Трябва да сте влезли в
-
-
-
Category
-
полупроводници
- Диоди
- Тиристори
-
Електрически изолирани модули
- Електроизолирани модули VISHAY (IR).
- Електроизолирани модули INFINEON (EUPEC).
- Електрически изолирани модули на Semikron
- Електроизолирани модули POWEREX
- Електроизолирани модули IXYS
- Електроизолирани модули от POSEICO
- Електрически изолираните модули на ABB
- Електроизолационни модули от TECHSEM
- Go to the subcategory
- Мостови токоизправители
-
Транзистори
- GeneSiC транзистори
- Mitsubishi SiC MOSFET модули
- STARPOWER SiC MOSFET модули
- ABB SiC MOSFET модули
- IGBT модули от MITSUBISHI
- Транзисторни модули MITSUBISHI
- MITSUBISHI MOSFET модули
- Транзисторни модули ABB
- IGBT модули от POWEREX
- IGBT модули - от INFINEON (EUPEC)
- Полупроводникови елементи от силициев карбид
- Go to the subcategory
- Шофьори
- Силови блокове
- Go to the subcategory
- Преобразуватели за ток и напрежение LEM
-
Пасивни компоненти (кондензатори, резистори, предпазители, филтри)
- Резистори
-
Предпазители
- Миниатюрни предпазители за електронни системи серия ABC и AGC
- Бързодействащи тръбни предпазители
- Забавени вложки с GL/GG и AM характеристики
- Изключително бързи предпазители
- Британски и американски стандартни бързодействащи предпазители
- Бързодействащи предпазители европейски стандарт
- Тягови предпазители
- Предпазители за високо напрежение
- Go to the subcategory
-
Кондензатори
- Кондензатори за двигатели
- Електролитни кондензатори
- Icel филмови кондензатори
- Силови кондензатори
- Кондензатори за постояннотокови вериги
- Кондензатори за компенсация на мощността
- Кондензатори за високо напрежение
- Кондензатори за индукционно нагряване
- Импулсни кондензатори
- DC LINK кондензатори
- Кондензатори за AC/DC вериги
- Go to the subcategory
- Филтри против смущения
- Суперкондензатори
- Защита от пренапрежение
- Разкриващи емисионни филтри TEMPEST
- Go to the subcategory
-
Релета и контактори
- Теория на релетата и контакторите
- AC 3-фазни твърдотелни релета
- DC твърдотелни релета
- Регулатори, системи за управление и аксесоари
- Мек старт и реверсивни контактори
- Електромеханични релета
- Контактори
- Ротационни превключватели
-
Еднофазни AC твърдотелни релета
- Еднофазни променливотокови полупроводникови релета Серия 1 | D2425 | D2450
- Еднофазни AC полупроводникови релета CWA и CWD серия
- Еднофазни AC полупроводникови релета серии CMRA и CMRD
- Еднофазни AC твърдотелни релета PS серия
- AC твърдотелни релета двойни и четворни серии D24 D, TD24 Q, H12D48 D
- Еднофазни полупроводникови релета от серия GN
- Еднофазни променливотокови твърдотелни релета серия CKR
- Монофазни AC релета за DIN шина ERDA и ERAA СЕРИЯ
- Монофазни AC релета за ток 150А
- Двойни твърдотелни релета, интегрирани с радиатор на DIN шина
- Go to the subcategory
- AC еднофазни печатни твърдотелни релета
- Интерфейсни релета
- Go to the subcategory
- Ядра и други индуктивни компоненти
- Радиатори, Варистори, Термична защита
- Фенове
- Климатик, Аксесоари за табла, Охладители
-
Батерии, зарядни устройства, буферни захранвания и преобразуватели
- Батерии, зарядни устройства - теоретично описание
- Литиево-йонни батерии. Персонализирани батерии. Система за управление на батерията (BMS)
- Батерии
- Зарядни за батерии и аксесоари
- UPS и буферни захранвания
- Конвертори и аксесоари за фотоволтаици
- Съхранение на енергия
- Водородни горивни клетки
- Литиево-йонни клетки
- Go to the subcategory
-
Автоматизация
- Подемници Spiralift
- Части за дронове Futaba
- Крайни изключватели, Микро ключове
- Сензори, Преобразуватели
- Пирометри
- Броячи, Релета за време, Панелни измервателни уреди
- Индустриална защитна екипировка
- Светлинни и звукови сигнали
- Термовизионна камера
- LED дисплеи
- Бутони и превключватели
- Go to the subcategory
-
Кабели, Litz проводници, Тръбопроводи, Гъвкави връзки
- Проводници
- Кабелни щуцери и ръкави
- лица
-
Кабели за специални приложения
- Удължителни и компенсаторни кабели
- Кабели за термодвойки
