Przetworniki prądowe w technologii SMD serii GO-SME i GO-SMS
  • Przetworniki prądowe w technologii SMD serii GO-SME i GO-SMS

Zdjęcia mają charakter wyłacznie informacyjny. Zobacz specyfikację produktu

Producent: LEM

Przetworniki prądowe w technologii SMD serii GO-SME i GO-SMS

Przetworniki prądowe w technologii SMD serii GO-SME i GO-SMS

GO-SME i GO-SMS to miniaturowe przetworniki prądowe w obudowie typu SOIC 8 i SOIC 16, oparte o zjawisko Halla zapewniające izolację galwaniczną między obwodem pierwotnym a wtórnym.

 

Przetworniki prądowe w technologii SMD serii GO-SME i GO-SMS

Cechy:

  • Pomiar prądów AC i DC o wartościach 10 i 20 A (GO-SME i GO-SMS) oraz 30 A (GO-SMS)
  • Wykonanie w technologii SMD pozwalające na automatyczny montaż
  • Izolacja galwaniczna (napięcie testowe izolacji: 2500V RMS dla GO-SME lub 3000V dla GO-SMS)
  • Niski pobór mocy
  • Duża odporność na wpływ pól zewnętrznych
  • Wysoka zdolność izolacji
  • Zasilanie unipolarne 5V
  • Czas odpowiedzi 2μs
  • 5 lat gwarancji
  • Brak histerezy magnetycznej
  • Niska rezystancja wejściowa (0.9mΩ - GO-SME lub 0.75mΩ - GO-SMS)
  • Wyjście napięciowe o dużej czułości (do 80mV/A)
  • Pasmo przenoszenia DC – 300kHz
  • Detekcja przetężeń OCD (tylko GO-SMS)

Typowe aplikacje:

  • Małe napędy
  • HVAC
  • E-bike
  • Panele słoneczne (GO-SMS)

Dane znamionowe:

ModelZnamionowy prąd pierwotny IPN[A]Zakres pomiarowy IPM[A]Czułość GTH[mV/A]Dokładność [%]ObudowaOCD
GO 10-SME 10 ±25 80 ±1.3 SOIC 8 NIE
GO 20-SME 20 ±50 40 ±1.3 SOIC 8 NIE
GO 10-SMS 10 ±25 80 ±1.3 SOIC 16 TAK
GO 20-SMS 20 ±50 40 ±1.3 SOIC 16 TAK
GO 30-SMS 30 ±75 26.7 ±1.3 SOIC 16 TAK




GO-SME

Schemat łączeniowy

Przetworniki prądowe w technologii SMD serii GO-SME schemat

Schemat blokowy

Przetworniki prądowe w technologii SMD serii GO-SME schemat blokowy

 

GO-SMS

Schemat łączeniowy

Przetworniki prądowe w technologii SMD serii GO-SMS schemat łączeniowy

Schemat blokowy

Przetworniki prądowe w technologii SMD serii GO-SMS schemat blokowy

Detekcja przetężeń

ParametrSymbolJednostkaSpecyfikacjaWarunki
min.typ.max.
Napięcie wyjściowe odpowiadające przetężeniu UE V 0.3   2  
Rezystancja wyjściowa do masy RonE 35 200 300  
Czas odpowiedzi przetężenia trE μs   10   Do dodania do czasu odpowiedzi czujnika.
Błąd progu przetężenia εI %   ±5   Błąd punktu przełączania pomiędzy VOUT a UE

Wyślij zapytanie ofertowe

Jesteś zainteresowany tym produktem? Potrzebujesz dodatkowych informacji lub indywidualnej wyceny?

Skontakuj się z nami

ZAPYTAJ O PRODUKT close
Wiadomość wysłana poprawnie.
ZAPYTAJ O PRODUKT close
Przeglądaj

Dodaj do schowka

Musisz być zalogowany/a

Przetworniki prądowe w technologii SMD serii GO-SME i GO-SMS

GO-SME i GO-SMS to miniaturowe przetworniki prądowe w obudowie typu SOIC 8 i SOIC 16, oparte o zjawisko Halla zapewniające izolację galwaniczną między obwodem pierwotnym a wtórnym.

 

Przetworniki prądowe w technologii SMD serii GO-SME i GO-SMS

Cechy:

  • Pomiar prądów AC i DC o wartościach 10 i 20 A (GO-SME i GO-SMS) oraz 30 A (GO-SMS)
  • Wykonanie w technologii SMD pozwalające na automatyczny montaż
  • Izolacja galwaniczna (napięcie testowe izolacji: 2500V RMS dla GO-SME lub 3000V dla GO-SMS)
  • Niski pobór mocy
  • Duża odporność na wpływ pól zewnętrznych
  • Wysoka zdolność izolacji
  • Zasilanie unipolarne 5V
  • Czas odpowiedzi 2μs
  • 5 lat gwarancji
  • Brak histerezy magnetycznej
  • Niska rezystancja wejściowa (0.9mΩ - GO-SME lub 0.75mΩ - GO-SMS)
  • Wyjście napięciowe o dużej czułości (do 80mV/A)
  • Pasmo przenoszenia DC – 300kHz
  • Detekcja przetężeń OCD (tylko GO-SMS)

Typowe aplikacje:

  • Małe napędy
  • HVAC
  • E-bike
  • Panele słoneczne (GO-SMS)

Dane znamionowe:

ModelZnamionowy prąd pierwotny IPN[A]Zakres pomiarowy IPM[A]Czułość GTH[mV/A]Dokładność [%]ObudowaOCD
GO 10-SME 10 ±25 80 ±1.3 SOIC 8 NIE
GO 20-SME 20 ±50 40 ±1.3 SOIC 8 NIE
GO 10-SMS 10 ±25 80 ±1.3 SOIC 16 TAK
GO 20-SMS 20 ±50 40 ±1.3 SOIC 16 TAK
GO 30-SMS 30 ±75 26.7 ±1.3 SOIC 16 TAK




GO-SME

Schemat łączeniowy

Przetworniki prądowe w technologii SMD serii GO-SME schemat

Schemat blokowy

Przetworniki prądowe w technologii SMD serii GO-SME schemat blokowy

 

GO-SMS

Schemat łączeniowy

Przetworniki prądowe w technologii SMD serii GO-SMS schemat łączeniowy

Schemat blokowy

Przetworniki prądowe w technologii SMD serii GO-SMS schemat blokowy

Detekcja przetężeń

ParametrSymbolJednostkaSpecyfikacjaWarunki
min.typ.max.
Napięcie wyjściowe odpowiadające przetężeniu UE V 0.3   2  
Rezystancja wyjściowa do masy RonE 35 200 300  
Czas odpowiedzi przetężenia trE μs   10   Do dodania do czasu odpowiedzi czujnika.
Błąd progu przetężenia εI %   ±5   Błąd punktu przełączania pomiędzy VOUT a UE