trebuie să fii logat
-
-
-
Category
-
Semiconductoare
- Diode
- tiristoare
- Module izolate electric
- Redresoare în punte
-
Tranzistoare
- tranzistoare GeneSiC
- Module MOSFET Mitsubishi SiC
- Module MOSFET STARPOWER SiC
- Module MOSFET ABB SiC
- Module IGBT de la MITSUBISHI
- Module de tranzistori MITSUBISHI
- module MITSUBISHI MOSFET
- Module de tranzistori ABB
- Module IGBT de la POWEREX
- Module IGBT - de la INFINEON (EUPEC)
- Elemente semiconductoare din carbură de siliciu
- Accesați subcategoria
- Șoferii
- Blocuri de putere
- Accesați subcategoria
- Traductoare de curent și tensiune LEM
-
Componente pasive (condensatori, rezistențe, siguranțe, filtre)
- Rezistoare
-
Siguranțe
- Siguranțe miniaturale pentru sisteme electronice din seria ABC și AGC
- Siguranțe tubulare cu acțiune rapidă
- Inserții întârziate cu caracteristici GL/GG și AM
- Legături sigure ultra-rapide
- Siguranțe standard britanice și americane cu acțiune rapidă
- Siguranțe cu acțiune rapidă standard european
- Siguranțe de tracțiune
- Siguranțe de înaltă tensiune
- Accesați subcategoria
-
Condensatoare
- Condensatoare pentru motoare
- Condensatoare electrolitice
- Condensatori Icel Film
- Condensatoare de putere
- Condensatoare pentru circuite DC
- Condensatoare de compensare a puterii
- Condensatoare de înaltă tensiune
- Condensatoare pentru încălzire prin inducție
- Condensatoare de impulsuri
- Condensatoare DC LINK
- Condensatoare pentru circuite AC/DC
- Accesați subcategoria
- Filtre anti-interferențe
- Supercondensatoare
-
Protecție la supratensiune
- Descărcătoare de supratensiune pentru aplicații RF
- Descărcătoare de supratensiune pentru sisteme de vedere
- Descărcătoare de supratensiune pentru linia de alimentare
- Descărcătoare de supratensiune cu LED
- Descărcătoare de supratensiune pentru fotovoltaice
- Descărcătoare de supratensiune pentru sisteme de cântărire
- Descărcătoare de supratensiune pentru fieldbus
- Accesați subcategoria
- Filtre de emisii revelatoare TEMPEST
- Accesați subcategoria
-
Relee și Contactoare
- Teoria releelor și contactoarelor
- Relee cu stare solidă trifazată CA
- Relee cu stare solidă DC
- Regulatoare, sisteme de control și accesorii
- Porniri ușoare și contactoare inversoare
- Relee electromecanice
- Contactoare
- Comutatoare rotative
-
Relee cu stare solidă CA monofazate
- Relee cu stare solidă CA monofazate Seria 1 | D2425 | D2450
- Relee semifazate CA monofazate, seria CWA și CWD
- Relee semifazate CA monofazate seriile CMRA și CMRD
- Relee cu stare solidă CA monofazate Seria PS
- Relee cu stare solidă AC seria duble și cvadruple D24 D, TD24 Q, H12D48 D
- Relee monofazate din seria GN
- Relee cu stare solidă CA monofazate Seria CKR
- Relee monofazate pentru șină DIN AC SERIA ERDA și ERAA
- Relee AC monofazate pentru curent de 150A
- Relee duble cu stare solidă integrate cu radiator pe șină DIN
- Accesați subcategoria
- Relee cu stare solidă imprimabile monofazate CA
- Relee de interfață
- Accesați subcategoria
- Miezuri și alte componente inductive
- Radiatoare, Varistoare, Protectie termica
- Fani
- Aer conditionat, Accesorii tablou, Racitoare
-
Baterii, încărcătoare, surse de alimentare tampon și convertoare
- Baterii, încărcătoare - descriere teoretică
- Baterii litiu-ion. Baterii personalizate. Sistem de management al bateriei (BMS)
- baterii
- Incarcatoare de baterii si accesorii
- UPS și surse de alimentare tampon
- Convertoare si accesorii pentru fotovoltaice
- Stocarea energiei
- Pile de combustibil cu hidrogen
- Celule litiu-ion
- Accesați subcategoria
-
Automatizare
- Elevatoare Spiralift
- Piese pentru drone Futaba
- Întrerupătoare de limită, Micro întrerupătoare
- Senzori, traductoare
- Pirometre
- Contoare, relee de timp, contoare de panou
- Echipament industrial de protectie
- Semnale luminoase și sonore
- Cameră termică
- Afișaje LED
- Butoane și întrerupătoare
- Accesați subcategoria
-
Cabluri, fire Litz, Conduite, Conexiuni flexibile
- Firele
- Presetupe și manșoane
- Chipurile
-
Cabluri pentru aplicatii speciale
- Cabluri de prelungire și compensare
- Cabluri de termocuplu
- Cabluri de conectare pentru senzori PT
- Cabluri cu mai multe fire de temperatură. -60°C până la +1400°C