- Свързващи кабели за PT сензори
- Многожилни кабели темп. -60°C до +1400°C
- Кабели средно напрежение SILICOUL
- Кабели за запалване
- Нагревателни кабели
- Едножилни кабели темп. -60°C до +450°C
- Железопътни проводници
- Нагревателни кабели в Ex
- Кабели за отбранителната промишленост
- Go to the subcategory
- тениски
-
Плитки
- Плоски плитки
- Кръгли плитки
- Много гъвкави плитки - плоски
- Много гъвкави плитки - кръгли
- Цилиндрични медни оплетки
- Медни цилиндрични оплетки и капаци
- Гъвкави ленти за заземяване
- Цилиндрични оплетки от поцинкована и неръждаема стомана
- Медни оплетки с PVC изолация - температура до 85 градуса
- Плоски алуминиеви оплетки
- Комплект за свързване - оплетки и тръби
- Go to the subcategory
- Тягово оборудване
- Накрайници за кабели
- Изолирани гъвкави релси
- Многослойни гъвкави шини
- Системи за управление на кабели
- Go to the subcategory
- View all categories
-
полупроводници
-
-
Транзистори
Категории
- GeneSiC транзистори
- Mitsubishi SiC MOSFET модули
- STARPOWER SiC MOSFET модули
- ABB SiC MOSFET модули
- IGBT модули от MITSUBISHI
- Транзисторни модули MITSUBISHI
- MITSUBISHI MOSFET модули
- Транзисторни модули ABB
- IGBT модули от POWEREX
- IGBT модули - от INFINEON (EUPEC)
- Полупроводникови елементи от силициев карбид
- Транзисторни модули Dynex
- MOSFET транзистори - от VISHAY (IR)
- SIC MOSFET модули - POWEREX
- IGBT модули - на Semikron
- Semikron MOSFET и IGBT драйвери
- Microsemi MOSFET модули
- VISHAY IGBT транзистори (IR)
- IGBT модули Starpower
- EPC GaN транзистори
| Образ | Вижте продукта | Не. Производител | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| picture_as_pdf |
|
SEMIKRON | Sk30dgdl07e3ete1 седем опаковки | ВИЖ ГО | SK30DGDL07E3ETE1 | On Order | -- | -- | -- | -- | -- | Seven Pack | 650 V | 30 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
| -- |
|
GeneSiC Semiconductor | Tranzystor SiC Mosfet G3F20MT12K | ВИЖ ГО | G3F20MT12K | On Order | TO-247-4 | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 1200 V | -- | -- | -- | -- | |
| -- |
|
GeneSiC Semiconductor | SiC транзистор G2R50MS65-CAx | ВИЖ ГО | G2R50MS65-CAx | On Order | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | ||||
| picture_as_pdf |
|
GeneSiC Semiconductor | G3F09MT12FB2 Moduł Mosfet SiC | ВИЖ ГО | G3F09MT12FB2 | On Order | -- | -- | -- | -- | półmostek | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | ||||
| picture_as_pdf |
|
Mitsubishi | Високоволтови модулни диоди | ВИЖ ГО | -- | On Order | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
| picture_as_pdf |
|
SEMIKRON | Модули IPM - SKiiP2/3 | ВИЖ ГО | -- | On Order | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
| picture_as_pdf |
|
GeneSiC Semiconductor | G3R60MT07K MOSFET SIC. | ВИЖ ГО | G3R60MT07K | On Order | TO-247-4 | -- | -- | -- | 48 A | -- | -- | -- | 34 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | - | 60 mΩ | 750 V | -- | -- | -- | -- | -- |
| picture_as_pdf |
|
SEMIKRON | SK 30 DGDL 066 et IGBT модул | ВИЖ ГО | SK30DGDL066ET | On Order | -- | -- | -- | -- | -- | Seven Pack | 600 V | 30 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
| picture_as_pdf |
|
GeneSiC Semiconductor | SiC Mosfet G3F25MT12J транзистор | ВИЖ ГО | G3F25MT12J | On Order | TO-263-7 | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 1200 V | -- | -- | -- | -- | |||
| -- |
|
GeneSiC Semiconductor | SiC транзистор G2R50MT65-CAx | ВИЖ ГО | G2R50MT65-CAx | On Order | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | ||||
| picture_as_pdf |
|
GeneSiC Semiconductor | SiC Mosfet G3F135MT12J транзистор | ВИЖ ГО | G3F135MT12J | On Order | TO-263-7 | -- | -- | -- | 18 A | -- | -- | -- | 13 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 1200 V | -- | -- | -- | -- | |
| picture_as_pdf |
|
Mitsubishi | FMF800DC-66BEW MOSFET SiC | ВИЖ ГО | FMF800DC-66BEW | On Order | -- | -- | -- | -- | -- | 2in1 | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 3300 V | -- | -- | -- | -- | -- |
| -- |
|
