G3R30MT12J MOSFET SiC
  • G3R30MT12J MOSFET SiC

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny. Zobacz specyfikację produktu

proszę używać znaków łacińskich

G3R30MT12J MOSFET SiC

  • G3R30MT12J
  • Typ obudowy TO-263-7
  • Napięcie UDS 1200 V
  • Prąd ciągły ID przy Tc=25oC 96 A
  • Prąd ciągły ID przy Tc=100oC 68 A
  • Rds(on) 0.03 Ohm
79,16 PLN
79,16 PLN Cena brutto/szt.
64,36 PLN Cena netto/szt.
Brutto

Dostępność: Informujemy, że tego produktu nie ma w magazynie

Można złożyć zamówienie wstępne, zgłosić zainteresowanie produktem, klikając w przycisk “Zapytaj o dostępność”.

Obecnie brak na stanie

ZAPYTAJ O PRODUKT close
Wiadomość wysłana poprawnie.
ZAPYTAJ O PRODUKT close
Przeglądaj

Dodaj do schowka

Musisz być zalogowany/a

  • Typ obudowy TO-263-7
  • Napięcie UDS 1200 V
  • Prąd ciągły ID przy Tc=25oC 96 A
  • Prąd ciągły ID przy Tc=100oC 68 A
  • Rds(on) 0.03 Ohm