Tranzystory firmy GeneSiC

Jesteśmy doświadczonym dostawcą niezbędnych artykułów dla kategorii tranzystory.

Tranzystory polowe - oferujemy dwa rodzaje tranzystorów polowych: tranzystory MOSFET i IGBT.

Tranzystory MOS-FET
Tranzystory MOS-FET dobrze współpracują...
Jesteśmy doświadczonym dostawcą niezbędnych artykułów dla kategorii tranzystory.

Tranzystory polowe...
Czytaj więcej
Pokaż filtry
Schowaj filtryFiltrowaniePokaż filtry X
Producenci
więcej... mniej
Napięcie UDS
więcej... mniej
Prąd ciągły ID przy Tc=25oC
więcej... mniej
Prąd ciągły ID przy Tc=100oC
więcej... mniej
Rds(on)
więcej... mniej
Typ obudowy
więcej... mniej
W magazynie
więcej... mniej
Dostępne nośniki
Środowisko
Filtruj
Informacje close
Produkty, które są oznaczone jako "Na zamówienie" w kolumnie „Dostępna ilość” zwykle nie występują w magazynie. Takie produkty są dostępne do zakupu, jednak ze względu na ograniczoną bazę klientów charakteryzują się zwykle wyższymi minimalnymi ilościami. DACPOL oferuje produkty, które nie występują w magazynie z następujących względów: Firma DACPOL posiada aktualnie w magazynie dużą ilość komponentów elektronicznych i codziennie dodaje nowe produkty jednak u naszych dostawców dostępne są dziesiątki tysięcy dodatkowych komponentów i ich różne warianty. Pomimo, że posiadanie wszystkich tych produktów w magazynie jest nieuzasadnione ze względu na ograniczony zbyt, wierzymy, że ich udostępnienie leży w najlepszym interesie naszych klientów. Naszym celem jest przekazanie klientom informacji na temat maksymalnej liczby dostępnych produktów i umożliwienie im podjęcia decyzji w oparciu o specyfikacje, ceny, dostępność, wymagane minima oraz nasze doradztwo techniczne. Należy pamiętać, że zaznaczenie pola wyboru „W magazynie” może ograniczyć wyświetlanie tylko do produktów dostępnych do dostawy wprost z półki.
PDF Obraz
Producent
Nazwa produktu
Zobacz produkt Nr producenta
Dostępna ilość
Napięcie UDS
Prąd ciągły ID przy Tc=25oC
Prąd ciągły ID przy Tc=100oC
Rds(on)
Typ obudowy
-- Tranzystory SiC MOSFET GeneSiC Semiconductor Tranzystory SiC MOSFET ZOBACZ -- Na zamówienie -- -- -- -- --
picture_as_pdf G3R40MT12J MOSFET SiC GeneSiC Semiconductor G3R40MT12J MOSFET SiC ZOBACZ G3R40MT12J Na zamówienie 1200 V 75 A 53 A 0.04 Ohm TO-263-7
picture_as_pdf G3R40MT12K MOSFET SiC GeneSiC Semiconductor G3R40MT12K MOSFET SiC ZOBACZ G3R40MT12K 16 1200 V 71 A 50 A 0.04 Ohm TO-247-4
picture_as_pdf G3R450MT17D MOSFET SiC GeneSiC Semiconductor G3R450MT17D MOSFET SiC ZOBACZ G3R450MT17D Na zamówienie 1700 V 9:00 AM 6:00 AM 0.45 Ohm TO-247-3
picture_as_pdf G3R450MT17J MOSFET SiC GeneSiC Semiconductor G3R450MT17J MOSFET SiC ZOBACZ G3R450MT17J Na zamówienie 1700 V 9:00 AM 6:00 AM 0.45 Ohm TO-263-7
picture_as_pdf G3R45MT17D MOSFET SiC GeneSiC Semiconductor G3R45MT17D MOSFET SiC ZOBACZ G3R45MT17D Na zamówienie 1700 V 61 A 43 A 0.045 Ohm TO-247-3
picture_as_pdf G3R75MT12D MOSFET SiC GeneSiC Semiconductor G3R75MT12D MOSFET SiC ZOBACZ G3R75MT12D Na zamówienie 1200 V 41 A 29 A 0.075 Ohm TO-247-3
picture_as_pdf G3R75MT12J MOSFET SiC GeneSiC Semiconductor G3R75MT12J MOSFET SiC ZOBACZ G3R75MT12J 30 1200 V 42 A 50 A 0.075 Ohm TO-263-7
picture_as_pdf G3R75MT12K MOSFET SiC GeneSiC Semiconductor G3R75MT12K MOSFET SiC ZOBACZ G3R75MT12K 544 1200 V 41 A 29 A 0.075 Ohm TO-247-4
