Debes estar logueado
-
-
-
Category
-
Semiconductores
- Diodos
- Tiristores
-
Módulos con aislamiento eléctrico
- Módulos con aislamiento eléctrico | VISHAY (IR)
- Módulos con aislamiento eléctrico | INFINEON (EUPEC)
- Módulos con aislamiento eléctrico | Semikron
- Módulos con aislamiento eléctrico | POWEREX
- Módulos con aislamiento eléctrico | IXYS
- Módulos con aislamiento eléctrico | POSEICO
- Módulos con aislamiento eléctrico | ABB
- Módulos con aislamiento eléctrico | TECHSEM
- Przejdź do podkategorii
- Rectificadores de puente
-
Transistores
- Transistores | GeneSiC
- Módulos SiC MOSFET | Mitsubishi
- Módulos SiC MOSFET | STARPOWER
- Módulos ABB SiC MOSFET
- Módulos IGBT | MITSUBISHI
- Módulos de transistores | MITSUBISHI
- Módulos MOSFET | MITSUBISHI
- Módulos de transistores | ABB
- Módulos IGBT | POWEREX
- Módulos IGBT | INFINEON (EUPEC)
- Elementos semiconductores de carburo de silicio (SiC)
- Przejdź do podkategorii
- Controladores de puerta
- Bloques de energía
- Przejdź do podkategorii
- Convertidores de corriente y tensión LEM
-
Componentes pasivos (condensadores, resistencias, fusibles, filtros)
- Resistencias
-
Fusibles
- Fusibles miniatura para circuitos electrónicos, serie ABC y AGC
- Fusibles tubulares de acción rápida
- Eslabones fusibles de retardo de tiempo con características GL / GG y AM
- Eslabones fusibles ultrarrápidos
- Fusibles de acción rápida (estándar británico y estadounidense)
- Fusibles de acción rápida (estándar europeo)
- Fusibles de tracción
- Eslabones fusibles de alto voltaje
- Przejdź do podkategorii
-
Condensadores
- Condensadores de motor
- Condensadores electrolíticos
- Condensadores de película
- Condensadores de potencia
- Condensadores para circuitos de CC
- Condensadores de corrección del factor de potencia
- Condensadores de alto voltaje
- Condensadores de calentamiento por inducción
- Condensadores de almacenamiento de energía y pulsos
- Condensadores de ENLACE CC
- Condensadores para circuitos AC/DC
- Przejdź do podkategorii
- Filtros EMI
- Supercondensadores
- Protección contra sobretensiones
- Filtros para detección de emisiones TEMPEST
- Przejdź do podkategorii
-
Relés y contactores
- Teoría de relés y contactores
- Relés semiconductores de CA trifásicos
- Relés semiconductores de CA trifásicos
- Reguladores, controles y accesorios
- Arranques suaves y contactores de inversión
- Relés electromecánicos
- Contactores
- Interruptores giratorios
-
Relés semiconductores de CA monofásicos
- Relés semiconductores CA monofásicos, serie 1 | D2425 | D2450
- Relés semiconductores CA monofásicos, series CWA y CWD
- Relés semiconductores CA monofásicos de las series CMRA y CMRD
- Relés semiconductores de CA monofásicos, serie PS
- Relés semiconductores de CA dobles y cuádruples, serie D24 D, TD24 Q, H12D48 D
- Relés de estado sólido monofásicos, serie gn
- Relés semiconductores de ca monofásicos, serie ckr
- Relés AC monofásicos SERIE ERDA Y ERAA para carril DIN
- Relés AC monofásicos para corriente 150A
- Relés dobles de estado sólido integrados con disipador de calor para carril DIN
- Przejdź do podkategorii
- Relés semiconductores CA monofásicos para PCB
- Relés de interfaz
- Przejdź do podkategorii
- Núcleos y otros componentes inductivos
- Radiadores, varistores, protecciones térmicas
- Aficionados
- Aire Acondicionado, Accesorios para Armarios Eléctricos, Neveras
-
Baterías, cargadores, fuentes de alimentación de búfer e inversores
- Baterías, cargadores - descripción teórica
- Baterías de iones de litio. Baterías personalizadas. Sistema de gestión de batería (BMS)
- Pilas
- Cargadores de baterías y accesorios
- Fuente de alimentación de respaldo de UPS y fuentes de alimentación de búfer
- Convertidores y accesorios para fotovoltaica
- Almacen de energia
- Celdas de combustible
- Baterías de iones de litio
- Przejdź do podkategorii
-
Automaticas
- Elevadores Spiralift
- Piezas para drones Futaba
- Finales de carrera, microinterruptores
- Sensores, transductores
- Pirometría
- Contadores, temporizadores, medidores de panel
- Dispositivos de protección industrial
- Señalización luminosa y sonora
- Cámara termográfica
- Pantallas LED
- Botones e interruptores
- Przejdź do podkategorii
-
