Musisz być zalogowany/a
-
-
-
Kategória
-
Félvezetők
- Diódák
- Tirisztorok
-
Elektromosan szigetelt modulok
- VISHAY (IR) elektromosan szigetelt modulok
- INFINEON (EUPEC) elektro-szigetelt modulok
- A Semikron elektromosan szigetelt moduljai
- POWEREX elektroszigetelt modulok
- IXYS elektromosan szigetelt modulok
- Elektro-szigetelt modulok a POSEICO-tól
- Az ABB elektromosan szigetelt moduljai
- Elektro-szigetelt modulok a TECHSEM-től
- Przejdź do podkategorii
- Híd egyenirányítók
-
Tranzisztorok
- GeneSiC tranzisztorok
- Mitsubishi SiC MOSFET modulok
- STARPOWER SiC MOSFET modulok
- ABB SiC MOSFET modulok
- IGBT modulok a MITSUBISHI-tól
- MITSUBISHI tranzisztor modulok
- MITSUBISHI MOSFET modulok
- ABB tranzisztor modulok
- IGBT modulok a POWEREX-től
- IGBT modulok – az INFINEON-tól (EUPEC)
- Szilícium-karbid félvezető elemek
- Przejdź do podkategorii
- Drivers
- Tápblokkok
- Przejdź do podkategorii
- LEM áram- és feszültségátalakítók
-
Passzív alkatrészek (kondenzátorok, ellenállások, biztosítékok, szűrők)
- Ellenállások
-
Biztosítékok
- Miniatűr biztosítékok ABC és AGC sorozatú elektronikus rendszerekhez
- Gyors működésű cső alakú biztosítékok
- Késleltetett lapkák GL/GG és AM karakterisztikával
- Ultragyors biztosítékok
- Brit és amerikai szabványos gyors működésű biztosítékok
- Gyors működésű európai szabványú biztosítékok
- Vontatási biztosítékok
- Nagyfeszültségű biztosítékok
- Przejdź do podkategorii
-
Kondenzátorok
- Kondenzátorok motorokhoz
- Elektrolit kondenzátorok
- Jégfilm kondenzátorok
- Teljesítménykondenzátorok
- Kondenzátorok egyenáramú áramkörökhöz
- Teljesítménykompenzációs kondenzátorok
- Nagyfeszültségű kondenzátorok
- Kondenzátorok indukciós fűtéshez
- Impulzuskondenzátorok
- DC LINK kondenzátorok
- Kondenzátorok AC/DC áramkörökhöz
- Przejdź do podkategorii
- Interferencia szűrők
- Szuperkondenzátorok
- Túlfeszültség elleni védelem
- TEMPEST Felfedő emissziós szűrők
- Przejdź do podkategorii
-
Relék és kontaktorok
- Relék és kontaktorok elmélete
- AC háromfázisú félvezető relék
- DC szilárdtest relék
- Szabályozók, vezérlőrendszerek és tartozékok
- Lágyindítás és irányváltó kontaktorok
- Elektromechanikus relék
- Kontaktorok
- Forgókapcsolók
-
Egyfázisú AC szilárdtest relék
- Egyfázisú váltakozó áramú szilárdtestrelék, 1. sorozat | D2425 | D2450
- Egyfázisú AC szilárdtest relék CWA és CWD sorozat
- Egyfázisú AC szilárdtest relék CMRA és CMRD sorozat
- Egyfázisú AC félvezető relék PS sorozat
- AC szilárdtest relék kettős és négyes sorozatú D24 D, TD24 Q, H12D48 D
- GN sorozatú egyfázisú szilárdtest relék
- Egyfázisú AC szilárdtest relék CKR sorozat
- Egyfázisú AC DIN sínes relék ERDA és ERAA SERIES
- Egyfázisú váltakozó áramú relék 150A áramerősséghez
- Kettős szilárdtest relék DIN sínes hűtőbordával integrálva
- Przejdź do podkategorii
- AC egyfázisú nyomtatható félvezető relék
- Interfész relék
- Przejdź do podkategorii
- Magok és egyéb induktív alkatrészek
- Radiátorok, Varisztorok, Hővédelem
- Rajongók
- Klíma, Kapcsolószekrény tartozékok, Hűtők
-
Akkumulátorok, töltők, puffer tápegységek és átalakítók
- Akkumulátorok, töltők - elméleti leírás
