 1,9 3,8

IRF9540NS

 -100 0,117 -23 -16 1,1 3,8

IRF5210S

 -100 0,06 -0,4 -0,29 0,75 3,8

IRF6215S

 -150 0,29 -13 -9 1,4 110

IRF9610S

 -200 3 -1,8 -1 6,4 20

IRF9620S

 -200 1,5 -2,5 -2 3,1 40

IRF9630S

 -200 0,8 -6,5 -4 1/7 74

IRF9640S

 -200 0,5 -11 -6,8 1 125
Канал n управляемые логическим уровнем

IRL3302S

 20 0,02 39 25 2,2 57 D2
-
P
a
k

IRL3202S

 20 0,016 48 30 1/8 69

IRL3102S

 20 0,013 61 39 1/4 89

IRL3402S

 20 0,01 85 54 1/1 110

IRF3704S

 20 0,009 64 54 1/7 90

IRL3502S

 20 0,007 110 67 0,89 140

IRL2703S

 30 0,04 24 17 3,3 45

IRL3303S

 30 0,026 38 27 2,2 68

IRL3103S

 30 0,014 64 45 1/4 110

IRL2203NS

 30 0,007 116 82 0,9 170

IRL3803S

 30 0,006 140 98 0,75 200

IRL1004S

 40 0,0065 110 80 1 150

IRLZ24NS

 55 0,06 18 13 3,3 45

IRLZ34NS

 55 0,035 30 21 2,2 68

IRLZ44NS

 55 0,022 47 33 1/4 110

IRL3705NS

 55 0,01 89 63 0,9 170

IRL2505S

 55 0,008 104 74 0,75 200

IRL520NS

 100 0,18 10 7,1 3,1 3,8

IRL530NS

 100 0,1 17 12 1/9 3,8

IRL540NS

 100 0,044 36 26 1/1 3,8

IRL2910S

 100 0,026 55 39 0,75 3,8

IRL620S

 200 0,8 5,2 3,3 2,5 50

IRL630S

 200 0,4 9 5,7 1/7 74

IRL640S

 200 0,18 17 11 1 125
Канал n  

IRFBL3703

 30 0,0025 250 178 0,5 300 S
u
p
e
r
D2
-
P
a
k

IRFBL1304

 40 0,0045 185 130 0,5 300

IRFBL12N50A

 500 0,45 13 8,2 0,7 180

IRFBL10N60A

 600 0,61 11 7 0,7 180

TRANZYSTORY MOSFET - FIRMY IR - TYP Tranzystor MOSFET Napięcie dren-źródło
Канал n  

IRFU3303

 30 0,031 33 21 2,2 57 I
-
P
a
k

IRFU024N

 55 0,075 16 10 3,3 38

IRFU4105

 55 0,045 25 19 2,7 48

IRFU1205

 55 0,027 37 23 1/8 69

IRFU2405

 55 0,016 56 40 1/4 110

IRFU2407

 75 0,026 42 29 1/4 110

IRFU110

 100 0,54 4,3 2,7 5 25

IRFU120N

 100 0,21 9,1 5,8 3,2 39

IRFU3910

 100 0,11 15 9,5 2,4 52

IRFU13N15D

 150 0,18 14 9,8 1,75 86

IRFU18N15D

 150 0,125 18 13 1/4 110

IRFU210

 200 1,5 2,6 1/7 5 25

IRFU220

 200 0,8 4,8 3 3 42

IRFU9N20D

 200 0,38 9,4 6,7 1,75 86

IRFU13N20D

 200 0,235 14 9,5 1/4 110

IRFU214

 250 2 2,2 1/4 5 25

IRFU224

 250 1,1 3,8 2,4 3 42

IRFU310

 400 3,6 1/7 1/1 5 25

IRFU320

 400 1,8 3,1 2 3 42

IRFU420

 500 3 2,4 1/5 3 42

IRFUC20

 600 4,4 2 1/3 3 42
Канал P  

IRFU9024N

 -55 0,175 -11 -8 3,3 38 I
-
P
a
k

IRFU5505

 -55 0,11 -18 -11 2,2 57

IRFU5305

 -55 0,065 -28 -18 1/4 89

IRFU9014

 -60 0,5 -5,1 -3,2 5 25

IRFU9024

 -60 0,28 -8,8 -5,6 3 42

IRFU9110

 -100 1,2 -3,1 -2 5 25

IRFU9120N

 -100 0,48 -6,5 -4,1 3,2 39

IRFU5410

 -100 0,205 -13 -8,2 1/9 66

IRFU6215

 -150 0,295 -13 -9 1/4 110

IRFU9210

 -200 3 -1,9 -1/2 5 25

IRFU9220

 -200 1,5 -3,6 -2,3 3 42

IRFU9214

 -250 3 -2,7 -1/7 2,5 50

IRFU9310

 -400 7 -1,8 -1/1 2,5 50
Канал n управляемые логическим уровнем

IRFU3704

 20 0,0095 62 52 1/7 90 I
-
P
a
k

IRLU2703

 30 0,045 22 14 3,3 38

IRLU3303

 30 0,031 33 21 2,2 57

IRLU3103

 30 0,019 46 29 1/8 69

IRLU024N

 55 0,065 17 11 3,3 38

IRLU2705

 55 0,04 24 17 15 46

IRLU2905

 55 0,027 36 23 1/8 69

IRLU120N

 100 0,185 11 6,9 3,2 39

IRLU3410

 100 0,1 15 9,5 2,4 52
 
TRANZYSTORY MOSFET - FIRMY IR - TYP Tranzystor MOSFET Napięcie dren-źródło
Канал n  

IRFD014

 60 0,2 1/7 1/2 120 1/3 H
E
X
D
I
P

IRFD024

 60 0,1 2,5 1/8 120 1/3

IRFD110

 100 0,54 1 0,71 120 1/3

IRFD120

 100 0,27 1,3 0,94 120 1/3

IRFD210

 200 1,5 0,6 0,38 120 1/3

IRFD220

 200 0,8 0,8 0,5 120 1/3

IRFD214

 250 2 0,57 0,32 120 1/3

IRFD224

 250 1,1 0,76 0,43 120 1/3

IRFD310

 400 3,6 0,42 0,23 120 1/3

IRFD320

 400 1,8 0,6 0,33 120 1/3

IRFD420

 500 3 0,46 0,26 120 1/3

IRFDC20

 600 4,4 0,32 0,21 120 1/3
Канал P  

IRFD9014

 -60 0,5 -1,1 -0,8 120 1/3 H
E
X
D
I
P

IRFD9024

 -60 0,28 -1,6 -1/1 120 1/3

IRFD9110

 -100 1,2 -0,7 -0,49 120 1/3

IRFD9120

 -100 0,6 -1 -0,7 120 1/3

IRFD9210

 -200 3 -0,4 -0,25 120 1/3

IRFD9220

 -200 1,5 -0,56 -0,36 120 1/3
Канал n управляемые логическим уровнем

IRLD014

 60 0,2 1/7 1/2 120 1/3 H
E
X
D
I
P

IRLD024

 60 0,1 2,5 1/8 120 1/3

IRLD110

 100 0,54 1 0,7 120 1/3

IRLD120

 100 0,27 1/3 0,94 120 1/3
Канал n  

IRF1404L

 40 0,004 162 115 0,75 200 T
O
-
2
6
2

IRFZ24NL

 55 0,07 17 12 3,3 45

IRFZ34NL

 55 0,04 29 20 2,2 68

IRFZ44NL

 55 0,022 49 35 1/4 110

IRFZ46NL

 55 0,02 53 37 1/3 120

IRFZ48NL

 55 0,016 64 45 1/1 140

IRF1010NL

 55 0,011 84 60 0,9 170

IRF3205L

 55 0,008 110 80 0,75 200

IRFZ44EL

 60 0,023 48 34 1/4 110

IRF1010EL

 60 0,012 83 59 0,9 170

IRF2807L

 75 0,013 82 58 0,75 200

IRF530NL

 100 0,11 17 12 1/9 79

IRF540NL

 100 0,052 33 23 1/1 140

IRF1310NL

 100 0,036 42 30 0,95 160

IRFSL59N10D

 100 0,025 59 42 0,75 200

IRF3710L

 100 0,025 57 40 0,75 200

IRFSL23N15D

 150 0,09 23 17 1/1 3,8

IRF3315L

 150 0,082 21 15 1/6 94

IRFSL33N15D

 150 0,056 33 24 0,9 3,8

IRFL41N20D

 150 0,045 41 29 0,75 200

IRF3515L

 150 0,045 41 29 0,75 200

IRF3415L

 150 0,042 43 30 0,75 200

IRF640L

 200 0,18 18 11 1 130

IRFSL17N20D

 200 0,17 16 12 1/1 140

IRFSL23N20D

 200 0,1 24 17 0,9 170

IRFL31N20D

 200 0,082 31 22 0,75 200

IRF730AL

 400 1 5,5 3,5 1/7 74

IRF740AL

 400 0,55 10 6,3 1 125

IRF820AL

 500 3 2,5 1/6 2,5 50

IRF830AL

 500 1,4 5 3,2 1/7 74

IRF840LCL

 500 0,85 8 5,1 1 125

IRFSL11N50A

 500 0,55 11 7 0,75 190

IRFBC20L

 600 4,4 2,2 1/4 2,5 50

TRANZYSTORY MOSFET - FIRMY IR - TYP Tranzystor MOSFET Napięcie dren-źródło
Канал n  

