Composants semiconducteurs en carbure de silicium

We’re an experienced supplier of necessary products for the category of transistors. 

We’re offering field-effect transistors: MOS-FET and IGBT transistors, as well as silicon carbide (SiC) semiconductor elements.

MOS-FET transistors
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descasc
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picture_as_pdf Éléments semi-conducteurs avec carbure de silicium Mitsubishi Éléments semi-conducteurs avec carbure de silicium VOIR -- En commande
picture_as_pdf Modules en carbure de silicium - Powerex et Mitsubishi Mitsubishi Modules en carbure de silicium - Powerex et Mitsubishi VOIR -- En commande
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We’re an experienced supplier of necessary products for the category of transistors. 

We’re offering field-effect transistors: MOS-FET and IGBT transistors, as well as silicon carbide (SiC) semiconductor elements.

MOS-FET transistors
MOS-FET transistors cooperate well in parallel connections. They can be combined in parallel up to several dozen pieces. They are easily controlled and do not require adjustment in the load current distribution between them.

IGBT transistors
IGBT transistors are characterized by a small decrease in conduction voltage (from 2.15 - 5.2V) at high current (10 - 3600A), high voltage blocking capacity (250 - 6500V), voltage control via an isolated gate, and high switching speed. They are produced in the form of standard modules, high-frequency modules, high voltage modules as well as intelligent modules, and high voltage intelligent modules. In addition, high-voltage diode modules are offered for cooperation with IGBT transistors.

The IGBT transistors manufactured in the form of intelligent modules contain, besides transistors, control systems as well as short circuit and overvoltage protection.