Модулі SiC MOSFET | STARPOWER

We’re an experienced supplier of necessary products for the category of transistors. 

Field-effect transistors - we’re offering two types of field-effect transistors: MOS-FET and IGBT transistors.

MOS-FET transistors
MOS-FET transistors cooperate well in...

We’re an experienced supplier of necessary products for the category of transistors. 

Field-effect transistors -...
Читати більше
Показати фільтри
Приховати фільтриФільтраціяПоказати фільтри X
Manufacturers
more... less
Напруга UDS
more... less
Тривалий струм ID при Tc=25oC
more... less
Конфігурація
more... less
Rds(on)
more... less
Струм Id
more... less
Тип житла
more... less
In stock
more... less
Dostępne nośniki
Środowisko
Filter
Завантажити весь список товарів
Інформація close
Продуктів, позначених як "На замовлення" у стовпці "Доступна кількість", як правило, немає на складі. Такі товари можна придбати, однак через обмежену базу споживачів вони, як правило, мають вищі мінімальні кількості. DACPOL пропонує товари, яких немає на складі з наступних причин: DACPOL в даний час має на складі велику кількість електронних компонентів і додає нові продукти щодня, але наші постачальники мають десятки тисяч додаткових компонентів та їх різноманітних варіантів. Незважаючи на те, що нерозумно мати всі ці товари на складі через обмежені продажі, ми вважаємо, що в інтересах наших клієнтів є їх надання. Наша мета - поінформувати клієнтів про максимальну кількість доступних продуктів та дати їм можливість прийняти рішення на основі специфікацій, цін, наявності, необхідних мінімумів та наших технічних консультацій. Зверніть увагу, що встановивши прапорець "На складі", дисплей може обмежуватися лише товарами, доступними для доставки безпосередньо з полиці.
PDF Зображення
Виробник
descasc
Назва продукту
descasc
 Переглянути товар Нумер виробника
Доступна кількість
descasc
Напруга UDS
descasc
Тривалий струм ID при Tc=25oC
descasc
Конфігурація
descasc
Rds(on)
descasc
Струм Id
descasc
Тип житла
descasc
-- SiC MOSFET Modules | STARPOWER Starpower Модулі Starpower SIC Mosfet ZOBACZ -- На замовлення -- -- -- -- -- --
picture_as_pdf MD25CLR120D6S MOSFET SIC Starpower MD25CLR120D6S MOSFET SIC ZOBACZ MD25CLR120D6S На замовлення 1200V -- chopper 100 mΩ 25 A D6.0
picture_as_pdf MD25CUR120D6S MOSFET SIC Starpower MD25CUR120D6S MOSFET SIC ZOBACZ MD25CUR120D6S На замовлення 1200V -- chopper 100 mΩ 25 A D6.0
picture_as_pdf MD50CUR120D6S MOSFET SIC Starpower MD50CUR120D6S MOSFET SIC ZOBACZ MD50CUR120D6S На замовлення 1200V -- chopper 50 mΩ 50 A D6.0
picture_as_pdf MD50FFR120C5S MOSFET SIC Starpower MD50FFR120C5S MOSFET SIC ZOBACZ MD50FFR120C5S На замовлення 1200V 73 A mostek trójfazowy 37.5 mΩ 50 A C5.0
picture_as_pdf MD350HFR120B3S MOSFET SIC Starpower MD350HFR120B3S MOSFET SIC ZOBACZ MD350HFR120B3S На замовлення 1200V 473 A półmostek 5.2 mΩ 350 A B3.0
picture_as_pdf MD300HFR120B3S MOSFET SIC Starpower MD300HFR120B3S MOSFET SIC ZOBACZ MD300HFR120B3S На замовлення 1200V 381 A półmostek 6.5 mΩ 300 A B3.0
picture_as_pdf MD300HFR120C2S MOSFET SIC Starpower MD300HFR120C2S MOSFET SIC ZOBACZ MD300HFR120C2S На замовлення 1200V 381 A półmostek 6.5 mΩ 300 A C2.0
picture_as_pdf MD400HFR120C2S MOSFET SIC Starpower MD400HFR120C2S MOSFET SIC ZOBACZ MD400HFR120C2S 1 1200V 542 A półmostek 4.4 mΩ 400 A C2.0
picture_as_pdf MD200HFR120C2S MOSFET SIC Starpower MD200HFR120C2S MOSFET SIC ZOBACZ MD200HFR120C2S На замовлення 1200V 299 A półmostek 8.7 mΩ 200 A C2.0
picture_as_pdf MD120HFR120C2S MOSFET SIC Starpower MD120HFR120C2S MOSFET SIC ZOBACZ MD120HFR120C2S На замовлення 1200V 200 A półmostek 13 mΩ 120 A C2.0
picture_as_pdf MD250HFR170C2S MOSFET SIC Starpower MD250HFR170C2S MOSFET SIC ZOBACZ MD250HFR170C2S На замовлення 1700V 340 A półmostek 10,4 mΩ 250 A C2.0
picture_as_pdf MD50CLR120D6S MOSFET SIC Starpower MD50CLR120D6S MOSFET SIC ZOBACZ MD50CLR120D6S На замовлення 1200V -- chopper 50 mΩ 50 A D6.0
Результатів на сторінці:
Повернутись вгору

We’re an experienced supplier of necessary products for the category of transistors. 

Field-effect transistors - we’re offering two types of field-effect transistors: MOS-FET and IGBT transistors.

MOS-FET transistors
MOS-FET transistors cooperate well in parallel connections. They can be combined in parallel up to several dozen pieces. They are easily controlled and do not require adjustment in the load current distribution between them.

IGBT transistors
IGBT transistors are characterized by a small decrease in conduction voltage (from 2.15 - 5.2V) at high current (10 - 3600A), high voltage blocking capacity (250 - 6500V), voltage control via an isolated gate, and high switching speed. They are produced in the form of standard modules, high-frequency modules, high voltage modules as well as intelligent modules, and high voltage intelligent modules. In addition, high-voltage diode modules are offered for cooperation with IGBT transistors.

The IGBT transistors manufactured in the form of intelligent modules contain, besides transistors, control systems as well as short circuit and overvoltage protection.