Транзистори

Tranzistori od pouzdanog dobavljača

DACPOL je iskusan dobavljač ključnih proizvoda u kategoriji tranzistora. Naši klijenti mogu računati na kvalitet naših proizvoda i usluga – bilo da se radi o MOSFET modulima, diodama ili poluprovodničkim elementima od...

Tranzistori od pouzdanog dobavljača

DACPOL je iskusan dobavljač ključnih proizvoda u kategoriji...

Опширније
Прикажи филтере
Сакриј филтереФилтрацијаПрикажи филтере X
Manufacturers
more... less
Тип кућишта
more... less
Тип кућишта
more... less
Rthjc
more... less
Alojamiento
more... less
Континуирана струјаИ Д при Тц = 25 о Ц
more... less
Конфигурација
more... less
Напетост VCES
more... less
Струја колектора IC
more... less
Континуирана струја И Д при Тц = 100 о Ц.
more... less
Континуирана струја И Ц при Тц = 25 о Ц
more... less
Континуирана струја И Ц при Тц = 100 о Ц
more... less
Снага
more... less
Напон В (РД) ДСС
more... less
Rds(on)
more... less
Тренутно д
more... less
UCE
more... less
UCC
more... less
IOUTpeak
more... less
fmax
more... less
dv/dt
more... less
IT(AV)
more... less
Напетост
more... less
Електрична енергија
more... less
Континуирана струја ID
more... less
Напетост URRM
more... less
VDSmax
more... less
VGSmax
more... less
QG typ (nC)
more... less
QGS typ (nC)
more... less
QGD typ (nC)
more... less
QOSS typ (nC)
more... less
ID (A)
more... less
Pulsed ID (A)
more... less
Package (mm)
more... less
RDS(ON) za VGS = 18 V
more... less
RDS(ON) za VGS = 15 V
more... less
Волтажа UDS
more... less
more... less
more... less
Filter
Информације close
Products that are marked "On Order" in the "Available Quantity" column are usually not in stock. Such products are available for purchase, however, due to their limited customer base, they usually have higher minimum quantities. DACPOL offers products that are not in stock for the following reasons: DACPOL currently has a large number of electronic components in stock and adds new products every day, however, tens of thousands of additional components and their various variants are available from our suppliers. Even though it is unreasonable to have all these products in stock due to the limited sales, we believe that it is in the best interest of our customers to make them available. Our goal is to inform customers about the maximum number of products available and enable them to make decisions based on specifications, prices, availability, required minimums and our technical advice. Please note that selecting the "In Stock" checkbox may limit the display to only products available for delivery straight from the shelf.
ПДФ Слика
Произвођач
Назив производа
Погледајте производ Не. Произвођач
Количина доступна
Тип кућишта
Тип кућишта
Rthjc
Alojamiento
Континуирана струјаИ Д при Тц = 25 о Ц
Конфигурација
Напетост VCES
Струја колектора IC
Континуирана струја И Д при Тц = 100 о Ц.
Континуирана струја И Ц при Тц = 25 о Ц
Континуирана струја И Ц при Тц = 100 о Ц
Снага
Напон В (РД) ДСС
Rds(on)
Тренутно д
IOUTpeak
dv/dt
IT(AV)
Напетост
Електрична енергија
Континуирана струја ID
Напетост URRM
VDSmax
VGSmax
QG typ (nC)
QGS typ (nC)
QGD typ (nC)
QOSS typ (nC)
ID (A)
Pulsed ID (A)
Package (mm)
RDS(ON) za VGS = 18 V
RDS(ON) za VGS = 15 V
Волтажа UDS
picture_as_pdf Скиип 11АЦ12Т7В1 Сик пацк SEMIKRON Скиип 11АЦ12Т7В1 Сик пацк ВИДИ ГА SKiiP11AC12T7V1 On Order -- -- -- -- -- Six Pack 1200 V 10:00 AM -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- --
picture_as_pdf СКМ600ГБ066Д Халф Бридге SEMIKRON СКМ600ГБ066Д Халф Бридге ВИДИ ГА SKM600GB066D On Order -- -- -- -- -- Half Bridge 600 V 600 A -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- --
-- СК225ГХ07Х5ТД1Е2 Х-МОСТ SEMIKRON СК225ГХ07Х5ТД1Е2 Х-МОСТ ВИДИ ГА SK225GH07H5TD1E2 On Order -- -- -- -- -- H-Bridge 650 V 225 A -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- --
picture_as_pdf Tranzystor SiC Mosfet G3F40MT12K GeneSiC Semiconductor Tranzystor SiC Mosfet G3F40MT12K ВИДИ ГА G3F40MT12K On Order TO-247-4 -- -- -- -- -- -- 39 A -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- 1200 V -- -- -- --