Mitsubishi | CI / CIB модули | ВИЖ ГО | -- | On Order | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
| picture_as_pdf |
|
Mitsubishi | Хибридни контролери за IGBT модули | ВИЖ ГО | -- | On Order | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
| picture_as_pdf |
|
SEMIKRON | Модули IGBT - SEMITRANS | ВИЖ ГО | -- | On Order | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
| picture_as_pdf |
|
Starpower | GD600HFX65C6H IGBT. | ВИЖ ГО | GD600HFX65C6H | On Order | -- | C6.12 | -- | -- | -- | -- | 650 V | 600 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
| picture_as_pdf |
|
SEMIKRON | SKIM429GD17E4V5 Шест пакет | ВИЖ ГО | SKiM429GD17E4V5 | On Order | -- | -- | -- | -- | -- | Six Pack | 1700 V | 420 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
| picture_as_pdf |
|
GeneSiC Semiconductor | Tranzystor SiC Mosfet G3F20MT12J | ВИЖ ГО | G3F20MT12J | On Order | TO-263-7 | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 1200 V | -- | -- | -- | -- | |||
| -- |
|
GeneSiC Semiconductor | SiC транзистор G2R50MT33K | ВИЖ ГО | G2R50MT33K | On Order | TO-247-4 | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | ||||
| picture_as_pdf |
|
GeneSiC Semiconductor | SiC Mosfet G3F65MT12K транзистор | ВИЖ ГО | G3F65MT12K | On Order | TO-247-4 | -- | -- | -- | 35 A | -- | -- | -- | 25 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 1200 V | -- | -- | -- | -- | |
| -- |
|
Mitsubishi | Транзисторни модули | ВИЖ ГО | -- | On Order | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
| picture_as_pdf |
|
Mitsubishi | Wysokonapięciowe moduły IGBT | ВИЖ ГО | -- | On Order | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
| picture_as_pdf |
|
Infineon | Модули IGBT от серията EconoPACK+ | ВИЖ ГО | -- | On Order | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
| picture_as_pdf |
|
Starpower | GD225HFY120C6S IGBT. | ВИЖ ГО | GD225HFY120C6S | On Order | -- | C6.1 Black | -- | -- | -- | -- | 1200 V | 225 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
Транзистори от доверен доставчик
DACPOL е опитен доставчик на ключови продукти в категорията транзистори. Нашите клиенти могат да разчитат на качеството на продуктите и услугите, които предлагаме – независимо дали купуват MOSFET модули, диоди или полупроводникови елементи от силициев карбид.
Ние сме готови да доставим продукти независимо дали поръчвате транзистори поотделно или на едро – осигуряваме пълна наличност за всички видове продукти.
За да гарантираме най-високо ниво на обслужване, предлагаме само продукти от доверени доставчици и производители. Нашият инженерeн екип споделя своите знания и предлага консултации на всеки етап, предоставяйки информация за правилното използване на закупените продукти.
Офертата на DACPOL в областта на електронните компоненти, захранванията и конекторите е много по-широка и включва различни електрически и индустриални продукти в категорията транзистори. На нашия сайт можете да намерите пълната гама електронни компоненти, захранвания и конектори.
Транзистори – видове и приложения
Транзисторите NPN и PNP са основни електронни елементи, използвани при изграждането на електронни схеми като Arduino или Raspberry Pi. Тези дискретни полупроводници се състоят от три слоя полупроводников материал и три извода: емитер, база и колектор, които позволяват контрол на тока между колектора и емитера. При еднополярните транзистори, като MOSFET, управляващият ток протича през електрод, наречен „гейт“ (сток–сорс), което позволява точно усилване на електрическия сигнал.
Коефициентът на усилване на тока – тоест съотношението между тока на базата и този на колектора – е ключов за правилната поляризация и работа на електронните устройства. Благодарение на принципа си на действие, базиран на нисък управляващ ток, транзисторът може да превключва големи токове, което го прави полезен като стабилизатор, превключвател или усилвател. Открийте повече и изберете подходящ транзистор за вашия проект – разгледайте нашата оферта от електронни компоненти още днес!
