Transistores

Transistores de un proveedor confiable

DACPOL es un proveedor experimentado de productos clave en la categoría de transistores. Nuestros clientes pueden confiar en la calidad de los productos y servicios que ofrecemos, ya sean módulos MOSFET, diodos o elementos...

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picture_as_pdf Skm100gar12f4 solo interruptor SEMIKRON Skm100gar12f4 solo interruptor MÍRALO SKM100GAR12F4 On Order -- -- -- -- -- Single Switch 1200 V 100 A -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- --
picture_as_pdf Sk20dgdl07e3ete1 siete pack SEMIKRON Sk20dgdl07e3ete1 siete pack MÍRALO SK20DGDL07E3ETE1 On Order -- -- -- -- -- Seven Pack 650 V 20 A -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- --
picture_as_pdf Transistor SiC Mosfet... GeneSiC Semiconductor Transistor SiC Mosfet G3F25MT06L MÍRALO G3F25MT06L On Order TOLL -- -- -- 125 A -- -- -- 88 A -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- 650 V -- 20,5 mΩ 29 mΩ -- --
picture_as_pdf Transistor SiC Mosfet G3F34MT12J GeneSiC Semiconductor Transistor SiC Mosfet G3F34MT12J MÍRALO G3F34MT12J On Order TO-263-7 -- -- -- 68 A -- -- -- 48 A -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- 1200 V -- 34 mΩ -- -- --
picture_as_pdf G3F09MT12GB4 Moduł Mosfet SiC GeneSiC Semiconductor G3F09MT12GB4 Moduł Mosfet SiC MÍRALO G3F09MT12GB4 On Order -- -- -- -- Puente completo -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- 9,3 -- 104 1200
picture_as_pdf Transistor EPC7004 EPC (Efficient Power Conversion) Transistor EPC7004 MÍRALO EPC7004 On Order -- -- -- -- -- Single Rad Hard -- -- -- -- -- -- -- 7 -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- 100 6 6-Apr 2-Feb 1-Jan 37 60 160 LGA 4.1 x 1.6 -- -- -- -- -- -- -- --
picture_as_pdf Módulo IGBT SKIM400GD126DLM SEMIKRON Módulo IGBT SKIM400GD126DLM MÍRALO SKiM400GD126DLM On Order -- -- -- -- -- Six Pack 1200 V 300 A -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- --
-- 3er módulo de generación MIP - S Series Mitsubishi 3 generación de módulos IPM - serie S MÍRALO -- On Order -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- --
picture_as_pdf MDIP y MINI - DIP-IPM Mitsubishi MDIP y MINI - DIP IPM MÍRALO -- On Order -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- --
picture_as_pdf 6 generación de módulos IGBT -SERIA NX Mitsubishi 6 generación de módulos IGBT -SERIA NX MÍRALO -- On Order -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- --
picture_as_pdf Cmh400du-24nfh mosfet sic Mitsubishi Cmh400du-24nfh mosfet sic MÍRALO CMH400DU-24NFH On Order -- -- -- -- -- 2in1 -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- 400 V -- -- -- -- --
picture_as_pdf CMH600DC-66X MOSFET SIC Mitsubishi CMH600DC-66X MOSFET SIC MÍRALO CMH600DC-66X On Order -- -- -- -- -- 2in1 -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- 600 V -- -- -- -- --
picture_as_pdf G3r60mt07j mosfet sic GeneSiC Semiconductor G3r60mt07j mosfet sic MÍRALO G3R60MT07J On Order TO-263-7 -- -- -- 44 A -- -- -- 31 A -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- - 60 mΩ 750 V -- -- -- -- --
picture_as_pdf Sk15dgdl07e3ete1 siete pack SEMIKRON Sk15dgdl07e3ete1 siete pack MÍRALO SK15DGDL07E3ETE1 On Order -- -- -- -- -- Seven Pack 650 V 15 A -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- --
picture_as_pdf Tranzystor SiC Mosfet G3F75MT12K GeneSiC Semiconductor Tranzystor SiC Mosfet G3F75MT12K MÍRALO G3F75MT12K On Order TO-247-4 -- -- -- 30 A -- -- -- 21 A -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- 1200 V -- 75 mΩ -- -- --
picture_as_pdf Tranzystor SiC Mosfet G3F25MT06J GeneSiC Semiconductor Tranzystor SiC Mosfet G3F25MT06J MÍRALO G3F25MT06J On Order TO-263-7 -- -- -- 108 A -- -- -- 77 A -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- 650 V -- 20,5 mΩ 29 mΩ -- --
picture_as_pdf G3F05MT12GB2 Moduł Mosfet SiC GeneSiC Semiconductor G3F05MT12GB2 Moduł Mosfet SiC MÍRALO G3F05MT12GB2 On Order -- -- -- -- półmostek -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- 4,6 -- 216 1200
picture_as_pdf Transistor EPC7018 EPC (Efficient Power Conversion) Transistor EPC7018 MÍRALO EPC7018 On Order -- -- -- -- -- Single Rad Hard -- -- -- -- -- -- -- 3-Sep -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- 100 6 15-Feb 4 2-Jun 77 90 345 LGA 6.05 x 2.3 -- -- -- -- -- -- -- --
-- MIP cuarto módulo de generación - una serie de S-DASH Mitsubishi 4 generación de módulos IPM - serie S-DASH MÍRALO -- On Order -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- --
picture_as_pdf Los módulos IGBT estándar Infineon Standardowe moduły IGBT MÍRALO -- On Order -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- --
picture_as_pdf Módulos SIC MOSFET - POWEREX POWEREX Módulos SIC MOSFET - POWEREX MÍRALO -- On Order -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- --
picture_as_pdf FMF750DC-66A MOSFET SIC Mitsubishi FMF750DC-66A MOSFET SIC MÍRALO FMF750DC-66A On Order -- -- -- -- -- 2in1 -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- 750 V -- -- -- -- --
picture_as_pdf Sk25dgdl12t7ete2s siete pack SEMIKRON Sk25dgdl12t7ete2s siete pack MÍRALO SK25DGDL12T7ETE2s On Order -- -- -- -- -- Seven Pack 1200 V 25 A -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- --
picture_as_pdf Sk35dgdl12t7ete2s siete pack SEMIKRON Sk35dgdl12t7ete2s siete pack MÍRALO SK35DGDL12T7ETE2s On Order -- -- -- -- -- Seven Pack 1200 V 35 A -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- --
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Transistores de un proveedor confiable