-- СиЦ транзистор Г2Р300МТ65-ЦАк GeneSiC Semiconductor СиЦ транзистор Г2Р300МТ65-ЦАк ВИДИ ГА G2R300MT65-CAx On Order -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- --
picture_as_pdf G3F17MT12FB2 Moduł Mosfet SiC GeneSiC Semiconductor G3F17MT12FB2 Moduł Mosfet SiC ВИДИ ГА G3F17MT12FB2 On Order -- -- -- -- półmostek -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- --
picture_as_pdf 1200V FMF600DXE-24BN Mitsubishi 1200V FMF600DXE-24BN ВИДИ ГА FMF600DXE-24BN On Order -- -- -- -- -- 2in1 -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- 1200 V -- -- -- -- --
picture_as_pdf СКМ200ГБ12Ф4 Пола моста SEMIKRON СКМ200ГБ12Ф4 Пола моста ВИДИ ГА SKM200GB12F4 On Order -- -- -- -- -- Half Bridge 1200 V 200 A -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- --
picture_as_pdf ИГБТ ИГБ ABB ИГБТ ИГБ ВИДИ ГА -- On Order -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- --
picture_as_pdf Novi mega POWER DUAL - IGBT moduli Mitsubishi Novi mega POWER DUAL - IGBT moduli ВИДИ ГА -- On Order -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- --
picture_as_pdf МОСФЕТ модули SEMIKRON МОСФЕТ модули ВИДИ ГА -- On Order -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- --
picture_as_pdf 5СФГ 0660Б07500Кс МОСФЕТ СИЦ ABB 5СФГ 0660Б07500Кс МОСФЕТ СИЦ ВИДИ ГА 5SFG 0660B07500x On Order -- b -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- 2.6 mΩ -- -- -- -- -- -- -- -- -- 2 x 660 A -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- 750 V -- -- -- -- --
-- 7. generacija modula IGBT Mitsubishi 7. generacija modula IGBT ВИДИ ГА -- On Order -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- --
picture_as_pdf СК30ДГДЛ07Е3ЕТЕ1 Севен Пацк SEMIKRON СК30ДГДЛ07Е3ЕТЕ1 Севен Пацк ВИДИ ГА SK30DGDL07E3ETE1 On Order -- -- -- -- -- Seven Pack 650 V 30 A -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- --
-- Tranzystor SiC Mosfet G3F20MT12K GeneSiC Semiconductor Tranzystor SiC Mosfet G3F20MT12K ВИДИ ГА G3F20MT12K On Order TO-247-4 -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- 1200 V -- -- -- --
-- СиЦ транзистор Г2Р50МС65-ЦАк GeneSiC Semiconductor СиЦ транзистор Г2Р50МС65-ЦАк ВИДИ ГА G2R50MS65-CAx On Order -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- --
picture_as_pdf G3F09MT12FB2 Moduł Mosfet SiC GeneSiC Semiconductor G3F09MT12FB2 Moduł Mosfet SiC ВИДИ ГА G3F09MT12FB2 On Order -- -- -- -- półmostek -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- --
picture_as_pdf Diodni moduli visokog napona Mitsubishi Visokonaponski moduli dioda ВИДИ ГА -- On Order -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- --
picture_as_pdf IMP moduli - SKiiP2/3 SEMIKRON IMP moduli - SKiiP2/3 ВИДИ ГА -- On Order -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- --
picture_as_pdf Г3Р60МТ07К МОСФЕТ СИЦ GeneSiC Semiconductor Г3Р60МТ07К МОСФЕТ СИЦ ВИДИ ГА G3R60MT07K On Order TO-247-4 -- -- -- 48 A -- -- -- 34 A -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- - 60 mΩ 750 V -- -- -- -- --
picture_as_pdf СК 30 ДГДЛ 066 ЕТ Севен Пацк SEMIKRON СК 30 ДГДЛ 066 ЕТ Севен Пацк ВИДИ ГА SK30DGDL066ET On Order -- -- -- -- -- Seven Pack 600 V 30 A -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- --
picture_as_pdf СиЦ Мосфет Г3Ф25МТ12Ј транзистор GeneSiC Semiconductor СиЦ Мосфет Г3Ф25МТ12Ј транзистор ВИДИ ГА G3F25MT12J On Order TO-263-7 -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- 1200 V -- -- -- --
-- СиЦ транзистор Г2Р50МТ65-ЦАк GeneSiC Semiconductor СиЦ транзистор Г2Р50МТ65-ЦАк ВИДИ ГА G2R50MT65-CAx On Order -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- --
picture_as_pdf СиЦ Мосфет Г3Ф135МТ12Ј транзистор GeneSiC Semiconductor СиЦ Мосфет Г3Ф135МТ12Ј транзистор ВИДИ ГА G3F135MT12J On Order TO-263-7 -- -- -- 18 A -- -- -- 13 A -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- 1200 V -- -- -- --
Резултати по страни:

Tranzistori od pouzdanog dobavljača

DACPOL je iskusan dobavljač ključnih proizvoda u kategoriji tranzistora. Naši klijenti mogu računati na kvalitet naših proizvoda i usluga – bilo da se radi o MOSFET modulima, diodama ili poluprovodničkim elementima od silicijum-karbida.

