Musisz być zalogowany/a
Tranzystory
Kategorie
- Tranzystory firmy GeneSiC
- Moduły SiC MOSFET firmy Mitsubishi
- Moduły SiC MOSFET firmy STARPOWER
- Moduły SiC MOSFET firmy ABB
- Moduły IGBT firmy MITSUBISHI
- Moduły tranzystorowe firmy MITSUBISHI
- Moduły MOSFET firmy MITSUBISHI
- Moduły tranzystorowe firmy ABB
- Moduły IGBT firmy POWEREX
- Moduły IGBT - firmy INFINEON (EUPEC)
- Elementy półprzewodnikowe z węglika krzemu
- Moduły tranzystorowe firmy Dynex
- Tranzystory MOSFET - firmy VISHAY (IR)
- Moduły SIC MOSFET - POWEREX
- Moduły IGBT - firmy Semikron
- Sterowniki tranzystorów MOSFET i IGBT firmy Semikron
- Moduły MOSFET firmy Microsemi
- Tranzystory IGBT firmy VISHAY (IR)
- Moduły IGBT firmy Starpower
- Tranzystory GaN firmy EPC
Obraz | Zobacz produkt | Nr producenta | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
picture_as_pdf |
![]() |
SEMIKRON | SK35DGDL12T7ETE2s Moduł IGBT | ZOBACZ | SK35DGDL12T7ETE2s | Na zamówienie | -- | -- | -- | -- | -- | Seven Pack | 1200 V | 35 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
picture_as_pdf |
![]() |
GeneSiC Semiconductor | Tranzystor SiC Mosfet G3F45MT06J | ZOBACZ | G3F45MT06J | Na zamówienie | TO-263-7 | -- | -- | -- | 56 A | -- | -- | -- | 39 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 650 V | 42 mΩ | 55 mΩ | -- | -- |
picture_as_pdf |
![]() |
EPC (Efficient Power Conversion) | EPC7007 Tranzystor | ZOBACZ | EPC7007 | Na zamówienie | -- | -- | -- | -- | -- | Single Rad Hard | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 25 | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 200 | 6 | 5-Apr | 1-May | 1 | 37 | 20 | 80 | LGA 3.6 x 1.6 | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
-- |
![]() |
GeneSiC Semiconductor | Tranzystor SiC Mosfet G3F20MT12K | ZOBACZ | G3F20MT12K | Na zamówienie | TO-247-4 | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 1200 V | 20 mΩ | -- | -- | -- |
picture_as_pdf |
![]() |
EPC (Efficient Power Conversion) | EPC7018 Tranzystor | ZOBACZ | EPC7018 | Na zamówienie | -- | -- | -- | -- | -- | Single Rad Hard | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 3-Sep | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 100 | 6 | 15-Feb | 4 | 2-Jun | 77 | 90 | 345 | LGA 6.05 x 2.3 | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
picture_as_pdf |
![]() |
SEMIKRON | SKM75GB17E4 Moduł IGBT | ZOBACZ | SKM75GB17E4 | Na zamówienie | -- | -- | -- | -- | -- | Half Bridge | 1700 V | 75 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
picture_as_pdf |
![]() |
ABB | IGBT firmy ABB | ZOBACZ | -- | Na zamówienie | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
picture_as_pdf |
![]() |
Mitsubishi | 5 generacja modułów IPM - seria L | ZOBACZ | -- | Na zamówienie | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
picture_as_pdf |
![]() |
SEMIKRON | Moduły MOSFET | ZOBACZ | -- | Na zamówienie | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
picture_as_pdf |
![]() |
EPC (Efficient Power Conversion) | EPC7014 Tranzystor | ZOBACZ | EPC7014 | Na zamówienie | -- | -- | -- | -- | -- | Single Rad Hard | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 340 | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 60 | 7 | 0.142 | 0.043 | 0.025 | 0.764 | 2-Apr | 4 | BGA 0.9 x 0.9 | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
-- |
![]() |
GeneSiC Semiconductor | Tranzystor SiC Mosfet G3F45MT06D | ZOBACZ | G3F45MT06D | Na zamówienie | TO-247-3 | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 650 V | 42 mΩ | -- | -- | -- |
-- |
![]() |
GeneSiC Semiconductor | Tranzystor SiC Mosfet G3F18MT12K | ZOBACZ | G3F18MT12K | Na zamówienie | TO-247-4 | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 1200 V | 18,5 mΩ | -- | -- | -- |
picture_as_pdf |
![]() |
EPC (Efficient Power Conversion) | EPC7003 Tranzystor | ZOBACZ | EPC7003 | Na zamówienie | -- | -- | -- | -- | -- | Single Rad Hard | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 30 | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 100 | 6 | 1-Aug | 0.6 | 0.3 | 9-Apr | 10 | 42 | LGA 1.7 x 1.1 | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