- Lítium-ion akkumulátorok. Egyedi akkumulátorok. Akkumulátorkezelő rendszer (BMS)
- Elemek
- Akkumulátortöltők és tartozékok
- UPS és puffer tápegységek
- Átalakítók és tartozékok napelemekhez
- Energiatárolás
- Hidrogén üzemanyagcellák
- Lítium-ion cellák
- Przejdź do podkategorii
- Automatizálás
-
Kábelek, Litz vezetékek, vezetékek, rugalmas csatlakozások
- Vezetékek
- Kábeltömszelencék és -hüvelyek
- Arcok
-
Kábelek speciális alkalmazásokhoz
- Hosszabbító és kiegyenlítő kábelek
- Hőelem kábelek
- Csatlakozó kábelek PT érzékelőkhöz
- Többeres kábelek hőm. -60°C és +1400°C között
- SILICOUL középfeszültségű kábelek
- Gyújtókábelek
- Fűtőkábelek
- Egyeres kábelek hőm. -60°C és +450°C között
- Vasúti vezetékek
- Fűtőkábelek pl
- Kábelek a védelmi ipar számára
- Przejdź do podkategorii
- pólók
-
Zsinór
- Lapos zsinór
- Kerek fonatok
- Nagyon rugalmas fonat - lapos
- Nagyon rugalmas zsinór - kerek
- Hengeres rézfonatok
- Réz hengeres fonatok és borítások
- Rugalmas földelő hevederek
- Horganyzott és rozsdamentes acélból készült hengeres fonatok
- PVC szigetelt rézfonatok - 85 fokos hőmérsékletig
- Lapos alumínium fonatok
- Csatlakozókészlet - zsinórok és csövek
- Przejdź do podkategorii
- Vontatási berendezések
- Kábelsaruk
- Szigetelt rugalmas sínek
- Többrétegű rugalmas sínek
- Kábelkezelő rendszerek
- Przejdź do podkategorii
- Az összes kategória megtekintése
-
Félvezetők
-
-
Tranzisztorok
Kategóriák
- GeneSiC tranzisztorok
- Mitsubishi SiC MOSFET modulok
- STARPOWER SiC MOSFET modulok
- ABB SiC MOSFET modulok
- IGBT modulok a MITSUBISHI-tól
- MITSUBISHI tranzisztor modulok
- MITSUBISHI MOSFET modulok
- ABB tranzisztor modulok
- IGBT modulok a POWEREX-től
- IGBT modulok – az INFINEON-tól (EUPEC)
- Szilícium-karbid félvezető elemek
- Dynex tranzisztor modulok
- MOSFET tranzisztorok - VISHAY (IR)
- SIC MOSFET modulok - POWEREX
- IGBT modulok - a Semikrontól
- Semikron MOSFET és IGBT illesztőprogramok
- Microsemi MOSFET modulok
- VISHAY IGBT tranzisztorok (IR)
- Starpower IGBT modulok
- EPC GaN tranzisztorok
| Kép | Termék megtekintése | Gyártói szám | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| picture_as_pdf |
|
Mitsubishi | 1700V FMF600DXE-34BN | ZOBACZ | FMF600DXE-34BN | -- | -- | -- | -- | -- | 2in1 | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 1700 V | -- | -- | -- | -- | |
| picture_as_pdf |
|
GeneSiC Semiconductor | G3F05MT12GB2 SiC Mosfet modul | ZOBACZ | G3F05MT12GB2 | -- | -- | -- | -- | półmostek | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | |||||
| picture_as_pdf |
|
GeneSiC Semiconductor | SiC Mosfet G3F25MT06L tranzisztor | ZOBACZ | G3F25MT06L | -- | -- | -- | 125 A | -- | -- | -- | 88 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 650 V | -- | -- | ||||
| picture_as_pdf |
|
EPC (Efficient Power Conversion) | EPC7004 tranzisztor | ZOBACZ | EPC7004 | -- | -- | -- | -- | -- | Single Rad Hard | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 7 | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 100 | 6 | 6-Apr | 2-Feb | 1-Jan | 37 | 60 | 160 | LGA 4.1 x 1.6 | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | |
