Modules MOSFET SiC ABB

Modules SiC MOSFET d'ABB: Une Révolution dans l'Électronique de Puissance

L'électronique de puissance contemporaine s'efforce constamment d'augmenter l'efficacité et de réduire les pertes de puissance. Le rôle clé dans ce processus est joué par la technologie du Carbure de Silicium...

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picture_as_pdf Modules MOSFET SiC ABB ABB Modules MOSFET SiC ABB VOIR -- En commande -- -- -- --
picture_as_pdf 5SFG 0660B07500x MOSFET SiC ABB 5SFG 0660B07500x MOSFET SIC VOIR 5SFG 0660B07500x En commande b 2.6 mΩ 2 x 660 A 750 V
picture_as_pdf 5SFG 0880B07500x MOSFET SiC ABB 5SFG 0880B07500x MOSFET SIC VOIR 5SFG 0880B07500x En commande b 1.8 mΩ 2 x 880 A 750 V
picture_as_pdf 5SFG 1100B07500x MOSFET SiC ABB 5SFG 1100B07500x MOSFET SIC VOIR 5SFG 1100B07500x En commande b 1.4 mΩ 2 x 1100 A 750 V
picture_as_pdf 5SFG 0580B12000x MOSFET SiC ABB 5SFG 0580B12000X MOSFET SIC VOIR 5SFG 0580B12000x En commande b 2.9 mΩ 2 x 580 A 1200 V
picture_as_pdf 5SFG 0780B12000x MOSFET SiC ABB 5SFG 0780B12000X MOSFET SIC VOIR 5SFG 0780B12000x En commande b 2.4 mΩ 2 x 780 A 1200 V
picture_as_pdf 5SFG 0980B12000x MOSFET SiC ABB 5SFG 0980B12000X MOSFET SIC VOIR 5SFG 0980B12000x En commande b 1.9 mΩ 2 x 980 A 1200 V
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Modules SiC MOSFET d'ABB: Une Révolution dans l'Électronique de Puissance

L'électronique de puissance contemporaine s'efforce constamment d'augmenter l'efficacité et de réduire les pertes de puissance. Le rôle clé dans ce processus est joué par la technologie du Carbure de Silicium (SiC), qui remplace avec succès les composants traditionnels en silicium. Les modules SiC MOSFET d'ABB représentent l'une des étapes les plus avancées de cette transformation, offrant des paramètres indisponibles pour les transistors standards, ouvrant ainsi de nouvelles possibilités dans la conception de systèmes d'alimentation innovants et économes en énergie.

Une Nouvelle Ère dans l'Électronique de Puissance: Les Modules SiC MOSFET ABB

Les transistors SiC MOSFET se caractérisent par des propriétés physiques nettement meilleures que leurs homologues en silicium, y compris une température de fonctionnement plus élevée, une plus grande rigidité diélectrique et, surtout, des pertes de commutation minimales. ABB, en tant que leader dans le domaine des technologies énergétiques, exploite ces avantages en produisant des modules aux performances révolutionnaires. Grâce à l'utilisation du carbure de silicium, les modules ABB permettent un fonctionnement à des fréquences de commutation plus élevées, ce qui permet de réduire la taille et la masse des composants passifs, tels que les bobines et les condensateurs. Cela se traduit par des systèmes finaux plus petits, plus légers et plus efficaces sur le plan énergétique.

Paramètres Techniques Clés et Haute Performance

Les SiC MOSFET d'ABB sont conçus pour les applications de haute puissance les plus exigeantes. Leurs spécifications confirment leur position de leader sur le marché:

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  • Faible RDS(ON): Une résistance à l'état passant extrêmement faible, atteignant seulement 1.4 mΩ, minimise les pertes par conduction et se traduit par une meilleure dissipation de la chaleur. Des variantes avec des résistances de 1.8 mΩ, 1.9 mΩ, 2.4 mΩ, 2.6 mΩ et 2.9 mΩ sont également disponibles, permettant une sélection précise pour des exigences de conception spécifiques.    
  • Haute Tension UDS: Les modules sont disponibles dans des classes de tension de 1200 V, ce qui les rend idéaux pour les applications haute tension, ainsi que dans une version 750 V pour les systèmes fonctionnant à des niveaux inférieurs, mais toujours exigeants.    
  • Courant Continu ID Élevé: Les modules offrent une capacité de courant élevée, atteignant des courants continus jusqu'à 2 x 1100 A en configuration double (dual). Des variantes de 2 x 580 A, 2 x 660 A, 2 x 780 A, 2 x 880 A et 2 x 980 A sont également disponibles. Cette performance en courant garantit la fiabilité dans les systèmes à forte demande de puissance.

Construction Solide et Conformité aux Normes (Type de Boîtier)

Les modules SiC MOSFET d'ABB se caractérisent par une haute fiabilité mécanique et thermique. Ils sont souvent proposés dans des boîtiers standard, éprouvés sur le marché, tels que le type b6, ce qui facilite leur intégration dans les systèmes existants et nouvellement conçus. La construction durable des modules assure un transfert de chaleur optimal vers le dissipateur, ce qui est crucial pour maintenir la durée de vie et la performance maximales des composants SiC. ABB met l'accent sur la qualité de fabrication pour satisfaire aux normes rigoureuses et aux exigences de certification dans les industries de l'énergie et des transports.

Applications des Modules SiC MOSFET ABB

Les propriétés uniques des modules SiC MOSFET ABB les rendent indispensables dans les applications modernes, où l'efficacité énergétique, la densité de puissance et la fiabilité sont essentielles:

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  • Véhicules Électriques (VE) et Transport Ferroviaire: Les tensions et courants élevés, ainsi qu'une résistance thermique accrue, sont idéaux pour les onduleurs de traction et les chargeurs embarqués, augmentant l'autonomie et la dynamique des véhicules.    
  • Sources d'Énergie Renouvelables: Dans les onduleurs photovoltaïques et les convertisseurs éoliens, les modules SiC améliorent l'efficacité de la conversion de l'énergie, minimisant les pertes lors de l'étape critique de traitement.    
  • Systèmes d'Alimentation Industriels: Les onduleurs (UPS), les alimentations à découpage et les entraînements de moteurs de haute puissance bénéficient de pertes plus faibles et de dimensions réduites.    
  • Réseaux Intelligents (Smart Grids): Les modules ABB prennent en charge les systèmes avancés de gestion de l'énergie dans les réseaux, permettant une commutation de puissance rapide et précise.