trebuie să fii logat
-
-
-
Category
-
Semiconductoare
- Diode
- tiristoare
- Module izolate electric
- Redresoare în punte
-
Tranzistoare
- tranzistoare GeneSiC
- Module MOSFET Mitsubishi SiC
- Module MOSFET STARPOWER SiC
- Module MOSFET ABB SiC
- Module IGBT de la MITSUBISHI
- Module de tranzistori MITSUBISHI
- module MITSUBISHI MOSFET
- Module de tranzistori ABB
- Module IGBT de la POWEREX
- Module IGBT - de la INFINEON (EUPEC)
- Elemente semiconductoare din carbură de siliciu
- Accesați subcategoria
- Șoferii
- Blocuri de putere
- Accesați subcategoria
- Traductoare de curent și tensiune LEM
-
Componente pasive (condensatori, rezistențe, siguranțe, filtre)
- Rezistoare
-
Siguranțe
- Siguranțe miniaturale pentru sisteme electronice din seria ABC și AGC
- Siguranțe tubulare cu acțiune rapidă
- Inserții întârziate cu caracteristici GL/GG și AM
- Legături sigure ultra-rapide
- Siguranțe standard britanice și americane cu acțiune rapidă
- Siguranțe cu acțiune rapidă standard european
- Siguranțe de tracțiune
- Siguranțe de înaltă tensiune
- Accesați subcategoria
-
Condensatoare
- Condensatoare pentru motoare
- Condensatoare electrolitice
- Condensatori Icel Film
- Condensatoare de putere
- Condensatoare pentru circuite DC
- Condensatoare de compensare a puterii
- Condensatoare de înaltă tensiune
- Condensatoare pentru încălzire prin inducție
- Condensatoare de impulsuri
- Condensatoare DC LINK
- Condensatoare pentru circuite AC/DC
- Accesați subcategoria
- Filtre anti-interferențe
- Supercondensatoare
- Protecție la supratensiune
- Filtre de emisii revelatoare TEMPEST
- Accesați subcategoria
-
Relee și Contactoare
- Teoria releelor și contactoarelor
- Relee cu stare solidă trifazată CA
- Relee cu stare solidă DC
- Regulatoare, sisteme de control și accesorii
- Porniri ușoare și contactoare inversoare
- Relee electromecanice
- Contactoare
- Comutatoare rotative
-
Relee cu stare solidă CA monofazate
- Relee cu stare solidă CA monofazate Seria 1 | D2425 | D2450
- Relee semifazate CA monofazate, seria CWA și CWD
- Relee semifazate CA monofazate seriile CMRA și CMRD
- Relee cu stare solidă CA monofazate Seria PS
- Relee cu stare solidă AC seria duble și cvadruple D24 D, TD24 Q, H12D48 D
- Relee monofazate din seria GN
- Relee cu stare solidă CA monofazate Seria CKR
- Relee monofazate pentru șină DIN AC SERIA ERDA și ERAA
- Relee AC monofazate pentru curent de 150A
- Relee duble cu stare solidă integrate cu radiator pe șină DIN
- Accesați subcategoria
- Relee cu stare solidă imprimabile monofazate CA
- Relee de interfață
- Accesați subcategoria
- Miezuri și alte componente inductive
- Radiatoare, Varistoare, Protectie termica
- Fani
- Aer conditionat, Accesorii tablou, Racitoare
-
Baterii, încărcătoare, surse de alimentare tampon și convertoare
- Baterii, încărcătoare - descriere teoretică
- Baterii litiu-ion. Baterii personalizate. Sistem de management al bateriei (BMS)
- baterii
- Incarcatoare de baterii si accesorii
- UPS și surse de alimentare tampon
- Convertoare si accesorii pentru fotovoltaice
- Stocarea energiei
- Pile de combustibil cu hidrogen
- Celule litiu-ion
- Accesați subcategoria
-
Automatizare
- Elevatoare Spiralift
- Piese pentru drone Futaba
- Întrerupătoare de limită, Micro întrerupătoare
- Senzori, traductoare
- Pirometre
- Contoare, relee de timp, contoare de panou
- Echipament industrial de protectie
- Semnale luminoase și sonore
- Cameră termică
- Afișaje LED
- Butoane și întrerupătoare
- Accesați subcategoria
-
Cabluri, fire Litz, Conduite, Conexiuni flexibile
- Firele
- Presetupe și manșoane
- Chipurile
-
Cabluri pentru aplicatii speciale
- Cabluri de prelungire și compensare
- Cabluri de termocuplu
- Cabluri de conectare pentru senzori PT
- Cabluri cu mai multe fire de temperatură. -60°C până la +1400°C
- Cabluri de medie tensiune SILICOUL
- Cabluri de aprindere
- Cabluri de incalzire
- Cabluri cu un singur conductor temp. -60°C până la +450°C
- Fire de cale ferată
- Cabluri de încălzire în ex
- Cabluri pentru industria de apărare
- Accesați subcategoria
- tricouri
-
Impletituri
- Impletituri plate
- Impletituri rotunde
- Impletituri foarte flexibile - plate
- Impletituri foarte flexibile - rotunde