IRFBC30L

 600 2,2 3,6 2,3 1/7 74 T
O
-
2
6
2

IRFBC40L

 600 1/2 6,2 3,9 1 130

IRFSL9N60A

 600 0,75 9,2 5,8 0,75 170

IRFBF20L

 900 8 1/7 1/1 2,3 54
Канал P  

IRF9Z34NL

 -55 0,1 -19 -14 2,2 68 T
O
-
2
6
2

IRF5305L

 -55 0,06 -31 -22 1/4 110

IRF4905L

 -55 0,02 -74 -52 0,75 200

IRF9Z24NL

 -60 0,28 -11 -7,7 2,5 60

IRF9520NL

 -100 0,48 -6,8 -4,8 3,1 48

IRF9530NL

 -100 0,2 -14 -10 1/9 79

IRF9540NL

 -100 0,117 -23 -16 1/1 140

IRF5210L

 -100 0,06 -0,4 -0,29 0,75 200

IRF6215L

 -150 0,29 -13 -9 1/4 110
Канал n управляемые логическим уровнем

IRF3704L

 20 0,009 64 54 1/7 90 T
O
-
2
6
2

IRL3303L

 30 0,026 38 27 2,2 68

IRL3103L

 30 0,014 64 45 1/4 110

IRL2203NL

 30 0,007 116 82 0,9 170

IRL3803L

 30 0,006 140 98 0,75 200

IRL1004L

 40 0,0065 110 80 1 150

IRLZ24NL

 55 0,06 18 13 3,3 45

IRLZ34NL

 55 0,035 30 21 2,2 68

IRLZ44NL

 55 0,022 47 33 1/4 110

IRL3705NL

 55 0,01 89 63 0,9 170

IRL2505L

 55 0,008 104 74 0,75 200

IRL520NL

 100 0,18 10 7,1 3,1 48

IRL530NL

 100 0,1 17 12 1/9 79

IRL540NL

 100 0,044 36 26 1,1 140

IRL2910L

 100 0,026 55 39 0,75 190
Канал n  

IRF1104

 40 0,009 100 71 0,9 170 T
O
-
2
2
0
A
B

IRF1404

 40 0,004 162 115 0,75 200

IRFZ24N

 55 0,07 17 12 3,3 45

IRFZ34N

 55 0,04 26 18 2,7 56

IRF1205

 55 0,027 41 29 1/8 83

IRFZ44N

 55 0,024 41 29 1/8 83

IRFZ46N

 55 0,02 46 33 1/7 88

IRFZ48N

 55 0,016 53 37 1/6 94

IRF1010N

 55 0,012 72 51 1/2 130

IRF3205

 55 0,008 98 69 1 150

IRF1405

 55 0,005 133 94 0,75 200

IRFZ14

 60 0,2 10 7,2 3,5 43

IRFZ24

 60 0,1 17 12 2,5 60

IRFZ34E

 60 0,042 28 20 2,2 68

IRFZ44E

 60 0,023 48 34 1/4 110

IRF1010E

 60 0,012 81 57 0,9 170

IRF2807

 75 0,013 82 58 0,75 200

IRF510

 100 0,54 5,6 4 3,5 43

IRF520N

 100 0,2 9,7 6,8 3,1 48

IRF530N

 100 0,11 17 12 1/9 79

IRF540N

 100 0,052 33 23 1/1 140

IRF1310N

 100 0,036 42 30 0,95 160

IRFB59N10D

 100 0,025 59 42 0,75 200

IRF3710

 100 0,025 57 40 0,75 200

TRANZYSTORY MOSFET - FIRMY IR - TYP Tranzystor MOSFET Napięcie dren-źródło
Канал n  

IRFB23N15D

 150 0,09 23 17 1/1 3,8 T
O
-
2
2
0
A
B

IRF3315

 150 0,082 21 15 1/6 94

IRFB33N15D

 150 0,056 33 24 0,9 3,8

IRFB41N15D

 150 0,045 41 29 0,75 200

IRF3415

 150 0,042 43 30 0,75 200

IRF610

 200 1,5 3,3 2,1 3,5 36

IRF620

 200 0,8 5,2 3,3 2,5 50

IRF630

 200 0,4 9 5,7 1/7 74

IRF640

 200 0,18 18 11 1 125

IRFB17N20D

 200 0,17 16 12 1/1 140

IRFB23N20D

 200 0,1 24 17 0,9 170

IRFB31N20D

 200 0,082 31 22 0,75 200

IRF614

 250 2 2,7 1/7 3,5 36

IRF624

 250 1,1 4,4 2,8 2,5 50

IRF634

 250 0,45 8,1 5,1 1/7 74

IRF644

 250 0,28 14 8,5 1 125

IRF737LC

 300 0,75 6,1 17 1/7 74

IRFB9N30A

 300 0,45 9,3 5,9 1/3 96

IRF710

 400 3,6 2 1/2 3,5 36

IRF720

 400 1,8 3,3 2,1 2,5 50

IRF730A

 400 1 5,5 3,5 1/7 74

IRF730

 400 1 5,5 3,3 1/7 74

IRF740A

 400 0,55 10 6,3 1 125

IRF740

 400 0,55 10 6,3 1 125

IRF734

 450 1,2 4,9 3,1 1/7 74

IRF744

 450 0,63 8,8 5,6 1 125

IRF820A

 500 3 2,5 1/6 2,5 50

IRF820

 500 3 2,5 1/6 2,5 50

IRF830A

 500 1,4 5   1/7 74

IRF840A

 500 0,85 8 5,1 1 125

IRF840

 500 0,85 8 5,1 1 125

IRFB11N50A

 500 0,52 11 7 0,75 170

IRFBC20

 600 4,4 2,2 1/4 2,5 50

IRFBC30A

 600 2,2 3,6 2,3 1/7 74

IRFBC30

 600 2,2 3,6 2,3 1/7 74

IRFBC40A

 600 1,2 6,1   1/3 96

IRFB9N60A

 600 0,75 9,2 5,8 0,75 170

IRFB9N65A

 650 0,9 8,5 5,4 0,75 167

IRFBE20

 800 6,5 1,8 1/2 2,3 54

IRFBE30

 800 3 4,1 2,6 2 125

IRFBF20

 900 8 1/7 1/1 2,3 54

IRFBF30

 900 3,7 3,6 2,3 1 125

IRFBG20

 1000 11 1,4 0,86 2,3 54

IRFBG30

 1000 5 3,1 2 1 125

TRANZYSTORY MOSFET - FIRMY IR - TYP Tranzystor MOSFET Napięcie dren-źródło
Канал P  

IRF9Z24N

 -55 0,175 -12 -8,5 3,3 45 T
O
-
2
2
0
A
B

IRF9Z34N

 -55 0,1 -17 -12 2,7 56

IRF5305

 -55 0,06 -31 -22 1,4 110

IRF4905

 -55 0,02 -64 -45 1 150

IRF9Z14

 -60 0,5 -6,7 -4,7 3,5 43

IRF9510

 -100 1,2 -4 -2,8 3,5 43

IRF9520N

 -100 0,48 -6,8 -4,8 3,1 48

IRF9530N

 -100 0,2 -14 -10 1,9 79

IRF9540N

 -100 0,117 -23 -16 1/1 140

IRF5210

 -100 0,06 -40 -29 0,75 200

IRF6215

 -150 0,29 -13 -9 1,4 110

IRF9610

 -200 3 -1,8 -1 6,4 20

IRF9620

 -200 1,5 -2,5 -2 3,1 40

IRF9630

 -200 0,8 -6,5 -4 1/7 74

IRF9640

 -200 0,5 -11 -6,8 1 125
Канал n управляемые логическим уровнем

IRL3302

 20 0,02 39 25 2,2 57 T
O
-
2
2
0
A
B

IRL3202

 20 0,016 48 30 1/8 69

IRL3102

 20 0,013 61 39 1/4 89

IRL3402

 20 0,01 85 54 1/1 110

IRF3704

 20 0,009 64 54 1,7 90

IRL3502

 20 0,007 110 67 0,89 140

IRL2703

 30 0,04 24 17 3,3 45

IRL3303

 30 0,026 34 24 2,7 56
Канал n управляемые логическим уровнем

IRL3103

 30 0,014 56 40 1/8 83 T
O
-
2
2
0
A
B

IRL2203N

 30 0,007 100 71 1/2 130

IRL3803

 30 0,006 120 83 1 150

IRL1004

     130 92 0,75 200

IRL1404

 40 0,004 160 110 0,75 200

IRLZ24N

 55 0,06 18 13 3,3 45

IRLZ34N

 55 0,035 27 19 2,7 56

IRLZ44N

 55 0,022 41 29 1/8 83

IRL3705N

 55 0,01 77 54 1/2 130

IRL2505

 55 0,008 104 74 0,75 200

IRLZ24

 60 0,1 17 12 2,5 60

IRLZ34

 60 0,05 30 21 1/7 88

IRLZ44

 60 0,028 50 36 1 150

IRL520N

 100 0,18 10 7,1 3,1 48

IRL530N

 100 0,1 17 12 1/9 79

IRL540N

 100 0,044 36 26 1,1 140

IRL2910

 100 0,026 48 34 0,75 200

IRL3215

 150 0,166 12 8,5 1/9 80

IRL620

 200 0,8 5,2 3 3,1 40

IRL630

 200 0,4 9 5,7 1/7 74

IRL640

 200 0,18 17 11 1 125

TRANZYSTORY MOSFET - FIRMY IR - TYP Tranzystor MOSFET Napięcie dren-źródło
Канал n  

