ABB SiC MOSFET modulok

Az ABB SiC MOSFET moduljai: Forradalom az Energiahordozó Elektronikában

A modern energiahordozó elektronika folyamatosan arra törekszik, hogy növelje a hatékonyságot és csökkentse a teljesítményveszteségeket. Kulcsfontosságú szerepet játszik ebben a folyamatban a szilícium-karbid...

Az ABB SiC MOSFET moduljai: Forradalom az Energiahordozó Elektronikában

A modern energiahordozó elektronika...

Olvass tovább
Szűrők megjelenítése
Szűrők elrejtéseSzűrésSzűrők megjelenítése X
Manufacturers
more... less
Typ obudowy
more... less
Rds(on)
more... less
Prąd ciągły ID
more... less
UDS feszültség
more... less
Filter
Információ close
PDF Kép
Gyártó
Termék név
Termék megtekintése Gyártói szám
Elérhető mennyiség
Typ obudowy
Rds(on)
Prąd ciągły ID
UDS feszültség
picture_as_pdf ABB SIC MOSFET modulok ABB ABB SIC MOSFET modulok ZOBACZ -- -- -- -- --
picture_as_pdf 5SFG 0660B07500x SiC MOSFET ABB 5SFG 0660B07500x SiC MOSFET ZOBACZ 5SFG 0660B07500x b 2.6 mΩ 2 x 660 A 750 V
picture_as_pdf 5SFG 0880B07500x SiC MOSFET ABB 5SFG 0880B07500x SiC MOSFET ZOBACZ 5SFG 0880B07500x b 1.8 mΩ 2 x 880 A 750 V
picture_as_pdf 5SFG 1100B07500x SiC MOSFET ABB 5SFG 1100B07500x SiC MOSFET ZOBACZ 5SFG 1100B07500x b 1.4 mΩ 2 x 1100 A 750 V
picture_as_pdf 5SFG 0580B12000x SiC MOSFET ABB 5SFG 0580B12000x SiC MOSFET ZOBACZ 5SFG 0580B12000x b 2.9 mΩ 2 x 580 A 1200 V
picture_as_pdf 5SFG 0780B12000x SiC MOSFET ABB 5SFG 0780B12000x SiC MOSFET ZOBACZ 5SFG 0780B12000x b 2.4 mΩ 2 x 780 A 1200 V
picture_as_pdf 5SFG 0980B12000x SiC MOSFET ABB 5SFG 0980B12000x SiC MOSFET ZOBACZ 5SFG 0980B12000x b 1.9 mΩ 2 x 980 A 1200 V
Eredmények oldalanként:

Az ABB SiC MOSFET moduljai: Forradalom az Energiahordozó Elektronikában

A modern energiahordozó elektronika folyamatosan arra törekszik, hogy növelje a hatékonyságot és csökkentse a teljesítményveszteségeket. Kulcsfontosságú szerepet játszik ebben a folyamatban a szilícium-karbid (SiC) technológia, amely sikeresen felváltja a hagyományos szilícium alapú alkatrészeket. Az ABB SiC MOSFET moduljai jelentik az egyik legfejlettebb lépést ebben az átalakulásban, olyan paramétereket kínálva, amelyek a standard tranzisztorok számára elérhetetlenek, ezzel új lehetőségeket nyitva az innovatív és energiatakarékos energiaellátó rendszerek tervezésében.

Új Korszak az Energiahordozó Elektronikában: ABB SiC MOSFET Modulok

A SiC MOSFET tranzisztorokat lényegesen jobb fizikai tulajdonságok jellemzik, mint a szilícium megfelelőiket, beleértve a magasabb üzemi hőmérsékletet, a nagyobb dielektromos szilárdságot és, ami a legfontosabb, a minimális kapcsolási veszteségeket. Az ABB, mint az energietechnológiák vezető vállalata, kihasználja ezeket az előnyöket, áttörő teljesítményű modulokat gyártva. A szilícium-karbid alkalmazásának köszönhetően az ABB modulok magasabb kapcsolási frekvencián teszik lehetővé a működést, ami lehetővé teszi a passzív alkatrészek, például tekercsek és kondenzátorok méretének és tömegének csökkentését. Ez kisebb, könnyebb és energiahatékonyabb végrendszereket eredményez.