DACPOL es un proveedor experimentado de productos clave en la categoría de transistores. Nuestros clientes pueden confiar en la calidad de los productos y servicios que ofrecemos, ya sean módulos MOSFET, diodos o elementos semiconductores de carburo de silicio.

Estamos listos para suministrar productos ya sea que soliciten transistores individuales o en grandes cantidades, garantizando la disponibilidad completa de todos los productos.

Para ofrecer el más alto nivel de servicio, proporcionamos únicamente productos de fabricantes y proveedores confiables. Nuestro equipo de ingenieros comparte su conocimiento y ofrece asesoramiento en cada etapa, proporcionando información sobre el uso correcto de los productos adquiridos.

La oferta de DACPOL en componentes electrónicos, fuentes de alimentación y conectores es mucho más amplia e incluye diversos artículos eléctricos e industriales en la categoría de transistores. Puede consultar la gama completa de componentes electrónicos, fuentes de alimentación y conectores en nuestro sitio web.

Transistores – tipos y aplicaciones

Los transistores NPN y PNP son componentes electrónicos básicos utilizados en la construcción de circuitos como Arduino o Raspberry Pi. Estos elementos semiconductores discretos constan de tres capas de semiconductor y tres terminales: emisor, base y colector, que permiten controlar el flujo de corriente entre colector y emisor. En los transistores unipolares, como los MOSFET, la corriente de control pasa a través del terminal llamado puerta (drain–source), lo que permite amplificar la señal eléctrica con precisión.

El parámetro de ganancia de corriente, es decir, la relación entre la corriente de base y la corriente de colector, es crucial para la polarización y el funcionamiento correctos de los dispositivos electrónicos. Gracias a su principio de funcionamiento basado en una pequeña corriente de control, los transistores pueden encender o apagar corrientes altas, lo que los hace útiles como estabilizadores, interruptores o amplificadores. Descubra nuestra oferta completa de componentes electrónicos y elija el transistor adecuado para su proyecto.

Transistores de efecto de campo en DACPOL

Ofrecemos dos tipos de transistores: MOS-FET e IGBT.

