Moduły SiC MOSFET firmy STARPOWER

Jesteśmy doświadczonym dostawcą niezbędnych artykułów dla kategorii tranzystory.

Tranzystory polowe - oferujemy dwa rodzaje tranzystorów polowych: tranzystory MOSFET i IGBT.

Tranzystory MOS-FET
Tranzystory MOS-FET dobrze współpracują...

Jesteśmy doświadczonym dostawcą niezbędnych artykułów dla kategorii tranzystory.

Tranzystory...

Czytaj więcej
Pokaż filtry
Schowaj filtryFiltrowaniePokaż filtry X
Producenci
więcej... mniej
Napięcie UDS
więcej... mniej
Prąd ciągły ID przy Tc=25oC
więcej... mniej
Konfiguracja
więcej... mniej
Rds(on)
więcej... mniej
Prąd Id
więcej... mniej
Typ obudowy
więcej... mniej
W magazynie
więcej... mniej
Dostępne nośniki
Środowisko
Filtruj
Informacje close
Produkty, które są oznaczone jako "Na zamówienie" w kolumnie „Dostępna ilość” zwykle nie występują w magazynie. Takie produkty są dostępne do zakupu, jednak ze względu na ograniczoną bazę klientów charakteryzują się zwykle wyższymi minimalnymi ilościami. DACPOL oferuje produkty, które nie występują w magazynie z następujących względów: Firma DACPOL posiada aktualnie w magazynie dużą ilość komponentów elektronicznych i codziennie dodaje nowe produkty jednak u naszych dostawców dostępne są dziesiątki tysięcy dodatkowych komponentów i ich różne warianty. Pomimo, że posiadanie wszystkich tych produktów w magazynie jest nieuzasadnione ze względu na ograniczony zbyt, wierzymy, że ich udostępnienie leży w najlepszym interesie naszych klientów. Naszym celem jest przekazanie klientom informacji na temat maksymalnej liczby dostępnych produktów i umożliwienie im podjęcia decyzji w oparciu o specyfikacje, ceny, dostępność, wymagane minima oraz nasze doradztwo techniczne. Należy pamiętać, że zaznaczenie pola wyboru „W magazynie” może ograniczyć wyświetlanie tylko do produktów dostępnych do dostawy wprost z półki.
PDF Obraz
Producent
Nazwa produktu
Zobacz produkt Nr producenta
Dostępna ilość
Napięcie UDS
Prąd ciągły ID przy Tc=25oC
Konfiguracja
Rds(on)
Prąd Id
Typ obudowy
-- Moduły SiC MOSFET firmy STARPOWER Starpower Moduły SiC MOSFET firmy STARPOWER ZOBACZ -- Na zamówienie -- -- -- -- -- --
picture_as_pdf MD25CLR120D6S MOSFET SiC Starpower MD25CLR120D6S MOSFET SiC ZOBACZ MD25CLR120D6S Na zamówienie 1200V -- chopper 100 mΩ 25 A D6.0
picture_as_pdf MD25CUR120D6S MOSFET SiC Starpower MD25CUR120D6S MOSFET SiC ZOBACZ MD25CUR120D6S Na zamówienie 1200V -- chopper 100 mΩ 25 A D6.0
picture_as_pdf MD50CUR120D6S MOSFET SiC Starpower MD50CUR120D6S MOSFET SiC ZOBACZ MD50CUR120D6S Na zamówienie 1200V -- chopper 50 mΩ 50 A D6.0
picture_as_pdf MD50FFR120C5S MOSFET SiC Starpower MD50FFR120C5S MOSFET SiC ZOBACZ MD50FFR120C5S Na zamówienie 1200V 73 A mostek trójfazowy 37.5 mΩ 50 A C5.0
picture_as_pdf MD350HFR120B3S MOSFET SiC Starpower MD350HFR120B3S MOSFET SiC ZOBACZ MD350HFR120B3S Na zamówienie 1200V 473 A półmostek 5.2 mΩ 350 A B3.0
picture_as_pdf MD300HFR120B3S MOSFET SiC Starpower MD300HFR120B3S MOSFET SiC ZOBACZ MD300HFR120B3S Na zamówienie 1200V 381 A półmostek 6.5 mΩ 300 A B3.0
picture_as_pdf MD300HFR120C2S MOSFET SiC Starpower MD300HFR120C2S MOSFET SiC ZOBACZ MD300HFR120C2S Na zamówienie 1200V 381 A półmostek 6.5 mΩ 300 A C2.0
picture_as_pdf MD400HFR120C2S MOSFET SiC Starpower MD400HFR120C2S MOSFET SiC ZOBACZ MD400HFR120C2S 1 1200V 542 A półmostek 4.4 mΩ 400 A C2.0
picture_as_pdf MD200HFR120C2S MOSFET SiC Starpower MD200HFR120C2S MOSFET SiC ZOBACZ MD200HFR120C2S Na zamówienie 1200V 299 A półmostek 8.7 mΩ 200 A C2.0
picture_as_pdf MD120HFR120C2S MOSFET SiC Starpower MD120HFR120C2S MOSFET SiC ZOBACZ MD120HFR120C2S Na zamówienie 1200V 200 A półmostek 13 mΩ 120 A C2.0
picture_as_pdf MD250HFR170C2S MOSFET SiC Starpower MD250HFR170C2S MOSFET SiC ZOBACZ MD250HFR170C2S Na zamówienie 1700V 340 A półmostek 10,4 mΩ 250 A C2.0
picture_as_pdf MD50CLR120D6S MOSFET SiC Starpower MD50CLR120D6S MOSFET SiC ZOBACZ MD50CLR120D6S Na zamówienie 1200V -- chopper 50 mΩ 50 A D6.0
Wyników na stronę:

Jesteśmy doświadczonym dostawcą niezbędnych artykułów dla kategorii tranzystory.

Tranzystory polowe - oferujemy dwa rodzaje tranzystorów polowych: tranzystory MOSFET i IGBT.

Tranzystory MOS-FET
Tranzystory MOS-FET dobrze współpracują przy połączeniach równoległych. Można je łączyć równolegle nawet do kilkudziesięciu sztuk. Łatwo się je steruje i nie wymagają korekty w rozpływie prądu obciążenia pomiędzy nimi.

Tranzystory IGBT
Tranzystory IGBT charakteryzują się niewielkim spadkiem napięcia przewodzenia (od 2,15÷5,2V) przy dużym prądzie (10÷3600A), zdolnością blokowania wysokich napięć (250÷6500V), napięciowym sterowaniem poprzez izolowaną bramkę oraz dużą szybkością przełączania. Produkowane są w postaci modułów standardowych, modułów wysokiej częstotliwości, modułów wysokonapięciowych oraz modułów inteligentnych i wysokonapięciowych modułów inteligentnych. Dodatkowo oferowane są wysokonapięciowe moduły diodowe do współpracy z tranzystorami IGBT.

Tranzystory IGBT wytwarzane w postaci modułów inteligentnych zawierają poza tranzystorami układy do ich sterowania oraz zabezpieczenia zwarciowe i przepięciowe.