Modules de transistors | MITSUBISHI

Nous sommes un fournisseur expérimenté de composants essentiels pour la catégorie des transistors.

Transistors à effet de champ – nous proposons deux types de transistors : MOSFET et IGBT.

Transistors MOS-FET

Les transistors MOS-FET fonctionnent bien en...

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-- Modules de transistor Mitsubishi Modules de transistor VOIR -- En commande -- --
-- QM100DY-2H Tranzystor BIPOLARNY Mitsubishi Transistor bipolaire QM100DY-2H VOIR QM100DY-2H 3 1000 V 100 A
-- QM30DY-H Transistor bipolar Mitsubishi Transistor bipolaire qm30dy-h VOIR QM30DY-H En commande 600 V 30 A
-- QM75HA-H Tranzystor BIPOLARNY Mitsubishi Transistor bipolaire QM75HA-H VOIR QM75HA-H 3 600 V 75 A
-- QM200DY-H Moduł Bipolarny Mitsubishi Module bipolaire QM200DY-H VOIR QM200DY-H 2 600 V 200 A
-- QM400HA-2H Tranzystor BIPOLARNY Mitsubishi Transistor Bipolaire QM400HA-2H VOIR QM400HA-2H 1 1000 V 400 A
-- QM50DY-2H Tranzystor BIPOLARNY Mitsubishi Transistor bipolaire QM50DY-2H VOIR QM50DY-2H En commande 1000 V 50 A
-- QM75DY-2H Tranzystor BIPOLARNY Mitsubishi Transistor bipolaire QM75Y-2H VOIR QM75DY-2H En commande 1000 V 75 A
-- QM300HA-2H Tranzystor BIPOLARNY Mitsubishi Transistor Bipolaire QM300HA-2H VOIR QM300HA-2H En commande 1000 V 300 A
-- QM20TD-H Tranzystor BIPOLARNY Mitsubishi Transistor bipolaire QM20TD-H VOIR QM20TD-H En commande 600 V 20 A
-- QM150HY-2H Tranzystor BIPOLARNY Mitsubishi Transistor bipolaire QM150HY-2H VOIR QM150HY-2H 1 1000 V 15 A
-- QM150DY-2H Tranzystor BIPOLARNY Mitsubishi Transistor Bipolaire QM150DY-2H VOIR QM150DY-2H En commande 1000 V 150 A
-- QM600HA-24 Tranzystor BIPOLARNY Mitsubishi TRANSISTOR BIPOLAIRE QM600HA-24 VOIR QM600HA-24 1 1200 V 60 A
-- QM10HA-HB Tranzystor BIPOLARNY Mitsubishi Transistor bipolaire QM10HA-HB VOIR QM10HA-HB 1 600 V 10:00 AM
-- QM75DY-H Transistor bipolar Mitsubishi Transistor bipolaire QM77Y-H VOIR QM75DY-H En commande 600 V 75 A
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Nous sommes un fournisseur expérimenté de composants essentiels pour la catégorie des transistors.

Transistors à effet de champ – nous proposons deux types de transistors : MOSFET et IGBT.

Transistors MOS-FET

Les transistors MOS-FET fonctionnent bien en connexion parallèle. Ils peuvent être connectés en parallèle par dizaines. Ils sont faciles à contrôler et ne nécessitent pas de correction du partage de courant de charge entre eux.

Transistors IGBT

Les transistors IGBT se caractérisent par une faible chute de tension en conduction (de 2,15 à 5,2 V) à courant élevé (10 à 3600 A), une capacité à bloquer de hautes tensions (250 à 6500 V), un contrôle en tension via une grille isolée et une grande vitesse de commutation. Ils sont fabriqués sous forme de modules standards, de modules haute fréquence, de modules haute tension, ainsi que de modules intelligents et de modules intelligents haute tension. Des modules diodes haute tension sont également proposés pour fonctionner avec les transistors IGBT.

Les transistors IGBT fabriqués sous forme de modules intelligents comprennent, en plus des transistors, des circuits de commande ainsi que des protections contre les courts-circuits et les surtensions.