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Somos un proveedor experimentado de artículos esenciales para la categoría de transistores.
Transistores de efecto de campo
Ofrecemos dos tipos de transistores de efecto de campo: MOSFET e IGBT.
Transistores MOS-FET
Los transistores MOS-FET funcionan bien en conexiones en paralelo. Pueden conectarse en paralelo hasta varias decenas de unidades. Son fáciles de controlar y no requieren ajuste en la distribución de corriente entre ellos.
Transistores IGBT
Los transistores IGBT se caracterizan por una caída de tensión baja (de 2,15÷5,2V) a corriente alta (10÷3600A), la capacidad de bloquear altas tensiones (250÷6500V), control de tensión a través de una puerta aislada y alta velocidad de conmutación. Se producen en forma de módulos estándar, módulos de alta frecuencia, módulos de alta tensión, módulos inteligentes y módulos inteligentes de alta tensión. Además, se ofrecen módulos de diodos de alta tensión para trabajar con transistores IGBT.
Los transistores IGBT fabricados como módulos inteligentes incluyen, además de los transistores, circuitos de control y protección contra cortocircuitos y sobretensiones.
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