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SEMIKRON | Skiip 11ac12t7v1 seis pack | MÍRALO | SKiiP11AC12T7V1 | On Order | -- | -- | -- | -- | -- | Six Pack | 1200 V | 10:00 AM | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
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SEMIKRON | Skm600gb066d medio puente | MÍRALO | SKM600GB066D | On Order | -- | -- | -- | -- | -- | Half Bridge | 600 V | 600 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
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SEMIKRON | SK225GH07H5TD1E2 H-Puente | MÍRALO | SK225GH07H5TD1E2 | On Order | -- | -- | -- | -- | -- | H-Bridge | 650 V | 225 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
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GeneSiC Semiconductor | Tranzystor SiC Mosfet G3F40MT12K | MÍRALO | G3F40MT12K | On Order | TO-247-4 | -- | -- | -- | 55 A | -- | -- | -- | 39 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 1200 V | -- | 40 mΩ | -- | -- | -- |
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GeneSiC Semiconductor | Transistor de SiC G2R300MT65-CAx | MÍRALO | G2R300MT65-CAx | On Order | Die | -- | -- | -- | 16 | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | Industrial | 300 | -- | -- | 6500 |
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GeneSiC Semiconductor | G3F17MT12FB2 Moduł Mosfet SiC | MÍRALO | G3F17MT12FB2 | On Order | SiCPAK F Series | -- | -- | -- | -- | półmostek | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 17 | -- | 68 | 1200 |
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Mitsubishi | 1200V FMF600DXE-24BN | MÍRALO | FMF600DXE-24BN | On Order | -- | -- | -- | -- | -- | 2in1 | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 1200 V | -- | -- | -- | -- | -- |
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SEMIKRON | Skm200gb12f4 medio puente | MÍRALO | SKM200GB12F4 | On Order | -- | -- | -- | -- | -- | Half Bridge | 1200 V | 200 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
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ABB | IGBT IGB | MÍRALO | -- | On Order | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
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Mitsubishi | 5 generación de módulos IPM - para aplicaciones como convertidor en baterías solares | MÍRALO | -- | On Order | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
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Mitsubishi | Nuevos módulos duales Mega Power - IGBT | MÍRALO | -- | On Order | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
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SEMIKRON | Módulos MOSFET | MÍRALO | -- | On Order | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
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ABB | 5SFG 0660B07500X MOSFET SIC | MÍRALO | 5SFG 0660B07500x | On Order | -- | b | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 2.6 mΩ | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 2 x 660 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 750 V | -- | -- | -- | -- | -- |
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Mitsubishi | 7 generación de módulos IGBT | MÍRALO | -- | On Order | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
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SEMIKRON | Sk30dgdl07e3ete1 siete pack | MÍRALO | SK30DGDL07E3ETE1 | On Order | -- | -- | -- | -- | -- | Seven Pack | 650 V | 30 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
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GeneSiC Semiconductor | Tranzystor SiC Mosfet G3F20MT12K | MÍRALO | G3F20MT12K | On Order | TO-247-4 | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 1200 V | -- | 20 mΩ | -- | -- | -- |
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GeneSiC Semiconductor | Transistor de SiC G2R50MS65-CAx | MÍRALO | G2R50MS65-CAx | On Order | Die | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | Industrial | 50 | -- | -- | 6500 |
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GeneSiC Semiconductor | G3F09MT12FB2 Moduł Mosfet SiC | MÍRALO | G3F09MT12FB2 | On Order | SiCPAK F Series | -- | -- | -- | -- | półmostek | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 9,3 | -- | 109 | 1200 |
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Mitsubishi | Módulos de diodos de alta tensión | MÍRALO | -- | On Order | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
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SEMIKRON | Módulos IPM - SKIIP2 / 3 | MÍRALO | -- | On Order | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
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GeneSiC Semiconductor | G3r60mt07k mosfet sic | MÍRALO | G3R60MT07K | On Order | TO-247-4 | -- | -- | -- | 48 A | -- | -- | -- | 34 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | - | 60 mΩ | 750 V | -- | -- | -- | -- | -- |
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SEMIKRON | Sk 30 dgdl 066 et siete pack | MÍRALO | SK30DGDL066ET | On Order | -- | -- | -- | -- | -- | Seven Pack | 600 V | 30 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
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GeneSiC Semiconductor | Transistor SiC Mosfet G3F25MT12J | MÍRALO | G3F25MT12J | On Order | TO-263-7 | -- | -- | -- | 87 A | -- | -- | -- | 61 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 1200 V | -- | 25 mΩ | -- | -- | -- |
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GeneSiC Semiconductor | Transistor de SiC G2R50MT65-CAx | MÍRALO | G2R50MT65-CAx | On Order | Die | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | Industrial | 50 | -- | -- | 6500 |
Transistores de un proveedor confiable
DACPOL es un proveedor experimentado de productos clave en la categoría de transistores. Nuestros clientes pueden confiar en la calidad de los productos y servicios que ofrecemos, ya sean módulos MOSFET, diodos o elementos semiconductores de carburo de silicio.
Estamos listos para suministrar productos ya sea que soliciten transistores individuales o en grandes cantidades, garantizando la disponibilidad completa de todos los productos.
Para ofrecer el más alto nivel de servicio, proporcionamos únicamente productos de fabricantes y proveedores confiables. Nuestro equipo de ingenieros comparte su conocimiento y ofrece asesoramiento en cada etapa, proporcionando información sobre el uso correcto de los productos adquiridos.