Transistores MOS-FET

Los MOS-FET funcionan bien en conexiones en paralelo. Pueden conectarse en paralelo hasta varias decenas de unidades. Son fáciles de controlar y no requieren correcciones en la distribución de corriente.

Están disponibles en rangos de corriente de 1,1 A a 250 A y tensiones de 12 V a 900 V. Los transistores MOS-FET se fabrican en los siguientes encapsulados: SO8, SOT223, D-Pak, D2-Pak, I-Pak, TO-262, TO-220, TO-247, SOT-227, HEXDIP.

Transistores IGBT

Los IGBT se caracterizan por una baja caída de tensión (2,15 ÷ 5,2 V) a altas corrientes (10 ÷ 3600 A), la capacidad de bloquear altas tensiones (250 ÷ 6500 V), control por tensión mediante puerta aislada y alta velocidad de conmutación. Se producen en forma de módulos estándar, de alta frecuencia, de alta tensión y módulos inteligentes. Además, se ofrecen módulos de diodos de alta tensión para trabajar junto con los IGBT.

Alta calidad de los productos ofrecidos

Están disponibles en encapsulados electroaislados como transistores individuales, semipuentes y puentes completos. Encapsulados típicos: TO220, TO247, A1, NF1, NF2, NF3, NF4, NF5, NF6, U2, U3, U4, U5, U6, U7, U8, A1, A2, A3, A4, A5, H1, H2, H3, H4, H5, H6, H7, H8, H9, H10, H11, H12, H13, DM1, DM2, HV1, HV2, HV3, HV4, HV5, HV6, HV7, HV8, SD1, SD2, SD3, SD4.

Los módulos IGBT inteligentes incluyen, además de los transistores, circuitos de control y protección contra cortocircuitos y sobretensiones.

Consulte también nuestros productos en la categoría de puentes rectificadores.

¿Qué son los transistores y cuáles son sus tipos principales?

Los transistores pueden controlar el flujo de corriente en circuitos eléctricos, funcionando como un interruptor. Están hechos de materiales semiconductores como silicio o carburo de silicio. El primer transistor fue construido en 1948 por J. Bardeen y W. Brattain. Sus creadores, junto con W. Shockley – autor del modelo bipolar – recibieron el Premio Nobel en 1956.

Estos elementos electrónicos semiconductores de tres terminales se dividen en dos tipos principales. El primero son los transistores de efecto de campo, también llamados unipolares, que se controlan por tensión. Constan de una puerta que, al aplicarle tensión, genera un campo electromagnético que cambia la resistencia entre el drenaje y la fuente.

El segundo tipo es el transistor bipolar o de unión. Está compuesto por la base, el emisor y el colector. Se controla mediante la corriente que fluye entre el emisor y la base. Los transistores bipolares se subdividen en modelos NPN y PNP.

Características y aplicaciones de los transistores MOS-FET

El MOS-FET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor), un transistor de efecto de campo de cuatro terminales, se caracteriza por una alta resistencia de salida y un tiempo de conmutación muy rápido. Se utiliza principalmente en:

  • fuentes de alimentación conmutadas,
  • cargadores para vehículos eléctricos e híbridos,
  • sistemas UPS,
  • sistemas de accionamiento de motores en automoción e industria,
  • amplificadores de audio o telecomunicaciones,
  • circuitos integrados, especialmente en tecnología CMOS, utilizada actualmente en la mayoría de los microprocesadores.

Además, los transistores de efecto de campo pueden usarse tanto en circuitos integrados analógicos como digitales.

Características y aplicaciones de los transistores IGBT

El IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor), perteneciente a los dispositivos con puerta aislada, combina las características de los transistores bipolares y MOS-FET. Esto les proporciona facilidad de control y conmutación rápida. Los IGBT están diseñados para manejar cargas de gran potencia, de hasta varios cientos de kW, y pueden bloquear tensiones de hasta 6,5 kV. Su uso también garantiza bajas pérdidas de energía. Por ello, este tipo de transistor puede aplicarse, entre otros, en:

  • inversores que convierten corriente continua en alterna para sistemas energéticos,
  • cocinas de inducción y cargadores,
  • sistemas de alimentación ininterrumpida (UPS),
  • fuentes de alimentación conmutadas,
  • sistemas de accionamiento industrial, como motores eléctricos.