trebuie să fii logat
Module MOSFET ABB SiC
| Imagina | Vizualizați produsul | Producător nr. | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| picture_as_pdf |
|
ABB | Module ABB SiC MOSFET | VEZI-L | -- | La comandă | -- | -- | -- | -- |
| picture_as_pdf |
|
ABB | 5SFG 0660B07500X MOSFET SIC | VEZI-L | 5SFG 0660B07500x | La comandă | b | 2.6 mΩ | 2 x 660 A | 750 V |
| picture_as_pdf |
|
ABB | 5SFG 0880B07500X MOSFET SIC | VEZI-L | 5SFG 0880B07500x | La comandă | b | 1.8 mΩ | 2 x 880 A | 750 V |
| picture_as_pdf |
|
ABB | 5SFG 1100B07500X MOSFET SIC | VEZI-L | 5SFG 1100B07500x | La comandă | b | 1.4 mΩ | 2 x 1100 A | 750 V |
| picture_as_pdf |
|
ABB | 5SFG 0580B12000X MOSFET SIC | VEZI-L | 5SFG 0580B12000x | La comandă | b | 2.9 mΩ | 2 x 580 A | 1200 V |
| picture_as_pdf |
|
ABB | 5SFG 0780B12000X MOSFET SIC | VEZI-L | 5SFG 0780B12000x | La comandă | b | 2.4 mΩ | 2 x 780 A | 1200 V |
| picture_as_pdf |
|
ABB | 5SFG 0980B12000X MOSFET SIC | VEZI-L | 5SFG 0980B12000x | La comandă | b | 1.9 mΩ | 2 x 980 A | 1200 V |
Module SiC MOSFET de la ABB: O Revoluție în Electronica de Putere
Electronica de putere contemporană se străduiește constant să crească eficiența și să reducă pierderile de putere. Un rol cheie în acest proces îl joacă tehnologia Carburii de Siliciu (SiC), care înlocuiește cu succes componentele tradiționale pe bază de siliciu. Modulele SiC MOSFET de la ABB reprezintă unul dintre cei mai avansați pași în această transformare, oferind parametri indisponibili pentru tranzistoarele standard, deschizând astfel noi posibilități în proiectarea sistemelor de alimentare inovatoare și eficiente energetic.
O Nouă Eră în Electronica de Putere: Modulele SiC MOSFET ABB
Tranzistoarele SiC MOSFET se caracterizează prin proprietăți fizice semnificativ mai bune decât omologii lor din siliciu, inclusiv o temperatură de funcționare mai ridicată, o rezistență dielectrică mai mare și, cel mai important, pierderi minime de comutare. ABB, fiind un lider în domeniul tehnologiilor energetice, valorifică aceste avantaje, producând module cu performanțe revoluționare. Datorită utilizării carburii de siliciu, modulele ABB permit funcționarea la frecvențe de comutare mai mari, ceea ce permite reducerea dimensiunii și masei componentelor pasive, cum ar fi bobinele și condensatoarele. Acest lucru înseamnă sisteme finale mai mici, mai ușoare și mai eficiente energetic.
Parametri Tehnici Cheie și Performanță Ridicată
SiC MOSFET-urile ABB sunt proiectate pentru cele mai solicitante aplicații de mare putere. Specificațiile lor confirmă poziția lor de lider pe piață:
- RDS(ON) Redus: Rezistența extrem de scăzută în stare de conducție, atingând doar 1.4 mΩ, minimizează pierderile de conducție și se traduce într-o mai bună disipare a căldurii. Sunt disponibile și variante cu rezistențe de 1.8 mΩ, 1.9 mΩ, 2.4 mΩ, 2.6 mΩ și 2.9 mΩ, permițând o selecție precisă pentru cerințele specifice de proiectare.
- Tensiune UDS Înaltă: Modulele sunt disponibile în clase de tensiune de 1200 V, ceea ce le face ideale pentru aplicații de înaltă tensiune, precum și într-o versiune de 750 V pentru sistemele care funcționează la niveluri mai mici, dar încă solicitante.
- Curent Continuu ID Mare: Modulele oferă o capacitate de curent ridicată, atingând curenți continui de până la 2 x 1100 A într-o configurație duală. Sunt disponibile și variante de 2 x 580 A, 2 x 660 A, 2 x 780 A, 2 x 880 A și 2 x 980 A. Această performanță de curent garantează fiabilitatea în sistemele cu cerere mare de putere.
Construcție Solidă și Conformitate cu Standardele (Tipul de Carcasă)
Modulele SiC MOSFET de la ABB se caracterizează prin fiabilitate mecanică și termică ridicată. Acestea sunt adesea oferite în carcase standard, dovedite pe piață, cum ar fi tipul b6, ceea ce facilitează integrarea lor cu sistemele existente și nou proiectate. Construcția durabilă a modulelor asigură un transfer optim de căldură către radiator, ceea ce este crucial pentru menținerea duratei de viață maxime și a performanței componentelor SiC. ABB se concentrează pe calitatea fabricației pentru a îndeplini standardele riguroase și cerințele de certificare din industria energetică și a transporturilor.
Aplicațiile Modulelor SiC MOSFET ABB
Proprietățile unice ale modulelor SiC MOSFET ABB le fac indispensabile în aplicațiile moderne, unde eficiența energetică, densitatea de putere și fiabilitatea sunt esențiale:
- Vehicule Electrice (EV) și Transport Feroviar: Tensiunile și curenții înalți, împreună cu rezistența termică sporită, sunt ideale pentru invertoarele de tracțiune și încărcătoarele de bord, sporind autonomia și dinamica vehiculelor.
- Surse de Energie Regenerabilă: În invertoarele fotovoltaice și convertoarele eoliene, modulele SiC îmbunătățesc eficiența conversiei energiei, minimizând pierderile în etapa critică de prelucrare.
- Sisteme de Alimentare Industriale: UPS-urile (sisteme de alimentare neîntreruptibilă), sursele de alimentare în comutație și acționările de motoare de mare putere beneficiază de pierderi mai mici și de dimensiuni reduse.
- Rețele Inteligente (Smart Grids): Modulele ABB sprijină sistemele avansate de gestionare a energiei în rețele, permițând comutarea rapidă și precisă a puterii.