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Mitsubishi | Modules en carbure de silicium - Powerex et Mitsubishi | VOIR | -- | En commande | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
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Mitsubishi | 4e génération de modules DIP IPM | VOIR | -- | En commande | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
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Mitsubishi | Modules IGBT - série NFM | VOIR | -- | En commande | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
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Mitsubishi | 5 Génération de modules CSTBT IPM -Seria Full Gate Gate (Version L1 et S1) | VOIR | -- | En commande | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
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ABB | Modules MOSFET SiC ABB | VOIR | -- | En commande | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
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Mitsubishi | PSH20L91A6-A MOSFET SIC | VOIR | PSH20L91A6-A | En commande | -- | -- | -- | -- | -- | Two-phase interleaved | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 20Arms V | -- | -- | -- | -- | -- |
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DYNEX POWER | Modules de transistor | VOIR | -- | En commande | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
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EPC (Efficient Power Conversion) | Transistor EPC7019 | VOIR | EPC7019 | En commande | -- | -- | -- | -- | -- | Single Rad Hard | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 1-May | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 40 | 6 | 23 | 7-Jun | 3-Apr | 51 | 95 | 530 | LGA 6.05 x 2.3 | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
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SEMIKRON | SEMIX223GB17E4P Module IGBT | VOIR | SEMiX223GB17E4p | En commande | -- | -- | -- | -- | -- | Half Bridge | 1700 V | 225 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
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GeneSiC Semiconductor | Transistor SiC Mosfet G3F18MT12J | VOIR | G3F18MT12J | En commande | TO-263-7 | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 1200 V | -- | -- | -- | -- | |||
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GeneSiC Semiconductor | Tranzystor SiC Mosfet G3F45MT06D | VOIR | G3F45MT06D | En commande | TO-247-3 | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 650 V | -- | -- | -- | -- | |
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GeneSiC Semiconductor | Transistor SiC G3F45MT06U | VOIR | G3F45MT06U | En commande | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | |||||
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EPC (Efficient Power Conversion) | Transistor EPC7003 | VOIR | EPC7003 | En commande | -- | -- | -- | -- | -- | Single Rad Hard | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 30 | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 100 | 6 | 1-Aug | 0.6 | 0.3 | 9-Apr | 10 | 42 | LGA 1.7 x 1.1 | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
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Mitsubishi | DIP-IPM 1200V | VOIR | -- | En commande | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
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Mitsubishi | Éléments semi-conducteurs avec carbure de silicium | VOIR | -- | En commande | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
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Mitsubishi | PSH30L92C6-IN MOSFET SIC | VOIR | PSH30L92C6-W | En commande | -- | -- | -- | -- | -- | Three-phase interleaved | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 30Arms V | -- | -- | -- | -- | -- |
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SEMIKRON | SKM600GAR07E3 Commutateur unique | VOIR | SKM600GAR07E3 | En commande | -- | -- | -- | -- | -- | Single Switch | 650 V | 600 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
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SEMIKRON | SKM400GAR176D Commutateur unique | VOIR | SKM400GAR176D | En commande | -- | -- | -- | -- | -- | Single Switch | 1700 V | 300 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
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GeneSiC Semiconductor | Transistor SiC Mosfet G3F60MT06L | VOIR | G3F60MT06L | En commande | -- | -- | -- | 48 A | -- | -- | -- | 34 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 650 V | -- | -- | -- | |||
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GeneSiC Semiconductor | Tranzystor SiC Mosfet G3F33MT06K | VOIR | G3F33MT06K | En commande | TO-247-4 | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 53 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 650 V | -- | -- | -- | |||
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GeneSiC Semiconductor | Transistor SiC Mosfet G3F34MT12K | VOIR | G3F34MT12K | En commande | TO-247-4 | -- | -- | -- | 63 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 1200 V | -- | -- | -- | -- | ||
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EPC (Efficient Power Conversion) | Transistor EPC7007 | VOIR | EPC7007 | En commande | -- | -- | -- | -- | -- | Single Rad Hard | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 25 | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 200 | 6 | 5-Apr | 1-May | 1 | 37 | 20 | 80 | LGA 3.6 x 1.6 | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
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Mitsubishi | AS-IPM | VOIR | -- | En commande | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
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Mitsubishi | 5ème génération de modules IGBT - série A | VOIR | -- | En commande | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
Transistors auprès d’un fournisseur de confiance
DACPOL est un fournisseur expérimenté de produits clés dans la catégorie des transistors. Nos clients peuvent compter sur la qualité des produits et des services que nous proposons – qu’il s’agisse de modules MOSFET, de diodes ou d’éléments semiconducteurs en carbure de silicium.
Nous sommes prêts à livrer des produits que vous commandiez des transistors à l’unité ou en gros – nous assurons une disponibilité complète pour tous les types de produits.
Afin de garantir le plus haut niveau de service, nous proposons uniquement des produits provenant de fabricants et fournisseurs de confiance. Notre équipe d’ingénieurs partage son savoir-faire et offre des conseils à chaque étape, en fournissant des informations sur la bonne utilisation des produits achetés.
L’offre de DACPOL dans le domaine des composants électroniques, des alimentations et des connecteurs est bien plus large et inclut différents produits électriques et industriels dans la catégorie des transistors. Vous pouvez retrouver l’ensemble de notre gamme de composants électroniques, alimentations et connecteurs directement sur notre site.
