G2R1000MT17D MOSFET SiC
  • G2R1000MT17D MOSFET SiC

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny. Zobacz specyfikację produktu

proszę używać znaków łacińskich

G2R1000MT17D MOSFET SiC

  • G2R1000MT17D
  • Typ obudowy TO-247-3
  • Napięcie UDS 1700 V
  • Prąd ciągły ID przy Tc=25oC 5:00 AM
  • Prąd ciągły ID przy Tc=100oC 4:00 AM
  • Rds(on) 1 Ohm
19,04 PLN
19,04 PLN Cena brutto/szt.
15,48 PLN Cena netto/szt.
Brutto

Dostępność: Informujemy, że tego produktu nie ma w magazynie

Można złożyć zamówienie wstępne, zgłosić zainteresowanie produktem, klikając w przycisk “Zapytaj o dostępność”.

Obecnie brak na stanie

ZAPYTAJ O PRODUKT close
Wiadomość wysłana poprawnie.
ZAPYTAJ O PRODUKT close
Przeglądaj

Dodaj do schowka

Musisz być zalogowany/a

  • Typ obudowy TO-247-3
  • Napięcie UDS 1700 V
  • Prąd ciągły ID przy Tc=25oC 5:00 AM
  • Prąd ciągły ID przy Tc=100oC 4:00 AM
  • Rds(on) 1 Ohm