Транзистори с полеви ефект от DACPOL
Предлагаме два вида транзистори: MOS-FET и IGBT.
MOS-FET транзистори
MOS-FET транзисторите работят отлично при паралелно свързване. Могат да бъдат свързвани по десетки в паралел. Те са лесни за управление и не изискват корекции за балансиране на тока.
Предлагат се за токове от 1,1A до 250A и напрежения от 12V до 900V. MOS-FET транзисторите се произвеждат в корпуси: SO8, SOT223, D-Pak, D2-Pak, I-Pak, TO-262, TO-220, TO-247, SOT-227, HEXDIP.
IGBT транзистори
IGBT транзисторите се отличават с нисък спад на напрежението (между 2,15÷5,2V) при високи токове (10÷3600A), способност да блокират високи напрежения (250÷6500V), управление чрез изолиран гейт и висока скорост на превключване. Предлагат се като стандартни модули, високочестотни модули, модули за високо напрежение, както и интелигентни модули и такива за високо напрежение. Освен това се предлагат модули с високоволтови диоди за съвместна работа с IGBT транзистори.
Високо качество на предлаганите продукти
Предлагат се в електроизолирани корпуси като единични транзистори, както и като половин мостове и пълни мостове. Типични корпуси: TO220, TO247, A1, NF1, NF2, NF3, NF4, NF5, NF6, U2, U3, U4, U5, U6, U7, U8, A1, A2, A3, A4, A5, H1, H2, H3, H4, H5, H6, H7, H8, H9, H10, H11, H12, H13, DM1, DM2, HV1, HV2, HV3, HV4, HV5, HV6, HV7, HV8, SD1, SD2, SD3, SD4.
IGBT транзисторите, произведени като интелигентни модули, включват не само транзистори, но и управляващи схеми и защити срещу късо съединение и пренапрежение.
Вижте също нашите продукти в категория токоизправителни мостове!
Какво представляват транзисторите и кои са основните им видове?
Транзисторите могат да управляват потока на електрически ток в схеми – като превключватели. Те се произвеждат от полупроводникови материали като силиций или силициев карбид. Първият транзистор е изграден през 1948 г. от Дж. Бардин и У. Братейн. Неговите създатели, заедно с У. Шокли – автор на биполярния модел – получават Нобеловата награда през 1956 г.
Полупроводниковите електронни устройства с три извода се делят на два основни типа. Първите са полевите транзистори, наричани и еднополярни, които се управляват чрез напрежение. Те имат гейт, който при подаване на напрежение създава електромагнитно поле, променящо съпротивлението между сток и сорс.
Биполярният транзистор, наричан още преходен, е вторият тип. Състои се от база, емитер и колектор. Управлява се чрез тока, протичащ между емитер и база. Биполярните транзистори се разделят допълнително на n-p-n и p-n-p модели.
Какви характеристики има полевият транзистор и къде се използва?
MOS-FET транзисторът (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor), включен в категорията на полевите транзистори с четири извода, се характеризира с високо изходно съпротивление и много кратко време на превключване. Затова се използва главно в:
- импулсни захранвания,
- зарядни устройства за електрически и хибридни автомобили,
- UPS системи,
- задвижващи системи за мотори в автомобилната и индустриалната сфера,
- усилватели за аудио или телекомуникационни вериги,
- интегрални схеми, особено базирани на CMOS технология, използвана в повечето микропроцесори.
Освен това трябва да се отбележи, че полевите транзистори могат да се използват както в аналогови, така и в цифрови интегрални схеми.
Какво представляват IGBT транзисторите и къде се използват?
IGBT транзисторът (Insulated Gate Bipolar Transistor), отнасящ се към категорията устройства с изолиран гейт, комбинира характеристиките на биполярните и MOS-FET транзисторите. По този начин има лесно управление и бързо превключване. IGBT е проектиран да работи с големи мощности – до стотици kW. Също така може да блокира високи напрежения до 6,5 kV. Използването му осигурява ниски загуби на енергия. Затова този тип транзистори се използват, наред с други, в:
- инвертори, които преобразуват постоянно напрежение в променливо за енергийни системи,
- индукционни котлони и зарядни устройства,
- непрекъсваеми захранвания (UPS),
- импулсни захранвания,
- задвижващи системи в индустрията, например електромотори.
Подобни публикации