Transistors – types et applications
Les transistors NPN et PNP sont des éléments électroniques de base, utilisés dans la conception de circuits tels qu’Arduino ou Raspberry Pi. Ces semiconducteurs discrets se composent de trois couches de matériau semiconducteur et de trois électrodes : émetteur, base et collecteur, permettant de contrôler le courant entre collecteur et émetteur. Pour les transistors unipolaires, comme les MOSFET, le courant de commande circule via l’électrode appelée « grille » (drain–source), ce qui permet une amplification précise du signal électrique.
Le gain en courant – c’est-à-dire le rapport entre le courant de base et celui du collecteur – est essentiel pour une polarisation correcte et le fonctionnement des dispositifs électroniques. Grâce à leur principe de fonctionnement basé sur un faible courant de commande, les transistors peuvent commuter de forts courants, ce qui les rend utiles en tant que stabilisateurs, interrupteurs ou amplificateurs. Découvrez notre offre complète de composants électroniques et choisissez le transistor adapté à votre projet !
Transistors à effet de champ chez DACPOL
Nous proposons deux types de transistors : MOS-FET et IGBT.
Transistors MOS-FET
Les MOS-FET fonctionnent parfaitement en association parallèle. Ils peuvent être connectés par dizaines en parallèle. Ils sont faciles à contrôler et ne nécessitent pas d’ajustement pour équilibrer le courant.
Ils sont disponibles pour des courants de 1,1 A à 250 A et des tensions de 12 V à 900 V. Les transistors MOS-FET sont fabriqués dans différents boîtiers : SO8, SOT223, D-Pak, D2-Pak, I-Pak, TO-262, TO-220, TO-247, SOT-227, HEXDIP.
Transistors IGBT
Les IGBT se distinguent par une faible chute de tension (entre 2,15 ÷ 5,2 V) à forts courants (10 ÷ 3600 A), leur capacité à bloquer des tensions élevées (250 ÷ 6500 V), une commande via une grille isolée et une grande vitesse de commutation. Ils sont proposés sous forme de modules standards, haute fréquence, haute tension, ainsi que de modules intelligents. Il existe également des modules avec diodes haute tension pour un fonctionnement conjoint avec les IGBT.
Haute qualité des produits proposés
Ils sont disponibles en boîtiers isolés électriquement sous forme de transistors simples, de demi-ponts et de ponts complets. Boîtiers typiques : TO220, TO247, A1, NF1, NF2, NF3, NF4, NF5, NF6, U2, U3, U4, U5, U6, U7, U8, A1, A2, A3, A4, A5, H1, H2, H3, H4, H5, H6, H7, H8, H9, H10, H11, H12, H13, DM1, DM2, HV1, HV2, HV3, HV4, HV5, HV6, HV7, HV8, SD1, SD2, SD3, SD4.
Les IGBT intelligents intègrent non seulement les transistors, mais aussi des circuits de commande et des protections contre les courts-circuits et les surtensions.
Découvrez également nos produits dans la catégorie ponts redresseurs !
Qu’est-ce qu’un transistor et quels sont les types principaux ?
Les transistors permettent de contrôler le flux de courant électrique dans les circuits – comme des interrupteurs. Ils sont fabriqués à partir de matériaux semiconducteurs tels que le silicium ou le carbure de silicium. Le premier transistor a été construit en 1948 par J. Bardeen et W. Brattain. Leurs inventeurs, avec W. Shockley – auteur du modèle bipolaire – ont reçu le prix Nobel en 1956.
Ces dispositifs électroniques semiconducteurs à trois bornes se divisent en deux types principaux. Le premier type est celui des transistors à effet de champ, dits unipolaires, commandés par une tension. Ils possèdent une grille, qui, sous tension, crée un champ électromagnétique modifiant la résistance entre drain et source.
Le second type est le transistor bipolaire, ou transistor à jonction. Il est composé d’une base, d’un émetteur et d’un collecteur. Son fonctionnement est contrôlé par le courant circulant entre l’émetteur et la base. Les transistors bipolaires se subdivisent en modèles n-p-n et p-n-p.
Caractéristiques et applications des transistors MOS-FET
Le MOS-FET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor), faisant partie des transistors à effet de champ à quatre électrodes, se caractérise par une résistance de sortie élevée et un temps de commutation très court. Il est utilisé principalement dans :
- les alimentations à découpage,
- les chargeurs pour véhicules électriques et hybrides,
- les systèmes UPS,
- les systèmes d’entraînement pour moteurs dans l’automobile et l’industrie,
- les amplificateurs audio et circuits de télécommunication,
- les circuits intégrés, notamment en technologie CMOS, utilisée dans la majorité des microprocesseurs.
Il convient de noter que les transistors à effet de champ peuvent être utilisés aussi bien dans les circuits intégrés analogiques que numériques.
Caractéristiques et applications des IGBT
L’IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor), appartenant à la catégorie des dispositifs à grille isolée, combine les caractéristiques des transistors bipolaires et des MOS-FET. Il est ainsi à la fois facile à contrôler et rapide à commuter. Conçu pour fonctionner avec des charges de forte puissance – jusqu’à plusieurs centaines de kW – il peut aussi bloquer des tensions allant jusqu’à 6,5 kV. Son utilisation assure de faibles pertes d’énergie. On le retrouve notamment dans :
- les onduleurs convertissant le courant continu en courant alternatif pour les réseaux électriques,
- les plaques à induction et chargeurs,
- les systèmes d’alimentation sans interruption (UPS),
- les alimentations à découpage,
- les systèmes d’entraînement industriels, par exemple pour moteurs électriques.
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