Транзисторы | GeneSiC

SiC MOSFET транзисторы компании GeneSiC обеспечивают превосходную проводимость и производительность переключения по сравнению с кремнием (Si) благодаря их характеристикам «широкой запрещенной зоны» и высокой напряженности электрического...

SiC MOSFET транзисторы компании GeneSiC обеспечивают превосходную проводимость и производительность...

Читать больше
Показать фильтры
Скрыть фильтрыФильтрацияПоказать фильтры X
Производители
ещё... свернуть
Тип корпуса
ещё... свернуть
ID при Tc=25oC
ещё... свернуть
Конфигурация
ещё... свернуть
ID при Tc=100oC
ещё... свернуть
RDS(ON) для VGS = 18 В
ещё... свернуть
RDS(ON) для VGS = 15 В
ещё... свернуть
Напряжение UDS
ещё... свернуть
ещё... свернуть
Фильтр
Информация close
Товаров, помеченных как «Под заказ» в столбце «Доступное количество», обычно нет в наличии. Такие продукты доступны для покупки, однако из-за их ограниченной клиентской базы они обычно имеют более высокие минимальные количества. DACPOL предлагает продукты, которых нет на складе по следующим причинам: DACPOL в настоящее время имеет большое количество электронных компонентов на складе и ежедневно добавляет новые продукты, однако десятки тысяч дополнительных компонентов и их различных вариантов доступны у наших поставщиков. Несмотря на то, что иметь все эти продукты на складе неразумно из-за ограниченных продаж, мы считаем, что сделать их доступными в интересах наших клиентов. Наша цель - проинформировать клиентов о максимальном количестве доступных продуктов и дать им возможность принимать решения на основе характеристик, цен, наличия, необходимых минимумов и наших технических рекомендаций. Обратите внимание, что установка флажка «В наличии» может ограничить отображение только продуктов, доступных для доставки прямо с полки.
PDF Изображение
Производитель
Наименование товара
Посмотреть продукт Номер производителя
Доступное количество
Тип корпуса
ID при Tc=25oC
Конфигурация
ID при Tc=100oC
RDS(ON) для VGS = 18 В
RDS(ON) для VGS = 15 В
Напряжение UDS
-- SiC-транзистор G2R325MS65-CAx GeneSiC Semiconductor SiC-транзистор G2R325MS65-CAx ПОСМОТРЕТЬ G2R325MS65-CAx Под заказ -- -- -- -- -- -- --
picture_as_pdf SiC Mosfet транзистор G3F34MT12K GeneSiC Semiconductor SiC Mosfet транзистор G3F34MT12K ПОСМОТРЕТЬ G3F34MT12K Под заказ TO-247-4 63 A -- -- -- 1200 V -- -- -- --
picture_as_pdf SiC Mosfet транзистор G3F34MT12J GeneSiC Semiconductor SiC Mosfet транзистор G3F34MT12J ПОСМОТРЕТЬ G3F34MT12J Под заказ TO-263-7 68 A -- 48 A -- -- 1200 V -- -- -- --
picture_as_pdf SiC Mosfet транзистор G3F25MT12J GeneSiC Semiconductor SiC Mosfet транзистор G3F25MT12J ПОСМОТРЕТЬ G3F25MT12J Под заказ TO-263-7 -- -- -- 1200 V -- -- -- --
-- SiC Mosfet транзистор G3F25MT12K GeneSiC Semiconductor SiC Mosfet транзистор G3F25MT12K ПОСМОТРЕТЬ G3F25MT12K Под заказ TO-247-4 -- -- -- -- -- 1200 V -- -- -- --
-- SiC Mosfet транзистор G3F18MT12K GeneSiC Semiconductor SiC Mosfet транзистор G3F18MT12K ПОСМОТРЕТЬ G3F18MT12K Под заказ TO-247-4 -- -- -- -- -- 1200 V -- -- -- --
picture_as_pdf SiC Mosfet транзистор G3F18MT12J GeneSiC Semiconductor SiC Mosfet транзистор G3F18MT12J ПОСМОТРЕТЬ G3F18MT12J Под заказ TO-263-7 -- -- -- 1200 V -- -- -- --
picture_as_pdf SiC Mosfet транзистор... GeneSiC Semiconductor SiC Mosfet транзистор G3F60MT06L ПОСМОТРЕТЬ G3F60MT06L Под заказ 48 A -- 34 A -- -- 650 V -- -- --