IRFIZ24N

 55 0,7 13 9,2 5,8 26 T
O
-
2
2
0

F
u
l
l

P
a
c
k

IRFIZ34N

 55 0,04 19 13 4,8 31

IRFIZ44N

 55 0,024 28 20 0,024 38

IRFIZ46N

 55 0,02 31 22 3,8 40

IRFIZ48N

 55 0,016 36 25 3,6 42

IRFI1010N

 55 0,012 44 31 3,2 47

IRFI3205

 55 0,008 56 40 3,1 48

IRFIZ24E

 60 0,071 14 9,6 5,2 29

IRFIZ34E

 60 0,042 21 15 4,1 37

IRFI520N

 100 0,2 7,2 5,1 5,5 27

IRFI530N

 100 0,11 11 7,8 4,5 33

IRFI540N

 100 0,052 18 13 3,6 42

IRFI1310N

 100 0,036 22 16 3,3 45

IRFI620G

 200 0,8 4,1 2,6 4,1 30

IRFI630G

 200 0,4 5,9 3,7 3,6 32

IRFI640G

 200 0,18 9,8 6,2 3,1 40

IRFI614G

 250 2 2,1 1/3 5,5 23

IRFI624G

 250 1,1 3,4 2,2 4,1 30

IRFI634G

 250 0,45 5,6 3,5 3,6 32

IRFI644G

 250 0,28 7,9 5 3,1 40

IRFI720G

 400 1,8 2,6 1/7 4,1 30

IRFI730G

 400 1 3,7 2,3 3,6 32

IRFI740GLC

 400 0,55 6 39 3,1 40

IRFI740G

 400 0,55 5,4 3,4 3,1 40

IRFI734G

 450 1,2 3,4 2,1 3,6 35

IRFI744G

 450 0,63 4,9 3,1 3,1 40

IRFI820G

 500 3 2,1 1/3 4,1 30

IRFI830G

 500 1,5 3,1 2 3,6 32

IRFI840GLC

 500 0,85 4,8 39 3,1 40

IRFI840G

 500 0,85 4,6 2,9 3,1 40

IRFIB7N50A

 500 0,52 6,6 4,2 2,1 60

IRFIBC20G

 600 4,4 1/7 1/1 4,1 30

IRFIBC30G

 600 2,2 2,5 1/6 3,6 35

IRFIBC40GLC

 600 1,2 4 39 3,1 40

IRFIBC40G

 600 1,2 3,5 2,2 3,1 40

IRFIB6N60A

 600 0,75 5,5 3,5 2,1 60

IRFIB5N65A

 650 0,93 5,1 3,2 2,1 60

IRFIBE20G

 800 6,5 1,4 0,86 4,1 30

IRFIBE30G

 800 3 2,1 1/4 3,6 35

IRFIBF20G

 900 8 1,2 0,79 4,1 30

IRFIBF30G

 900 3,7 1/9 1/2 3,6 35
Канал P  

IRFI9530G

 -100 0,03 -7,7 -5,4 3,6 38 T
0
-
2
2
0

F
U
L
L

P
A
C
K

IRFI9620G

 -200 1,5 -3 -1/9 4,1 30

IRFI9630G

 -200 0,8 -4,3 -2,7 3,6 40

IRFI9640G

 -200 0,5 -6,1 -3,9 3,1 40

IRFI9634G

 -250 1 -4,1 -2,6 3,6 35
TRANZYSTORY MOSFET - FIRMY IR - TYP Tranzystor MOSFET Napięcie dren-źródło
Канал n управляемые логическим уровнем

IRLI2203N

 30 0,007 61 43 3,2 47 T
O
-
2
2
0

F
u
l
l

P
a
c
k

IRLI3803

 30 0,006 67 47 3,1 48

IRLIZ24N

 55 0,06 14 9,9 5,8 26

IRLIZ34N

 55 0,035 20 14 4,8 31

IRLIZ44N

 55 0,022 28 20 4 38

IRLI3705N

 55 0,01 47 33 3,2 47

IRLI2505

 55 0,008 58 41 2,4 63

IRLIZ14G

 60 0,2 8 5,7 5,5 27

IRLIZ24G

 60 0,1 14 10 4,1 37

IRLIZ34G

 60 0,05 20 14 3,6 42

IRLIZ44G

 60 0,028 30 21 3,1 48

IRLI520N

 100 0,18 7,7 5,4 5,5 27

IRLI530N

 100 0,1 11 7,8 4,5 33

IRLI540N

 100 0,044 20 14 3,6 42

IRLI620G

 200 0,8 4,1 2,6 4,1 30

IRLI630G

 200 0,4 5,9 3,7 3,6 32

IRLI640G

 200 0,18 9,8 6,2 3,1 40
Канал N  

IRFBA1404

 40 0,035 212 150 0,5 300

IRFBA22N50A

 500 0,26 23 15 0,37 357

IRFBA33N60C

 600 0,08 35 22 0,5 250
Канал N управляемые логическим уровнем

IRLBA1304P

 40 0,004 185 130 0,5 300

IRLBA3803P

 30 0,005 179 126 0,55 270
Канал N  

IRFP044N

 55 0,02 49 35 1,5 100 T
O
-
2
4
7

IRFP048N

 55 0,016 62 44 1,2 130

IRFP054N

 55 0,012 72 51 1,2 130

IRFP064N

 55 0,008 98 69 1 150

IRFP044

 60 0,028 57 40 0,83 180

IRFP048

 60 0,018 70 52 0,8 190

IRFP054

 60 0,014 70 64 0,65 230

IRFP064

 60 0,009 70 70 0,5 300

IRFP2907

 75 0,045 177 125 0,45 330

IRFP140N

 100 0,052 27 19 1,6 94

IRFP150N

 100 0,036 39 28 1,1 140

IRFP3710

 100 0,028 51 36 0,83 180

IRFP240

 200 0,18 20 12 0,83 150

IRFP250

 200 0,085 30 19 0,65 190

IRFP260

 200 0,055 46 29 0,45 280

IRFP244

 250 0,28 15 9,7 0,83 150

IRFP254

 250 0,14 23 15 0,65 190

IRFP264

 250 0,075 38 24 0,45 280

IRFP340

 400 0,55 11 6,9 0,83 150

IRFP350LC

 400 0,3 18 18 0,65 190

IRFP350

 400 0,3 16 10 0,65 190

IRFP360LC

 400 0,2 23 23 0,45 280

IRFP360

 400 0,2 23 14 0,45 280

TRANZYSTORY MOSFET - FIRMY IR - TYP Tranzystor MOSFET Napięcie dren-źródło
Канал N  

IRFP344

 450 0,63 9,5 6 0,83 150 T
O
-
2
4
7

IRFP354

 450 0,35 14 9,1 0,65 190

IRFP440

 500 0,85 8,8 5,6 0,83 150

IRFP448

 500 0,6 11 6,6 0,7 180

IRFP450A

 500 0,4 14 8,7 0,65 190

IRFP450

 500 0,4 14 8,7 0,65 190

IRFP460A

 500 0,27 20 13 0,45 280

IRFP460

 500 0,27 20 13 0,45 280

IRFP22N50A

 500 0,23 22 14 0,45 277

IRFPC30

 600 2,2 4,3 2,7 1,2 100

IRFPC40

 600 1,2 6,8 4,3 0,83 150

IRFPC48

 600 0,82 8,9 5,6 0,73 170

IRFPC50

 600 0,6 11 7 0,65 180

IRFPC50A

 600 0,58 11 7 0,65 180

IRFPC60LC

 600 0,4 16 98 0,45 280

IRFPC60

 600 0,4 16 10 0,45 280

IRFPE30

 800 3 4,1 2,6 1 125

IRFPE40

 800 2 5,4 3,4 0,83 150

IRFPE50

 800 1,2 7,8 4,9 0,65 190

Канал N

  

