Трябва да сте влезли в
-
-
-
Category
-
полупроводници
- Диоди
- Тиристори
-
Електрически изолирани модули
- Електроизолирани модули VISHAY (IR).
- Електроизолирани модули INFINEON (EUPEC).
- Електрически изолирани модули на Semikron
- Електроизолирани модули POWEREX
- Електроизолирани модули IXYS
- Електроизолирани модули от POSEICO
- Електрически изолираните модули на ABB
- Електроизолационни модули от TECHSEM
- Go to the subcategory
- Мостови токоизправители
-
Транзистори
- GeneSiC транзистори
- Mitsubishi SiC MOSFET модули
- STARPOWER SiC MOSFET модули
- ABB SiC MOSFET модули
- IGBT модули от MITSUBISHI
- Транзисторни модули MITSUBISHI
- MITSUBISHI MOSFET модули
- Транзисторни модули ABB
- IGBT модули от POWEREX
- IGBT модули - от INFINEON (EUPEC)
- Полупроводникови елементи от силициев карбид
- Go to the subcategory
- Шофьори
- Силови блокове
- Go to the subcategory
- Преобразуватели за ток и напрежение LEM
-
Пасивни компоненти (кондензатори, резистори, предпазители, филтри)
- Резистори
-
Предпазители
- Миниатюрни предпазители за електронни системи серия ABC и AGC
- Бързодействащи тръбни предпазители
- Забавени вложки с GL/GG и AM характеристики
- Изключително бързи предпазители
- Британски и американски стандартни бързодействащи предпазители
- Бързодействащи предпазители европейски стандарт
- Тягови предпазители
- Предпазители за високо напрежение
- Go to the subcategory
-
Кондензатори
- Кондензатори за двигатели
- Електролитни кондензатори
- Icel филмови кондензатори
- Силови кондензатори
- Кондензатори за постояннотокови вериги
- Кондензатори за компенсация на мощността
- Кондензатори за високо напрежение
- Кондензатори за индукционно нагряване
- Импулсни кондензатори
- DC LINK кондензатори
- Кондензатори за AC/DC вериги
- Go to the subcategory
- Филтри против смущения
- Суперкондензатори
-
Защита от пренапрежение
- Отводители за пренапрежение за радиочестотни приложения
- Отводители на пренапрежения за системи за зрение
- Отводители за пренапрежение в електропроводи
- LED предпазители от пренапрежение
- Отводители за фотоволтаици
- Отводители на пренапрежения за системи за претегляне
- Отводители за пренапрежение за fieldbus
- Go to the subcategory
- Разкриващи емисионни филтри TEMPEST
- Go to the subcategory
-
Релета и контактори
- Теория на релетата и контакторите
- AC 3-фазни твърдотелни релета
- DC твърдотелни релета
- Регулатори, системи за управление и аксесоари
- Мек старт и реверсивни контактори
- Електромеханични релета
- Контактори
- Ротационни превключватели
-
Еднофазни AC твърдотелни релета
- Еднофазни променливотокови полупроводникови релета Серия 1 | D2425 | D2450
- Еднофазни AC полупроводникови релета CWA и CWD серия
- Еднофазни AC полупроводникови релета серии CMRA и CMRD
- Еднофазни AC твърдотелни релета PS серия
- AC твърдотелни релета двойни и четворни серии D24 D, TD24 Q, H12D48 D
- Еднофазни полупроводникови релета от серия GN
- Еднофазни променливотокови твърдотелни релета серия CKR
- Монофазни AC релета за DIN шина ERDA и ERAA СЕРИЯ
- Монофазни AC релета за ток 150А
- Двойни твърдотелни релета, интегрирани с радиатор на DIN шина
- Go to the subcategory
- AC еднофазни печатни твърдотелни релета
- Интерфейсни релета
- Go to the subcategory
- Ядра и други индуктивни компоненти
- Радиатори, Варистори, Термична защита
- Фенове
- Климатик, Аксесоари за табла, Охладители
-
Батерии, зарядни устройства, буферни захранвания и преобразуватели
- Батерии, зарядни устройства - теоретично описание
- Литиево-йонни батерии. Персонализирани батерии. Система за управление на батерията (BMS)
- Батерии
- Зарядни за батерии и аксесоари
- UPS и буферни захранвания
- Конвертори и аксесоари за фотоволтаици
- Съхранение на енергия
- Водородни горивни клетки
- Литиево-йонни клетки
- Go to the subcategory
-
Автоматизация
- Подемници Spiralift
- Части за дронове Futaba
- Крайни изключватели, Микро ключове
- Сензори, Преобразуватели
- Пирометри
- Броячи, Релета за време, Панелни измервателни уреди
- Индустриална защитна екипировка
