Transistors | GeneSiC

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Field-effect transistors - we’re offering two types of field-effect transistors: MOS-FET and IGBT transistors.

MOS-FET transistors
MOS-FET transistors cooperate well in...

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Fabricant
descasc
Nom du produit
descasc
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Quantité disponible
descasc
Tension UDS
descasc
Courant continu I D à Tc = 25 o C
descasc
Continous currentID at Tc=100oC
descasc
Rds(on)
descasc
Type de logement
descasc
-- Transistors SIC MOSFET GeneSiC Semiconductor Transistors SIC MOSFET VOIR -- En commande -- -- -- -- --
picture_as_pdf G3R40MT12J MOSFET SiC GeneSiC Semiconductor G3R40MT12J MOSFET SIC VOIR G3R40MT12J En commande 1200 V 75 A 53 A 0.04 Ohm TO-263-7
picture_as_pdf G3R40MT12K MOSFET SiC GeneSiC Semiconductor G3R40MT12K MOSFET SIC VOIR G3R40MT12K 16 1200 V 71 A 50 A 0.04 Ohm TO-247-4
picture_as_pdf G3R450MT17D MOSFET SiC GeneSiC Semiconductor G3R450MT17D MOSFET SIC VOIR G3R450MT17D En commande 1700 V 9:00 AM 6:00 AM 0.45 Ohm TO-247-3
picture_as_pdf G3R450MT17J MOSFET SiC GeneSiC Semiconductor G3R450MT17J MOSFET SIC VOIR G3R450MT17J En commande 1700 V 9:00 AM 6:00 AM 0.45 Ohm TO-263-7
picture_as_pdf G3R45MT17D MOSFET SiC GeneSiC Semiconductor G3R45MT17D MOSFET SIC VOIR G3R45MT17D En commande 1700 V 61 A 43 A 0.045 Ohm TO-247-3
picture_as_pdf G3R75MT12D MOSFET SiC GeneSiC Semiconductor G3R75MT12D MOSFET SIC VOIR G3R75MT12D En commande 1200 V 41 A 29 A 0.075 Ohm TO-247-3
picture_as_pdf G3R75MT12J MOSFET SiC GeneSiC Semiconductor G3R75MT12J MOSFET SIC VOIR G3R75MT12J 30 1200 V 42 A 50 A 0.075 Ohm TO-263-7
picture_as_pdf G3R75MT12K MOSFET SiC GeneSiC Semiconductor G3R75MT2K MOSFET SIC VOIR G3R75MT12K 544 1200 V 41 A 29 A 0.075 Ohm TO-247-4
picture_as_pdf G3R160MT17J MOSFET SiC GeneSiC Semiconductor G3R160MT17J MOSFET SIC VOIR G3R160MT17J En commande 1700 V 21 A 15 A 0.16 Ohm TO-263-7
picture_as_pdf G3R20MT12K MOSFET SiC GeneSiC Semiconductor G3R20MT2K MOSFET SIC VOIR G3R20MT12K En commande 1200 V 128 A 90 A 0.02 Ohm TO-247-4
picture_as_pdf G3R60MT07J MOSFET SiC GeneSiC Semiconductor G3R60MT07J MOSFET SIC VOIR G3R60MT07J 1 750 V -- -- 0.06 Ohm TO-263-7
picture_as_pdf G3R60MT07D MOSFET SiC GeneSiC Semiconductor G3R60MT07D MOSFET SIC VOIR G3R60MT07D En commande 750 V -- -- 0.06 Ohm TO-247-3
picture_as_pdf G3R60MT07K MOSFET SiC GeneSiC Semiconductor G3R60MT07K MOSFET SIC VOIR G3R60MT07K 1 750 V -- -- 0.06 Ohm TO-247-4
picture_as_pdf G3R40MT12D MOSFET SiC GeneSiC Semiconductor G3R40MT12D MOSFET SIC VOIR G3R40MT12D En commande 1200 V 71 A 50 A 0.04 Ohm TO-247-3
picture_as_pdf G3R350MT12J MOSFET SiC GeneSiC Semiconductor G3R350MT12J MOSFET SIC VOIR G3R350MT12J En commande 1200 V 11:00 AM 8:00 AM 0.35 Ohm TO-263-7
picture_as_pdf G3R160MT12J MOSFET SiC GeneSiC Semiconductor G3R160MT12J MOSFET SIC VOIR G3R160MT12J En commande 1200 V 22 A 16 A 0.16 Ohm TO-263-7
picture_as_pdf G2R1000MT17D MOSFET SiC GeneSiC Semiconductor G2R1000MT17D MOSFET SIC VOIR G2R1000MT17D En commande 1700 V 5:00 AM 4:00 AM 1 Ohm TO-247-3
picture_as_pdf G2R1000MT17J MOSFET SiC GeneSiC Semiconductor G2R1000MT17J MOSFET SIC VOIR G2R1000MT17J 900 1700 V 5:00 AM 4:00 AM 1 Ohm TO-263-7
picture_as_pdf G2R1000MT33J MOSFET SiC GeneSiC Semiconductor G2R1000MT33J MOSFET SIC VOIR G2R1000MT33J En commande 3300 V 5:00 AM 4:00 AM 1 Ohm TO-263-7
picture_as_pdf G3R160MT12D MOSFET SiC GeneSiC Semiconductor G3R160MT12D MOSFET SIC VOIR G3R160MT12D En commande 1200 V 22 A 15 A 0.16 Ohm TO-247-3
picture_as_pdf G3R160MT17D MOSFET SiC GeneSiC Semiconductor G3R160MT17D MOSFET SIC VOIR G3R160MT17D En commande 1700 V 22 A 15 A 0.16 Ohm TO-247-3
picture_as_pdf G3R20MT12N MOSFET SiC GeneSiC Semiconductor G3R20MT12N MOSFET SIC VOIR G3R20MT12N En commande 1200 V 105 A 74 A 0.02 Ohm SOT-227
picture_as_pdf G3R20MT17K MOSFET SiC GeneSiC Semiconductor G3R20MT17K MOSFET SIC VOIR G3R20MT17K En commande 1700 V 100 A 70 A 0.02 Ohm TO-247-4
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Field-effect transistors - we’re offering two types of field-effect transistors: MOS-FET and IGBT transistors.

MOS-FET transistors
MOS-FET transistors cooperate well in parallel connections. They can be combined in parallel up to several dozen pieces. They are easily controlled and do not require adjustment in the load current distribution between them.

IGBT transistors
IGBT transistors are characterized by a small decrease in conduction voltage (from 2.15 - 5.2V) at high current (10 - 3600A), high voltage blocking capacity (250 - 6500V), voltage control via an isolated gate, and high switching speed. They are produced in the form of standard modules, high-frequency modules, high voltage modules as well as intelligent modules, and high voltage intelligent modules. In addition, high-voltage diode modules are offered for cooperation with IGBT transistors.

The IGBT transistors manufactured in the form of intelligent modules contain, besides transistors, control systems as well as short circuit and overvoltage protection.