IRFPF30

 900 3,7 3,6 2,3 1 125 T
O
-
2
4
7

IRFPF40

 900 2,5 4,7 2,9 0,83 150

IRFPF50

 900 1,6 6,7 4,2 0,65 190

IRFPG30

 1000 5 3,1 2 1 125

IRFPG40

 1000 3,5 4,3 2,7 0,83 150

IRFPG50

 1000 2 6,1 3,9 0,65 190
TRANZYSTORY MOSFET - FIRMY IR - TYP Tranzystor MOSFET Napięcie dren-źródło
Канал P  

IRFP9140N

 -100 0,117 -21 -15 1,3 120 T
O
-
2
4
7

IRFP9240

 -200 05 -12 -7,5 0,83 150
Канал N  

IRFPS37N50A

 500 0,13 36 23 0,28 446

IRFPS59N60C

 600 0,045 59 37 0,32 390
Канал N tranzystor izolowany

FB180SA10

 100 0,0065 180 120 0,26 480 S
O
T
-
2
2
7
Канал N tranzystor izolowany o niskim ładunku bramki

FA38SA50LC

 500 0,13 38 24 0,25 500 S
O
T
-
2
2
7

FA57SA50LC

 500 0,08 57 36 0,2 625
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TRANZYSTORY MOSFET - FIRMY IR typ TRANZYSTORY MOSFET - FIRMY IR TRANZYSTORY MOSFET - FIRMY IR TRANZYSTORY MOSFET - FIRMY IR TRANZYSTORY MOSFET - FIRMY IR TRANZYSTORY MOSFET - FIRMY IR TRANZYSTORY MOSFET - FIRMY IR TRANZYSTORY MOSFET - FIRMY IR
Канал N управляемые логическим уровнем

IRF7402

 20 0,035 6,8 5,4 50 2,5

S
O
-
8

IRF7401

 20 0,022 8,7 7 50 2,5

IRF7460

 20 0,01 10 8 50 2,5

IRF7459

 20 0,01 10 8 50 2,5

IRF7457

 20 0,007 15 12 50 2,5

IRF7456

 20 0,0065 16 10 50 2,5

IRF7811A

 28 0,012 11,4 11,2 50 2,5

IRF9410

 30 0,03 7 5,8 50 2,5

IRF7201

 30 0,03 7 5,6 50 2,5

IRF7807

 30 0,025 8,3 6,6 50 2,5

IRF7403

 30 0,022 8,5 5,4 50 2,5

SI4410DY

 30 0,0135 10 8 50 2,5

IRF7413A

 30 0,0135 12 8,4 50 2,5

IRF7467

 30 0,0115 10 8 50 2,5

IRF7466

 30 0,0115 10 8 50 2,5

IRF7805

 30 0,011 13 10 50 2,5

IRF7413A

 30 0,011 13 9,2 50 2,5

SI4420DY

 30 0,009 12,5 10 50 2,5

IRF7809A

 30 0,0085 14,5 14,2 50 2,5

IRF7463

 30 0,008 13 10 50 2,5

IRF7458

 30 0,008 14 11 50 2,5

IRF7455

 30 0,0075 13 10 50 1,6

IRF7468

 40 0,017 9 7 50 2,5

IRF7470

 40 0,013 11 9 50 2,5

IRF7464

 200 0,73 1,2 1 50 2,5
Двойной Канал N управляемые логическим уровнем

IRF7101

 20 0,1 3,5 2,3 62,5 2

S
O
-
8

IRF7301

 20 0,5 5,2 4,1 62,5 2

IRF7311

 20 0,029 6,6 5,3 62,5 2

IRF9956

 30 0,1 3,5 2,8 62,5 2

IRF7303

 30 0,05 4,9 3,9 62,5 2

IRF7313

 30 0,029 6,5 5,2 62,5 2

IRF7103

 50 0,13 3 2,3 62,5 2

IRF7341

 55 0,043 4,7 3,8 62,5 2
Канал P управляемые логическим уровнем

IRF7233

 -12 0,013 -9,5 -6 50 2,5

S
O
-
8

IRF7220

 -12 0,0082 -11 -8,8 50 2,5

IRF7210

 -12 0,005 -16 -12 50 1,6

IRF7207

 -20 0,06 -5,4 -4,3 50 2,5

IRF7204

 -20 0,06 -5,3 -4,2 50 2,5

IRF7404

 -20 0,04 -6,7 -5,4 50 2,5

IRF7205

 -30 0,07 -4,6 -3,7 50 2,5

IRF7406

 -30 0,045 -5,8 -3,7 50 2,5

SI4435DY

 -30 0,02 -8 -6,4 50 2,5

IRF7416

 -30 0,02 -10 -7,1 50 2,5

TRANZYSTORY MOSFET - FIRMY IR - TYP Tranzystor MOSFET Napięcie dren-źródło
Двойной Канал P управляемые логическим уровнем

IRF7104

 -20 0,25 -2,3 -1,8 62,5 2

S
O
-
8

IRF7304

 -20 0,09 -4,3 -3,4 62,5 2

IRF7314

 -20 0,058 -5,3 -4,3 62,5 2

IRF9953

 -30 0,25 -2,3 -1,8 62,5 2

IRF7306

 -30 0,1 -3,6 -2,9 62,5 2

IRF7316

 -30 0,058 -4,9 -3,9 62,5 2

IRF7342

 -55 0,105 -3,4 -2,7 62,5 2
Канал N i P управляемые логическим уровнем

IRF7307(N)

 20 0,05 4,3 3,4 90 1,4

S
O
-
8

IRF7307(P)

 -20 0,09 -3,6 -2,9    

IRF7317(N)

 20 0,029 6,6 5,3 62,5 2

IRF7317(P)

 -20 0,058 -5,3 -4,3 62,5 2

IRF7105(N)

 25 0,109 3,5 2,8 62,5 2

IRF7105(P)

 -25 0,25 -2,3 -1,8 62 2

IRF9952(N)

 30 0,1 3,5 2,8 62,5 2

IRF9952(P)

 -30 0,25 -2,3 -1,8 62,5 2

IRF7309(N)

 30 0,05 4,9 3,9 62,5 2

IRF7309(P)

 -30 0,1 -3,6 -2,9    

IRF7379(N)

 30 0,038 5,8 4,6 50 2,5

IRF7379(P)

 -30 0,07 -4,3 -3,4 50 2,5

IRF7389(N)

 30 0,029 7,3 5,9 50 2,5

IRF7389(P)

 -30 0,058 -5,3 -4,2 50 2,5

IRF7319(N)

 30 0,029 6,5 5,2 62,5 2

IRF7319(P)

 -30 0,058 -4,9 -3,9 62,5 2

IRF7343(N)

 55 0,043 4,7 3,8 62,5 2

IRF7343(P)

 -55 0,056 -3,4 -2,7 62,5 2
Канал N  

IRFL014N

 55 0,16 1,9 1,5 120 2,1

S
O
T
-
2
2
3

IRFL024N

 55 0,075 4 2,3 60 2,1

IRFL4105

 55 0,045 3,7 3 60 2,1

IRFL1006

 60 0,22 2,3 1,3 120 2,1

IRFL014

 60 0,2 2,7 1,7 60 2

IRFL110

 100 0,54 1,5 0,96 60 2

IRFL4310

 100 0,2 1,6 1,3 60 2,1

IRFL210

 200 1,5 0,96 0,6 60 2

IRFL214

 250 2 0,79 0,5 60 2
Канал P  

IRFL9014

 -60 0,5 -1,8 -1,1 60 2

SO
T-
223

IRFL9110

 -100 1,2 -1,1 -0,69 60 2

TRANZYSTORY MOSFET - FIRMY IR - TYP Tranzystor MOSFET Napięcie dren-źródło
Канал N управляемые логическим уровнем