- Светлинни и звукови сигнали
- Термовизионна камера
- LED дисплеи
- Бутони и превключватели
- Go to the subcategory
-
Кабели, Litz проводници, Тръбопроводи, Гъвкави връзки
- Проводници
- Кабелни щуцери и ръкави
- лица
-
Кабели за специални приложения
- Удължителни и компенсаторни кабели
- Кабели за термодвойки
- Свързващи кабели за PT сензори
- Многожилни кабели темп. -60°C до +1400°C
- Кабели средно напрежение SILICOUL
- Кабели за запалване
- Нагревателни кабели
- Едножилни кабели темп. -60°C до +450°C
- Железопътни проводници
- Нагревателни кабели в Ex
- Кабели за отбранителната промишленост
- Go to the subcategory
- тениски
-
Плитки
- Плоски плитки
- Кръгли плитки
- Много гъвкави плитки - плоски
- Много гъвкави плитки - кръгли
- Цилиндрични медни оплетки
- Медни цилиндрични оплетки и капаци
- Гъвкави ленти за заземяване
- Цилиндрични оплетки от поцинкована и неръждаема стомана
- Медни оплетки с PVC изолация - температура до 85 градуса
- Плоски алуминиеви оплетки
- Комплект за свързване - оплетки и тръби
- Go to the subcategory
- Тягово оборудване
- Накрайници за кабели
- Изолирани гъвкави релси
- Многослойни гъвкави шини
- Системи за управление на кабели
- Go to the subcategory
- View all categories
-
полупроводници
-
-
Транзистори
Категории
- GeneSiC транзистори
- Mitsubishi SiC MOSFET модули
- STARPOWER SiC MOSFET модули
- ABB SiC MOSFET модули
- IGBT модули от MITSUBISHI
- Транзисторни модули MITSUBISHI
- MITSUBISHI MOSFET модули
- Транзисторни модули ABB
- IGBT модули от POWEREX
- IGBT модули - от INFINEON (EUPEC)
- Полупроводникови елементи от силициев карбид
- Транзисторни модули Dynex
- MOSFET транзистори - от VISHAY (IR)
- SIC MOSFET модули - POWEREX
- IGBT модули - на Semikron
- Semikron MOSFET и IGBT драйвери
- Microsemi MOSFET модули
- VISHAY IGBT транзистори (IR)
- IGBT модули Starpower
- EPC GaN транзистори
| Образ | Вижте продукта | Не. Производител | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| picture_as_pdf |
|
Vishay | Транзистори MOSFET - на фирма VISHAY (IR) | ВИЖ ГО | -- | On Order | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
| picture_as_pdf |
|
SEMIKRON | SKM500GB17E4 половин мост. | ВИЖ ГО | SKM500GB17E4 | On Order | -- | -- | -- | -- | -- | Half Bridge | 1700 V | 500 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
| picture_as_pdf |
|
GeneSiC Semiconductor | Tranzystor SiC Mosfet G3F40MT12J | ВИЖ ГО | G3F40MT12J | On Order | TO-263-7 | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 42 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 1200 V | -- | -- | -- | -- | ||
| picture_as_pdf |
|
GeneSiC Semiconductor | Tranzystor SiC Mosfet G3F45MT06K | ВИЖ ГО | G3F45MT06K | On Order | TO-247-4 | -- | -- | -- | 52 A | -- | -- | -- | 37 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 650 V | -- | -- | -- | ||
| -- |
|
GeneSiC Semiconductor | SiC транзистор G3F40MT12U | ВИЖ ГО | G3F40MT12U | On Order | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | |||||
| picture_as_pdf |
|
EPC (Efficient Power Conversion) | EPC7020 Транзистор | ВИЖ ГО | EPC7020 | On Order | -- | -- | -- | -- | -- | Single Rad Hard | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 11 | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 200 | 6 | 11-Jul | 3-May | 2-Feb | 76 | 39 | 170 | BGA 4.6 x 2.6 | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
| picture_as_pdf |
|
SEMIKRON | SKM75GB17E4H16 половин мост. | ВИЖ ГО | SKM75GB17E4H16 | On Order | -- | -- | -- | -- | -- | Half Bridge | 1700 V | 75 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
| -- |
|
Mitsubishi | Високоволтов интелигентен модул мощност | ВИЖ ГО | -- | On Order | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
| picture_as_pdf |
|
Mitsubishi | 4-то поколение модули IGBT TRENCH - серия F | ВИЖ ГО | -- | On Order | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
| picture_as_pdf |
|
Mitsubishi | PMF75CGAL120 MOSFET SIC. | ВИЖ ГО | PMF75CGAL120 | On Order | -- | -- | -- | -- | -- | 6in1 | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 75 V | -- | -- | -- | -- | -- |