| picture_as_pdf |
|
Mitsubishi | 3. generációs IGBT modulok - U sorozat | ZOBACZ | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | |
| picture_as_pdf |
|
Infineon | Nagy teljesítményű IGBT modulok | ZOBACZ | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | |
| picture_as_pdf |
|
Mitsubishi | CMH100DY-24NFH Szilícium-karbid MOSFET | ZOBACZ | CMH100DY-24NFH | -- | -- | -- | -- | -- | 2in1 | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 100 V | -- | -- | -- | -- | |
| picture_as_pdf |
|
Mitsubishi | PSF25S92F6 SiC MOSFET | ZOBACZ | PSF25S92F6 | -- | -- | -- | -- | -- | 6in1 | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 25 V | -- | -- | -- | -- | |
| picture_as_pdf |
|
SEMIKRON | SK25TMLID12F4TE2 IGBT modul | ZOBACZ | SK25TMLID12F4TE2 | -- | -- | -- | -- | -- | 3-level | 1200 V | 25 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | |
| picture_as_pdf |
|
SEMIKRON | SK50GD12T4ETE2 IGBT modul | ZOBACZ | SK50GD12T4ETE2 | -- | -- | -- | -- | -- | Six Pack | 1200 V | 50 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | |
| picture_as_pdf |
|
Mitsubishi | FMF800DC-66BEW SiC MOSFET | ZOBACZ | FMF800DC-66BEW | -- | -- | -- | -- | -- | 2in1 | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 3300 V | -- | -- | -- | -- | |
| picture_as_pdf |
|
GeneSiC Semiconductor | G3F18MT12FB4 SiC Mosfet modul | ZOBACZ | G3F18MT12FB4 | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | ||||||
| picture_as_pdf |
|
GeneSiC Semiconductor | SiC Mosfet G3F75MT12K tranzisztor | ZOBACZ | G3F75MT12K | TO-247-4 | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 1200 V | -- | -- | -- | ||||
| picture_as_pdf |
|
SEMIKRON | SKiM400GD126DLM IGBT modul | ZOBACZ | SKiM400GD126DLM | -- | -- | -- | -- | -- | Six Pack | 1200 V | 300 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | |
| picture_as_pdf |
|
SEMIKRON | SKM200GB12F4 IGBT modul | ZOBACZ | SKM200GB12F4 | -- | -- | -- | -- | -- | Half Bridge | 1200 V | 200 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | |
| picture_as_pdf |
|
Mitsubishi | H sorozatú 3. generációs IGBT modulok | ZOBACZ | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | |
| picture_as_pdf |
|
Mitsubishi | CMH200DU-24NFH SiC MOSFET | ZOBACZ | CMH200DU-24NFH | -- | -- | -- | -- | -- | 2in1 | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 200 V | -- | -- | -- | -- | |
| picture_as_pdf |
|
Mitsubishi | PSF15S92F6 SiC MOSFET | ZOBACZ | PSF15S92F6 | -- | -- | -- | -- | -- | 6in1 | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 15 V | -- | -- | -- | -- | |
| -- |
|
Mitsubishi | SiC MOSFET modulok | ZOBACZ | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | |
| picture_as_pdf |
|
GeneSiC Semiconductor | SiC Mosfet G3F60MT06K tranzisztor | ZOBACZ | G3F60MT06K | TO-247-4 | -- | -- | -- | 42 A | -- | -- | -- | 30 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 650 V | -- | -- | |||
| picture_as_pdf |
|
GeneSiC Semiconductor | G3F17MT12FB2 SiC Mosfet Modul | ZOBACZ | G3F17MT12FB2 | -- | -- | -- | -- | półmostek | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | |||||