IRLL2703

 30 0,045 5,5 3,1 120 2,1 S
O
T
-
2
2
3

IRLL3303

 30 0,031 4,6 3,7 60 2,1

IRLL014N

 55 0,14 2 1,6 60 2,1

IRLL024N

 55 0,065 4,4 2,5 120 2,1

IRLL2705

 55 0,04 3,8 3 60 2,1

IRLL110

 100 0,54 1,5 0,93 60 3,1
Канал N  

IRFR3704

 20 0,0095 62 52 1,7 90

D
-
P
a
k

IRFR3303

 30 0,031 33 21 2,2 57

IRFR024N

 55 0,075 16 10 3,3 38

IRFR4105

 55 0,045 25 16 2,7 48

IRFR1205

 55 0,027 37 23 1,8 69

IRFR2405

 55 0,016 56 40 1,4 110

IRFR014

 60 0,2 7,7 5 4,9 25

IRFR2407

 75 0,026 42 29 1,4 110

IRFR110

 100 0,54 4,3 2,7 5 25

IRFR120N

 100 0,21 9,1 5,8 3,2 39

IRFR3910

 100 0,11 15 9,5 2,4 52

IRFR13N15D

 150 0,18 14 9,8 1,75 86

IRFR18N15D

 150 0,125 18 13 1,4 110

IRFR210

 200 1,5 2,6 1,7 5 25

IRFR220

 200 0,8 4,8 3 3 42

IRFR9N20D

 200 0,38 9,4 6,7 1,75 86

IRFR13N20D

 200 0,235 14 9,5 1,4 110

IRFR214

 250 2 2,2 1,4 5 25

IRFR224

 250 1,1 3,8 2,4 3 42

IRFR310

 400 3,6 1,7 1,1 5 25

IRFR320

 400 1,8 3,1 2 3 42

IRFR420

 500 3 2,4 1,5 3 42

IRFR1N60A

 600 7 1,4 0,89 3,5 36

IRFRC20

 600 4,4 2 1,3 3 42
Канал P  

IRFR9024N

 -55 0,175 11 8 3,3 38

D
-
P
a
k

IRFR5505

 -55 0,11 -18 -11 2,2 57

IRFR5305

 -55 0,065 -28 -18 1,4 89

IRFR9014

 -60 0,5 -5,1 -3,2 5 25

IRFR9024

 -60 0,28 -8,8 -5,6 3 42

IRFR9110

 -100 1,2 -3,1 -2 5 25

IRFR9120

 -100 0,6 -5,6 -3,6 3 42

IRFR9120N

 -100 0,48 -6,5 -4,1 3,2 39

IRFR5410

 -100 0,205 13 8,2 1,9 66

IRFR6215

 -150 0,295 13 9 1,4 110

IRFR9210

 -200 3 -1,9 -1,2 5 25

IRFR9220

 -200 1,5 -3,6 -2,3 3 42

IRFR9214

 -250 3 -2,7 -1,7 2,5 50

IRFR9310

 -400 7 -1,8 -1,1 2,5 50
Канал N управляемые логическим уровнем

IRLR2703

 30 0,045 22 14 3,3 38

D
-
P
a
k

IRLR3303

 30 0,031 33 21 2,2 57

IRLR3103

 30 0,019 46 29 1,8 69

IRLR8503

 30 0,012 49 34 2 62

IRLR8103

 30 0,006 89 61 1,4 89

IRLR024N

 55 0,065 17 11 3,3 38

IRLR2705

 55 0,04 24 15 2,7 46

IRLR2905

 55 0,027 36 23 1,8 69

IRLR120N

 100 0,185 11 6,9 3,2 39

IRLR3410

 100 0,1 15 9,5 2,4 52

TRANZYSTORY MOSFET - FIRMY IR - TYP Tranzystor MOSFET Napięcie dren-źródło

IRF1404S

 40 0,004 162 115 0,75 200 D2
-
P
a
k

IRFZ24NS

 55 0,07 17 12 3,3 45

IRFZ34NS

 55 0,04 29 20 2,2 68

IRFZ44NS

 55 0,022 49 35 1,4 110

IRFZ46NS

 55 0,02 53 37 1,3 120

IRFZ48NS

 55 0,016 64 45 1,1 140

IRF1010NS

 55 0,011 84 60 40 3,8

IRF3205S

 55 0,008 110 80 0,75 200

IRFZ44ES

 60 0,023 48 34 1,4 110

IRF1010ES

 60 0,012 83 59 0,9 170

IRF2807S

 75 0,013 82 58 0,75 200

IRF510S

 100 0,54 5,6 4 3,5 43

IRF520NS

 100 0,2 9,5 6,7 3,2 47

IRF530NS

 100 0,11 17 12 1,9 3,8

IRF540NS

 100 0,052 33 23 1,1 3,8

IRF1310NS

 100 0,036 42 30 0,95 3,8

IRFS59N10D

 100 0,025 59 42 0,5 200

IRF3710S

 100 0,025 57 40 0,75 3,8

IRFS23N15D

 150 0,09 23 17 1,1 3,8

IRF3315S

 150 0,082 21 15 1,6 94

IRFS33N15D

 150 0,056 33 24 0,9 3,8

IRFS41N15D

 150 0,045 41 29 0,75 200

IRF3515S

 150 0,045 41 29 0,75 200

IRF3415S

 150 0,042 43 30 0,75 3,8

IRF610S

 200 1,5 3,3 2,1 3,5 36

IRF620S

 200 0,8 5,2 3,3 2,5 50

IRF630S

 200 0,4 9 5,7 1,7 74

IRF640S

 200 0,18 18 11 1 125

IRFS17N20D

 200 0,17 16 12 1,1 140

IRFS23N20D

 200 0,1 24 17 0,9 170

IRFS31N20D

 200 0,082 31 22 0,75 200

IRF614S

 250 2 2,7 1,7 3,5 36

IRF624S

 250 1,1 4,4 2,8 2,5 50

IRF632S

 250 0,45 8,1 5,1 1,7 74

IRF644S

 250 0,28 14 8,5 1 125

IRF710S

 400 3,6 2 1,2 3,5 36

IRF720S

 400 1,8 3,3 2,1 2,5 50

IRF730S

 400 1 5,5 3,3 1,7 74

IRF730AS

 400 1 5,5 3,5 1,7 74

IRF740S

 400 0,55 10 6,3 1 125

IRF740AS

 400 0,55 10 6,3 1 125

IRF820S

 500 3 2,5 1,6 2,5 50

IRF820AS

 500 3 2,5 1,6 2,5 50

IRF830S

 500 1,5 4,5 2,9 1,7 74

IRF830AS

 500 1,4 5 3,2 1,7 74

IRF840S

 500 0,85 8 5,1 1 125

IRF840LCS

 500 0,85 8 5,1 1 125

IRF840AS

 500 0,85 8 5,1 1 125

IRFS11N50A

 500 0,52 11 7 0,75 170

IRFBC20S

 600 4,4 2,2 1,4 2,5 50

IRFBC30S

 600 2,2 3,6 2,3 1,7 74

IRFBC30AS

 600 2,2 3,6 2,3 1,7 74

IRFBC40S

 600 1,2 6,2 3,9 1 130

IRFBC40AS

 600 1,2 6,2 3,9 1 125

IRFS9N60A

 600 0,75 9,2 5,8 0,75 170

IRFBF20S

 900 8 1,7 1,1 2,3 54

TRANZYSTORY MOSFET - FIRMY IR - TYP Tranzystor MOSFET Napięcie dren-źródło
Канал P  

IRL5602S

 -20 0,042 24 -17 2 75 D2
-
P
a
k

IRF9Z24NS

 -55 0,175 -12 -8,5 3,3 45

IRF9Z34NS

 -55 0,1 19 14 2,2 68

IRF5305S

 -55 0,06 -31 -22 1,4 110

IRF4905S

 -55 0,02 -74 -52 40 3,8

IRF9Z14S

 -60 0,5 -6,7 -4,7 3,5 43

IRF9Z24S

 -60 0,28 -11 -7,7 2,5 60

IRF9Z34S

 -60 0,14 -18 -13 1/7 88

IRF9510S

 -100 1,2 -4 -2,8 3,5 43

IRF9520NS

 -100 0,48 -6,8 -4,8 3,1 3,8

IRF9530NS

 -100 0,2 -14 -10 1,9 3,8

IRF9540NS

 -100 0,117 -23 -16 1,1 3,8

IRF5210S

 -100 0,06 -0,4 -0,29 0,75 3,8

IRF6215S

 -150 0,29 -13 -9 1,4 110

IRF9610S

 -200 3 -1,8 -1 6,4 20

IRF9620S

 -200 1,5 -2,5 -2 3,1 40

IRF9630S

 -200 0,8 -6,5 -4 1/7 74

IRF9640S

 -200 0,5 -11 -6,8 1 125
Канал n управляемые логическим уровнем

IRL3302S

 20 0,02 39 25 2,2 57 D2
-
P
a
k

IRL3202S

 20 0,016 48 30 1/8 69

IRL3102S

 20 0,013 61 39 1/4 89

IRL3402S

 20 0,01 85 54 1/1 110

IRF3704S

 20 0,009 64 54 1/7 90

IRL3502S

 20 0,007 110 67 0,89 140

IRL2703S

 30 0,04 24 17 3,3 45

IRL3303S

 30 0,026 38 27 2,2 68

IRL3103S

 30 0,014 64 45 1/4 110

IRL2203NS

 30 0,007 116 82 0,9 170

IRL3803S

 30 0,006 140 98 0,75 200

IRL1004S

 40 0,0065 110 80 1 150

IRLZ24NS

 55 0,06 18 13 3,3 45

IRLZ34NS

 55 0,035 30 21 2,2 68

IRLZ44NS

 55 0,022 47 33 1/4 110

IRL3705NS

 55 0,01 89 63 0,9 170

IRL2505S

 55 0,008 104 74 0,75 200

IRL520NS

 100 0,18 10 7,1 3,1 3,8

IRL530NS

 100 0,1 17 12 1/9 3,8

IRL540NS

 100 0,044 36 26 1/1 3,8

IRL2910S

 100 0,026 55 39 0,75 3,8

IRL620S

 200 0,8 5,2 3,3 2,5 50

IRL630S

 200 0,4 9 5,7 1/7 74

IRL640S

 200 0,18 17 11 1 125
Канал n  

IRFBL3703

 30 0,0025 250 178 0,5 300 S
u
p
e
r
D2
-
P
a
k

IRFBL1304

 40 0,0045 185 130 0,5 300

IRFBL12N50A

 500 0,45 13 8,2 0,7 180

IRFBL10N60A

 600 0,61 11 7 0,7 180

TRANZYSTORY MOSFET - FIRMY IR - TYP Tranzystor MOSFET Napięcie dren-źródło
Канал n  