picture_as_pdf |
![]() |
SEMIKRON | SEMiX355MLI12M7 Moduł IGBT | ZOBACZ | SEMiX355MLI12M7 | Na zamówienie | -- | -- | -- | -- | -- | 3-level | 1200 V | 350 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
picture_as_pdf |
![]() |
SEMIKRON | SKiiP39MLIT12F4V1 Moduł IGBT | ZOBACZ | SKiiP39MLIT12F4V1 | Na zamówienie | -- | -- | -- | -- | -- | Customer Specific | 1200 V | 400 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
-- |
![]() |
POWEREX | Moduły IGBT - Firmy Powerex | ZOBACZ | -- | Na zamówienie | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
-- |
![]() |
Mitsubishi | Moduły CI/CIB | ZOBACZ | -- | Na zamówienie | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
picture_as_pdf |
![]() |
Mitsubishi | Elementy półprzewodnikowe z węglika krzemu | ZOBACZ | -- | Na zamówienie | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
picture_as_pdf |
![]() |
SEMIKRON | Moduły IPM - SKiiP2/3 | ZOBACZ | -- | Na zamówienie | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
picture_as_pdf |
![]() |
Mitsubishi | PMF75CGAL120 MOSFET SiC | ZOBACZ | PMF75CGAL120 | Na zamówienie | -- | -- | -- | -- | -- | 6in1 | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 75 V | -- | -- | -- | -- |
picture_as_pdf |
![]() |
Vishay | Tranzystory MOSFET - firmy VISHAY (IR) | ZOBACZ | -- | Na zamówienie | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
picture_as_pdf |
![]() |
GeneSiC Semiconductor | G3R12MT12K Tranzystor SiC MOSFET | ZOBACZ | G3R12MT12K | Na zamówienie | TO-247-4 | -- | -- | -- | 155 A | -- | -- | -- | 110 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 10 mΩ | 12 mΩ | 1200 V | -- | -- | -- | -- |
picture_as_pdf |
![]() |
GeneSiC Semiconductor | Tranzystor SiC Mosfet G3F33MT06K | ZOBACZ | G3F33MT06K | Na zamówienie | TO-247-4 | -- | -- | -- | 74 A | -- | -- | -- | 53 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 650 V | 28,5 mΩ | 38 mΩ | -- | -- |
picture_as_pdf |
![]() |
GeneSiC Semiconductor | Tranzystor SiC Mosfet G3F60MT06J | ZOBACZ | G3F60MT06J | Na zamówienie | TO-263-7 | -- | -- | -- | 44 A | -- | -- | -- | 31 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 650 V | 55 mΩ | 68 mΩ | -- | -- |
Tranzystory od sprawdzonego dostawcy
Dacpol jest doświadczonym dostawcą niezbędnych artykułów dla kategorii tranzystorów. Nasi klienci mogą polegać na jakości dostarczanych przez nas produktów i usług, niezależnie od tego czy kupują moduły MOSFET, diody prądu stałego czy elementy półprzewodnikowe z węglika krzemu.
Jesteśmy gotowi dostarczyć hurtową ilość szukanego przez Państwa produktu bez względu na to, czy zamawiają Państwo pojedyncze tranzystory, czy kupują je w ilościach hurtowych, oferujemy kompleksową dostawę wszystkich produktów.
Ze względu na najwyższą jakość obsługi oferujemy swoim klientom wyłącznie produkty od sprawdzonych dostawców i producentów. Nasza kadra inżynierów, na każdym etapie służy swoją wiedzą i doradztwem tak, aby móc zapewnić klientom informacje na temat konserwacji i użytkowania zakupionych produktów
Oferta Dacpol w zakresie produktów z grupy podzespoły elektroniczne, zasilanie i złącza jest znacznie większa i obejmuje różnego rodzaju artykuły elektryczne i przemysłowe z kategorii tranzystory. Na naszej stronie internetowej mogą zapoznać się Państwo z pełną ofertą towarów z grupy podzespoły elektroniczne, zasilanie i złącza.
Tranzystory polowe od DACPOL
Oferujemy dwa rodzaje tranzystorów polowych: tranzystory MOS-FET oraz IGBT.
Tranzystory MOS-FET
Tranzystory MOS-FET dobrze współpracują przy połączeniach równoległych. Można je łączyć równolegle nawet do kilkudziesięciu sztuk. Łatwo się je steruje i nie wymagają korekty w rozpływie prądu obciążenia pomiędzy nimi.
Dostępne są w przedziale prądowym od 1,1A do 250A i napięciami od 12V do 900V. Tranzystory MOS-FET wytwarzane są w następujących typach obudów: SO8, SOT223, D-Pak, D2-Pak, I-Pak, TO-262, TO-220, TO-247, SOT-227, HEXDIP.
