IGBT modulok a MITSUBISHI-tól

Jesteśmy doświadczonym dostawcą niezbędnych artykułów dla kategorii tranzystory.

Tranzystory polowe - oferujemy dwa rodzaje tranzystorów polowych: tranzystory MOSFET i IGBT.

Tranzystory IGBT
Tranzystory IGBT charakteryzują się...

Jesteśmy doświadczonym dostawcą niezbędnych artykułów dla kategorii tranzystory.

Tranzystory...

Olvass tovább
Szűrők megjelenítése
Szűrők elrejtéseSzűrésSzűrők megjelenítése X
Manufacturers
more... less
Obudowa
more... less
Konfiguracja
more... less
Napięcie VCES
more... less
Prąd kolektora IC
more... less
Moc
more... less
napięcie elektryczne
more... less
Prąd
more... less
Filter
Információ close
PDF Kép
Gyártó
Termék név
Termék megtekintése Gyártói szám
Elérhető mennyiség
Obudowa
Konfiguracja
Napięcie VCES
Prąd kolektora IC
napięcie elektryczne
Prąd
-- DIPIPM TM 600V és 1200V Mitsubishi DIPIPM TM 600V és 1200V ZOBACZ -- -- -- -- -- -- -- --
picture_as_pdf AS-IPM Mitsubishi AS-IPM ZOBACZ -- -- -- -- -- -- -- --
picture_as_pdf DIP-IPM 1200V Mitsubishi DIP-IPM 1200V ZOBACZ -- -- -- -- -- -- -- --
picture_as_pdf 4. generációs DIP IPM modulok Mitsubishi 4. generációs DIP IPM modulok ZOBACZ -- -- -- -- -- -- -- --
picture_as_pdf 3. generációs DIP és MINI DIP IPM modulok Mitsubishi 3. generációs DIP és MINI DIP IPM modulok ZOBACZ -- -- -- -- -- -- -- --
picture_as_pdf MDIP i MINI - DIP IPM Mitsubishi MDIP i MINI - DIP IPM ZOBACZ -- -- -- -- -- -- -- --
picture_as_pdf Hibrid IGBT modulokhoz való vezérlők Mitsubishi Hibrid IGBT modulokhoz való vezérlők ZOBACZ -- -- -- -- -- -- -- --
picture_as_pdf Többszintű IGBT modulok Mitsubishi Többszintű IGBT modulok ZOBACZ -- -- -- -- -- -- -- --
picture_as_pdf Mega POWER DUAL IGBT új modulok Mitsubishi Mega POWER DUAL IGBT új modulok ZOBACZ -- -- -- -- -- -- -- --
picture_as_pdf 5. generációs IPM modulok - FULL GATE CSTBT sorozat (L1 és S1 Mitsubishi 5. generációs IPM modulok - FULL GATE CSTBT sorozat (L1 és S1 verzió) ZOBACZ -- -- -- -- -- -- -- --
picture_as_pdf 6. generációs FULL GATE IPM modulok - V1 sorozat Mitsubishi 6. generációs FULL GATE IPM modulok - V1 sorozat ZOBACZ -- -- -- -- -- -- -- --
-- 7. generációs IGBT modulok Mitsubishi 7. generációs IGBT modulok ZOBACZ -- -- -- -- -- -- -- --
-- CI/CIB modulok Mitsubishi CI/CIB modulok ZOBACZ -- -- -- -- -- -- -- --
picture_as_pdf 3. generációs IPM modulok - V sorozat Mitsubishi 3. generációs IPM modulok - V sorozat ZOBACZ -- -- -- -- -- -- -- --
-- 3. generációs IPM modulok - S sorozat Mitsubishi 3. generációs IPM modulok - S sorozat ZOBACZ -- -- -- -- -- -- -- --
-- 4. generációs IPM modulok - S-DASH sorozat Mitsubishi 4. generációs IPM modulok - S-DASH sorozat ZOBACZ -- -- -- -- -- -- -- --
picture_as_pdf NFM sorozatú IGBT modulok Mitsubishi NFM sorozatú IGBT modulok ZOBACZ -- -- -- -- -- -- -- --
picture_as_pdf 5. generációs IGBT modulok - A sorozat Mitsubishi 5. generációs IGBT modulok - A sorozat ZOBACZ -- -- -- -- -- -- -- --
picture_as_pdf NFH sorozatú gyors IGBT modulok Mitsubishi NFH sorozatú gyors IGBT modulok ZOBACZ -- -- -- -- -- -- -- --
picture_as_pdf TRENCH IGBT modulok 4. generációja - F sorozat Mitsubishi TRENCH IGBT modulok 4. generációja - F sorozat ZOBACZ -- -- -- -- -- -- -- --
picture_as_pdf H sorozatú 3. generációs IGBT modulok Mitsubishi H sorozatú 3. generációs IGBT modulok ZOBACZ -- -- -- -- -- -- -- --
picture_as_pdf 3. generációs IGBT modulok - U sorozat Mitsubishi 3. generációs IGBT modulok - U sorozat ZOBACZ -- -- -- -- -- -- -- --
picture_as_pdf IGBT modulok - DIP-C.I.B/C.I.B sorozat Mitsubishi IGBT modulok - DIP-C.I.B/C.I.B sorozat ZOBACZ -- -- -- -- -- -- -- --
picture_as_pdf Magasfeszültségű IGBT modulok Mitsubishi Magasfeszültségű IGBT modulok ZOBACZ -- -- -- -- -- -- -- --
Eredmények oldalanként:

Jesteśmy doświadczonym dostawcą niezbędnych artykułów dla kategorii tranzystory.

Tranzystory polowe - oferujemy dwa rodzaje tranzystorów polowych: tranzystory MOSFET i IGBT.

Tranzystory IGBT
Tranzystory IGBT charakteryzują się niewielkim spadkiem napięcia przewodzenia (od 2,15÷5,2V) przy dużym prądzie (10÷3600A), zdolnością blokowania wysokich napięć (250÷6500V), napięciowym sterowaniem poprzez izolowaną bramkę oraz dużą szybkością przełączania. Produkowane są w postaci modułów standardowych, modułów wysokiej częstotliwości, modułów wysokonapięciowych oraz modułów inteligentnych i wysokonapięciowych modułów inteligentnych. Dodatkowo oferowane są wysokonapięciowe moduły diodowe do współpracy z tranzystorami IGBT.

Tranzystory IGBT wytwarzane w postaci modułów inteligentnych zawierają poza tranzystorami układy do ich sterowania oraz zabezpieczenia zwarciowe i przepięciowe.