IRFU3303

 30 0,031 33 21 2,2 57 I
-
P
a
k

IRFU024N

 55 0,075 16 10 3,3 38

IRFU4105

 55 0,045 25 19 2,7 48

IRFU1205

 55 0,027 37 23 1/8 69

IRFU2405

 55 0,016 56 40 1/4 110

IRFU2407

 75 0,026 42 29 1/4 110

IRFU110

 100 0,54 4,3 2,7 5 25

IRFU120N

 100 0,21 9,1 5,8 3,2 39

IRFU3910

 100 0,11 15 9,5 2,4 52

IRFU13N15D

 150 0,18 14 9,8 1,75 86

IRFU18N15D

 150 0,125 18 13 1/4 110

IRFU210

 200 1,5 2,6 1/7 5 25

IRFU220

 200 0,8 4,8 3 3 42

IRFU9N20D

 200 0,38 9,4 6,7 1,75 86

IRFU13N20D

 200 0,235 14 9,5 1/4 110

IRFU214

 250 2 2,2 1/4 5 25

IRFU224

 250 1,1 3,8 2,4 3 42

IRFU310

 400 3,6 1/7 1/1 5 25

IRFU320

 400 1,8 3,1 2 3 42

IRFU420

 500 3 2,4 1/5 3 42

IRFUC20

 600 4,4 2 1/3 3 42
Канал P  

IRFU9024N

 -55 0,175 -11 -8 3,3 38 I
-
P
a
k

IRFU5505

 -55 0,11 -18 -11 2,2 57

IRFU5305

 -55 0,065 -28 -18 1/4 89

IRFU9014

 -60 0,5 -5,1 -3,2 5 25

IRFU9024

 -60 0,28 -8,8 -5,6 3 42

IRFU9110

 -100 1,2 -3,1 -2 5 25

IRFU9120N

 -100 0,48 -6,5 -4,1 3,2 39

IRFU5410

 -100 0,205 -13 -8,2 1/9 66

IRFU6215

 -150 0,295 -13 -9 1/4 110

IRFU9210

 -200 3 -1,9 -1/2 5 25

IRFU9220

 -200 1,5 -3,6 -2,3 3 42

IRFU9214

 -250 3 -2,7 -1/7 2,5 50

IRFU9310

 -400 7 -1,8 -1/1 2,5 50
Канал n управляемые логическим уровнем

IRFU3704

 20 0,0095 62 52 1/7 90 I
-
P
a
k

IRLU2703

 30 0,045 22 14 3,3 38

IRLU3303

 30 0,031 33 21 2,2 57

IRLU3103

 30 0,019 46 29 1/8 69

IRLU024N

 55 0,065 17 11 3,3 38

IRLU2705

 55 0,04 24 17 15 46

IRLU2905

 55 0,027 36 23 1/8 69

IRLU120N

 100 0,185 11 6,9 3,2 39

IRLU3410

 100 0,1 15 9,5 2,4 52
 
TRANZYSTORY MOSFET - FIRMY IR - TYP Tranzystor MOSFET Napięcie dren-źródło
Канал n  

IRFD014

 60 0,2 1/7 1/2 120 1/3 H
E
X
D
I
P

IRFD024

 60 0,1 2,5 1/8 120 1/3

IRFD110

 100 0,54 1 0,71 120 1/3

IRFD120

 100 0,27 1,3 0,94 120 1/3

IRFD210

 200 1,5 0,6 0,38 120 1/3

IRFD220

 200 0,8 0,8 0,5 120 1/3

IRFD214

 250 2 0,57 0,32 120 1/3

IRFD224

 250 1,1 0,76 0,43 120 1/3

IRFD310

 400 3,6 0,42 0,23 120 1/3

IRFD320

 400 1,8 0,6 0,33 120 1/3

IRFD420

 500 3 0,46 0,26 120 1/3

IRFDC20

 600 4,4 0,32 0,21 120 1/3
Канал P  

IRFD9014

 -60 0,5 -1,1 -0,8 120 1/3 H
E
X
D
I
P

IRFD9024

 -60 0,28 -1,6 -1/1 120 1/3

IRFD9110

 -100 1,2 -0,7 -0,49 120 1/3

IRFD9120

 -100 0,6 -1 -0,7 120 1/3

IRFD9210

 -200 3 -0,4 -0,25 120 1/3

IRFD9220

 -200 1,5 -0,56 -0,36 120 1/3
Канал n управляемые логическим уровнем

IRLD014

 60 0,2 1/7 1/2 120 1/3 H
E
X
D
I
P

IRLD024

 60 0,1 2,5 1/8 120 1/3

IRLD110

 100 0,54 1 0,7 120 1/3

IRLD120

 100 0,27 1/3 0,94 120 1/3
Канал n  

IRF1404L

 40 0,004 162 115 0,75 200 T
O
-
2
6
2

IRFZ24NL

 55 0,07 17 12 3,3 45

IRFZ34NL

 55 0,04 29 20 2,2 68

IRFZ44NL

 55 0,022 49 35 1/4 110

IRFZ46NL

 55 0,02 53 37 1/3 120

IRFZ48NL

 55 0,016 64 45 1/1 140

IRF1010NL

 55 0,011 84 60 0,9 170

IRF3205L

 55 0,008 110 80 0,75 200

IRFZ44EL

 60 0,023 48 34 1/4 110

IRF1010EL

 60 0,012 83 59 0,9 170

IRF2807L

 75 0,013 82 58 0,75 200

IRF530NL

 100 0,11 17 12 1/9 79

IRF540NL

 100 0,052 33 23 1/1 140

IRF1310NL

 100 0,036 42 30 0,95 160

IRFSL59N10D

 100 0,025 59 42 0,75 200

IRF3710L

 100 0,025 57 40 0,75 200

IRFSL23N15D

 150 0,09 23 17 1/1 3,8

IRF3315L

 150 0,082 21 15 1/6 94

IRFSL33N15D

 150 0,056 33 24 0,9 3,8

IRFL41N20D

 150 0,045 41 29 0,75 200

IRF3515L

 150 0,045 41 29 0,75 200

IRF3415L

 150 0,042 43 30 0,75 200

IRF640L

 200 0,18 18 11 1 130

IRFSL17N20D

 200 0,17 16 12 1/1 140

IRFSL23N20D

 200 0,1 24 17 0,9 170

IRFL31N20D

 200 0,082 31 22 0,75 200

IRF730AL

 400 1 5,5 3,5 1/7 74

IRF740AL

 400 0,55 10 6,3 1 125

IRF820AL

 500 3 2,5 1/6 2,5 50

IRF830AL

 500 1,4 5 3,2 1/7 74

IRF840LCL

 500 0,85 8 5,1 1 125

IRFSL11N50A

 500 0,55 11 7 0,75 190

IRFBC20L

 600 4,4 2,2 1/4 2,5 50

TRANZYSTORY MOSFET - FIRMY IR - TYP Tranzystor MOSFET Napięcie dren-źródło
Канал n  

