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Somos un proveedor experimentado de componentes esenciales para la categoría de transistores.
Transistores de efecto de campo – ofrecemos dos tipos de transistores de efecto de campo: transistores MOSFET e IGBT.
Transistores MOS-FET
Los transistores MOS-FET funcionan bien en conexiones en paralelo. Pueden conectarse en paralelo en cantidades de hasta varias decenas. Son fáciles de controlar y no requieren corrección en la distribución de corriente de carga entre ellos.
Transistores IGBT
Los transistores IGBT se caracterizan por una baja caída de tensión de conducción (de 2,15 a 5,2 V) a altas corrientes (10–3600 A), capacidad para bloquear altos voltajes (250–6500 V), control por tensión mediante puerta aislada y alta velocidad de conmutación. Se fabrican en forma de módulos estándar, módulos de alta frecuencia, módulos de alta tensión, así como módulos inteligentes y módulos inteligentes de alta tensión. Además, se ofrecen módulos de diodos de alta tensión para trabajar con transistores IGBT.
Los transistores IGBT fabricados en forma de módulos inteligentes incluyen, además de los transistores, circuitos de control y protección contra cortocircuitos y sobretensiones.