- Cabluri de medie tensiune SILICOUL
- Cabluri de aprindere
- Cabluri de incalzire
- Cabluri cu un singur conductor temp. -60°C până la +450°C
- Fire de cale ferată
- Cabluri de încălzire în ex
- Cabluri pentru industria de apărare
- Accesați subcategoria
- tricouri
-
Impletituri
- Impletituri plate
- Impletituri rotunde
- Impletituri foarte flexibile - plate
- Impletituri foarte flexibile - rotunde
- Impletituri cilindrice de cupru
- Impletituri si capace cilindrice din cupru
- Curele flexibile de împământare
- Impletituri cilindrice din otel zincat si inoxidabil
- Impletituri de cupru izolate PVC - temperatura de pana la 85 de grade C
- Impletituri plate din aluminiu
- Kit de conectare - impletituri si tuburi
- Accesați subcategoria
- Echipament de tracțiune
- Capse de cablu
- Sine flexibile izolate
- Sine flexibile multistrat
- Sisteme de management al cablurilor
- Accesați subcategoria
- Vezi toate categoriile
-
Semiconductoare
-
-
Tranzistoare
Categorii
- tranzistoare GeneSiC
- Module MOSFET Mitsubishi SiC
- Module MOSFET STARPOWER SiC
- Module MOSFET ABB SiC
- Module IGBT de la MITSUBISHI
- Module de tranzistori MITSUBISHI
- module MITSUBISHI MOSFET
- Module de tranzistori ABB
- Module IGBT de la POWEREX
- Module IGBT - de la INFINEON (EUPEC)
- Elemente semiconductoare din carbură de siliciu
- Module de tranzistori Dynex
- Tranzistoare MOSFET - compania VISHAY (IR)
- Module SIC MOSFET - POWEREX
- Module IGBT - de la Semikron
- Drivere Semikron MOSFET și IGBT
- Module microsemi MOSFET
- Tranzistoare IGBT VISHAY (IR)
- Module IGBT Starpower
- Tranzistoare EPC GaN
| Imagina | Vizualizați produsul | Producător nr. | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| picture_as_pdf |
|
Vishay | Tranzistoare MOSFET - firma VISHAY (IR) | VEZI-L | -- | La comandă | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
| picture_as_pdf |
|
SEMIKRON | SKM500GB17E4 Podul Jumătate | VEZI-L | SKM500GB17E4 | La comandă | -- | -- | -- | -- | -- | Half Bridge | 1700 V | 500 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
| picture_as_pdf |
|
GeneSiC Semiconductor | Tranzystor SiC Mosfet G3F40MT12J | VEZI-L | G3F40MT12J | La comandă | TO-263-7 | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 42 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 1200 V | -- | -- | -- | -- | ||
| picture_as_pdf |
|
GeneSiC Semiconductor | Tranzystor SiC Mosfet G3F45MT06K | VEZI-L | G3F45MT06K | La comandă | TO-247-4 | -- | -- | -- | 52 A | -- | -- | -- | 37 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 650 V | -- | -- | -- | ||
| -- |
|
GeneSiC Semiconductor | tranzistor SiC G3F40MT12U | VEZI-L | G3F40MT12U | La comandă | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | |||||
| picture_as_pdf |
|
EPC (Efficient Power Conversion) | Tranzistor EPC7020 | VEZI-L | EPC7020 | La comandă | -- | -- | -- | -- | -- | Single Rad Hard | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 11 | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 200 | 6 | 11-Jul | 3-May | 2-Feb | 76 | 39 | 170 | BGA 4.6 x 2.6 | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
| picture_as_pdf |
|
SEMIKRON | SKM75GB17E4H16 Podul Half. | VEZI-L | SKM75GB17E4H16 | La comandă | -- | -- | -- | -- | -- | Half Bridge | 1700 V | 75 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
| -- |
|
Mitsubishi | Modul de putere inteligent de înaltă tensiune | VEZI-L | -- | La comandă | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
| picture_as_pdf |
|
Mitsubishi | 4 generația modulelor IGBT TRENCH - seria F | VEZI-L | -- | La comandă | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
| picture_as_pdf |
|
Mitsubishi | PMF75CGAL120 MOSFET SIC. | VEZI-L | PMF75CGAL120 | La comandă | -- | -- | -- | -- | -- | 6in1 | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 75 V | -- | -- | -- | -- | -- |
| picture_as_pdf |
|
Mitsubishi | Cm300dx-24nfh mosfet sic | VEZI-L | CMH300DX-24NFH | La comandă | -- | -- | -- | -- | -- | 2in1 | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 300 V | -- | -- | -- | -- | -- |
| -- |
|
Mitsubishi | Module SIC MOSFET. | VEZI-L | -- | La comandă | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
| picture_as_pdf |
|