Tranzystory IGBT
Tranzystory IGBT charakteryzują się niewielkim spadkiem napięcia przewodzenia (od 2,15÷5,2V) przy dużym prądzie (10÷3600A), zdolnością blokowania wysokich napięć (250÷6500V), napięciowym sterowaniem poprzez izolowaną bramkę oraz dużą szybkością przełączania. Produkowane są w postaci modułów standardowych, modułów wysokiej częstotliwości, modułów wysokonapięciowych oraz modułów inteligentnych i wysokonapięciowych modułów inteligentnych. Dodatkowo oferowane są wysokonapięciowe moduły diodowe do współpracy z tranzystorami IGBT.
Wysoka jakość oferowanych produktów
Dostępne są w obudowach elektroizolowanych jako pojedyncze tranzystory, moduły dwutranzystorowe (półmostki), moduły sześcioelementowe (pełny mostek), moduły siedmioelementowe (pełny mostek z tranzystorem). Typowe obudowy to: TO220, TO247, A1, NF1, NF2, NF3, NF4, NF5, NF6, U2, U3, U4, U5, U6, U7, U8, A1, A2, A3, A4, A5, H1, H2, H3, H4, H5, H6, H7, H8, H9, H10, H11, H12, H13, DM1, DM2, HV1, HV2, HV3, HV4, HV5, HV6, HV7, HV8, SD1, SD2, SD3, SD4.
Tranzystory IGBT wytwarzane w postaci modułów inteligentnych zawierają poza tranzystorami układy do ich sterowania oraz zabezpieczenia zwarciowe i przepięciowe.
Sprawdź również nasze produkty z kategorii mostki prostownicze!
Czym są tranzystory i jakie są ich podstawowe rodzaje?
Tranzystory to półprzewodnikowe, trójelektrodowe elementy elektroniczne, które mają za zadanie przede wszystkim wzmacnianie sygnału poprzez zwiększenie ich amplitudy. Dodatkowo mogą kontrolować przepływ prądu w obwodach elektrycznych – działać jak przełącznik. Wykonywane są z materiałów półprzewodnikowych, takich jak krzem czy german. Tranzystor po raz pierwszy został zbudowany w 1948 roku przez J. Bardeen oraz W.H. Brattain. Jego konstruktorzy wraz z W.B. Shockley – twórcą modelu bipolarnego otrzymali w 1956 roku za niego Nagrodę Nobla.
Półprzewodnikowe, trójelektrodowe elementy elektroniczne dzielą się na dwa główne rodzaje. Pierwsze z nich to tranzystory polowe, określane również jako unipolarne, które są sterowane napięciowo. Składają się z bramki, która po przyłożeniu do niej napięcia wytwarza pole elektromagnetyczne zmieniające opór między drenem a źródłem, czyli miejscem wyjścia sygnału.
Tranzystor bipolarny określany również jako złączowy to natomiast ich drugi rodzaj. Składa się z bazy, emitera oraz kolektora. Sterowany jest za pomocą prądu, który przepływa między emiterem a bazą. Tranzystory bipolarne dodatkowo dzielą się również na modele n-p-n oraz p-n-p.
Czym charakteryzuje się tranzystor polowy i gdzie najczęściej znajduje zastosowanie?
Tranzystor MOS-FET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor), zaliczany do modeli polowych, czterozaciskowych cechują się wysoką rezystencją wyjściową oraz bardzo szybkim czasem przełączania. Z tego względu znajdują one zastosowanie przede wszystkim w:
- zasilaczach impulsowych, w których zapewniają możliwość skutecznego i wydajnego zarządzania siecią,
- ładowarkach do pojazdów elektrycznych oraz hybrydowych,
- zasilaczach UPS,
- napędach silnikowych wykorzystywanych w motoryzacji i przemyśle,
- wzmacniaczach układów audio lub telekomunikacyjnych,
- układach scalonych, w szczególności bazujących na technologii CMOS (Complementary Metal-Oxide-Semiconductor), stosowanej obecnie w przeważającej części mikroprocesorów.
Dodatkowo należy zaznaczyć, że tranzystory polowe mogą być wykorzystywane zarówno w układach scalonych bazujących na sygnałach analogowych, jak i cyfrowych.
Czym są tranzystory IGBT i do czego są wykorzystywane?
Tranzystor IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) zaliczane do bramowych urządzeń izolowanych łączą cechy modeli bipolarnych oraz MOS-FET. Dzięki temu cechują się wysoką łatwością sterowania oraz przełączania. Tranzystor IGBT przystosowany jest do obsługiwania obciążeń o znaczącej mocy, wynoszącej nawet do kilkuset kW. Ma także zdolność do blokowania wysokich napięć dochodzących do 6 kV. Jednocześnie jego zastosowanie zapewnia niewielkie straty mocy. Z tego względu tego typu tranzystor może zostać wykorzystany w między innymi w:
- falownikach, w których będzie przekształcał napięcie stałe w zmienne na potrzeby systemów energetycznych,
- kuchenkach i ładowarkach indukcyjnych,
- zasilaczach awaryjnych,
- zasilaczach impulsowych,
- systemach napędowych stosowanych w przemyśle, takich jak silniki elektryczne.