Tranzystory firmy GeneSiC

Tranzystory MOSFET SiC firmy GeneSiC zapewniają doskonałą przewodność i wydajność przełączania w porównaniu z krzemem (Si) ze względu na ich charakterystykę „szerokiego pasma wzbronionego” i wysoką siłę pola elektrycznego.

Opatentowana...

Tranzystory MOSFET SiC firmy GeneSiC zapewniają doskonałą przewodność i wydajność przełączania w porównaniu...

Czytaj więcej
Pokaż filtry
Schowaj filtryFiltrowaniePokaż filtry X
Producenci
więcej... mniej
Typ obudowy
więcej... mniej
Prąd ciągły ID przy Tc=25oC
więcej... mniej
Konfiguracja
więcej... mniej
Prąd ciągły ID przy Tc=100oC
więcej... mniej
RDS(ON) dla VGS = 18 V
więcej... mniej
RDS(ON) dla VGS = 15 V
więcej... mniej
Napięcie UDS
więcej... mniej
Aplikacja
więcej... mniej
RDS(ON) przy VGS = 18 V
więcej... mniej
RDS(ON) przy VGS = 15 V
więcej... mniej
Prąd ciągły ID przy Tc=65oC
więcej... mniej
Napięcie UDS
więcej... mniej
Filtruj
Informacje close
Produkty, które są oznaczone jako "Na zamówienie" w kolumnie „Dostępna ilość” zwykle nie występują w magazynie. Takie produkty są dostępne do zakupu, jednak ze względu na ograniczoną bazę klientów charakteryzują się zwykle wyższymi minimalnymi ilościami. DACPOL oferuje produkty, które nie występują w magazynie z następujących względów: Firma DACPOL posiada aktualnie w magazynie dużą ilość komponentów elektronicznych i codziennie dodaje nowe produkty jednak u naszych dostawców dostępne są dziesiątki tysięcy dodatkowych komponentów i ich różne warianty. Pomimo, że posiadanie wszystkich tych produktów w magazynie jest nieuzasadnione ze względu na ograniczony zbyt, wierzymy, że ich udostępnienie leży w najlepszym interesie naszych klientów. Naszym celem jest przekazanie klientom informacji na temat maksymalnej liczby dostępnych produktów i umożliwienie im podjęcia decyzji w oparciu o specyfikacje, ceny, dostępność, wymagane minima oraz nasze doradztwo techniczne. Należy pamiętać, że zaznaczenie pola wyboru „W magazynie” może ograniczyć wyświetlanie tylko do produktów dostępnych do dostawy wprost z półki.
PDF Obraz
Producent
Nazwa produktu
Zobacz produkt Nr producenta
Dostępna ilość
Typ obudowy
Prąd ciągły ID przy Tc=25oC
Konfiguracja
Prąd ciągły ID przy Tc=100oC
RDS(ON) dla VGS = 18 V
RDS(ON) dla VGS = 15 V
Napięcie UDS
Aplikacja
RDS(ON) przy VGS = 18 V
RDS(ON) przy VGS = 15 V
Prąd ciągły ID przy Tc=65oC
Napięcie UDS
-- Tranzystor SiC G2R325MS65-CAx GeneSiC Semiconductor Tranzystor SiC G2R325MS65-CAx ZOBACZ G2R325MS65-CAx Na zamówienie Die 15 -- -- -- -- -- Industrial 325 -- -- 6500
picture_as_pdf Tranzystor SiC Mosfet G3F34MT12K GeneSiC Semiconductor Tranzystor SiC Mosfet G3F34MT12K ZOBACZ G3F34MT12K Na zamówienie TO-247-4 63 A -- 45 A -- -- 1200 V -- 34 mΩ -- -- --
picture_as_pdf Tranzystor SiC Mosfet G3F34MT12J GeneSiC Semiconductor Tranzystor SiC Mosfet G3F34MT12J ZOBACZ G3F34MT12J Na zamówienie TO-263-7 68 A -- 48 A -- -- 1200 V -- 34 mΩ -- -- --
picture_as_pdf Tranzystor SiC Mosfet G3F25MT12J GeneSiC Semiconductor Tranzystor SiC Mosfet G3F25MT12J ZOBACZ G3F25MT12J Na zamówienie TO-263-7 87 A -- 61 A -- -- 1200 V -- 25 mΩ -- -- --
-- Tranzystor SiC Mosfet G3F25MT12K GeneSiC Semiconductor Tranzystor SiC Mosfet G3F25MT12K ZOBACZ G3F25MT12K Na zamówienie TO-247-4 -- -- -- -- -- 1200 V -- 25 mΩ -- -- --
-- Tranzystor SiC Mosfet G3F18MT12K GeneSiC Semiconductor Tranzystor SiC Mosfet G3F18MT12K ZOBACZ G3F18MT12K Na zamówienie TO-247-4 -- -- -- -- -- 1200 V -- 18,5 mΩ -- -- --
picture_as_pdf Tranzystor SiC Mosfet G3F18MT12J GeneSiC Semiconductor Tranzystor SiC Mosfet G3F18MT12J ZOBACZ G3F18MT12J Na zamówienie TO-263-7 122 A -- 86 A -- -- 1200 V -- 18,5 mΩ -- -- --