Kulcsfontosságú Műszaki Paraméterek és Magas Teljesítmény

Az ABB SiC MOSFET-eket a legigényesebb nagy teljesítményű alkalmazásokhoz tervezték. Specifikációjuk megerősíti vezető pozíciójukat a piacon:

  •    
  • Alacsony RDS(ON): Az extrém alacsony bekapcsolt állapotú ellenállás, amely mindössze 1.4 mΩ-ot ér el, minimalizálja a vezetési veszteségeket és jobb hőelvezetést eredményez. Elérhetők 1.8 mΩ, 1.9 mΩ, 2.4 mΩ, 2.6 mΩ és 2.9 mΩ ellenállású változatok is, amelyek lehetővé teszik a pontos kiválasztást a konkrét tervezési követelményekhez.    
  • Magas UDS Feszültség: A modulok 1200 V feszültségosztályban kaphatók, ami ideálissá teszi őket nagyfeszültségű alkalmazásokhoz, valamint 750 V változatban is, az alacsonyabb, de még mindig igényes szinteken működő rendszerekhez.    
  • Nagy ID Állandó Áram: A modulok magas áramterhelhetőséget kínálnak, kettős (dual) konfigurációban akár 2 x 1100 A állandó áramot érve el. Elérhetők továbbá 2 x 580 A, 2 x 660 A, 2 x 780 A, 2 x 880 A és 2 x 980 A változatok is. Ez az áramteljesítmény garantálja a megbízhatóságot a nagy energiaigényű rendszerekben.

Masszív Felépítés és Megfelelőség a Szabványoknak (Tokozás Típusa)

Az ABB SiC MOSFET modulokat magas mechanikai és termikus megbízhatóság jellemzi. Gyakran standard, a piacon bevált tokozásokban, például b6 típusban kínálják őket, ami megkönnyíti az integrációt a meglévő és az újonnan tervezett rendszerekkel. A modulok tartós felépítése biztosítja az optimális hőátadást a hűtőbordához, ami kritikus fontosságú a SiC alkatrészek maximális élettartamának és teljesítményének fenntartásához. Az ABB a gyártási minőségre összpontosít, hogy megfeleljen az energia- és közlekedési ipar szigorú szabványainak és tanúsítási követelményeinek.

Az ABB SiC MOSFET Modulok Alkalmazásai

Az ABB SiC MOSFET modulok egyedülálló tulajdonságai révén nélkülözhetetlenek a modern alkalmazásokban, ahol az energiahatékonyság, a teljesítménysűrűség és a megbízhatóság kulcsfontosságú:

  •    
  • Elektromos Járművek (EV) és Vasúti Közlekedés: A magas feszültségek és áramok, valamint a megnövelt hőállóság ideálisak a vontatási inverterekhez és a fedélzeti töltőkhöz, növelve a járművek hatótávolságát és dinamikáját.    
  • Megújuló Energiaforrások: A fotovoltaikus inverterekben és a szélerőműves átalakítókban a SiC modulok javítják az energiaátalakítás hatékonyságát, minimalizálva a veszteségeket a kritikus feldolgozási szakaszban.    
  • Ipari Energiaellátó Rendszerek: Az UPS-ek (szünetmentes tápegységek), a kapcsolóüzemű tápegységek és a nagy teljesítményű motorhajtások profitálnak az alacsonyabb veszteségekből és a kisebb méretekből.    
  • Intelligens Hálózatok (Smart Grids): Az ABB modulok támogatják a hálózatokban lévő fejlett energiagazdálkodási rendszereket, lehetővé téve a teljesítmény gyors és pontos kapcsolását.