La oferta de DACPOL en componentes electrónicos, fuentes de alimentación y conectores es mucho más amplia e incluye diversos artículos eléctricos e industriales en la categoría de transistores. Puede consultar la gama completa de componentes electrónicos, fuentes de alimentación y conectores en nuestro sitio web.
Transistores – tipos y aplicaciones
Los transistores NPN y PNP son componentes electrónicos básicos utilizados en la construcción de circuitos como Arduino o Raspberry Pi. Estos elementos semiconductores discretos constan de tres capas de semiconductor y tres terminales: emisor, base y colector, que permiten controlar el flujo de corriente entre colector y emisor. En los transistores unipolares, como los MOSFET, la corriente de control pasa a través del terminal llamado puerta (drain–source), lo que permite amplificar la señal eléctrica con precisión.
El parámetro de ganancia de corriente, es decir, la relación entre la corriente de base y la corriente de colector, es crucial para la polarización y el funcionamiento correctos de los dispositivos electrónicos. Gracias a su principio de funcionamiento basado en una pequeña corriente de control, los transistores pueden encender o apagar corrientes altas, lo que los hace útiles como estabilizadores, interruptores o amplificadores. Descubra nuestra oferta completa de componentes electrónicos y elija el transistor adecuado para su proyecto.
Transistores de efecto de campo en DACPOL
Ofrecemos dos tipos de transistores: MOS-FET e IGBT.
Transistores MOS-FET
Los MOS-FET funcionan bien en conexiones en paralelo. Pueden conectarse en paralelo hasta varias decenas de unidades. Son fáciles de controlar y no requieren correcciones en la distribución de corriente.
Están disponibles en rangos de corriente de 1,1 A a 250 A y tensiones de 12 V a 900 V. Los transistores MOS-FET se fabrican en los siguientes encapsulados: SO8, SOT223, D-Pak, D2-Pak, I-Pak, TO-262, TO-220, TO-247, SOT-227, HEXDIP.
Transistores IGBT
Los IGBT se caracterizan por una baja caída de tensión (2,15 ÷ 5,2 V) a altas corrientes (10 ÷ 3600 A), la capacidad de bloquear altas tensiones (250 ÷ 6500 V), control por tensión mediante puerta aislada y alta velocidad de conmutación. Se producen en forma de módulos estándar, de alta frecuencia, de alta tensión y módulos inteligentes. Además, se ofrecen módulos de diodos de alta tensión para trabajar junto con los IGBT.
Alta calidad de los productos ofrecidos
Están disponibles en encapsulados electroaislados como transistores individuales, semipuentes y puentes completos. Encapsulados típicos: TO220, TO247, A1, NF1, NF2, NF3, NF4, NF5, NF6, U2, U3, U4, U5, U6, U7, U8, A1, A2, A3, A4, A5, H1, H2, H3, H4, H5, H6, H7, H8, H9, H10, H11, H12, H13, DM1, DM2, HV1, HV2, HV3, HV4, HV5, HV6, HV7, HV8, SD1, SD2, SD3, SD4.
Los módulos IGBT inteligentes incluyen, además de los transistores, circuitos de control y protección contra cortocircuitos y sobretensiones.
Consulte también nuestros productos en la categoría de puentes rectificadores.
¿Qué son los transistores y cuáles son sus tipos principales?
Los transistores pueden controlar el flujo de corriente en circuitos eléctricos, funcionando como un interruptor. Están hechos de materiales semiconductores como silicio o carburo de silicio. El primer transistor fue construido en 1948 por J. Bardeen y W. Brattain. Sus creadores, junto con W. Shockley – autor del modelo bipolar – recibieron el Premio Nobel en 1956.
Estos elementos electrónicos semiconductores de tres terminales se dividen en dos tipos principales. El primero son los transistores de efecto de campo, también llamados unipolares, que se controlan por tensión. Constan de una puerta que, al aplicarle tensión, genera un campo electromagnético que cambia la resistencia entre el drenaje y la fuente.
El segundo tipo es el transistor bipolar o de unión. Está compuesto por la base, el emisor y el colector. Se controla mediante la corriente que fluye entre el emisor y la base. Los transistores bipolares se subdividen en modelos NPN y PNP.
Características y aplicaciones de los transistores MOS-FET
El MOS-FET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor), un transistor de efecto de campo de cuatro terminales, se caracteriza por una alta resistencia de salida y un tiempo de conmutación muy rápido. Se utiliza principalmente en:
- fuentes de alimentación conmutadas,
- cargadores para vehículos eléctricos e híbridos,
- sistemas UPS,
- sistemas de accionamiento de motores en automoción e industria,
- amplificadores de audio o telecomunicaciones,
- circuitos integrados, especialmente en tecnología CMOS, utilizada actualmente en la mayoría de los microprocesadores.
Además, los transistores de efecto de campo pueden usarse tanto en circuitos integrados analógicos como digitales.
Características y aplicaciones de los transistores IGBT
El IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor), perteneciente a los dispositivos con puerta aislada, combina las características de los transistores bipolares y MOS-FET. Esto les proporciona facilidad de control y conmutación rápida. Los IGBT están diseñados para manejar cargas de gran potencia, de hasta varios cientos de kW, y pueden bloquear tensiones de hasta 6,5 kV. Su uso también garantiza bajas pérdidas de energía. Por ello, este tipo de transistor puede aplicarse, entre otros, en:
- inversores que convierten corriente continua en alterna para sistemas energéticos,
- cocinas de inducción y cargadores,
- sistemas de alimentación ininterrumpida (UPS),
- fuentes de alimentación conmutadas,
- sistemas de accionamiento industrial, como motores eléctricos.
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