Moduły SIC MOSFET - POWEREX
  • Moduły SIC MOSFET - POWEREX

Zdjęcia mają charakter wyłacznie informacyjny. Zobacz specyfikację produktu

Producent: POWEREX

Moduły SIC MOSFET - POWEREX

Dane Techniczne
- Tj 200OC
- Chip wykonany w technologii węglika krzemu
- Wysokie częstotliwości pracy
- Niskie straty łączeniowe
- Niska pojemność
- Niskie wymagania dla sterownika
- Szybka, zintegrowana dioda zwrotna Schottky’ego
- Wysoka gęstość mocy
- Izolowana podstawa
 

MODUŁY SIC MOSFET I Generacja

TypPrąd @TC= 150°C
[A]
Napięcie
[V]
RDS (on) @Tj=25°C
[mΩ]
Prąd diody zwrotnej
[A]

QJD1210006

100 1200 15 50

QJD1210007

100 1200 15 100

 

MODUŁY SIC MOSFET II Generacja

TypPrąd @TC= 150°C
[A]
Napięcie
[V]
RDS (on) @Tj=25°C
[mΩ]
Prąd diody zwrotnej
[A]

QJD1210010*

100 1200 15 100

QJD1210011**

100 1200 15 100

* Podstawa miedziana
** Podstawa AlSiC

 

Moduły hybrydowe Si IGBT/ SiC Schottky diode

TypPrąd @TC= 25°C
[A]
Napięcie
[V]
RDS (on) @Tj=25°C
[mΩ]
Prąd diody zwrotnej
[A]

QID1210005*

100 1200 15 100

QJD1210006**

100 1200 15 100

* Podstawa miedziana
** Podstawa AlSiC

Wymiary I Generacja
MODUŁY SIC MOSFET I generacja
MODUŁY SIC MOSFET I generacja wymiar
Wymiary II Generacja
MODUŁY SIC MOSFET  II generacja
MODUŁY SIC MOSFET  II generacja wymiar
Wymiary Moduły hybrydowe Si IGBT/ SiC Schottky diode
Wymiary Moduły hybrydowe Si IGBT/ SiC Schottky diode

Wyślij zapytanie ofertowe

Jesteś zainteresowany tym produktem? Potrzebujesz dodatkowych informacji lub indywidualnej wyceny?

Skontakuj się z nami

ZAPYTAJ O PRODUKT close
Wiadomość wysłana poprawnie.
ZAPYTAJ O PRODUKT close
Przeglądaj

Dodaj do schowka

Musisz być zalogowany/a