| picture_as_pdf |
|
Mitsubishi | Cm300dx-24nfh mosfet sic | ВИЖ ГО | CMH300DX-24NFH | On Order | -- | -- | -- | -- | -- | 2in1 | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 300 V | -- | -- | -- | -- | -- |
| -- |
|
Mitsubishi | SIC MOSFET модули | ВИЖ ГО | -- | On Order | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
| picture_as_pdf |
|
SEMIKRON | SK 120 GAL 12F4 T единичен превключвател | ВИЖ ГО | SK120GAL12F4T | On Order | -- | -- | -- | -- | -- | Single Switch | 1200 V | 120 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
| picture_as_pdf |
|
SEMIKRON | SK50GD12T4ETE2 Шест пакет | ВИЖ ГО | SK50GD12T4ETE2 | On Order | -- | -- | -- | -- | -- | Six Pack | 1200 V | 50 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
| picture_as_pdf |
|
GeneSiC Semiconductor | G3R12MT12K MOSFET SiC | ВИЖ ГО | G3R12MT12K | On Order | TO-247-4 | -- | -- | -- | 155 A | -- | -- | -- | 110 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 12 mΩ | 1200 V | -- | -- | -- | -- | -- | |
| -- |
|
GeneSiC Semiconductor | SiC Mosfet G3F18MT12K транзистор | ВИЖ ГО | G3F18MT12K | On Order | TO-247-4 | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 1200 V | -- | -- | -- | -- | |
| picture_as_pdf |
|
GeneSiC Semiconductor | Tranzystor SiC Mosfet G3F45MT06J | ВИЖ ГО | G3F45MT06J | On Order | TO-263-7 | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 39 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 650 V | -- | -- | -- | |||
| -- |
|
GeneSiC Semiconductor | SiC транзистор G3F25MT12U | ВИЖ ГО | G3F25MT12U | On Order | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | |||||
| picture_as_pdf |
|
EPC (Efficient Power Conversion) | EPC23103 Транзистор | ВИЖ ГО | EPC23103 | On Order | -- | -- | -- | -- | -- | Half Bridge ePower Stage | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 7-Jun | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 100 | 6 | -- | -- | -- | 21, 22.95 | 25 | 109 | QFN 3.5 x 5 | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
| picture_as_pdf |
|
SEMIKRON | SKM75GB17E4 половин мост. | ВИЖ ГО | SKM75GB17E4 | On Order | -- | -- | -- | -- | -- | Half Bridge | 1700 V | 75 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
| picture_as_pdf |
|
POWEREX | DUAL HVIGBT QID3320004 модул | ВИЖ ГО | -- | On Order | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
| picture_as_pdf |
|
Mitsubishi | 3-то поколение модули DIP и MINI DIP IPM | ВИЖ ГО | -- | On Order | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
| picture_as_pdf |
|
Mitsubishi | Бързи IGBT модули - серия NFH | ВИЖ ГО | -- | On Order | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
| picture_as_pdf |
|
Mitsubishi | 6 генерация модули ipm FULL GATE -SERIA V1 | ВИЖ ГО | -- | On Order | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
Транзистори от надежден доставчик
Dacpol е опитен доставчик на необходими артикули за категория транзистори. Нашите клиенти могат да разчитат на качеството на доставяните от нас продукти и услуги, независимо дали купуват MOSFET модули, постояннотокови диоди или полупроводникови елементи от карбид на силиция.
Готови сме да доставим търсените от вас продукти на едро независимо дали поръчвате отделни транзистори или купувате на едро, предлагаме комплексна доставка на всички продукти.
Поради най-високото качество на обслужване предлагаме на клиентите си само продукти от доказани доставчици и производители. Нашият екип от инженери е винаги на разположение с знания и консултации на всеки етап, за да осигури информация относно поддръжката и използването на закупените продукти.
Офертата на Dacpol в областта на електронните компоненти, захранванията и конекторите е много по-широка и включва различни електрически и индустриални артикули от категорията транзистори. На нашия уебсайт можете да се запознаете с пълната ни гама от продукти в групата електронни компоненти, захранвания и конектори.
Полеви транзистори от DACPOL
Предлагаме два вида полеви транзистори: MOS-FET и IGBT.