picture_as_pdf G3R160MT17J MOSFET SiC GeneSiC Semiconductor G3R160MT17J MOSFET SiC ZOBACZ G3R160MT17J Na zamówienie 1700 V 21 A 15 A 0.16 Ohm TO-263-7
picture_as_pdf G3R20MT12K MOSFET SiC GeneSiC Semiconductor G3R20MT12K MOSFET SiC ZOBACZ G3R20MT12K Na zamówienie 1200 V 128 A 90 A 0.02 Ohm TO-247-4
picture_as_pdf G3R60MT07J MOSFET SiC GeneSiC Semiconductor G3R60MT07J MOSFET SiC ZOBACZ G3R60MT07J 1 750 V -- -- 0.06 Ohm TO-263-7
picture_as_pdf G3R60MT07D MOSFET SiC GeneSiC Semiconductor G3R60MT07D MOSFET SiC ZOBACZ G3R60MT07D Na zamówienie 750 V -- -- 0.06 Ohm TO-247-3
picture_as_pdf G3R60MT07K MOSFET SiC GeneSiC Semiconductor G3R60MT07K MOSFET SiC ZOBACZ G3R60MT07K 1 750 V -- -- 0.06 Ohm TO-247-4
picture_as_pdf G3R40MT12D MOSFET SiC GeneSiC Semiconductor G3R40MT12D MOSFET SiC ZOBACZ G3R40MT12D Na zamówienie 1200 V 71 A 50 A 0.04 Ohm TO-247-3
picture_as_pdf G3R350MT12J MOSFET SiC GeneSiC Semiconductor G3R350MT12J MOSFET SiC ZOBACZ G3R350MT12J Na zamówienie 1200 V 11:00 AM 8:00 AM 0.35 Ohm TO-263-7
picture_as_pdf G3R160MT12J MOSFET SiC GeneSiC Semiconductor G3R160MT12J MOSFET SiC ZOBACZ G3R160MT12J Na zamówienie 1200 V 22 A 16 A 0.16 Ohm TO-263-7
picture_as_pdf G2R1000MT17D MOSFET SiC GeneSiC Semiconductor G2R1000MT17D MOSFET SiC ZOBACZ G2R1000MT17D Na zamówienie 1700 V 5:00 AM 4:00 AM 1 Ohm TO-247-3
picture_as_pdf G2R1000MT17J MOSFET SiC GeneSiC Semiconductor G2R1000MT17J MOSFET SiC ZOBACZ G2R1000MT17J 900 1700 V 5:00 AM 4:00 AM 1 Ohm TO-263-7
picture_as_pdf G2R1000MT33J MOSFET SiC GeneSiC Semiconductor G2R1000MT33J MOSFET SiC ZOBACZ G2R1000MT33J Na zamówienie 3300 V 5:00 AM 4:00 AM 1 Ohm TO-263-7
picture_as_pdf G3R160MT12D MOSFET SiC GeneSiC Semiconductor G3R160MT12D MOSFET SiC ZOBACZ G3R160MT12D Na zamówienie 1200 V 22 A 15 A 0.16 Ohm TO-247-3
picture_as_pdf G3R160MT17D MOSFET SiC GeneSiC Semiconductor G3R160MT17D MOSFET SiC ZOBACZ G3R160MT17D Na zamówienie 1700 V 22 A 15 A 0.16 Ohm TO-247-3
picture_as_pdf G3R20MT12N MOSFET SiC GeneSiC Semiconductor G3R20MT12N MOSFET SiC ZOBACZ G3R20MT12N Na zamówienie 1200 V 105 A 74 A 0.02 Ohm SOT-227
picture_as_pdf G3R20MT17K MOSFET SiC GeneSiC Semiconductor G3R20MT17K MOSFET SiC ZOBACZ G3R20MT17K Na zamówienie 1700 V 100 A 70 A 0.02 Ohm TO-247-4
Wyników na stronę:
Jesteśmy doświadczonym dostawcą niezbędnych artykułów dla kategorii tranzystory.

Tranzystory polowe - oferujemy dwa rodzaje tranzystorów polowych: tranzystory MOSFET i IGBT.

Tranzystory MOS-FET
Tranzystory MOS-FET dobrze współpracują przy połączeniach równoległych. Można je łączyć równolegle nawet do kilkudziesięciu sztuk. Łatwo się je steruje i nie wymagają korekty w rozpływie prądu obciążenia pomiędzy nimi.

Tranzystory IGBT
Tranzystory IGBT charakteryzują się niewielkim spadkiem napięcia przewodzenia (od 2,15÷5,2V) przy dużym prądzie (10÷3600A), zdolnością blokowania wysokich napięć (250÷6500V), napięciowym sterowaniem poprzez izolowaną bramkę oraz dużą szybkością przełączania. Produkowane są w postaci modułów standardowych, modułów wysokiej częstotliwości, modułów wysokonapięciowych oraz modułów inteligentnych i wysokonapięciowych modułów inteligentnych. Dodatkowo oferowane są wysokonapięciowe moduły diodowe do współpracy z tranzystorami IGBT.

Tranzystory IGBT wytwarzane w postaci modułów inteligentnych zawierają poza tranzystorami układy do ich sterowania oraz zabezpieczenia zwarciowe i przepięciowe.