IGBT-Module | INFINEON (EUPEC)

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Field-effect transistors - we’re offering two types of field-effect transistors: MOS-FET and IGBT transistors.

MOS-FET transistors
MOS-FET transistors cooperate well in...

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Produkte, die in der Spalte "Verfügbare Menge" mit "Auf Bestellung" gekennzeichnet sind, sind normalerweise nicht auf Lager. Solche Produkte sind käuflich zu erwerben, haben jedoch aufgrund ihrer begrenzten Kundenbasis in der Regel höhere Mindestmengen. DACPOL bietet Produkte an, die aus folgenden Gründen nicht auf Lager sind: DACPOL hat derzeit eine große Menge elektronischer Komponenten auf Lager und fügt täglich neue Produkte hinzu. Unsere Lieferanten verfügen jedoch über Zehntausende zusätzlicher Komponenten und deren verschiedene Varianten. Obwohl es aufgrund des begrenzten Umsatzes nicht zumutbar ist, alle diese Produkte auf Lager zu haben, glauben wir, dass es im besten Interesse unserer Kunden ist, sie zur Verfügung zu stellen. Unser Ziel ist es, Kunden über die maximale Anzahl verfügbarer Produkte zu informieren und ihnen zu ermöglichen, Entscheidungen auf der Grundlage von Spezifikationen, Preisen, Verfügbarkeit, erforderlichen Mindestanforderungen und unserer technischen Beratung zu treffen. Bitte beachten Sie, dass das Aktivieren des Kontrollkästchens "Auf Lager" die Anzeige möglicherweise auf Produkte beschränkt, die direkt aus dem Regal geliefert werden können.
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Hersteller
descasc
Produktname
descasc
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descasc
Gehäuse
descasc
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descasc
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Kollektorstrom IC
descasc
picture_as_pdf IGBT Module Standard Infineon IGBT Module Standard SEHEN SIE ES -- Verfügbare Menge -- -- -- --
picture_as_pdf Hochleistungs IGBT-Module Infineon Hochleistungs IGBT-Module SEHEN SIE ES -- Verfügbare Menge -- -- -- --
picture_as_pdf IGBT-Module und EconoPIM Infineon IGBT-Module und EconoPIM SEHEN SIE ES -- Verfügbare Menge -- -- -- --
picture_as_pdf IGBT Module EASY PIM - Serie Infineon IGBT Module EASY PIM - Serie SEHEN SIE ES -- Verfügbare Menge -- -- -- --
picture_as_pdf IGBT Module EconoPACK+ Serie Infineon IGBT Module EconoPACK+ Serie SEHEN SIE ES -- Verfügbare Menge -- -- -- --
picture_as_pdf FS25R12YT3 IGBT module Infineon FS25R12YT3 IGBT-Modul. SEHEN SIE ES FS25R12YT3 6 -- -- 1200 V 25 A
picture_as_pdf FZ800R12KS4 IGBT module Infineon FZ800R12ks4 IGBT-Modul. SEHEN SIE ES FZ800R12KS4 Verfügbare Menge -- -- 1200 V 800 A
picture_as_pdf FP40R12KT3 IGBT module Infineon FP40R12KT3 IGBT-Modul SEHEN SIE ES FP40R12KT3 Verfügbare Menge -- -- 1200 V 40 A
picture_as_pdf FF150R2KE3G IGBT-Modul. Infineon FF150R2KE3G IGBT-Modul. SEHEN SIE ES FF150R12KE3G Verfügbare Menge -- -- 1200 V 150 A
picture_as_pdf FF200R33KF2C IGBT module Infineon FF200R33KF2C IGBT-Modul. SEHEN SIE ES FF200R33KF2C Verfügbare Menge -- -- 3300 V 200 A
picture_as_pdf FF200R12KS4 IGBT module Infineon FF200R12KS4 IGBT-Modul. SEHEN SIE ES FF200R12KS4 Verfügbare Menge -- -- 1200 V 200 A
picture_as_pdf BSM35GP120G IGBT module Infineon BSM35GP120G IGBT-Modul. SEHEN SIE ES BSM35GP120G 1 IS12 -- 1200 V 75 A
picture_as_pdf BSM50GP120 IGBT module Infineon BSM50GP120 IGBT-Modul. SEHEN SIE ES BSM50GP120 Verfügbare Menge IS13 -- 1200 V 50 A
picture_as_pdf BSM50GD120DN2 IGBT module Infineon BSM50GD120DN2 IGBT-Modul. SEHEN SIE ES BSM50GD120DN2 Verfügbare Menge IS3 mostek 3-fazowy 1200 V 50 A
picture_as_pdf BSM75GD120DLC Moduł IGBT Infineon BSM75GD120DLC IGBT-Modul. SEHEN SIE ES BSM75GD120DLC Verfügbare Menge IS8 mostek 3-fazowy 1200 V 75 A
picture_as_pdf FS300R12KE3 Moduł IGBT Infineon FS300R12KE3 IGBT-Modul. SEHEN SIE ES FS300R12KE3 Verfügbare Menge IS14 -- 1200 V 300 A
picture_as_pdf FF450R17IE4 IGBT Infineon FF450R17IE4 IGBT. SEHEN SIE ES FF450R17IE4 Verfügbare Menge -- -- 1700 V 450 A
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We’re an experienced supplier of necessary products for the category of transistors. 

Field-effect transistors - we’re offering two types of field-effect transistors: MOS-FET and IGBT transistors.

MOS-FET transistors
MOS-FET transistors cooperate well in parallel connections. They can be combined in parallel up to several dozen pieces. They are easily controlled and do not require adjustment in the load current distribution between them.

IGBT transistors
IGBT transistors are characterized by a small decrease in conduction voltage (from 2.15 - 5.2V) at high current (10 - 3600A), high voltage blocking capacity (250 - 6500V), voltage control via an isolated gate, and high switching speed. They are produced in the form of standard modules, high-frequency modules, high voltage modules as well as intelligent modules, and high voltage intelligent modules. In addition, high-voltage diode modules are offered for cooperation with IGBT transistors.

The IGBT transistors manufactured in the form of intelligent modules contain, besides transistors, control systems as well as short circuit and overvoltage protection.