picture_as_pdf SiC Mosfet транзистор... GeneSiC Semiconductor SiC Mosfet транзистор G3F45MT06L ПОСМОТРЕТЬ G3F45MT06L Под заказ 61 A -- 43 A -- -- 650 V -- -- --
picture_as_pdf SiC Mosfet транзистор... GeneSiC Semiconductor SiC Mosfet транзистор G3F33MT06L ПОСМОТРЕТЬ G3F33MT06L Под заказ 90 A -- 64 A -- -- 650 V -- -- --
picture_as_pdf SiC Mosfet транзистор... GeneSiC Semiconductor SiC Mosfet транзистор G3F25MT06L ПОСМОТРЕТЬ G3F25MT06L Под заказ 125 A -- 88 A -- -- 650 V -- -- --
picture_as_pdf Tranzystor SiC Mosfet G3F75MT12K GeneSiC Semiconductor Tranzystor SiC Mosfet G3F75MT12K ПОСМОТРЕТЬ G3F75MT12K Под заказ TO-247-4 -- -- -- 1200 V -- -- -- --
picture_as_pdf Tranzystor SiC Mosfet G3F75MT12J GeneSiC Semiconductor Tranzystor SiC Mosfet G3F75MT12J ПОСМОТРЕТЬ G3F75MT12J Под заказ TO-263-7 31 A -- 22 A -- -- 1200 V -- -- -- --
picture_as_pdf Tranzystor SiC Mosfet G3F40MT12K GeneSiC Semiconductor Tranzystor SiC Mosfet G3F40MT12K ПОСМОТРЕТЬ G3F40MT12K Под заказ TO-247-4 -- 39 A -- -- 1200 V -- -- -- --
picture_as_pdf Tranzystor SiC Mosfet G3F40MT12J GeneSiC Semiconductor Tranzystor SiC Mosfet G3F40MT12J ПОСМОТРЕТЬ G3F40MT12J Под заказ TO-263-7 -- 42 A -- -- 1200 V -- -- -- --
-- Tranzystor SiC Mosfet G3F20MT12K GeneSiC Semiconductor Tranzystor SiC Mosfet G3F20MT12K ПОСМОТРЕТЬ G3F20MT12K Под заказ TO-247-4 -- -- -- -- -- 1200 V -- -- -- --
picture_as_pdf Tranzystor SiC Mosfet G3F20MT12J GeneSiC Semiconductor Tranzystor SiC Mosfet G3F20MT12J ПОСМОТРЕТЬ G3F20MT12J Под заказ TO-263-7 -- -- -- 1200 V -- -- -- --
picture_as_pdf Tranzystor SiC Mosfet G3F60MT06K GeneSiC Semiconductor Tranzystor SiC Mosfet G3F60MT06K ПОСМОТРЕТЬ G3F60MT06K Под заказ TO-247-4 42 A -- 30 A -- -- 650 V -- -- --
picture_as_pdf SiC Mosfet транзистор G3F65MT12J GeneSiC Semiconductor SiC Mosfet транзистор G3F65MT12J ПОСМОТРЕТЬ G3F65MT12J Под заказ TO-263-7 37 A -- 26 A -- -- 1200 V -- -- -- --
picture_as_pdf SiC Mosfet транзистор G3F65MT12K GeneSiC Semiconductor SiC Mosfet транзистор G3F65MT12K ПОСМОТРЕТЬ G3F65MT12K Под заказ TO-247-4 35 A -- 25 A -- -- 1200 V -- -- -- --
picture_as_pdf SiC Mosfet транзистор G3F135MT12J GeneSiC Semiconductor SiC Mosfet транзистор G3F135MT12J ПОСМОТРЕТЬ G3F135MT12J Под заказ TO-263-7 18 A -- 13 A -- -- 1200 V -- -- -- --
-- SiC-транзистор G2R300MT65-CAx GeneSiC Semiconductor SiC-транзистор G2R300MT65-CAx ПОСМОТРЕТЬ G2R300MT65-CAx Под заказ -- -- -- -- -- -- --
-- SiC-транзистор G2R50MS65-CAx GeneSiC Semiconductor SiC-транзистор G2R50MS65-CAx ПОСМОТРЕТЬ G2R50MS65-CAx Под заказ -- -- -- -- -- -- -- --
-- SiC-транзистор G2R50MT65-CAx GeneSiC Semiconductor SiC-транзистор G2R50MT65-CAx ПОСМОТРЕТЬ G2R50MT65-CAx Под заказ -- -- -- -- -- -- -- --
Результатов на странице:

SiC MOSFET транзисторы компании GeneSiC обеспечивают превосходную проводимость и производительность переключения по сравнению с кремнием (Si) благодаря их характеристикам «широкой запрещенной зоны» и высокой напряженности электрического поля.

Запатентованная технология Trench-Assisted Planar компании GeneSiC обеспечивает самый низкий коэффициент RDS(ON) при высоких температурах и самые низкие потери энергии при высоких скоростях. Это позволяет достичь беспрецедентного, лидирующего в отрасли уровня производительности, надежности и качества.

Приглашаем вас ознакомиться с самым широким ассортиментом SiC MOSFET транзисторов от 650 В до 6,5 кВ.