SEMIKRON | SK 120 GAL 12F4 T Swing Single | VEZI-L | SK120GAL12F4T | La comandă | -- | -- | -- | -- | -- | Single Switch | 1200 V | 120 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
| picture_as_pdf |
|
SEMIKRON | Sk50gd12t4ete2 șase pachet. | VEZI-L | SK50GD12T4ETE2 | La comandă | -- | -- | -- | -- | -- | Six Pack | 1200 V | 50 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
| picture_as_pdf |
|
GeneSiC Semiconductor | G3R12MT12K MOSFET SiC | VEZI-L | G3R12MT12K | La comandă | TO-247-4 | -- | -- | -- | 155 A | -- | -- | -- | 110 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 12 mΩ | 1200 V | -- | -- | -- | -- | -- | |
| -- |
|
GeneSiC Semiconductor | Tranzistor SiC Mosfet G3F18MT12K | VEZI-L | G3F18MT12K | La comandă | TO-247-4 | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 1200 V | -- | -- | -- | -- | |
| picture_as_pdf |
|
GeneSiC Semiconductor | Tranzystor SiC Mosfet G3F45MT06J | VEZI-L | G3F45MT06J | La comandă | TO-263-7 | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 39 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 650 V | -- | -- | -- | |||
| -- |
|
GeneSiC Semiconductor | Tranzistor SiC G3F25MT12U | VEZI-L | G3F25MT12U | La comandă | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | |||||
| picture_as_pdf |
|
EPC (Efficient Power Conversion) | Tranzistor EPC23103 | VEZI-L | EPC23103 | La comandă | -- | -- | -- | -- | -- | Half Bridge ePower Stage | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 7-Jun | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 100 | 6 | -- | -- | -- | 21, 22.95 | 25 | 109 | QFN 3.5 x 5 | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
| picture_as_pdf |
|
SEMIKRON | SKM75GB17E4 Podul Half. | VEZI-L | SKM75GB17E4 | La comandă | -- | -- | -- | -- | -- | Half Bridge | 1700 V | 75 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
| picture_as_pdf |
|
POWEREX | Modul dublu HVIGBT QID3320004 | VEZI-L | -- | La comandă | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
| picture_as_pdf |
|
Mitsubishi | a 3-a generație de module DIP și MINI DIP IPM | VEZI-L | -- | La comandă | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
| picture_as_pdf |
|
Mitsubishi | Module IGBT rapide - seria NFH | VEZI-L | -- | La comandă | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
| picture_as_pdf |
|
Mitsubishi | A 6-a generație de module ipm FULL GATE -SERIA V1 | VEZI-L | -- | La comandă | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
Tranzistori de la un furnizor de încredere
Dacpol este un furnizor experimentat de articole esențiale pentru categoria tranzistorilor. Clienții noștri se pot baza pe calitatea produselor și serviciilor noastre, indiferent dacă cumpără module MOSFET, diode de curent continuu sau elemente semiconductoare din carbura de siliciu.
Suntem pregătiți să furnizăm cantități en-gros ale produsului pe care îl căutați, indiferent dacă comandați tranzistori individuali sau cumpărați în cantități mari, oferim o livrare completă pentru toate produsele.
Datorită celei mai înalte calități a serviciilor, oferim clienților noștri doar produse de la furnizori și producători verificați. Echipa noastră de ingineri oferă consultanță și suport tehnic în fiecare etapă, pentru a asigura clienților informații privind întreținerea și utilizarea produselor achiziționate.
Oferta Dacpol în domeniul componentelor electronice, alimentării și conectorilor este mult mai largă și include diverse articole electrice și industriale din categoria tranzistorilor. Pe site-ul nostru puteți consulta oferta completă de produse din grupa componente electronice, alimentare și conectori.
Tranzistori cu efect de câmp de la DACPOL
Oferim două tipuri de tranzistori cu efect de câmp: tranzistori MOS-FET și IGBT.
Tranzistori MOS-FET
Tranzistorii MOS-FET funcționează bine în conexiuni paralele. Pot fi conectați în paralel chiar și în zeci de bucăți. Se controlează ușor și nu necesită ajustarea curentului între ei.
Sunt disponibili în intervale de curent de la 1,1A până la 250A și tensiuni de la 12V la 900V. Tranzistorii MOS-FET sunt fabricați în următoarele tipuri de carcase: SO8, SOT223, D-Pak, D2-Pak, I-Pak, TO-262, TO-220, TO-247, SOT-227, HEXDIP.