| picture_as_pdf |
|
GeneSiC Semiconductor | SiC Mosfet G3F75MT12J tranzisztor | ZOBACZ | G3F75MT12J | TO-263-7 | -- | -- | -- | 31 A | -- | -- | -- | 22 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 1200 V | -- | -- | -- | ||
| picture_as_pdf |
|
POWEREX | Dupla HVIGBT modul QID3320004 | ZOBACZ | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | |
| picture_as_pdf |
|
Mitsubishi | TRENCH IGBT modulok 4. generációja - F sorozat | ZOBACZ | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
Tranzisztorok megbízható beszállítótól
A Dacpol tapasztalt beszállítója a tranzisztorok kategóriájába tartozó szükséges cikkeknek. Ügyfeleink számíthatnak a nálunk kapható termékek és szolgáltatások minőségére, legyen szó MOSFET modulokról, egyenáramú diódákról vagy szilícium-karbid félvezető elemekről.
Készséggel biztosítunk nagy mennyiségű keresett terméket függetlenül attól, hogy egyedi tranzisztorokat rendelnek-e, vagy nagy tételben vásárolnak, teljes körű ellátást kínálva minden termékre.
A legmagasabb szintű szolgáltatás érdekében csak megbízható beszállítók és gyártók termékeit kínáljuk ügyfeleinknek. Mérnökeink minden szakaszban szakmai tanácsadással segítik a karbantartással és a megvásárolt termékek használatával kapcsolatos információk biztosítását.
A Dacpol kínálata az elektronikai alkatrészek, tápegységek és csatlakozók csoportjában sokkal szélesebb, és különféle elektromos és ipari cikkeket is tartalmaz a tranzisztorok kategóriájából. Weboldalunkon megismerheti az elektronikai alkatrészek, tápegységek és csatlakozók teljes termékkínálatát.
Mezőhatású tranzisztorok (FET-ek) a DACPOL-tól
Kétféle mezőhatású tranzisztort kínálunk: MOS-FET és IGBT tranzisztorokat.
MOS-FET tranzisztorok
A MOS-FET tranzisztorok jól működnek párhuzamos kapcsolásokban. Több tucat darabot is lehet párhuzamosan kötni. Könnyen vezérelhetők, és nem igényelnek áramelosztási korrekciót a terhelés között.
Áramtartományuk 1,1A-tól 250A-ig terjed, feszültségtartományuk 12V-tól 900V-ig. A MOS-FET tranzisztorok az alábbi tokozásokban készülnek: SO8, SOT223, D-Pak, D2-Pak, I-Pak, TO-262, TO-220, TO-247, SOT-227, HEXDIP.
IGBT tranzisztorok
Az IGBT tranzisztorok kis vezetési feszültségeséssel rendelkeznek (2,15 és 5,2 V között), nagy áramoknál (10 és 3600 A között), képesek magas feszültségek blokkolására (250 és 6500 V között), feszültségvezérelt szigetelt kapuval rendelkeznek, és nagy kapcsolási sebességgel bírnak. Standard modulok, nagyfrekvenciás modulok, nagyfeszültségű modulok, valamint intelligens és nagyfeszültségű intelligens modulok formájában készülnek. Ezen felül nagyfeszültségű diódás modulokat is kínálunk IGBT tranzisztorokhoz.
A kínált termékek magas minősége
Elektroizolált tokozásban elérhetők, mint egyedi tranzisztorok, kéttranzisztoros modulok (félhíd), hat elemes modulok (teljes híd), hét elemes modulok (teljes híd tranzisztorral). Jellemző tokozások: TO220, TO247, A1, NF1, NF2, NF3, NF4, NF5, NF6, U2, U3, U4, U5, U6, U7, U8, A1, A2, A3, A4, A5, H1, H2, H3, H4, H5, H6, H7, H8, H9, H10, H11, H12, H13, DM1, DM2, HV1, HV2, HV3, HV4, HV5, HV6, HV7, HV8, SD1, SD2, SD3, SD4.
