Модули SiC MOSFET | Mitsubishi
Категории
Мы являемся опытным поставщиком необходимых товаров для категории транзисторов.
Полевые транзисторы
Мы предлагаем два типа полевых транзисторов: MOSFET и IGBT.
MOS-FET транзисторы
MOS-FET транзисторы хорошо работают при параллельных соединениях. Их можно подключать параллельно до нескольких десятков штук. Их легко управлять, и не требуется корректировка распределения тока между ними.
IGBT транзисторы
IGBT транзисторы характеризуются низким падением напряжения (от 2,15÷5,2В) при высоком токе (10÷3600А), способностью блокировать высокие напряжения (250÷6500В), управлением напряжением через изолированный затвор и высокой скоростью переключения. Они производятся в виде стандартных модулей, высокочастотных модулей, высоковольтных модулей, интеллектуальных модулей и высоковольтных интеллектуальных модулей. Дополнительно предлагаются высоковольтные диодные модули для работы с IGBT транзисторами.
IGBT транзисторы, изготовленные в виде интеллектуальных модулей, содержат, помимо транзисторов, схемы управления и защиту от короткого замыкания и перенапряжения.