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| Image | Voir le produit | Fabricant no | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SEMIKRON | Skm100gar12f4 simple interrupteur | VOIR | SKM100GAR12F4 | En commande | -- | -- | -- | -- | -- | Single Switch | 1200 V | 100 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
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SEMIKRON | SK20DGDL07E3ETE1 Module IGBT | VOIR | SK20DGDL07E3ETE1 | En commande | -- | -- | -- | -- | -- | Seven Pack | 650 V | 20 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
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GeneSiC Semiconductor | Transistor SiC Mosfet G3F25MT06L | VOIR | G3F25MT06L | En commande | -- | -- | -- | 125 A | -- | -- | -- | 88 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 650 V | -- | -- | -- | |||
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GeneSiC Semiconductor | Transistor SiC Mosfet G3F34MT12J | VOIR | G3F34MT12J | En commande | TO-263-7 | -- | -- | -- | 68 A | -- | -- | -- | 48 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 1200 V | -- | -- | -- | -- | |
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GeneSiC Semiconductor | G3F09MT12GB4 Moduł Mosfet SiC | VOIR | G3F09MT12GB4 | En commande | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | |||||
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EPC (Efficient Power Conversion) | Transistor EPC7004 | VOIR | EPC7004 | En commande | -- | -- | -- | -- | -- | Single Rad Hard | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 7 | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 100 | 6 | 6-Apr | 2-Feb | 1-Jan | 37 | 60 | 160 | LGA 4.1 x 1.6 | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
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SEMIKRON | Module IGBT SKIM400GD126DLM | VOIR | SKiM400GD126DLM | En commande | -- | -- | -- | -- | -- | Six Pack | 1200 V | 300 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
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Mitsubishi | 3e génération de modules IPM - série S | VOIR | -- | En commande | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
| picture_as_pdf |
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Mitsubishi | MDIP et MINI - DIP IPM | VOIR | -- | En commande | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
| picture_as_pdf |
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Mitsubishi | 6 Génération de modules IGBT -Seria NX | VOIR | -- | En commande | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
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Mitsubishi | CMH400DU-24NFH MOSFET SIC | VOIR | CMH400DU-24NFH | En commande | -- | -- | -- | -- | -- | 2in1 | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 400 V | -- | -- | -- | -- | -- |
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Mitsubishi | CMH600DC-66X MOSFET SIC | VOIR | CMH600DC-66X | En commande | -- | -- | -- | -- | -- | 2in1 | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 600 V | -- | -- | -- | -- | -- |
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GeneSiC Semiconductor | G3R60MT07J MOSFET SIC | VOIR | G3R60MT07J | En commande | TO-263-7 | -- | -- | -- | 44 A | -- | -- | -- | 31 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | - | 60 mΩ | 750 V | -- | -- | -- | -- | -- |
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SEMIKRON | SK15DGDL07E3ETE1 Module IGBT | VOIR | SK15DGDL07E3ETE1 | En commande | -- | -- | -- | -- | -- | Seven Pack | 650 V | 15 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
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GeneSiC Semiconductor | Tranzystor SiC Mosfet G3F75MT12K | VOIR | G3F75MT12K | En commande | TO-247-4 | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 1200 V | -- | -- | -- | -- | |||
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GeneSiC Semiconductor | Tranzystor SiC Mosfet G3F25MT06J | VOIR | G3F25MT06J | En commande | TO-263-7 | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 77 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 650 V | -- | -- | -- | |||
| picture_as_pdf |
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GeneSiC Semiconductor | G3F05MT12GB2 Moduł Mosfet SiC | VOIR | G3F05MT12GB2 | En commande | -- | -- | -- | -- | półmostek | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | ||||
| picture_as_pdf |
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EPC (Efficient Power Conversion) | Transistor EPC7018 | VOIR | EPC7018 | En commande | -- | -- | -- | -- | -- | Single Rad Hard | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 3-Sep | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 100 | 6 | 15-Feb | 4 | 2-Jun | 77 | 90 | 345 | LGA 6.05 x 2.3 | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
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Mitsubishi | 4e génération de modules IPM - série S-DASH | VOIR | -- | En commande | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
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Infineon | Standardowe moduły IGBT | VOIR | -- | En commande | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
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POWEREX | Modules MOSFET SIC - Powerex | VOIR | -- | En commande | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
| picture_as_pdf |
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Mitsubishi | FMF750DC-66A MOSFET SIC | VOIR | FMF750DC-66A | En commande | -- | -- | -- | -- | -- | 2in1 | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 750 V | -- | -- | -- | -- | -- |
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SEMIKRON | SK25DGDL12T7ETE2S Seven Pack | VOIR | SK25DGDL12T7ETE2s | En commande | -- | -- | -- | -- | -- | Seven Pack | 1200 V | 25 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
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SEMIKRON | SK35DGDL12T7ETE2S Module IGBT | VOIR | SK35DGDL12T7ETE2s | En commande | -- | -- | -- | -- | -- | Seven Pack | 1200 V | 35 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
Transistors d’un fournisseur fiable
Dacpol est un fournisseur expérimenté d’articles indispensables pour la catégorie des transistors. Nos clients peuvent compter sur la qualité des produits et services que nous livrons, que ce soit pour l’achat de modules MOSFET, de diodes à courant continu ou d’éléments semi-conducteurs en carbure de silicium.
Nous sommes prêts à fournir des quantités en gros du produit que vous recherchez, que vous commandiez des transistors individuels ou en grande quantité, nous offrons une livraison complète de tous les produits.
En raison de la plus haute qualité de service, nous proposons à nos clients uniquement des produits provenant de fournisseurs et fabricants éprouvés. Notre équipe d’ingénieurs est disponible à chaque étape pour fournir conseils et assistance afin d’assurer aux clients des informations sur l’entretien et l’utilisation des produits achetés.