Tranzistori IGBT
Tranzistorii IGBT se caracterizează printr-o cădere mică de tensiune la conducție (între 2,15 și 5,2V) la curenți mari (10-3600A), capacitatea de a bloca tensiuni ridicate (250-6500V), controlul prin poartă izolată și o viteză mare de comutare. Sunt produși ca module standard, module de înaltă frecvență, module de înaltă tensiune și module inteligente de înaltă tensiune. De asemenea, sunt disponibile module diodice de înaltă tensiune pentru utilizare împreună cu tranzistorii IGBT.
Calitatea ridicată a produselor oferite
Sunt disponibili în carcase electroizolate ca tranzistori individuali, module cu două tranzistori (jumătate de punte), module cu șase elemente (punte completă), module cu șapte elemente (punte completă cu tranzistor). Carcasele tipice sunt: TO220, TO247, A1, NF1, NF2, NF3, NF4, NF5, NF6, U2, U3, U4, U5, U6, U7, U8, A1, A2, A3, A4, A5, H1, H2, H3, H4, H5, H6, H7, H8, H9, H10, H11, H12, H13, DM1, DM2, HV1, HV2, HV3, HV4, HV5, HV6, HV7, HV8, SD1, SD2, SD3, SD4.
Tranzistorii IGBT fabricați ca module inteligente conțin pe lângă tranzistori și circuite de control, precum și protecții la scurtcircuit și supratensiune.
Verificați și produsele noastre din categoria poduri redresoare!
Ce sunt tranzistorii și care sunt tipurile lor de bază?
Tranzistorii sunt componente electronice semiconductoare cu trei electrozi, a căror funcție principală este amplificarea semnalului prin creșterea amplitudinii acestuia. De asemenea, pot controla fluxul de curent în circuitele electrice – funcționând ca un comutator. Sunt realizați din materiale semiconductoare precum siliciu sau germaniu. Primul tranzistor a fost construit în 1948 de J. Bardeen și W.H. Brattain. Inventatorii săi, împreună cu W.B. Shockley – creatorul modelului bipolar, au primit Premiul Nobel în 1956 pentru aceasta.
Componentele electronice semiconductoare cu trei electrozi se împart în două categorii principale. Prima categorie este cea a tranzistorilor cu efect de câmp, numiți și unipolari, care sunt controlați prin tensiune. Aceștia au o poartă, căreia i se aplică o tensiune ce generează un câmp electromagnetic ce modifică rezistența dintre dren și sursă, adică locul de ieșire al semnalului.
Tranzistorul bipolar, numit și cu joncțiune, este al doilea tip. Este format din bază, emițător și colector. Este controlat prin curentul care trece între emițător și bază. Tranzistorii bipolari se împart în modele n-p-n și p-n-p.
Care sunt caracteristicile tranzistorului cu efect de câmp și unde este folosit cel mai frecvent?
Tranzistorul MOS-FET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor), considerat un tranzistor cu efect de câmp, cu patru terminale, se caracterizează printr-o rezistență de ieșire mare și un timp foarte rapid de comutare. Din acest motiv, este folosit în special în:
- surse de alimentare în comutație, care oferă o gestionare eficientă și performantă a rețelei,
- încărcătoare pentru vehicule electrice și hibride,
- surse neîntreruptibile de alimentare (UPS),
- antrenări de motoare folosite în industria auto și industrială,
- amplificatoare audio sau de telecomunicații,
- circuite integrate, în special cele bazate pe tehnologia CMOS (Complementary Metal-Oxide-Semiconductor), folosită în majoritatea microprocesoarelor actuale.
De asemenea, tranzistorii cu efect de câmp pot fi utilizați atât în circuite integrate analogice, cât și digitale.
Ce sunt tranzistorii IGBT și pentru ce sunt folosiți?
Tranzistorul IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor), considerat un dispozitiv cu poartă izolată, combină caracteristicile tranzistorilor bipolari și MOS-FET. Datorită acestui fapt, are un control ușor și o comutare rapidă. Tranzistorul IGBT este proiectat să gestioneze sarcini cu puteri semnificative, de până la câteva sute de kW. De asemenea, poate bloca tensiuni înalte de până la 6 kV. În același timp, utilizarea sa asigură pierderi mici de putere. Din acest motiv, acest tip de tranzistor poate fi folosit, printre altele, în:
- invertoare, unde transformă tensiunea continuă în tensiune alternativă pentru sistemele energetice,
- plite și încărcătoare inductive,
- surse de alimentare de urgență,
- surse de alimentare în comutație,
- sisteme de antrenare utilizate în industrie, cum ar fi motoarele electrice.
Postări asemănatoare