- Impletituri cilindrice de cupru
- Impletituri si capace cilindrice din cupru
- Curele flexibile de împământare
- Impletituri cilindrice din otel zincat si inoxidabil
- Impletituri de cupru izolate PVC - temperatura de pana la 85 de grade C
- Impletituri plate din aluminiu
- Kit de conectare - impletituri si tuburi
- Accesați subcategoria
- Echipament de tracțiune
- Capse de cablu
- Sine flexibile izolate
- Sine flexibile multistrat
- Sisteme de management al cablurilor
- Accesați subcategoria
- Vezi toate categoriile
-
Semiconductoare
-
-
Tranzistoare
Categorii
- tranzistoare GeneSiC
- Module MOSFET Mitsubishi SiC
- Module MOSFET STARPOWER SiC
- Module MOSFET ABB SiC
- Module IGBT de la MITSUBISHI
- Module de tranzistori MITSUBISHI
- module MITSUBISHI MOSFET
- Module de tranzistori ABB
- Module IGBT de la POWEREX
- Module IGBT - de la INFINEON (EUPEC)
- Elemente semiconductoare din carbură de siliciu
- Module de tranzistori Dynex
- Tranzistoare MOSFET - compania VISHAY (IR)
- Module SIC MOSFET - POWEREX
- Module IGBT - de la Semikron
- Drivere Semikron MOSFET și IGBT
- Module microsemi MOSFET
- Tranzistoare IGBT VISHAY (IR)
- Module IGBT Starpower
- Tranzistoare EPC GaN
| Imagina | Vizualizați produsul | Producător nr. | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| picture_as_pdf |
|
SEMIKRON | SK 30 DGDL 066 et șapte ambalaj | VEZI-L | SK30DGDL066ET | La comandă | -- | -- | -- | -- | -- | Seven Pack | 600 V | 30 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
| picture_as_pdf |
|
GeneSiC Semiconductor | Tranzistor SiC Mosfet G3F25MT12J | VEZI-L | G3F25MT12J | La comandă | TO-263-7 | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 1200 V | -- | -- | -- | -- | |||
| -- |
|
GeneSiC Semiconductor | Tranzistor SiC G2R50MT65-CAx | VEZI-L | G2R50MT65-CAx | La comandă | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | ||||
| picture_as_pdf |
|
GeneSiC Semiconductor | Tranzistor SiC Mosfet G3F135MT12J | VEZI-L | G3F135MT12J | La comandă | TO-263-7 | -- | -- | -- | 18 A | -- | -- | -- | 13 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 1200 V | -- | -- | -- | -- | |
| picture_as_pdf |
|
Mitsubishi | FMF800DC-66BEW MOSFET SiC | VEZI-L | FMF800DC-66BEW | La comandă | -- | -- | -- | -- | -- | 2in1 | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 3300 V | -- | -- | -- | -- | -- |
| -- |
|
Mitsubishi | Module CI / CIB | VEZI-L | -- | La comandă | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
| picture_as_pdf |
|
Mitsubishi | Controlere hibride pentru module IGBT | VEZI-L | -- | La comandă | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
| picture_as_pdf |
|
SEMIKRON | Module IGBT - SEMITRANE | VEZI-L | -- | La comandă | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
| picture_as_pdf |
|
Starpower | Gd600HFX65C6H igbt. | VEZI-L | GD600HFX65C6H | La comandă | -- | C6.12 | -- | -- | -- | -- | 650 V | 600 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
| picture_as_pdf |
|
SEMIKRON | SKIM429GD17E4V5 Six pachet | VEZI-L | SKiM429GD17E4V5 | La comandă | -- | -- | -- | -- | -- | Six Pack | 1700 V | 420 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
| picture_as_pdf |
|
GeneSiC Semiconductor | Tranzystor SiC Mosfet G3F20MT12J | VEZI-L | G3F20MT12J | La comandă | TO-263-7 | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 1200 V | -- | -- | -- | -- | |||
| -- |
|
GeneSiC Semiconductor | tranzistor SiC G2R50MT33K | VEZI-L | G2R50MT33K | La comandă | TO-247-4 | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | ||||
| picture_as_pdf |
|
GeneSiC Semiconductor | Tranzistor SiC Mosfet G3F65MT12K | VEZI-L | G3F65MT12K | La comandă | TO-247-4 | -- | -- | -- | 35 A | -- | -- | -- | 25 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 1200 V | -- | -- | -- | -- | |
| -- |
|
Mitsubishi | Module tranzistor | VEZI-L | -- | La comandă | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
| picture_as_pdf |
|
Mitsubishi | Wysokonapięciowe moduły IGBT | VEZI-L | -- | La comandă | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
| picture_as_pdf |
|
Infineon | Module IGBT seria EconoPACK+ | VEZI-L | -- | La comandă | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