L’offre de Dacpol dans le domaine des composants électroniques, de l’alimentation et des connecteurs est beaucoup plus étendue et comprend divers articles électriques et industriels de la catégorie des transistors. Sur notre site internet, vous pouvez consulter l’offre complète de produits dans la catégorie composants électroniques, alimentation et connecteurs.
Transistors à effet de champ de DACPOL
Nous proposons deux types de transistors à effet de champ : les transistors MOS-FET et IGBT.
Transistors MOS-FET
Les transistors MOS-FET fonctionnent bien en connexions parallèles. Ils peuvent être connectés en parallèle jusqu’à plusieurs dizaines d’unités. Ils sont faciles à commander et ne nécessitent pas de correction dans la répartition du courant de charge entre eux.
Ils sont disponibles dans une plage de courant de 1,1A à 250A et de tensions de 12V à 900V. Les transistors MOS-FET sont fabriqués dans les types de boîtiers suivants : SO8, SOT223, D-Pak, D2-Pak, I-Pak, TO-262, TO-220, TO-247, SOT-227, HEXDIP.
Transistors IGBT
Les transistors IGBT se caractérisent par une faible chute de tension en conduction (entre 2,15 et 5,2V) pour des courants élevés (10-3600A), la capacité de bloquer des tensions élevées (250-6500V), le contrôle par grille isolée et une grande vitesse de commutation. Ils sont produits sous forme de modules standards, modules haute fréquence, modules haute tension et modules intelligents haute tension. Il existe aussi des modules diode haute tension pour une utilisation avec les transistors IGBT.
Qualité élevée des produits proposés
Ils sont disponibles dans des boîtiers électriquement isolés tels que transistors individuels, modules à deux transistors (demi-pont), modules à six éléments (pont complet), modules à sept éléments (pont complet avec transistor). Les boîtiers typiques sont : TO220, TO247, A1, NF1, NF2, NF3, NF4, NF5, NF6, U2, U3, U4, U5, U6, U7, U8, A1, A2, A3, A4, A5, H1, H2, H3, H4, H5, H6, H7, H8, H9, H10, H11, H12, H13, DM1, DM2, HV1, HV2, HV3, HV4, HV5, HV6, HV7, HV8, SD1, SD2, SD3, SD4.
Les transistors IGBT fabriqués en modules intelligents contiennent, en plus des transistors, des circuits de commande ainsi que des protections contre les courts-circuits et les surtensions.
Consultez également nos produits dans la catégorie ponts redresseurs !
Qu’est-ce qu’un transistor et quels sont ses types de base ?
Les transistors sont des composants électroniques semi-conducteurs à trois électrodes, dont la fonction principale est d’amplifier le signal en augmentant son amplitude. Ils peuvent aussi contrôler le flux de courant dans les circuits électriques – fonctionnant comme un interrupteur. Ils sont fabriqués en matériaux semi-conducteurs tels que le silicium ou le germanium. Le premier transistor a été construit en 1948 par J. Bardeen et W.H. Brattain. Ses inventeurs, ainsi que W.B. Shockley – créateur du modèle bipolaire, ont reçu le prix Nobel en 1956 pour cette invention.
Les composants électroniques semi-conducteurs à trois électrodes se divisent en deux catégories principales. La première catégorie est celle des transistors à effet de champ, aussi appelés unipolaires, contrôlés par tension. Ils possèdent une grille sur laquelle une tension est appliquée, générant un champ électromagnétique qui modifie la résistance entre le drain et la source, c’est-à-dire le point de sortie du signal.
Le transistor bipolaire, également appelé à jonction, est le second type. Il est constitué d’une base, un émetteur et un collecteur. Il est commandé par le courant circulant entre l’émetteur et la base. Les transistors bipolaires se divisent en modèles n-p-n et p-n-p.
Quelles sont les caractéristiques du transistor à effet de champ et où est-il le plus souvent utilisé ?
Le transistor MOS-FET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor), considéré comme un transistor à effet de champ à quatre bornes, se caractérise par une résistance de sortie élevée et un temps de commutation très rapide. Pour cette raison, il est principalement utilisé dans :
- les alimentations à découpage, qui assurent une gestion efficace et performante du réseau,
- les chargeurs pour véhicules électriques et hybrides,
- les alimentations sans coupure (UPS),
- les entraînements moteurs utilisés dans l’industrie automobile et industrielle,
- les amplificateurs audio ou de télécommunications,
- les circuits intégrés, en particulier ceux basés sur la technologie CMOS (Complementary Metal-Oxide-Semiconductor), utilisée dans la plupart des microprocesseurs actuels.
De plus, les transistors à effet de champ peuvent être utilisés aussi bien dans des circuits intégrés analogiques que numériques.
Que sont les transistors IGBT et à quoi servent-ils ?
Le transistor IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor), considéré comme un dispositif à grille isolée, combine les caractéristiques des transistors bipolaires et MOS-FET. Grâce à cela, il offre un contrôle facile et une commutation rapide. Le transistor IGBT est conçu pour gérer des charges de puissance importantes, jusqu’à plusieurs centaines de kW. Il peut bloquer des tensions élevées allant jusqu’à 6 kV tout en assurant de faibles pertes de puissance. Pour cette raison, ce type de transistor peut être utilisé, entre autres, dans :
- les onduleurs, qui convertissent la tension continue en tension alternative pour les systèmes énergétiques,
- les plaques de cuisson et chargeurs à induction,
- les alimentations de secours,
- les alimentations à découpage,
- les systèmes d’entraînement utilisés dans l’industrie, tels que les moteurs électriques.
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