MOS-FET транзистори
MOS-FET транзисторите работят добре в паралелни връзки. Те могат да се свържат паралелно дори в десетки бройки. Лесно се управляват и не изискват корекция на тока между тях.
Достъпни са с токови диапазони от 1,1A до 250A и напрежения от 12V до 900V. MOS-FET транзисторите се произвеждат в следните корпуси: SO8, SOT223, D-Pak, D2-Pak, I-Pak, TO-262, TO-220, TO-247, SOT-227, HEXDIP.
IGBT транзистори
IGBT транзисторите се отличават с ниско падане на напрежение при водене (от 2,15 до 5,2V) при високи токове (10-3600A), способност да блокират високи напрежения (250-6500V), управление чрез изолирана порта и висока скорост на превключване. Произвеждат се като стандартни модули, височестотни модули, високо напрежителни модули и интелигентни високо напрежителни модули. Освен това предлагаме високо напрежителни диодни модули за работа с IGBT транзистори.
Високо качество на предлаганите продукти
Достъпни са в електроизолирани корпуси като отделни транзистори, двутранзисторни модули (полумостове), шестелементни модули (пълен мост), седемелементни модули (пълен мост с транзистор). Типични корпуси са: TO220, TO247, A1, NF1, NF2, NF3, NF4, NF5, NF6, U2, U3, U4, U5, U6, U7, U8, A1, A2, A3, A4, A5, H1, H2, H3, H4, H5, H6, H7, H8, H9, H10, H11, H12, H13, DM1, DM2, HV1, HV2, HV3, HV4, HV5, HV6, HV7, HV8, SD1, SD2, SD3, SD4.
IGBT транзисторите, произведени като интелигентни модули, съдържат освен транзистори и схеми за управление и защита от късо съединение и пренапрежение.
Вижте също нашите продукти в категорията изправителни мостове!
Какво са транзисторите и какви са основните им видове?
Транзисторите са полупроводникови, триелектродни електронни елементи, които основно усилват сигнала чрез увеличаване на неговата амплитуда. Освен това могат да контролират протичането на ток в електрическите вериги – функционират като ключ. Изработени са от полупроводникови материали като силиций или германий. Първият транзистор е създаден през 1948 г. от Дж. Бардин и У. Братейн. Техните създатели заедно с У. Б. Шокли – създател на биполярния модел, получават Нобелова награда през 1956 г.
Полупроводниковите, триелектродни електронни елементи се делят на два основни вида. Първият вид са полевите транзистори, наричани още униполярни, които се управляват по напрежение. Те имат порта, към която се прилага напрежение, създаващо електромагнитно поле, променящо съпротивлението между дрен и източник – мястото на изхода на сигнала.
Биполярният транзистор, наричан още със съединение, е вторият вид. Състои се от база, емитер и колектор. Управлява се с ток, който тече между емитера и базата. Биполярните транзистори се делят и на модели n-p-n и p-n-p.
С какво се характеризира полевият транзистор и къде най-често се използва?
MOS-FET транзисторът (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor), който принадлежи към полевите модели с четири извода, се характеризира с високо изходно съпротивление и много бързо време за превключване. Поради това се използва главно в:
- импулсни захранвания, които осигуряват ефективно и надеждно управление на мрежата,
- зарядни устройства за електрически и хибридни превозни средства,
- UPS захранвания,
- задвижвания на мотори, използвани в автомобилната индустрия и промишлеността,
- аудио и телекомуникационни усилватели,
- интегрални схеми, особено базирани на CMOS технология (Complementary Metal-Oxide-Semiconductor), използвана в повечето съвременни микропроцесори.
Освен това полевите транзистори могат да се използват както в аналогови, така и в цифрови интегрални схеми.
Какво са IGBT транзисторите и за какво се използват?
IGBT транзисторът (Insulated Gate Bipolar Transistor), принадлежащ към изолирани гейтови устройства, комбинира черти на биполярните и MOS-FET моделите. Поради това той се отличава с лесно управление и бързо превключване. IGBT транзисторът е предназначен за работа с големи натоварвания с мощност до няколкостотин kW. Той има способност да блокира високи напрежения до 6 kV и едновременно с това осигурява ниски загуби на мощност. Поради това може да се използва, например, в:
- инвертори, които преобразуват постоянното напрежение в променливо за енергийни системи,
- индукционни котлони и зарядни устройства,
- аварийни захранвания,
- импулсни захранвания,
- задвижващи системи в промишлеността, като електрически мотори.
Подобни публикации