IRFBC30L

 600 2,2 3,6 2,3 1/7 74 T
O
-
2
6
2

IRFBC40L

 600 1/2 6,2 3,9 1 130

IRFSL9N60A

 600 0,75 9,2 5,8 0,75 170

IRFBF20L

 900 8 1/7 1/1 2,3 54
Канал P  

IRF9Z34NL

 -55 0,1 -19 -14 2,2 68 T
O
-
2
6
2

IRF5305L

 -55 0,06 -31 -22 1/4 110

IRF4905L

 -55 0,02 -74 -52 0,75 200

IRF9Z24NL

 -60 0,28 -11 -7,7 2,5 60

IRF9520NL

 -100 0,48 -6,8 -4,8 3,1 48

IRF9530NL

 -100 0,2 -14 -10 1/9 79

IRF9540NL

 -100 0,117 -23 -16 1/1 140

IRF5210L

 -100 0,06 -0,4 -0,29 0,75 200

IRF6215L

 -150 0,29 -13 -9 1/4 110
Канал n управляемые логическим уровнем

IRF3704L

 20 0,009 64 54 1/7 90 T
O
-
2
6
2

IRL3303L

 30 0,026 38 27 2,2 68

IRL3103L

 30 0,014 64 45 1/4 110

IRL2203NL

 30 0,007 116 82 0,9 170

IRL3803L

 30 0,006 140 98 0,75 200

IRL1004L

 40 0,0065 110 80 1 150

IRLZ24NL

 55 0,06 18 13 3,3 45

IRLZ34NL

 55 0,035 30 21 2,2 68

IRLZ44NL

 55 0,022 47 33 1/4 110

IRL3705NL

 55 0,01 89 63 0,9 170

IRL2505L

 55 0,008 104 74 0,75 200

IRL520NL

 100 0,18 10 7,1 3,1 48

IRL530NL

 100 0,1 17 12 1/9 79

IRL540NL

 100 0,044 36 26 1,1 140

IRL2910L

 100 0,026 55 39 0,75 190
Канал n  

IRF1104

 40 0,009 100 71 0,9 170 T
O
-
2
2
0
A
B

IRF1404

 40 0,004 162 115 0,75 200

IRFZ24N

 55 0,07 17 12 3,3 45

IRFZ34N

 55 0,04 26 18 2,7 56

IRF1205

 55 0,027 41 29 1/8 83

IRFZ44N

 55 0,024 41 29 1/8 83

IRFZ46N

 55 0,02 46 33 1/7 88

IRFZ48N

 55 0,016 53 37 1/6 94

IRF1010N

 55 0,012 72 51 1/2 130

IRF3205

 55 0,008 98 69 1 150

IRF1405

 55 0,005 133 94 0,75 200

IRFZ14

 60 0,2 10 7,2 3,5 43

IRFZ24

 60 0,1 17 12 2,5 60

IRFZ34E

 60 0,042 28 20 2,2 68

IRFZ44E

 60 0,023 48 34 1/4 110

IRF1010E

 60 0,012 81 57 0,9 170

IRF2807

 75 0,013 82 58 0,75 200

IRF510

 100 0,54 5,6 4 3,5 43

IRF520N

 100 0,2 9,7 6,8 3,1 48

IRF530N

 100 0,11 17 12 1/9 79

IRF540N

 100 0,052 33 23 1/1 140

IRF1310N

 100 0,036 42 30 0,95 160

IRFB59N10D

 100 0,025 59 42 0,75 200

IRF3710

 100 0,025 57 40 0,75 200

TRANZYSTORY MOSFET - FIRMY IR - TYP Tranzystor MOSFET Napięcie dren-źródło
Канал n  

IRFB23N15D

 150 0,09 23 17 1/1 3,8 T
O
-
2
2
0
A
B

IRF3315

 150 0,082 21 15 1/6 94

IRFB33N15D

 150 0,056 33 24 0,9 3,8

IRFB41N15D

 150 0,045 41 29 0,75 200

IRF3415

 150 0,042 43 30 0,75 200

IRF610

 200 1,5 3,3 2,1 3,5 36

IRF620

 200 0,8 5,2 3,3 2,5 50

IRF630

 200 0,4 9 5,7 1/7 74

IRF640

 200 0,18 18 11 1 125

IRFB17N20D

 200 0,17 16 12 1/1 140

IRFB23N20D

 200 0,1 24 17 0,9 170

IRFB31N20D

 200 0,082 31 22 0,75 200

IRF614

 250 2 2,7 1/7 3,5 36

IRF624

 250 1,1 4,4 2,8 2,5 50

IRF634

 250 0,45 8,1 5,1 1/7 74

IRF644

 250 0,28 14 8,5 1 125

IRF737LC

 300 0,75 6,1 17 1/7 74

IRFB9N30A

 300 0,45 9,3 5,9 1/3 96

IRF710

 400 3,6 2 1/2 3,5 36

IRF720

 400 1,8 3,3 2,1 2,5 50

IRF730A

 400 1 5,5 3,5 1/7 74

IRF730

 400 1 5,5 3,3 1/7 74

IRF740A

 400 0,55 10 6,3 1 125

IRF740

 400 0,55 10 6,3 1 125

IRF734

 450 1,2 4,9 3,1 1/7 74

IRF744

 450 0,63 8,8 5,6 1 125

IRF820A

 500 3 2,5 1/6 2,5 50

IRF820

 500 3 2,5 1/6 2,5 50

IRF830A

 500 1,4 5   1/7 74

IRF840A

 500 0,85 8 5,1 1 125

IRF840

 500 0,85 8 5,1 1 125

IRFB11N50A

 500 0,52 11 7 0,75 170

IRFBC20

 600 4,4 2,2 1/4 2,5 50

IRFBC30A

 600 2,2 3,6 2,3 1/7 74

IRFBC30

 600 2,2 3,6 2,3 1/7 74

IRFBC40A

 600 1,2 6,1   1/3 96

IRFB9N60A

 600 0,75 9,2 5,8 0,75 170

IRFB9N65A

 650 0,9 8,5 5,4 0,75 167

IRFBE20

 800 6,5 1,8 1/2 2,3 54

IRFBE30

 800 3 4,1 2,6 2 125

IRFBF20

 900 8 1/7 1/1 2,3 54

IRFBF30

 900 3,7 3,6 2,3 1 125

IRFBG20

 1000 11 1,4 0,86 2,3 54

IRFBG30

 1000 5 3,1 2 1 125

TRANZYSTORY MOSFET - FIRMY IR - TYP Tranzystor MOSFET Napięcie dren-źródło
Канал P  

IRF9Z24N

 -55 0,175 -12 -8,5 3,3 45 T
O
-
2
2
0
A
B

IRF9Z34N

 -55 0,1 -17 -12 2,7 56

IRF5305

 -55 0,06 -31 -22 1,4 110

IRF4905

 -55 0,02 -64 -45 1 150

IRF9Z14

 -60 0,5 -6,7 -4,7 3,5 43

IRF9510

 -100 1,2 -4 -2,8 3,5 43

IRF9520N

 -100 0,48 -6,8 -4,8 3,1 48

IRF9530N

 -100 0,2 -14 -10 1,9 79

IRF9540N

 -100 0,117 -23 -16 1/1 140

IRF5210

 -100 0,06 -40 -29 0,75 200

IRF6215

 -150 0,29 -13 -9 1,4 110

IRF9610

 -200 3 -1,8 -1 6,4 20

IRF9620

 -200 1,5 -2,5 -2 3,1 40

IRF9630

 -200 0,8 -6,5 -4 1/7 74

IRF9640

 -200 0,5 -11 -6,8 1 125
Канал n управляемые логическим уровнем

IRL3302

 20 0,02 39 25 2,2 57 T
O
-
2
2
0
A
B

IRL3202

 20 0,016 48 30 1/8 69

IRL3102

 20 0,013 61 39 1/4 89

IRL3402

 20 0,01 85 54 1/1 110

IRF3704

 20 0,009 64 54 1,7 90

IRL3502

 20 0,007 110 67 0,89 140

IRL2703

 30 0,04 24 17 3,3 45

IRL3303

 30 0,026 34 24 2,7 56
Канал n управляемые логическим уровнем

IRL3103

 30 0,014 56 40 1/8 83 T
O
-
2
2
0
A
B

IRL2203N

 30 0,007 100 71 1/2 130

IRL3803

 30 0,006 120 83 1 150

IRL1004

     130 92 0,75 200

IRL1404

 40 0,004 160 110 0,75 200

IRLZ24N

 55 0,06 18 13 3,3 45

IRLZ34N

 55 0,035 27 19 2,7 56

IRLZ44N

 55 0,022 41 29 1/8 83

IRL3705N

 55 0,01 77 54 1/2 130

IRL2505

 55 0,008 104 74 0,75 200

IRLZ24

 60 0,1 17 12 2,5 60

IRLZ34

 60 0,05 30 21 1/7 88

IRLZ44

 60 0,028 50 36 1 150

IRL520N

 100 0,18 10 7,1 3,1 48

IRL530N

 100 0,1 17 12 1/9 79

IRL540N

 100 0,044 36 26 1,1 140

IRL2910

 100 0,026 48 34 0,75 200

IRL3215

 150 0,166 12 8,5 1/9 80

IRL620

 200 0,8 5,2 3 3,1 40

IRL630

 200 0,4 9 5,7 1/7 74

IRL640

 200 0,18 17 11 1 125

TRANZYSTORY MOSFET - FIRMY IR - TYP Tranzystor MOSFET Napięcie dren-źródło
Канал n  

