Transistores

Transistores de un proveedor confiable

DACPOL es un proveedor experimentado de productos clave en la categoría de transistores. Nuestros clientes pueden confiar en la calidad de los productos y servicios que ofrecemos, ya sean módulos MOSFET, diodos o elementos...

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picture_as_pdf Sk 120 gal 12f4 t un solo interruptor SEMIKRON Sk 120 gal 12f4 t un solo interruptor MÍRALO SK120GAL12F4T On Order -- -- -- -- -- Single Switch 1200 V 120 A -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- --
picture_as_pdf SK50GD12T4ETE2 Módulo IGBT SEMIKRON SK50GD12T4ETE2 Módulo IGBT MÍRALO SK50GD12T4ETE2 On Order -- -- -- -- -- Six Pack 1200 V 50 A -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- --
picture_as_pdf G3R12MT12K MOSFET SiC GeneSiC Semiconductor G3R12MT12K MOSFET SiC MÍRALO G3R12MT12K On Order TO-247-4 -- -- -- 155 A -- -- -- 110 A -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- 12 mΩ 1200 V -- -- -- -- --
-- Transistor SiC Mosfet G3F18MT12K GeneSiC Semiconductor Transistor SiC Mosfet G3F18MT12K MÍRALO G3F18MT12K On Order TO-247-4 -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- 1200 V -- -- -- --
picture_as_pdf Tranzystor SiC Mosfet G3F45MT06J GeneSiC Semiconductor Tranzystor SiC Mosfet G3F45MT06J MÍRALO G3F45MT06J On Order TO-263-7 -- -- -- -- -- -- 39 A -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- 650 V -- -- --
-- Transistor de SiC G3F25MT12U GeneSiC Semiconductor Transistor de SiC G3F25MT12U MÍRALO G3F25MT12U On Order -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- --
picture_as_pdf Transistor EPC23103 EPC (Efficient Power Conversion) Transistor EPC23103 MÍRALO EPC23103 On Order -- -- -- -- -- Half Bridge ePower Stage -- -- -- -- -- -- -- 7-Jun -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- 100 6 -- -- -- 21, 22.95 25 109 QFN 3.5 x 5 -- -- -- -- -- -- -- --
picture_as_pdf Skm75gb17e4 medio puente SEMIKRON Skm75gb17e4 medio puente MÍRALO SKM75GB17E4 On Order -- -- -- -- -- Half Bridge 1700 V 75 A -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- --
picture_as_pdf Dual HVIGBT QID3320004 Módulo POWEREX Dual HVIGBT QID3320004 Módulo MÍRALO -- On Order -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- --
picture_as_pdf Tercero DIP módulo de generación y MINI DIP IPM Mitsubishi 3ª generación de módulos DIP y MINI DIP IPM MÍRALO -- On Order -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- --
picture_as_pdf Módulos IGBT rápido - Serie HNF Mitsubishi Módulos IGBT rápidos - serie NFH MÍRALO -- On Order -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- --
picture_as_pdf 6 generación de módulos de IPM Full Gate -Seria V1 Mitsubishi 6 generación de módulos de IPM Full Gate -Seria V1 MÍRALO -- On Order -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- --
picture_as_pdf PMF75CGA120 MOSFET SIC Mitsubishi PMF75CGA120 MOSFET SIC MÍRALO PMF75CGA120 On Order -- -- -- -- -- 6in1 -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- 75 V -- -- -- -- --
picture_as_pdf Cmh600du-24nfh mosfet sic Mitsubishi Cmh600du-24nfh mosfet sic MÍRALO CMH600DU-24NFH On Order -- -- -- -- -- 2in1 -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- 600 V -- -- -- -- --
picture_as_pdf PSF20L91A6-A MOSFET SIC Mitsubishi PSF20L91A6-A MOSFET SIC MÍRALO PSF20L91A6-A On Order -- -- -- -- -- Two-phase interleaved -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- 20Arms V -- -- -- -- --
-- Módulos StarPower SIC MOSFET Starpower Módulos StarPower SIC MOSFET MÍRALO -- On Order -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- --
picture_as_pdf Transistor EPC7019 EPC (Efficient Power Conversion) Transistor EPC7019 MÍRALO EPC7019 On Order -- -- -- -- -- Single Rad Hard -- -- -- -- -- -- -- 1-May -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- 40 6 23 7-Jun 3-Apr 51 95 530 LGA 6.05 x 2.3 -- -- -- -- -- -- -- --
picture_as_pdf Semix223gb17e4p medio puente SEMIKRON Semix223gb17e4p medio puente MÍRALO SEMiX223GB17E4p On Order -- -- -- -- -- Half Bridge 1700 V 225 A -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- --
picture_as_pdf Transistor SiC Mosfet G3F18MT12J GeneSiC Semiconductor Transistor SiC Mosfet G3F18MT12J MÍRALO G3F18MT12J On Order TO-263-7 -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- 1200 V -- -- -- --
-- Tranzystor SiC Mosfet G3F45MT06D GeneSiC Semiconductor Tranzystor SiC Mosfet G3F45MT06D MÍRALO G3F45MT06D On Order TO-247-3 -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- 650 V -- -- -- --
-- Transistor de SiC G3F45MT06U GeneSiC Semiconductor Transistor de SiC G3F45MT06U MÍRALO G3F45MT06U On Order -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- --
picture_as_pdf Transistor EPC7003 EPC (Efficient Power Conversion) Transistor EPC7003 MÍRALO EPC7003 On Order -- -- -- -- -- Single Rad Hard -- -- -- -- -- -- -- 30 -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- 100 6 1-Aug 0.6 0.3 9-Apr 10 42 LGA 1.7 x 1.1 -- -- -- -- -- -- -- --
picture_as_pdf Módulos de carburo de silicio - PowerEx y Mitsubishi Mitsubishi Módulos de carburo de silicio - PowerEx y Mitsubishi MÍRALO -- On Order -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- --
picture_as_pdf 4 DIP módulo de generación de IPM Mitsubishi 4 generación de módulos DIP IPM MÍRALO -- On Order -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- --
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Transistores de un proveedor confiable