| picture_as_pdf |
|
Starpower | GD225HFY120C6S IGBT. | VEZI-L | GD225HFY120C6S | La comandă | -- | C6.1 Black | -- | -- | -- | -- | 1200 V | 225 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
| picture_as_pdf |
|
Mitsubishi | Cm300du-24nfh mosfet sic | VEZI-L | CMH300DU-24NFH | La comandă | -- | -- | -- | -- | -- | 2in1 | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 300 V | -- | -- | -- | -- | -- |
| picture_as_pdf |
|
SEMIKRON | SK10DGDL12T7ETE1S Seven pachet | VEZI-L | SK10DGDL12T7ETE1s | La comandă | -- | -- | -- | -- | -- | Seven Pack | 1200 V | 10:00 AM | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
| picture_as_pdf |
|
SEMIKRON | Semix303gb17e4p jumătate pod | VEZI-L | SEMiX303GB17E4p | La comandă | -- | -- | -- | -- | -- | Half Bridge | 1700 V | 300 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
| picture_as_pdf |
|
GeneSiC Semiconductor | Tranzystor SiC Mosfet G3F60MT06K | VEZI-L | G3F60MT06K | La comandă | TO-247-4 | -- | -- | -- | 42 A | -- | -- | -- | 30 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 650 V | -- | -- | -- | ||
| -- |
|
GeneSiC Semiconductor | Tranzistor SiC G3F135MT12U | VEZI-L | G3F135MT12U | La comandă | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | |||||
| picture_as_pdf |
|
GeneSiC Semiconductor | Tranzistor SiC Mosfet G3F65MT12J | VEZI-L | G3F65MT12J | La comandă | TO-263-7 | -- | -- | -- | 37 A | -- | -- | -- | 26 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 1200 V | -- | -- | -- | -- | |
| picture_as_pdf |
|
EPC (Efficient Power Conversion) | Tranzistor EPC23104 | VEZI-L | EPC23104 | La comandă | -- | -- | -- | -- | -- | Half Bridge ePower Stage | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 11 | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 100 | 6 | -- | -- | -- | 15, 16.6 | 15 | 78 | QFN 3.5 x 5 | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
Tranzistori de la un furnizor de încredere
DACPOL este un furnizor experimentat de produse esențiale în categoria tranzistorilor. Clienții noștri se pot baza pe calitatea produselor și serviciilor oferite, indiferent dacă achiziționează module MOSFET, diode sau elemente semiconductoare din carbură de siliciu.
Suntem pregătiți să livrăm produse indiferent dacă comandați tranzistori individuali sau îi achiziționați en-gros – oferim o aprovizionare completă pentru toate tipurile de produse.
Pentru a asigura cel mai înalt nivel de servicii, le oferim clienților noștri doar produse de la furnizori și producători de încredere. Echipa noastră de ingineri își împărtășește cunoștințele și oferă consultanță în fiecare etapă, pentru a furniza informații privind utilizarea produselor achiziționate.
Oferta DACPOL în domeniul componentelor electronice, surselor de alimentare și conectorilor este mult mai vastă și include diferite produse electrice și industriale din categoria tranzistorilor. Pe site-ul nostru puteți consulta întreaga gamă de componente electronice, surse de alimentare și conectori.
Tranzistori – tipuri și aplicații
Tranzistorii NPN și PNP sunt elemente electronice de bază utilizate la construirea circuitelor electronice precum Arduino sau Raspberry Pi. Acești semiconductori discreți sunt formați din trei straturi de material semiconductor și trei terminale: emițător, bază și colector, care permit controlul curentului ce circulă între colector și emițător. În tranzistorii unipolari, precum MOSFET, curentul de comandă trece printr-un electrod numit poartă (drenaj–sursă), ceea ce permite amplificarea precisă a semnalului electric.
Coeficientul de amplificare a curentului, adică raportul dintre curentul de bază și cel de colector, este esențial pentru polarizarea corectă și funcționarea dispozitivelor electronice. Datorită principiului de funcționare bazat pe un curent de comandă redus, se poate comuta un curent mare, ceea ce face ca tranzistorul să fie utilizat ca stabilizator, întrerupător sau amplificator. Descoperiți mai multe și alegeți tranzistorul potrivit pentru proiectul dumneavoastră – consultați oferta noastră de piese electronice chiar astăzi!
Tranzistori de câmp de la DACPOL
Oferim două tipuri de tranzistori: MOS-FET și IGBT.
