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Transistors IGBT - Modules POWEREX

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picture_as_pdf Dual HVIGBT QID3320004 Module POWEREX Dual HVIGBT QID3320004 Module VOIR -- En commande -- --
-- Modules IGBT - Powerex POWEREX Modules IGBT - Powerex VOIR -- En commande -- --
picture_as_pdf QID3320002 IGBT module POWEREX QID3320002 Module IGBT VOIR QID3320002 132 200 A 3300 V
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Transistors à effet de champ - nous proposons deux types de transistors à effet de champ : les MOSFET et les IGBT. Découvrez nos autres transistors !

Transistors IGBT

Les transistors IGBT se caractérisent par une faible chute de tension de conduction (de 2,15 à 5,2V) à courant élevé (10 à 3600A), la capacité de bloquer de hautes tensions (250 à 6500V), le contrôle en tension via une grille isolée et une grande vitesse de commutation. Ils sont produits sous forme de modules standard, modules haute fréquence, modules haute tension, ainsi que modules intelligents et modules intelligents haute tension. De plus, des modules diodes haute tension sont proposés pour fonctionner avec les transistors IGBT.

Les transistors IGBT fabriqués sous forme de modules intelligents comprennent, en plus des transistors, des circuits pour leur contrôle et une protection contre les courts-circuits et les surtensions.