Cables, alambres Litz, conductos, conexiones flexibles
- alambres
- Pasamuros y acopladores de cables
- cables Litz
-
Cables para aplicaciones especiales
- Los cables de extensión y compensación
- Cables para termopares
- Los cables de conexión a PT czyjnków
- Multicore cables temp. -60 ° C a + 1400 ° C
- cables de media tensión SILICOUL
- ignición alambres
- Los cables calefactores
- temp núcleo único. -60 ° C a + 450 ° C
- conductores de trenes
- El calentamiento de los cables en el Ex
- Przejdź do podkategorii
- camisas
-
trenzas
- trenzas planas
- trenzas ronda
- trenza muy flexible - plana
- trenza muy flexible - Ronda
- Copper cilíndrico trenzado
- Copper protector de la trenza y cilíndrica
- cintas de conexión flexibles
- Trenzas cilíndrico galvanizado y acero inoxidable
- Aislamiento de PVC trenzas de cobre - Temperatura 85 ° C
- aluminio trenzado plano
- Kit de conexión - trenzas y tubos
- Przejdź do podkategorii
- Accesorios para la tracción
- Terminales de cable
- barras flexibles aisladas
- carril flexible multicapa
- sistemas de gestión de cables
- Przejdź do podkategorii
- Zobacz wszystkie kategorie
-
Semiconductores
-
-
Transistores
Categorías
- Transistores | GeneSiC
- Módulos SiC MOSFET | Mitsubishi
- Módulos SiC MOSFET | STARPOWER
- Módulos ABB SiC MOSFET
- Módulos IGBT | MITSUBISHI
- Módulos de transistores | MITSUBISHI
- Módulos MOSFET | MITSUBISHI
- Módulos de transistores | ABB
- Módulos IGBT | POWEREX
- Módulos IGBT | INFINEON (EUPEC)
- Elementos semiconductores de carburo de silicio (SiC)
- Módulos de transistores | DYNEX
- Transistores MOSFET | VISHAY (IR)
- Módulos SiC MOSFET | POWEREX
- Módulos IGBT | Semikron
- Controladores MOSFET e IGBT | Semikron
- Módulos MOSFET | Microsemi
- Transistores IGBT | VISHAY (IR)
- Módulos Starpower IGBT
- Transistores de GaN EPC
| Imagen | Ver el producto | Fabricante no | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| picture_as_pdf |
|
SEMIKRON | Sk25tmlid12f4te2 3 nivel | MÍRALO | SK25TMLID12F4TE2 | On Order | -- | -- | -- | -- | -- | 3-level | 1200 V | 25 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
| picture_as_pdf |
|
EPC (Efficient Power Conversion) | Transistor EPC7014 | MÍRALO | EPC7014 | On Order | -- | -- | -- | -- | -- | Single Rad Hard | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 340 | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 60 | 7 | 0.142 | 0.043 | 0.025 | 0.764 | 2-Apr | 4 | BGA 0.9 x 0.9 | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
| -- |
|
GeneSiC Semiconductor | Tranzystor SiC Mosfet G3F60MT06D | MÍRALO | G3F60MT06D | On Order | TO-247-3 | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 650 V | -- | -- | -- | -- | -- |
| -- |
|
GeneSiC Semiconductor | Transistor de SiC G3F65MT12U | MÍRALO | G3F65MT12U | On Order | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | |||||
| picture_as_pdf |
|
Mitsubishi | 1700V FMF600DXE-34BN | MÍRALO | FMF600DXE-34BN | On Order | -- | -- | -- | -- | -- | 2in1 | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 1700 V | -- | -- | -- | -- | -- |
| -- |
|
POWEREX | Módulos IGBT - POWEREX | MÍRALO | -- | On Order | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
| picture_as_pdf |
|
Mitsubishi | 3 generación de módulos IGBT - serie H | MÍRALO | -- | On Order | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
| picture_as_pdf |
|
Mitsubishi | Cmh100dy-24nfh mosfet sic | MÍRALO | CMH100DY-24NFH | On Order | -- | -- | -- | -- | -- | 2in1 | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 100 V | -- | -- | -- | -- | -- |
| picture_as_pdf |
|
ABB | 5SFG 0880B07500X MOSFET SIC | MÍRALO | 5SFG 0880B07500x | On Order | -- | b | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 1.8 mΩ | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 2 x 880 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 750 V | -- | -- | -- | -- | -- |
| -- |
|
GeneSiC Semiconductor | Transistores SIC MOSFET | MÍRALO | -- | On Order | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
| -- |
|
GeneSiC Semiconductor | Transistor de SiC G2R325MS65-CAx | MÍRALO | G2R325MS65-CAx | On Order | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | |||||
| picture_as_pdf |
|