Az IGBT tranzisztorok intelligens modul formájában nemcsak a tranzisztorokat tartalmazzák, hanem vezérlő áramköröket, valamint zárlat- és túlfeszültségvédelmet is.
Nézze meg kínálatunkat a egyenirányító hídkategóriában is!
Mi az a tranzisztor és melyek az alapvető típusai?
A tranzisztorok félvezető, három elektródás elektronikai alkatrészek, melyek fő feladata a jel felerősítése az amplitúdó növelésével. Ezen felül képesek szabályozni az áram áramlását az elektromos áramkörökben – kapcsolóként működnek. Félvezető anyagokból, mint például szilícium vagy germánium készülnek. Az első tranzisztort 1948-ban J. Bardeen és W.H. Brattain építette meg. Alkotóik W.B. Shockley-vel együtt, aki a bipoláris modellt alkotta meg, 1956-ban Nobel-díjat kaptak érte.
A félvezető, három elektródás elektronikai alkatrészek két fő típusra oszthatók. Az első típus a mezőhatású tranzisztorok, más néven unipoláris tranzisztorok, melyeket feszültséggel vezérelnek. Egy kapuból állnak, amelyre feszültség alkalmazásakor elektromágneses mezőt hoz létre, ami megváltoztatja az ellenállást a drain és a source között, azaz a jel kimeneténél.
A bipoláris tranzisztor, más néven kapcsolt tranzisztor, a második típus. Bázisból, emitterből és kollektorból áll. Árammal vezérlik, amely az emitter és a bázis között folyik. A bipoláris tranzisztorok tovább oszthatók n-p-n és p-n-p modellekre.
Milyen jellemzői vannak a mezőhatású tranzisztornak, és hol használják leggyakrabban?
A MOS-FET tranzisztor (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor), mely mezőhatású, négy érintkezős modell, magas kimeneti ellenállással és nagyon gyors kapcsolási idővel rendelkezik. Ezért használják elsősorban:
- kapcsolóüzemű tápegységekben, ahol hatékony és eredményes hálózatkezelést tesz lehetővé,
- elektromos és hibrid járművek töltőiben,
- UPS tápegységekben,
- ipari és autóipari motorvezérlésekben,
- audio- vagy telekommunikációs erősítőkben,
- integrált áramkörökben, különösen CMOS technológián alapulóban (Complementary Metal-Oxide-Semiconductor), amely a legtöbb modern mikroprocesszornál elterjedt.
Ezenkívül meg kell jegyezni, hogy a mezőhatású tranzisztorok analóg és digitális jelű integrált áramkörökben egyaránt használhatók.
Mi az az IGBT tranzisztor és mire használják?
Az IGBT tranzisztor (Insulated Gate Bipolar Transistor), azaz szigetelt kapus bipoláris tranzisztor, az elszigetelt kapus eszközök csoportjába tartozik, és ötvözi a bipoláris és a MOS-FET tranzisztorok jellemzőit. Emiatt könnyen vezérelhető és gyorsan kapcsolható. Az IGBT tranzisztor nagy teljesítményű terhelések kezelésére alkalmas, akár több száz kW-ig. Képes blokkolni akár 6 kV feszültséget is. Egyidejűleg kis veszteséggel működik. Ezért az ilyen tranzisztorok alkalmazhatók többek között:
- inverterekben, amelyek egyenáramot váltóárammá alakítanak az energiarendszerek számára,
- indukciós főzőlapokban és töltőkben,
- vészhelyzeti tápegységekben,
- kapcsolóüzemű tápegységekben,
- ipari motorvezérlő rendszerekben.
Related posts
