Navitas представя най-новите SiCPAK™ модули за мощност – нов стандарт за надеждност и ефективност при високи температури

Navitas представя новите модули за захранване SiCPAK™ – нов стандарт за надеждност и ефективност при високи температури

Navitas Semiconductor (Nasdaq: NVTS), лидер в индустрията за полупроводници от галиев нитрид (GaN) и силициев карбид (SiC), обяви премиерата на новите си модули за захранване SiCPAK™. Те се отличават с използването на модерна технология за импрегниране с епоксидна смола, която значително повишава надеждността и стабилността при работа при екстремни температурни условия.

Революционна технология за епоксидна смола – 5 пъти по-нисък ръст на термичното съпротивление

Новите SiCPAK™ 1200V модули са проектирани за приложения с висока мощност при екстремни условия на околната среда. Благодарение на иновативната технология за епоксидна смола, тези модули предлагат пет пъти по-малък ръст на термичното съпротивление след 1000 цикъла на термичен шок (-40°C до +125°C), в сравнение с традиционните модули с силиконов гел.

Всички силиконови модули се провалиха на тестовете за изолация, докато панелите SiCPAK™ с епоксидна смола запазиха сигурни нива на изолация, което води до по-дълъг живот на системите и по-голяма безопасност.

Модерна MOSFET технология – по-ниски загуби на мощност, по-висока надеждност

Серията модули SiCPAK™ използва собствена технология „trench-assisted planar SiC MOSFET” на GeneSiC™, която предлага:

• 20% по-ниски загуби на мощност,
• По-малко нагряване, което води до по-дълъг живот на компонентите,
• Изключителна стабилност на параметрите при високи температури.

На практика това означава по-малък ръст на съпротивлението RDS(ON), когато температурата се увеличава, което позволява по-ефективна и енергийно спестяваща работа на устройствата в широк температурен диапазон.

Освен това, всички SiC MOSFET транзистори на GeneSiC™ предлагат:

• Най-високото тествано ниво на устойчивост на лавинни пробиви,
• До 30% по-добра устойчивост на късо съединение,
• Строга толерантност на прагова напрежение – което улеснява паралелното им свързване.

Приложения и конфигурации на модулите SiCPAK™

Новите модули са предназначени за широк спектър от приложения:

• Бързи DC зарядни устройства за електрически превозни средства (EV DCFC),
• Пречистватели за промишлени двигатели,
• UPS захранващи устройства,
• Инвертори и оптимизатори на мощност за фотоволтаични системи,
• Системи за съхранение на енергия (ESS),
• Индустриални заваръчни машини и индуктивни нагревателни устройства.

Налични конфигурации: полупрегъва, пълен прегъва, 3L-T-NPC, със стойности на съпротивлението от 4,6 mΩ до 18,5 mΩ. Всички модули имат вградени NTC термистори и са съвместими с популярните стандарти за пинове press-fit. Също така има възможност за фабрично нанасяне на термопроводящ материал (TIM), което улеснява монтажа.

За компанията Navitas

Navitas Semiconductor е единствената компания в света, специализирана изключително в полупроводниците от ново поколение, основана през 2014 година. Решенията GaNFast™ и GeneSiC™ позволяват по-бързо зареждане, по-висока мощност на плътност и значителни икономии на енергия. Областите на приложение включват AI центрове за данни, електрическа мобилност, възобновяема енергия, съхранение на енергия, домакински и промишлени устройства, както и потребителска електроника.

Navitas притежава над 300 патента и предлага първата в света 20-годишна гаранция за GaNFast™ чипове. Компанията също така е първият производител на полупроводници с сертификат CarbonNeutral®.

Прегледайте нашите предложения:

• Диоди GeneSiC
• Транзистори GeneSiC