Vishay | Transistores MOSFET - empresa VISHAY (IR) | MÍRALO | -- | On Order | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
| picture_as_pdf |
|
SEMIKRON | Skm500gb17e4 medio puente | MÍRALO | SKM500GB17E4 | On Order | -- | -- | -- | -- | -- | Half Bridge | 1700 V | 500 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
| picture_as_pdf |
|
GeneSiC Semiconductor | Tranzystor SiC Mosfet G3F40MT12J | MÍRALO | G3F40MT12J | On Order | TO-263-7 | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 42 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 1200 V | -- | -- | -- | -- | ||
| picture_as_pdf |
|
GeneSiC Semiconductor | Tranzystor SiC Mosfet G3F45MT06K | MÍRALO | G3F45MT06K | On Order | TO-247-4 | -- | -- | -- | 52 A | -- | -- | -- | 37 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 650 V | -- | -- | -- | ||
| -- |
|
GeneSiC Semiconductor | Transistor de SiC G3F40MT12U | MÍRALO | G3F40MT12U | On Order | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | |||||
| picture_as_pdf |
|
EPC (Efficient Power Conversion) | Transistor EPC7020 | MÍRALO | EPC7020 | On Order | -- | -- | -- | -- | -- | Single Rad Hard | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 11 | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 200 | 6 | 11-Jul | 3-May | 2-Feb | 76 | 39 | 170 | BGA 4.6 x 2.6 | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
| picture_as_pdf |
|
SEMIKRON | Skm75gb17e4h16 medio puente | MÍRALO | SKM75GB17E4H16 | On Order | -- | -- | -- | -- | -- | Half Bridge | 1700 V | 75 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
| -- |
|
Mitsubishi | Módulo de potencia inteligente de alto voltaje | MÍRALO | -- | On Order | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
| picture_as_pdf |
|
Mitsubishi | 4 generación de módulos IGBT TRENCH - serie F | MÍRALO | -- | On Order | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
| picture_as_pdf |
|
Mitsubishi | PMF75CGAL120 MOSFET SIC | MÍRALO | PMF75CGAL120 | On Order | -- | -- | -- | -- | -- | 6in1 | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 75 V | -- | -- | -- | -- | -- |
| picture_as_pdf |
|
Mitsubishi | Cm300dx-24nfh mosfet sic | MÍRALO | CMH300DX-24NFH | On Order | -- | -- | -- | -- | -- | 2in1 | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 300 V | -- | -- | -- | -- | -- |
| -- |
|
Mitsubishi | Módulos SIC MOSFET | MÍRALO | -- | On Order | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
| picture_as_pdf |
|
SEMIKRON | Sk 120 gal 12f4 t un solo interruptor | MÍRALO | SK120GAL12F4T | On Order | -- | -- | -- | -- | -- | Single Switch | 1200 V | 120 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
Transistores de un proveedor confiable
DACPOL es un proveedor experimentado de productos clave en la categoría de transistores. Nuestros clientes pueden confiar en la calidad de los productos y servicios que ofrecemos, ya sean módulos MOSFET, diodos o elementos semiconductores de carburo de silicio.
Estamos listos para suministrar productos ya sea que soliciten transistores individuales o en grandes cantidades, garantizando la disponibilidad completa de todos los productos.
Para ofrecer el más alto nivel de servicio, proporcionamos únicamente productos de fabricantes y proveedores confiables. Nuestro equipo de ingenieros comparte su conocimiento y ofrece asesoramiento en cada etapa, proporcionando información sobre el uso correcto de los productos adquiridos.
La oferta de DACPOL en componentes electrónicos, fuentes de alimentación y conectores es mucho más amplia e incluye diversos artículos eléctricos e industriales en la categoría de transistores. Puede consultar la gama completa de componentes electrónicos, fuentes de alimentación y conectores en nuestro sitio web.
Transistores – tipos y aplicaciones
Los transistores NPN y PNP son componentes electrónicos básicos utilizados en la construcción de circuitos como Arduino o Raspberry Pi. Estos elementos semiconductores discretos constan de tres capas de semiconductor y tres terminales: emisor, base y colector, que permiten controlar el flujo de corriente entre colector y emisor. En los transistores unipolares, como los MOSFET, la corriente de control pasa a través del terminal llamado puerta (drain–source), lo que permite amplificar la señal eléctrica con precisión.
