Модулі IGBT | INFINEON (EUPEC)

We’re an experienced supplier of necessary products for the category of transistors. 

Field-effect transistors - we’re offering two types of field-effect transistors: MOS-FET and IGBT transistors.

MOS-FET transistors
MOS-FET transistors cooperate well in...

We’re an experienced supplier of necessary products for the category of transistors. 

Field-effect transistors -...
Читати більше
Показати фільтри
Приховати фільтриФільтраціяПоказати фільтри X
Manufacturers
more... less
Корпус
more... less
Конфігурація
more... less
Напруга VCES
more... less
Струм колектора IC
more... less
In stock
more... less
Dostępne nośniki
Środowisko
Filter
Інформація close
Продуктів, позначених як "На замовлення" у стовпці "Доступна кількість", як правило, немає на складі. Такі товари можна придбати, однак через обмежену базу споживачів вони, як правило, мають вищі мінімальні кількості. DACPOL пропонує товари, яких немає на складі з наступних причин: DACPOL в даний час має на складі велику кількість електронних компонентів і додає нові продукти щодня, але наші постачальники мають десятки тисяч додаткових компонентів та їх різноманітних варіантів. Незважаючи на те, що нерозумно мати всі ці товари на складі через обмежені продажі, ми вважаємо, що в інтересах наших клієнтів є їх надання. Наша мета - поінформувати клієнтів про максимальну кількість доступних продуктів та дати їм можливість прийняти рішення на основі специфікацій, цін, наявності, необхідних мінімумів та наших технічних консультацій. Зверніть увагу, що встановивши прапорець "На складі", дисплей може обмежуватися лише товарами, доступними для доставки безпосередньо з полиці.
PDF Зображення
Виробник
Назва продукту
Переглянути товар Нумер виробника
Доступна кількість
Корпус
Конфігурація
Напруга VCES
Струм колектора IC
picture_as_pdf Стандартні модулі IGBT Infineon Стандартні модулі IGBT ZOBACZ -- На замовлення -- -- -- --
picture_as_pdf Потужні IGBT модулі Infineon Потужні IGBT модулі ZOBACZ -- На замовлення -- -- -- --
picture_as_pdf Інтегральний силові модулі PIM Infineon Інтегральний силові модулі PIM ZOBACZ -- На замовлення -- -- -- --
picture_as_pdf IGBT модулі серії ЛЕГКО ПІМ Infineon IGBT модулі серії ЛЕГКО ПІМ ZOBACZ -- На замовлення -- -- -- --
picture_as_pdf IGBT модулі серії ECONOPACK + Infineon IGBT модулі серії ECONOPACK + ZOBACZ -- На замовлення -- -- -- --
picture_as_pdf FS25R12YT3 IGBT module Infineon Модуль IGBT FS25R12YT3 ZOBACZ FS25R12YT3 6 -- -- 1200 V 25 A
picture_as_pdf FZ800R12KS4 IGBT module Infineon Модуль IGBT FZ800R12KS4 ZOBACZ FZ800R12KS4 На замовлення -- -- 1200 V 800 A
picture_as_pdf FP40R12KT3 IGBT module Infineon Модуль IGBT FP40R12KT3 ZOBACZ FP40R12KT3 На замовлення -- -- 1200 V 40 A
picture_as_pdf Модуль IGBT FF150R2KE3G Infineon Модуль IGBT FF150R2KE3G ZOBACZ FF150R12KE3G На замовлення -- -- 1200 V 150 A
picture_as_pdf FF200R33KF2C IGBT module Infineon Модуль IGBT FF200R33KF2C ZOBACZ FF200R33KF2C На замовлення -- -- 3300 V 200 A
picture_as_pdf FF200R12KS4 IGBT module Infineon Модуль IGBT FF200R12KS4 ZOBACZ FF200R12KS4 На замовлення -- -- 1200 V 200 A
picture_as_pdf BSM35GP120G IGBT module Infineon BSM35GP120G Модуль IGBT ZOBACZ BSM35GP120G 1 IS12 -- 1200 V 75 A
picture_as_pdf BSM50GP120 IGBT module Infineon BSM50GP120 IGBT модуль ZOBACZ BSM50GP120 На замовлення IS13 -- 1200 V 50 A
picture_as_pdf BSM50GD120DN2 IGBT module Infineon Bsm50gd120dn2 модуль IGBT ZOBACZ BSM50GD120DN2 На замовлення IS3 mostek 3-fazowy 1200 V 50 A
picture_as_pdf BSM75GD120DLC Moduł IGBT Infineon BSM75GD120DLC Модуль IGBT ZOBACZ BSM75GD120DLC На замовлення IS8 mostek 3-fazowy 1200 V 75 A
picture_as_pdf FS300R12KE3 Moduł IGBT Infineon Модуль IGBT FS300R12KE3 ZOBACZ FS300R12KE3 На замовлення IS14 -- 1200 V 300 A
picture_as_pdf FF450R17IE4 IGBT Infineon FF450R17IE4 IGBT ZOBACZ FF450R17IE4 На замовлення -- -- 1700 V 450 A
Результатів на сторінці:

We’re an experienced supplier of necessary products for the category of transistors. 

Field-effect transistors - we’re offering two types of field-effect transistors: MOS-FET and IGBT transistors.

MOS-FET transistors
MOS-FET transistors cooperate well in parallel connections. They can be combined in parallel up to several dozen pieces. They are easily controlled and do not require adjustment in the load current distribution between them.

IGBT transistors
IGBT transistors are characterized by a small decrease in conduction voltage (from 2.15 - 5.2V) at high current (10 - 3600A), high voltage blocking capacity (250 - 6500V), voltage control via an isolated gate, and high switching speed. They are produced in the form of standard modules, high-frequency modules, high voltage modules as well as intelligent modules, and high voltage intelligent modules. In addition, high-voltage diode modules are offered for cooperation with IGBT transistors.

The IGBT transistors manufactured in the form of intelligent modules contain, besides transistors, control systems as well as short circuit and overvoltage protection.