Diodes | GeneSiC

A diode is an unsteady semiconductor device in which the conduction or valve state depends on the bias voltage between the anode and the cathode.

Our offer includes: rectifier diodes, fast diodes, ultra-fast diodes, Schottky diodes, avalanche diodes,...
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Tension URRM
Type de logement
-- Diode gènesique GeneSiC Semiconductor Diode gènesique VOIR -- En commande -- -- --
picture_as_pdf GE2X10MPS06D Dioda SiC GeneSiC Semiconductor GE2X10MPS06D DIODE SIC VOIR GE2X10MPS06D En commande 650 V 20 A TO-247-3
picture_as_pdf GE10MPS06E Dioda SiC GeneSiC Semiconductor GE10MPS06E DIODE SIC VOIR GE10MPS06E En commande 650 V 10:00 AM TO-252-2
picture_as_pdf GE10MPS06A Dioda SiC GeneSiC Semiconductor GE10MPS06A DIODE SIC VOIR GE10MPS06A En commande 650 V 10:00 AM TO-220-2
picture_as_pdf GE08MPS06E Dioda SiC GeneSiC Semiconductor GE08MPS06E DIODE SIC VOIR GE08MPS06E En commande 650 V 8:00 AM TO-252-2
picture_as_pdf GB2X50MPS17-227 Dioda SiC GeneSiC Semiconductor GB2X50MPS17-227 DIODE SIC VOIR GB2X50MPS17-227 En commande 1700 V 100 A SOT-227
picture_as_pdf GE08MPS06A Dioda SiC GeneSiC Semiconductor GE08MPS06A DIODE SIC VOIR GE08MPS06A En commande 650 V 8:00 AM TO-220-2
picture_as_pdf GE06MPS06E Dioda SiC GeneSiC Semiconductor GE06MPS06E DIODE SIC VOIR GE06MPS06E En commande 650 V 6:00 AM TO-252-2
picture_as_pdf GE06MPS06A Dioda SiC GeneSiC Semiconductor GE06MPS06A DIODE SIC VOIR GE06MPS06A En commande 650 V 6:00 AM TO-220-2
picture_as_pdf GD30MPS06J Dioda SiC GeneSiC Semiconductor GD30MPS06J DIODE SIC VOIR GD30MPS06J En commande 650 V 30 A TO-263-7
picture_as_pdf GD30MPS06H Dioda SiC GeneSiC Semiconductor GD30MPS06H DIODE SIC VOIR GD30MPS06H En commande 650 V 30 A TO-247-2
picture_as_pdf GD2X75MPS17N Dioda SiC GeneSiC Semiconductor GD2X75MPS17N DIODE SIC VOIR GD2X75MPS17N En commande 1700 V 150 A SOT-227
picture_as_pdf GD2X30MPS12N Dioda SiC GeneSiC Semiconductor GD2X30MPS12N DIODE SIC VOIR GD2X30MPS12N En commande 1200 V 60 A SOT-227
picture_as_pdf GD2X30MPS06N Dioda SiC GeneSiC Semiconductor GD2X30MPS06N DIODE SIC VOIR GD2X30MPS06N En commande 650 V 60 A SOT-227
picture_as_pdf GD10MPS17H Dioda SiC GeneSiC Semiconductor GD10MPS17H DIODE SIC VOIR GD10MPS17H En commande 1700 V 10:00 AM TO-247-2
picture_as_pdf GD02MPS12E Dioda SiC GeneSiC Semiconductor GD02MPS12E DIODE SIC VOIR GD02MPS12E En commande 1200 V 2:00 AM TO-252-2
picture_as_pdf GC50MPS12-247 Dioda SiC GeneSiC Semiconductor GC50MPS12-247 DIODE SIC VOIR GC50MPS12-247 En commande 1200 V 50 A TO-247-2
picture_as_pdf GE2X8MPS06D Dioda SiC GeneSiC Semiconductor GE2X8MPS06D DIODE SIC VOIR GE2X8MPS06D En commande 650 V 16 A TO-247-3
picture_as_pdf GAP3SLT33-214 Dioda SiC GeneSiC Semiconductor GAP3SLT33-214 DIODE SIC VOIR GAP3SLT33-214 En commande 3300 V 0,3 A DO-214
picture_as_pdf GC50MPS33H DIODE SIC GeneSiC Semiconductor GC50MPS33H DIODE SIC VOIR GC50MPS33H 1 3300 V 50 A TO-247-2
picture_as_pdf GC05MPS33J Diode SIC GeneSiC Semiconductor GC05MPS33J Diode SIC VOIR GC05MPS33J 1 3300 V 5:00 AM TO-263-7
picture_as_pdf GD25MPS17H Dioda SiC GeneSiC Semiconductor GD25MPS17H DIODE SIC VOIR GD25MPS17H 1 1700 V 25 A TO-247-2
picture_as_pdf GD15MPS17H DIODE SIC GeneSiC Semiconductor GD15MPS17H DIODE SIC VOIR GD15MPS17H 1 1700 V 15 A TO-247-2
picture_as_pdf GD05MPS17H Dioda SiC GeneSiC Semiconductor GD05MPS17H DIODE SIC VOIR GD05MPS17H 1 1700 V 5:00 AM TO-247-2
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A diode is an unsteady semiconductor device in which the conduction or valve state depends on the bias voltage between the anode and the cathode.

Our offer includes: rectifier diodes, fast diodes, ultra-fast diodes, Schottky diodes, avalanche diodes, diodes against overvoltage, high-voltage diodes.

The diodes used in power electronics systems require protection against the effects of short circuits and overvoltages.

Only quick fuses should be used for short-circuit protection of diodes. These are specially designed fuses with current values adapted to the current size of the diodes and burning out in a very short time after the occurrence of a short circuit. To protect diodes against commutation overvoltages, RC surge suppressors should be used. The parameters of the surge suppressor elements are selected so that the overvoltage occurring at the diode is limited to its safe value.