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Módulos IGBT | MITSUBISHI
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Somos un proveedor experimentado de artículos esenciales para la categoría de transistores.
Transistores de efecto de campo - ofrecemos dos tipos de transistores de efecto de campo: MOSFET e IGBT.
Transistores IGBT
Los transistores IGBT se caracterizan por una baja caída de tensión (de 2,15 a 5,2 V) con corrientes elevadas (10–3600 A), la capacidad de bloquear altas tensiones (250–6500 V), control por tensión mediante una puerta aislada y una alta velocidad de conmutación. Se fabrican en forma de módulos estándar, módulos de alta frecuencia, módulos de alta tensión, así como módulos inteligentes y módulos inteligentes de alta tensión. Además, se ofrecen módulos de diodos de alta tensión para trabajar con transistores IGBT.
Los transistores IGBT fabricados como módulos inteligentes incluyen, además de los propios transistores, circuitos de control y protección contra cortocircuitos y sobretensiones.