El parámetro de ganancia de corriente, es decir, la relación entre la corriente de base y la corriente de colector, es crucial para la polarización y el funcionamiento correctos de los dispositivos electrónicos. Gracias a su principio de funcionamiento basado en una pequeña corriente de control, los transistores pueden encender o apagar corrientes altas, lo que los hace útiles como estabilizadores, interruptores o amplificadores. Descubra nuestra oferta completa de componentes electrónicos y elija el transistor adecuado para su proyecto.
Transistores de efecto de campo en DACPOL
Ofrecemos dos tipos de transistores: MOS-FET e IGBT.
Transistores MOS-FET
Los MOS-FET funcionan bien en conexiones en paralelo. Pueden conectarse en paralelo hasta varias decenas de unidades. Son fáciles de controlar y no requieren correcciones en la distribución de corriente.
Están disponibles en rangos de corriente de 1,1 A a 250 A y tensiones de 12 V a 900 V. Los transistores MOS-FET se fabrican en los siguientes encapsulados: SO8, SOT223, D-Pak, D2-Pak, I-Pak, TO-262, TO-220, TO-247, SOT-227, HEXDIP.
Transistores IGBT
Los IGBT se caracterizan por una baja caída de tensión (2,15 ÷ 5,2 V) a altas corrientes (10 ÷ 3600 A), la capacidad de bloquear altas tensiones (250 ÷ 6500 V), control por tensión mediante puerta aislada y alta velocidad de conmutación. Se producen en forma de módulos estándar, de alta frecuencia, de alta tensión y módulos inteligentes. Además, se ofrecen módulos de diodos de alta tensión para trabajar junto con los IGBT.
Alta calidad de los productos ofrecidos
Están disponibles en encapsulados electroaislados como transistores individuales, semipuentes y puentes completos. Encapsulados típicos: TO220, TO247, A1, NF1, NF2, NF3, NF4, NF5, NF6, U2, U3, U4, U5, U6, U7, U8, A1, A2, A3, A4, A5, H1, H2, H3, H4, H5, H6, H7, H8, H9, H10, H11, H12, H13, DM1, DM2, HV1, HV2, HV3, HV4, HV5, HV6, HV7, HV8, SD1, SD2, SD3, SD4.
Los módulos IGBT inteligentes incluyen, además de los transistores, circuitos de control y protección contra cortocircuitos y sobretensiones.
Consulte también nuestros productos en la categoría de puentes rectificadores.
¿Qué son los transistores y cuáles son sus tipos principales?
Los transistores pueden controlar el flujo de corriente en circuitos eléctricos, funcionando como un interruptor. Están hechos de materiales semiconductores como silicio o carburo de silicio. El primer transistor fue construido en 1948 por J. Bardeen y W. Brattain. Sus creadores, junto con W. Shockley – autor del modelo bipolar – recibieron el Premio Nobel en 1956.
Estos elementos electrónicos semiconductores de tres terminales se dividen en dos tipos principales. El primero son los transistores de efecto de campo, también llamados unipolares, que se controlan por tensión. Constan de una puerta que, al aplicarle tensión, genera un campo electromagnético que cambia la resistencia entre el drenaje y la fuente.
El segundo tipo es el transistor bipolar o de unión. Está compuesto por la base, el emisor y el colector. Se controla mediante la corriente que fluye entre el emisor y la base. Los transistores bipolares se subdividen en modelos NPN y PNP.
Características y aplicaciones de los transistores MOS-FET
El MOS-FET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor), un transistor de efecto de campo de cuatro terminales, se caracteriza por una alta resistencia de salida y un tiempo de conmutación muy rápido. Se utiliza principalmente en:
- fuentes de alimentación conmutadas,
- cargadores para vehículos eléctricos e híbridos,
- sistemas UPS,
- sistemas de accionamiento de motores en automoción e industria,
- amplificadores de audio o telecomunicaciones,
- circuitos integrados, especialmente en tecnología CMOS, utilizada actualmente en la mayoría de los microprocesadores.
Además, los transistores de efecto de campo pueden usarse tanto en circuitos integrados analógicos como digitales.
Características y aplicaciones de los transistores IGBT
El IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor), perteneciente a los dispositivos con puerta aislada, combina las características de los transistores bipolares y MOS-FET. Esto les proporciona facilidad de control y conmutación rápida. Los IGBT están diseñados para manejar cargas de gran potencia, de hasta varios cientos de kW, y pueden bloquear tensiones de hasta 6,5 kV. Su uso también garantiza bajas pérdidas de energía. Por ello, este tipo de transistor puede aplicarse, entre otros, en:
- inversores que convierten corriente continua en alterna para sistemas energéticos,
- cocinas de inducción y cargadores,
- sistemas de alimentación ininterrumpida (UPS),
- fuentes de alimentación conmutadas,
- sistemas de accionamiento industrial, como motores eléctricos.
Entradas de blog relacionadas
