Транзисторы | GeneSiC

We’re an experienced supplier of necessary products for the category of transistors. 

Field-effect transistors - we’re offering two types of field-effect transistors: MOS-FET and IGBT transistors.

MOS-FET transistors
MOS-FET transistors cooperate well in...

We’re an experienced supplier of necessary products for the category of transistors. 

Field-effect transistors -...
Читать больше

Категории

Показать фильтры
Скрыть фильтрыФильтрацияПоказать фильтры X
Производители
ещё... свернуть
Напряжение UDS
ещё... свернуть
ID при Tc=25oC
ещё... свернуть
ID при Tc=100oC
ещё... свернуть
Rds(on)
ещё... свернуть
Тип жилья
ещё... свернуть
В наличии
ещё... свернуть
Dostępne nośniki
Środowisko
Фильтр
Загрузить список товаров
Информация close
Товаров, помеченных как «Под заказ» в столбце «Доступное количество», обычно нет в наличии. Такие продукты доступны для покупки, однако из-за их ограниченной клиентской базы они обычно имеют более высокие минимальные количества. DACPOL предлагает продукты, которых нет на складе по следующим причинам: DACPOL в настоящее время имеет большое количество электронных компонентов на складе и ежедневно добавляет новые продукты, однако десятки тысяч дополнительных компонентов и их различных вариантов доступны у наших поставщиков. Несмотря на то, что иметь все эти продукты на складе неразумно из-за ограниченных продаж, мы считаем, что сделать их доступными в интересах наших клиентов. Наша цель - проинформировать клиентов о максимальном количестве доступных продуктов и дать им возможность принимать решения на основе характеристик, цен, наличия, необходимых минимумов и наших технических рекомендаций. Обратите внимание, что установка флажка «В наличии» может ограничить отображение только продуктов, доступных для доставки прямо с полки.
PDF Изображение
Производитель
descasc
Наименование товара
descasc
 Посмотреть продукт Номер производителя
Доступное количество
descasc
Напряжение UDS
descasc
ID при Tc=25oC
descasc
ID при Tc=100oC
descasc
Rds(on)
descasc
Тип жилья
descasc
-- SiC MOSFETs GeneSiC Semiconductor Транзисторы SIC MOSFET ПОСМОТРЕТЬ -- Под заказ -- -- -- -- --
picture_as_pdf G3R40MT12J MOSFET SiC GeneSiC Semiconductor G3R40MT12J MOSFET SIC ПОСМОТРЕТЬ G3R40MT12J Под заказ 1200 V 75 A 53 A 0.04 Ohm TO-263-7
picture_as_pdf G3R40MT12K MOSFET SiC GeneSiC Semiconductor G3R40MT12K MOSFET SIC ПОСМОТРЕТЬ G3R40MT12K 16 1200 V 71 A 50 A 0.04 Ohm TO-247-4
picture_as_pdf G3R450MT17D MOSFET SiC GeneSiC Semiconductor G3R450MT17D MOSFET SIC ПОСМОТРЕТЬ G3R450MT17D Под заказ 1700 V 9:00 AM 6:00 AM 0.45 Ohm TO-247-3
picture_as_pdf G3R450MT17J MOSFET SiC GeneSiC Semiconductor G3R450MT17J MOSFET SIC ПОСМОТРЕТЬ G3R450MT17J Под заказ 1700 V 9:00 AM 6:00 AM 0.45 Ohm TO-263-7
picture_as_pdf G3R45MT17D MOSFET SiC GeneSiC Semiconductor G3R45MT17D MOSFET SIC ПОСМОТРЕТЬ G3R45MT17D Под заказ 1700 V 61 A 43 A 0.045 Ohm TO-247-3
picture_as_pdf G3R75MT12D MOSFET SiC GeneSiC Semiconductor G3R75MT12D MOSFET SIC ПОСМОТРЕТЬ G3R75MT12D Под заказ 1200 V 41 A 29 A 0.075 Ohm TO-247-3
picture_as_pdf G3R75MT12J MOSFET SiC GeneSiC Semiconductor G3R75MT12J MOSFET SIC ПОСМОТРЕТЬ G3R75MT12J 30 1200 V 42 A 50 A 0.075 Ohm TO-263-7
picture_as_pdf G3R75MT12K MOSFET SiC GeneSiC Semiconductor G3R75MT2K MOSFET SIC ПОСМОТРЕТЬ G3R75MT12K 544 1200 V 41 A 29 A 0.075 Ohm TO-247-4