DACPOL es un proveedor experimentado de productos clave en la categoría de transistores. Nuestros clientes pueden confiar en la calidad de los productos y servicios que ofrecemos, ya sean módulos MOSFET, diodos o elementos semiconductores de carburo de silicio.

Estamos listos para suministrar productos ya sea que soliciten transistores individuales o en grandes cantidades, garantizando la disponibilidad completa de todos los productos.

Para ofrecer el más alto nivel de servicio, proporcionamos únicamente productos de fabricantes y proveedores confiables. Nuestro equipo de ingenieros comparte su conocimiento y ofrece asesoramiento en cada etapa, proporcionando información sobre el uso correcto de los productos adquiridos.

La oferta de DACPOL en componentes electrónicos, fuentes de alimentación y conectores es mucho más amplia e incluye diversos artículos eléctricos e industriales en la categoría de transistores. Puede consultar la gama completa de componentes electrónicos, fuentes de alimentación y conectores en nuestro sitio web.

Transistores – tipos y aplicaciones

Los transistores NPN y PNP son componentes electrónicos básicos utilizados en la construcción de circuitos como Arduino o Raspberry Pi. Estos elementos semiconductores discretos constan de tres capas de semiconductor y tres terminales: emisor, base y colector, que permiten controlar el flujo de corriente entre colector y emisor. En los transistores unipolares, como los MOSFET, la corriente de control pasa a través del terminal llamado puerta (drain–source), lo que permite amplificar la señal eléctrica con precisión.

El parámetro de ganancia de corriente, es decir, la relación entre la corriente de base y la corriente de colector, es crucial para la polarización y el funcionamiento correctos de los dispositivos electrónicos. Gracias a su principio de funcionamiento basado en una pequeña corriente de control, los transistores pueden encender o apagar corrientes altas, lo que los hace útiles como estabilizadores, interruptores o amplificadores. Descubra nuestra oferta completa de componentes electrónicos y elija el transistor adecuado para su proyecto.

Transistores de efecto de campo en DACPOL

Ofrecemos dos tipos de transistores: MOS-FET e IGBT.

Transistores MOS-FET

Los MOS-FET funcionan bien en conexiones en paralelo. Pueden conectarse en paralelo hasta varias decenas de unidades. Son fáciles de controlar y no requieren correcciones en la distribución de corriente.

