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Modules IGBT | MITSUBISHI
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Nous sommes un fournisseur expérimenté des articles essentiels pour la catégorie des transistors.
Transistors à effet de champ - nous proposons deux types de transistors à effet de champ : MOSFET et IGBT.
Transistors IGBT
Les transistors IGBT se caractérisent par une faible chute de tension (de 2,15 à 5,2 V) à des courants élevés (10–3600 A), la capacité de bloquer des tensions élevées (250–6500 V), un contrôle en tension via une grille isolée et une grande vitesse de commutation. Ils sont produits sous forme de modules standard, modules haute fréquence, modules haute tension, ainsi que modules intelligents et modules intelligents haute tension. Des modules de diodes haute tension sont également proposés pour fonctionner avec les transistors IGBT.
Les transistors IGBT fabriqués sous forme de modules intelligents comprennent, en plus des transistors eux-mêmes, des circuits de contrôle ainsi que des protections contre les courts-circuits et les surtensions.