picture_as_pdf G3R160MT17J MOSFET SiC GeneSiC Semiconductor G3R160MT17J MOSFET SIC ПОСМОТРЕТЬ G3R160MT17J Под заказ 1700 V 21 A 15 A 0.16 Ohm TO-263-7
picture_as_pdf G3R20MT12K MOSFET SiC GeneSiC Semiconductor G3R20MT2K MOSFET SIC ПОСМОТРЕТЬ G3R20MT12K Под заказ 1200 V 128 A 90 A 0.02 Ohm TO-247-4
picture_as_pdf G3R60MT07J MOSFET SiC GeneSiC Semiconductor G3R60MT07J MOSFET SIC ПОСМОТРЕТЬ G3R60MT07J 1 750 V -- -- 0.06 Ohm TO-263-7
picture_as_pdf G3R60MT07D MOSFET SiC GeneSiC Semiconductor G3R60MT07D MOSFET SIC ПОСМОТРЕТЬ G3R60MT07D Под заказ 750 V -- -- 0.06 Ohm TO-247-3
picture_as_pdf G3R60MT07K MOSFET SiC GeneSiC Semiconductor G3R60MT07K MOSFET SIC ПОСМОТРЕТЬ G3R60MT07K 1 750 V -- -- 0.06 Ohm TO-247-4
picture_as_pdf G3R40MT12D MOSFET SiC GeneSiC Semiconductor G3R40MT12D MOSFET SIC ПОСМОТРЕТЬ G3R40MT12D Под заказ 1200 V 71 A 50 A 0.04 Ohm TO-247-3
picture_as_pdf G3R350MT12J MOSFET SiC GeneSiC Semiconductor G3R350MT12J MOSFET SIC ПОСМОТРЕТЬ G3R350MT12J Под заказ 1200 V 11:00 AM 8:00 AM 0.35 Ohm TO-263-7
picture_as_pdf G3R160MT12J MOSFET SiC GeneSiC Semiconductor G3R160MT12J MOSFET SIC ПОСМОТРЕТЬ G3R160MT12J Под заказ 1200 V 22 A 16 A 0.16 Ohm TO-263-7
picture_as_pdf G2R1000MT17D MOSFET SiC GeneSiC Semiconductor G2R1000MT17D MOSFET SIC ПОСМОТРЕТЬ G2R1000MT17D Под заказ 1700 V 5:00 AM 4:00 AM 1 Ohm TO-247-3
picture_as_pdf G2R1000MT17J MOSFET SiC GeneSiC Semiconductor G2R1000MT17J MOSFET SIC ПОСМОТРЕТЬ G2R1000MT17J 900 1700 V 5:00 AM 4:00 AM 1 Ohm TO-263-7
picture_as_pdf G2R1000MT33J MOSFET SiC GeneSiC Semiconductor G2R1000MT33J MOSFET SIC ПОСМОТРЕТЬ G2R1000MT33J Под заказ 3300 V 5:00 AM 4:00 AM 1 Ohm TO-263-7
picture_as_pdf G3R160MT12D MOSFET SiC GeneSiC Semiconductor G3R160MT12D MOSFET SIC ПОСМОТРЕТЬ G3R160MT12D Под заказ 1200 V 22 A 15 A 0.16 Ohm TO-247-3
picture_as_pdf G3R160MT17D MOSFET SiC GeneSiC Semiconductor G3R160MT17D MOSFET SIC ПОСМОТРЕТЬ G3R160MT17D Под заказ 1700 V 22 A 15 A 0.16 Ohm TO-247-3
picture_as_pdf G3R20MT12N MOSFET SiC GeneSiC Semiconductor G3R20MT12N MOSFET SIC ПОСМОТРЕТЬ G3R20MT12N Под заказ 1200 V 105 A 74 A 0.02 Ohm SOT-227
picture_as_pdf G3R20MT17K MOSFET SiC GeneSiC Semiconductor G3R20MT17K MOSFET SIC ПОСМОТРЕТЬ G3R20MT17K Под заказ 1700 V 100 A 70 A 0.02 Ohm TO-247-4
Результатов на странице:
Вернуться вверх

We’re an experienced supplier of necessary products for the category of transistors. 

Field-effect transistors - we’re offering two types of field-effect transistors: MOS-FET and IGBT transistors.

MOS-FET transistors
MOS-FET transistors cooperate well in parallel connections. They can be combined in parallel up to several dozen pieces. They are easily controlled and do not require adjustment in the load current distribution between them.

IGBT transistors
IGBT transistors are characterized by a small decrease in conduction voltage (from 2.15 - 5.2V) at high current (10 - 3600A), high voltage blocking capacity (250 - 6500V), voltage control via an isolated gate, and high switching speed. They are produced in the form of standard modules, high-frequency modules, high voltage modules as well as intelligent modules, and high voltage intelligent modules. In addition, high-voltage diode modules are offered for cooperation with IGBT transistors.

The IGBT transistors manufactured in the form of intelligent modules contain, besides transistors, control systems as well as short circuit and overvoltage protection.