G2R1000MT17J MOSFET SiC
  • G2R1000MT17J MOSFET SiC

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny. Zobacz specyfikację produktu

proszę używać znaków łacińskich

G2R1000MT17J MOSFET SiC

  • G2R1000MT17J
  • Typ obudowy TO-263-7
  • Napięcie UDS 1700 V
  • Prąd ciągły ID przy Tc=25oC 5:00 AM
  • Prąd ciągły ID przy Tc=100oC 4:00 AM
  • Rds(on) 1 Ohm
31,98 PLN
31,98 PLN Cena brutto/szt.
26,00 PLN Cena netto/szt.
Brutto
Dostępność: Dostępny ilość szt: 900
Kontakt z BOK Szacowany czas dostawy / realizacji zamówienia. Czas realizacji zamówienia uzależniony jest od możliwości produkcyjnych.
ZAPYTAJ O PRODUKT close
Wiadomość wysłana poprawnie.
ZAPYTAJ O PRODUKT close
Przeglądaj

Dodaj do schowka

Musisz być zalogowany/a

  • Typ obudowy TO-263-7
  • Napięcie UDS 1700 V
  • Prąd ciągły ID przy Tc=25oC 5:00 AM
  • Prąd ciągły ID przy Tc=100oC 4:00 AM
  • Rds(on) 1 Ohm