Tranzistori MOS-FET
Tranzistorii MOS-FET funcționează foarte bine atunci când sunt conectați în paralel. Se pot conecta în paralel chiar și câteva zeci de unități. Sunt ușor de controlat și nu necesită corecții de repartizare a curentului.
Sunt disponibili pentru curenți între 1,1A și 250A și tensiuni între 12V și 900V. Tranzistorii MOS-FET sunt fabricați în următoarele versiuni de capsule: SO8, SOT223, D-Pak, D2-Pak, I-Pak, TO-262, TO-220, TO-247, SOT-227, HEXDIP.
Tranzistori IGBT
Tranzistorii IGBT se remarcă printr-o cădere redusă de tensiune (între 2,15÷5,2V) la curenți mari (10÷3600A), capacitatea de a bloca tensiuni înalte (250÷6500V), control prin poartă izolată și o viteză mare de comutare. Sunt fabricați sub formă de module standard, module de înaltă frecvență, module de înaltă tensiune, dar și module inteligente și module inteligente de înaltă tensiune. În plus, sunt disponibile module cu diode de înaltă tensiune pentru funcționarea împreună cu tranzistorii IGBT.
Calitate ridicată a produselor oferite
Sunt disponibili în capsule electroizolate ca tranzistori individuali, dar și ca jumătăți de punte și punți complete. Capsule tipice: TO220, TO247, A1, NF1, NF2, NF3, NF4, NF5, NF6, U2, U3, U4, U5, U6, U7, U8, A1, A2, A3, A4, A5, H1, H2, H3, H4, H5, H6, H7, H8, H9, H10, H11, H12, H13, DM1, DM2, HV1, HV2, HV3, HV4, HV5, HV6, HV7, HV8, SD1, SD2, SD3, SD4.
Tranzistorii IGBT, fabricați ca module inteligente, includ pe lângă tranzistori și circuite de comandă, precum și protecții împotriva scurtcircuitelor și supratensiunilor.
Consultați și produsele noastre din categoria punte redresoare!
Ce sunt tranzistorii și care sunt principalele lor tipuri?
Tranzistorii pot controla fluxul de curent în circuitele electrice – funcționând ca întrerupătoare. Ei sunt fabricați din materiale semiconductoare precum siliciu sau carbură de siliciu. Primul tranzistor a fost construit în 1948 de J. Bardeen și W.H. Brattain. Creatorii săi, împreună cu W.B. Shockley – autorul modelului bipolar – au primit Premiul Nobel în 1956.
Dispozitivele electronice semiconductoare cu trei terminale se împart în două tipuri principale. Primii sunt tranzistorii de câmp, numiți și unipolari, care sunt controlați prin tensiune. Aceștia au o poartă care, prin aplicarea unei tensiuni, generează un câmp electromagnetic ce modifică rezistența dintre drenaj și sursă.
Tranzistorul bipolar, numit și de joncțiune, este al doilea tip. Este format din bază, emițător și colector. El este controlat prin curentul ce circulă între emițător și bază. Tranzistorii bipolari se împart suplimentar în modele n-p-n și p-n-p.
Ce caracteristici are tranzistorul de câmp și unde este utilizat?
Tranzistorul MOS-FET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor), inclus în categoria tranzistorilor de câmp cu patru terminale, se caracterizează printr-o rezistență de ieșire mare și un timp foarte scurt de comutare. De aceea, sunt utilizați în principal în:
- surse de alimentare în comutație,
- încărcătoare pentru mașini electrice și hibride,
- sisteme UPS,
- sisteme de acționare a motoarelor folosite în industria auto și industrială,
- amplificatoare de circuite audio sau telecomunicații,
- circuite integrate, în special bazate pe tehnologia CMOS utilizată în majoritatea microprocesoarelor.
În plus, merită menționat că tranzistorii de câmp pot fi utilizați atât în circuite integrate analogice, cât și digitale.
Ce sunt tranzistorii IGBT și unde se folosesc?
Tranzistorul IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor), încadrat în categoria dispozitivelor cu poartă izolată, combină caracteristicile modelelor bipolare și MOS-FET. Astfel, are o comandă și o comutare ușoară. IGBT este conceput pentru a lucra cu sarcini de mare putere – până la sute de kW. De asemenea, poate bloca tensiuni înalte de până la 6,5 kV. În același timp, utilizarea lui asigură pierderi reduse de putere. De aceea, acest tip de tranzistori este folosit, printre altele, în:
- invertoare care transformă tensiunea continuă în tensiune alternativă pentru sisteme energetice,
- plite cu inducție și încărcătoare,
- surse de alimentare neîntreruptibile,
- surse de alimentare în comutație,
- sisteme de acționare a motoarelor utilizate în industrie, de exemplu în motoare electrice.
Postări asemănatoare