IRFIZ24N

 55 0,7 13 9,2 5,8 26 T
O
-
2
2
0

F
u
l
l

P
a
c
k

IRFIZ34N

 55 0,04 19 13 4,8 31

IRFIZ44N

 55 0,024 28 20 0,024 38

IRFIZ46N

 55 0,02 31 22 3,8 40

IRFIZ48N

 55 0,016 36 25 3,6 42

IRFI1010N

 55 0,012 44 31 3,2 47

IRFI3205

 55 0,008 56 40 3,1 48

IRFIZ24E

 60 0,071 14 9,6 5,2 29

IRFIZ34E

 60 0,042 21 15 4,1 37

IRFI520N

 100 0,2 7,2 5,1 5,5 27

IRFI530N

 100 0,11 11 7,8 4,5 33

IRFI540N

 100 0,052 18 13 3,6 42

IRFI1310N

 100 0,036 22 16 3,3 45

IRFI620G

 200 0,8 4,1 2,6 4,1 30

IRFI630G

 200 0,4 5,9 3,7 3,6 32

IRFI640G

 200 0,18 9,8 6,2 3,1 40

IRFI614G

 250 2 2,1 1/3 5,5 23

IRFI624G

 250 1,1 3,4 2,2 4,1 30

IRFI634G

 250 0,45 5,6 3,5 3,6 32

IRFI644G

 250 0,28 7,9 5 3,1 40

IRFI720G

 400 1,8 2,6 1/7 4,1 30

IRFI730G

 400 1 3,7 2,3 3,6 32

IRFI740GLC

 400 0,55 6 39 3,1 40

IRFI740G

 400 0,55 5,4 3,4 3,1 40

IRFI734G

 450 1,2 3,4 2,1 3,6 35

IRFI744G

 450 0,63 4,9 3,1 3,1 40

IRFI820G

 500 3 2,1 1/3 4,1 30

IRFI830G

 500 1,5 3,1 2 3,6 32

IRFI840GLC

 500 0,85 4,8 39 3,1 40

IRFI840G

 500 0,85 4,6 2,9 3,1 40

IRFIB7N50A

 500 0,52 6,6 4,2 2,1 60

IRFIBC20G

 600 4,4 1/7 1/1 4,1 30

IRFIBC30G

 600 2,2 2,5 1/6 3,6 35

IRFIBC40GLC

 600 1,2 4 39 3,1 40

IRFIBC40G

 600 1,2 3,5 2,2 3,1 40

IRFIB6N60A

 600 0,75 5,5 3,5 2,1 60

IRFIB5N65A

 650 0,93 5,1 3,2 2,1 60

IRFIBE20G

 800 6,5 1,4 0,86 4,1 30

IRFIBE30G

 800 3 2,1 1/4 3,6 35

IRFIBF20G

 900 8 1,2 0,79 4,1 30

IRFIBF30G

 900 3,7 1/9 1/2 3,6 35
Канал P  

IRFI9530G

 -100 0,03 -7,7 -5,4 3,6 38 T
0
-
2
2
0

F
U
L
L

P
A
C
K

IRFI9620G

 -200 1,5 -3 -1/9 4,1 30

IRFI9630G

 -200 0,8 -4,3 -2,7 3,6 40

IRFI9640G

 -200 0,5 -6,1 -3,9 3,1 40

IRFI9634G

 -250 1 -4,1 -2,6 3,6 35
TRANZYSTORY MOSFET - FIRMY IR - TYP Tranzystor MOSFET Napięcie dren-źródło
Канал n управляемые логическим уровнем

IRLI2203N

 30 0,007 61 43 3,2 47 T
O
-
2
2
0

F
u
l
l

P
a
c
k

IRLI3803

 30 0,006 67 47 3,1 48

IRLIZ24N

 55 0,06 14 9,9 5,8 26

IRLIZ34N

 55 0,035 20 14 4,8 31

IRLIZ44N

 55 0,022 28 20 4 38

IRLI3705N

 55 0,01 47 33 3,2 47

IRLI2505

 55 0,008 58 41 2,4 63

IRLIZ14G

 60 0,2 8 5,7 5,5 27

IRLIZ24G

 60 0,1 14 10 4,1 37

IRLIZ34G

 60 0,05 20 14 3,6 42

IRLIZ44G

 60 0,028 30 21 3,1 48

IRLI520N

 100 0,18 7,7 5,4 5,5 27

IRLI530N

 100 0,1 11 7,8 4,5 33

IRLI540N

 100 0,044 20 14 3,6 42

IRLI620G

 200 0,8 4,1 2,6 4,1 30

IRLI630G

 200 0,4 5,9 3,7 3,6 32

IRLI640G

 200 0,18 9,8 6,2 3,1 40
Канал N  

IRFBA1404

 40 0,035 212 150 0,5 300

IRFBA22N50A

 500 0,26 23 15 0,37 357

IRFBA33N60C

 600 0,08 35 22 0,5 250
Канал N управляемые логическим уровнем

IRLBA1304P

 40 0,004 185 130 0,5 300

IRLBA3803P

 30 0,005 179 126 0,55 270
Канал N  

IRFP044N

 55 0,02 49 35 1,5 100 T
O
-
2
4
7

IRFP048N

 55 0,016 62 44 1,2 130

IRFP054N

 55 0,012 72 51 1,2 130

IRFP064N

 55 0,008 98 69 1 150

IRFP044

 60 0,028 57 40 0,83 180

IRFP048

 60 0,018 70 52 0,8 190

IRFP054

 60 0,014 70 64 0,65 230

IRFP064

 60 0,009 70 70 0,5 300

IRFP2907

 75 0,045 177 125 0,45 330

IRFP140N

 100 0,052 27 19 1,6 94

IRFP150N

 100 0,036 39 28 1,1 140

IRFP3710

 100 0,028 51 36 0,83 180

IRFP240

 200 0,18 20 12 0,83 150

IRFP250

 200 0,085 30 19 0,65 190

IRFP260

 200 0,055 46 29 0,45 280

IRFP244

 250 0,28 15 9,7 0,83 150

IRFP254

 250 0,14 23 15 0,65 190

IRFP264

 250 0,075 38 24 0,45 280

IRFP340

 400 0,55 11 6,9 0,83 150

IRFP350LC

 400 0,3 18 18 0,65 190

IRFP350

 400 0,3 16 10 0,65 190

IRFP360LC

 400 0,2 23 23 0,45 280

IRFP360

 400 0,2 23 14 0,45 280

TRANZYSTORY MOSFET - FIRMY IR - TYP Tranzystor MOSFET Napięcie dren-źródło
Канал N  

IRFP344

 450 0,63 9,5 6 0,83 150 T
O
-
2
4
7

IRFP354

 450 0,35 14 9,1 0,65 190

IRFP440

 500 0,85 8,8 5,6 0,83 150

IRFP448

 500 0,6 11 6,6 0,7 180

IRFP450A

 500 0,4 14 8,7 0,65 190

IRFP450

 500 0,4 14 8,7 0,65 190

IRFP460A

 500 0,27 20 13 0,45 280

IRFP460

 500 0,27 20 13 0,45 280

IRFP22N50A

 500 0,23 22 14 0,45 277

IRFPC30

 600 2,2 4,3 2,7 1,2 100

IRFPC40

 600 1,2 6,8 4,3 0,83 150

IRFPC48

 600 0,82 8,9 5,6 0,73 170

IRFPC50

 600 0,6 11 7 0,65 180

IRFPC50A

 600 0,58 11 7 0,65 180

IRFPC60LC

 600 0,4 16 98 0,45 280

IRFPC60

 600 0,4 16 10 0,45 280

IRFPE30

 800 3 4,1 2,6 1 125

IRFPE40

 800 2 5,4 3,4 0,83 150

IRFPE50

 800 1,2 7,8 4,9 0,65 190

Канал N

  

IRFPF30

 900 3,7 3,6 2,3 1 125 T
O
-
2
4
7

IRFPF40

 900 2,5 4,7 2,9 0,83 150

IRFPF50

 900 1,6 6,7 4,2 0,65 190

IRFPG30

 1000 5 3,1 2 1 125

IRFPG40

 1000 3,5 4,3 2,7 0,83 150

IRFPG50

 1000 2 6,1 3,9 0,65 190
TRANZYSTORY MOSFET - FIRMY IR - TYP Tranzystor MOSFET Napięcie dren-źródło
Канал P  

IRFP9140N

 -100 0,117 -21 -15 1,3 120 T
O
-
2
4
7

IRFP9240

 -200 05 -12 -7,5 0,83 150
Канал N  

IRFPS37N50A

 500 0,13 36 23 0,28 446

IRFPS59N60C

 600 0,045 59 37 0,32 390
Канал N tranzystor izolowany

FB180SA10

 100 0,0065 180 120 0,26 480 S
O
T
-
2
2
7
Канал N tranzystor izolowany o niskim ładunku bramki

FA38SA50LC

 500 0,13 38 24 0,25 500 S
O
T
-
2
2
7

FA57SA50LC

 500 0,08 57 36 0,2 625
Меньше
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