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Feldeffekttransistoren
Wir bieten zwei Arten von Feldeffekttransistoren an: MOSFETs und IGBTs.
MOS-FET Transistoren
MOS-FET-Transistoren arbeiten gut in Parallelschaltungen. Sie können parallel geschaltet werden, bis zu mehreren Dutzend Stück. Sie sind leicht zu steuern und erfordern keine Anpassung der Stromverteilung zwischen ihnen.
IGBT Transistoren
IGBT-Transistoren zeichnen sich durch einen geringen Spannungsabfall (von 2,15÷5,2V) bei hohem Strom (10÷3600A), die Fähigkeit zur Blockierung hoher Spannungen (250÷6500V), spannungsgesteuerte Ansteuerung über ein isoliertes Gate und hohe Schaltgeschwindigkeit aus. Sie werden als Standardmodule, Hochfrequenzmodule, Hochspannungsmodule, intelligente Module und hochspannungsintelligente Module hergestellt. Zusätzlich werden Hochspannungs-Diodenmodule für die Zusammenarbeit mit IGBT-Transistoren angeboten.
IGBT-Transistoren, die als intelligente Module hergestellt werden, enthalten neben den Transistoren auch Steuer- und Schutzschaltungen gegen Kurzschluss und Überspannung.
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