Están disponibles en rangos de corriente de 1,1 A a 250 A y tensiones de 12 V a 900 V. Los transistores MOS-FET se fabrican en los siguientes encapsulados: SO8, SOT223, D-Pak, D2-Pak, I-Pak, TO-262, TO-220, TO-247, SOT-227, HEXDIP.

Transistores IGBT

Los IGBT se caracterizan por una baja caída de tensión (2,15 ÷ 5,2 V) a altas corrientes (10 ÷ 3600 A), la capacidad de bloquear altas tensiones (250 ÷ 6500 V), control por tensión mediante puerta aislada y alta velocidad de conmutación. Se producen en forma de módulos estándar, de alta frecuencia, de alta tensión y módulos inteligentes. Además, se ofrecen módulos de diodos de alta tensión para trabajar junto con los IGBT.

Alta calidad de los productos ofrecidos

Están disponibles en encapsulados electroaislados como transistores individuales, semipuentes y puentes completos. Encapsulados típicos: TO220, TO247, A1, NF1, NF2, NF3, NF4, NF5, NF6, U2, U3, U4, U5, U6, U7, U8, A1, A2, A3, A4, A5, H1, H2, H3, H4, H5, H6, H7, H8, H9, H10, H11, H12, H13, DM1, DM2, HV1, HV2, HV3, HV4, HV5, HV6, HV7, HV8, SD1, SD2, SD3, SD4.

Los módulos IGBT inteligentes incluyen, además de los transistores, circuitos de control y protección contra cortocircuitos y sobretensiones.

Consulte también nuestros productos en la categoría de puentes rectificadores.

¿Qué son los transistores y cuáles son sus tipos principales?

Los transistores pueden controlar el flujo de corriente en circuitos eléctricos, funcionando como un interruptor. Están hechos de materiales semiconductores como silicio o carburo de silicio. El primer transistor fue construido en 1948 por J. Bardeen y W. Brattain. Sus creadores, junto con W. Shockley – autor del modelo bipolar – recibieron el Premio Nobel en 1956.

Estos elementos electrónicos semiconductores de tres terminales se dividen en dos tipos principales. El primero son los transistores de efecto de campo, también llamados unipolares, que se controlan por tensión. Constan de una puerta que, al aplicarle tensión, genera un campo electromagnético que cambia la resistencia entre el drenaje y la fuente.

El segundo tipo es el transistor bipolar o de unión. Está compuesto por la base, el emisor y el colector. Se controla mediante la corriente que fluye entre el emisor y la base. Los transistores bipolares se subdividen en modelos NPN y PNP.

Características y aplicaciones de los transistores MOS-FET

El MOS-FET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor), un transistor de efecto de campo de cuatro terminales, se caracteriza por una alta resistencia de salida y un tiempo de conmutación muy rápido. Se utiliza principalmente en:

  • fuentes de alimentación conmutadas,
  • cargadores para vehículos eléctricos e híbridos,
  • sistemas UPS,
  • sistemas de accionamiento de motores en automoción e industria,
  • amplificadores de audio o telecomunicaciones,
  • circuitos integrados, especialmente en tecnología CMOS, utilizada actualmente en la mayoría de los microprocesadores.

Además, los transistores de efecto de campo pueden usarse tanto en circuitos integrados analógicos como digitales.

Características y aplicaciones de los transistores IGBT

El IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor), perteneciente a los dispositivos con puerta aislada, combina las características de los transistores bipolares y MOS-FET. Esto les proporciona facilidad de control y conmutación rápida. Los IGBT están diseñados para manejar cargas de gran potencia, de hasta varios cientos de kW, y pueden bloquear tensiones de hasta 6,5 kV. Su uso también garantiza bajas pérdidas de energía. Por ello, este tipo de transistor puede aplicarse, entre otros, en:

  • inversores que convierten corriente continua en alterna para sistemas energéticos,
  • cocinas de inducción y cargadores,
  • sistemas de alimentación ininterrumpida (UPS),
  • fuentes de alimentación conmutadas,
  • sistemas de accionamiento industrial, como motores eléctricos.