picture_as_pdf Tranzystor SiC Mosfet... GeneSiC Semiconductor Tranzystor SiC Mosfet G3F60MT06L ZOBACZ G3F60MT06L Na zamówienie TOLL 48 A -- 34 A -- -- 650 V -- 55 mΩ 68 mΩ -- --
picture_as_pdf Tranzystor SiC Mosfet... GeneSiC Semiconductor Tranzystor SiC Mosfet G3F45MT06L ZOBACZ G3F45MT06L Na zamówienie TOLL 61 A -- 43 A -- -- 650 V -- 42 mΩ 55 mΩ -- --
picture_as_pdf Tranzystor SiC Mosfet... GeneSiC Semiconductor Tranzystor SiC Mosfet G3F33MT06L ZOBACZ G3F33MT06L Na zamówienie TOLL 90 A -- 64 A -- -- 650 V -- 28,5 mΩ 38 mΩ -- --
picture_as_pdf Tranzystor SiC Mosfet... GeneSiC Semiconductor Tranzystor SiC Mosfet G3F25MT06L ZOBACZ G3F25MT06L Na zamówienie TOLL 125 A -- 88 A -- -- 650 V -- 20,5 mΩ 29 mΩ -- --
picture_as_pdf Tranzystor SiC Mosfet G3F75MT12K GeneSiC Semiconductor Tranzystor SiC Mosfet G3F75MT12K ZOBACZ G3F75MT12K Na zamówienie TO-247-4 30 A -- 21 A -- -- 1200 V -- 75 mΩ -- -- --
picture_as_pdf Tranzystor SiC Mosfet G3F75MT12J GeneSiC Semiconductor Tranzystor SiC Mosfet G3F75MT12J ZOBACZ G3F75MT12J Na zamówienie TO-263-7 31 A -- 22 A -- -- 1200 V -- 75 mΩ -- -- --
picture_as_pdf Tranzystor SiC Mosfet G3F40MT12K GeneSiC Semiconductor Tranzystor SiC Mosfet G3F40MT12K ZOBACZ G3F40MT12K Na zamówienie TO-247-4 55 A -- 39 A -- -- 1200 V -- 40 mΩ -- -- --
picture_as_pdf Tranzystor SiC Mosfet G3F40MT12J GeneSiC Semiconductor Tranzystor SiC Mosfet G3F40MT12J ZOBACZ G3F40MT12J Na zamówienie TO-263-7 59 A -- 42 A -- -- 1200 V -- 40 mΩ -- -- --
-- Tranzystor SiC Mosfet G3F20MT12K GeneSiC Semiconductor Tranzystor SiC Mosfet G3F20MT12K ZOBACZ G3F20MT12K Na zamówienie TO-247-4 -- -- -- -- -- 1200 V -- 20 mΩ -- -- --
picture_as_pdf Tranzystor SiC Mosfet G3F20MT12J GeneSiC Semiconductor Tranzystor SiC Mosfet G3F20MT12J ZOBACZ G3F20MT12J Na zamówienie TO-263-7 108 A -- 76 A -- -- 1200 V -- 20 mΩ -- -- --
picture_as_pdf Tranzystor SiC Mosfet G3F60MT06K GeneSiC Semiconductor Tranzystor SiC Mosfet G3F60MT06K ZOBACZ G3F60MT06K Na zamówienie TO-247-4 42 A -- 30 A -- -- 650 V -- 55 mΩ 68 mΩ -- --
picture_as_pdf Tranzystor SiC Mosfet G3F65MT12J GeneSiC Semiconductor Tranzystor SiC Mosfet G3F65MT12J ZOBACZ G3F65MT12J Na zamówienie TO-263-7 37 A -- 26 A -- -- 1200 V -- 65 mΩ -- -- --
picture_as_pdf Tranzystor SiC Mosfet G3F65MT12K GeneSiC Semiconductor Tranzystor SiC Mosfet G3F65MT12K ZOBACZ G3F65MT12K Na zamówienie TO-247-4 35 A -- 25 A -- -- 1200 V -- 65 mΩ -- -- --
picture_as_pdf Tranzystor SiC Mosfet G3F135MT12J GeneSiC Semiconductor Tranzystor SiC Mosfet G3F135MT12J ZOBACZ G3F135MT12J Na zamówienie TO-263-7 18 A -- 13 A -- -- 1200 V -- 135 mΩ -- -- --
-- Tranzystor SiC G2R300MT65-CAx GeneSiC Semiconductor Tranzystor SiC G2R300MT65-CAx ZOBACZ G2R300MT65-CAx Na zamówienie Die 16 -- -- -- -- -- Industrial 300 -- -- 6500
-- Tranzystor SiC G2R50MS65-CAx GeneSiC Semiconductor Tranzystor SiC G2R50MS65-CAx ZOBACZ G2R50MS65-CAx Na zamówienie Die -- -- -- -- -- -- Industrial 50 -- -- 6500
-- Tranzystor SiC G2R50MT65-CAx GeneSiC Semiconductor Tranzystor SiC G2R50MT65-CAx ZOBACZ G2R50MT65-CAx Na zamówienie Die -- -- -- -- -- -- Industrial 50 -- -- 6500
Wyników na stronę:

Tranzystory MOSFET SiC firmy GeneSiC zapewniają doskonałą przewodność i wydajność przełączania w porównaniu z krzemem (Si) ze względu na ich charakterystykę „szerokiego pasma wzbronionego” i wysoką siłę pola elektrycznego.

Opatentowana przez GeneSiC technologia Trench-Assisted Planar zapewnia najniższy współczynnik RDS(ON) w wysokich temperaturach i najniższe straty energii przy dużych prędkościach. Umożliwia to osiągnięcie niespotykanego dotąd, wiodącego w branży poziomu wydajności, solidności i jakości.

Zapraszamy do zapoznania się z najszerszą gamą tranzystorów MOSFET SiC 650 V – 6,5 kV.