Spremni smo da isporučimo proizvode bez obzira da li naručujete pojedinačne tranzistore ili u velikim količinama – obezbeđujemo kompletnu dostupnost svih proizvoda.

Kako bismo obezbedili najviši nivo usluge, nudimo samo proizvode od proverenih dobavljača i proizvođača. Naš tim inženjera pruža svoja znanja i savete u svakoj fazi, uključujući informacije o pravilnoj primeni kupljenih proizvoda.

Ponuda DACPOL-a u oblasti elektronskih komponenti, napajanja i konektora je mnogo šira i uključuje različite električne i industrijske proizvode u kategoriji tranzistora. Puni asortiman elektronskih komponenti, napajanja i konektora možete pronaći na našoj web stranici.

Tranzistori – vrste i primena

NPN i PNP tranzistori su osnovne elektronske komponente koje se koriste u izradi kola kao što su Arduino ili Raspberry Pi. Ovi diskretni poluprovodnici se sastoje od tri sloja poluprovodničkog materijala i tri priključka – emiter, baza i kolektor – koji omogućavaju kontrolu protoka struje između kolektora i emitera. Kod unipolarnih tranzistora, npr. MOSFET-a, upravljačka struja prolazi kroz elektrodu nazvanu "gate" (drain–source), što omogućava precizno pojačavanje električnog signala.

Parametar pojačanja struje – odnosno odnos struje baze prema struji kolektora – ključan je za pravilnu polarizaciju i rad elektronskih uređaja. Zahvaljujući principu rada zasnovanom na maloj upravljačkoj struji, tranzistor može uključivati ili isključivati velike struje, što omogućava njegovu primenu kao stabilizatora, prekidača ili pojačavača. Otkrijte detalje i odaberite odgovarajući tranzistor za svoj projekat – proverite našu ponudu elektronskih komponenti već danas!

Poljski tranzistori kod DACPOL-a

Nudimo dve vrste tranzistora: MOS-FET i IGBT.

MOS-FET tranzistori

MOS-FET tranzistori dobro rade u paralelnim vezama. Mogu se paralelno povezati i desetine komada. Lako se upravljaju i ne zahtevaju korekcije u raspodeli struje.

Dostupni su za struje od 1,1A do 250A i napone od 12V do 900V. MOS-FET tranzistori se proizvode u kućištima: SO8, SOT223, D-Pak, D2-Pak, I-Pak, TO-262, TO-220, TO-247, SOT-227, HEXDIP.

IGBT tranzistori

IGBT tranzistori karakterišu se malim padom napona (2,15 ÷ 5,2V) pri velikim strujama (10 ÷ 3600A), sposobnošću blokiranja visokih napona (250 ÷ 6500V), upravljanjem putem izolovane gate elektrode i visokom brzinom prebacivanja. Proizvode se kao standardni moduli, visokofrekventni moduli, visokovoltni moduli, kao i inteligentni moduli. Takođe se nude visokovoltni diodni moduli za saradnju sa IGBT tranzistorima.

Visok kvalitet ponuđenih proizvoda

Dostupni su u elektroizolovanim kućištima kao pojedinačni tranzistori, kao i u polumostovima i punim mostovima. Tipična kućišta: TO220, TO247, A1, NF1, NF2, NF3, NF4, NF5, NF6, U2, U3, U4, U5, U6, U7, U8, A1, A2, A3, A4, A5, H1, H2, H3, H4, H5, H6, H7, H8, H9, H10, H11, H12, H13, DM1, DM2, HV1, HV2, HV3, HV4, HV5, HV6, HV7, HV8, SD1, SD2, SD3, SD4.

IGBT inteligentni moduli osim tranzistora, sadrže i upravljačke sklopove i zaštitu od kratkog spoja i prenapona.

Proverite takođe naše proizvode u kategoriji ispravljački mostovi!

Šta su tranzistori i koje su njihove osnovne vrste?

Tranzistori mogu kontrolisati protok struje u električnim kolima – funkcionišu kao prekidači. Izrađeni su od poluprovodničkih materijala, kao što su silicijum ili karbid silicijuma. Prvi tranzistor je izgrađen 1948. godine od strane J. Bardeena i W. Brattaina. Njegovi tvorci, zajedno sa W. Shockley-jem – autorom bipolarog modela – dobili su Nobelovu nagradu 1956. godine.

Ovi poluprovodnički troelektrodni elektronski elementi dele se na dve glavne vrste. Prva vrsta su poljski (unipolarni) tranzistori, koji se upravljaju naponom. Sastoje se od gate elektrode, koja pod naponom stvara elektromagnetno polje i menja otpor između drain-a i source-a.

Bipolarni tranzistor, takođe poznat kao spojni tranzistor, je druga vrsta. Sastoji se od baze, emitera i kolektora. Upravljanje se vrši strujom koja teče između emitera i baze. Bipolarni tranzistori se dalje dele na n-p-n i p-n-p modele.

Karakteristike i primena MOS-FET tranzistora

MOS-FET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor), poljski tranzistor sa četiri priključka, odlikuje se visokim izlaznim otporom i vrlo kratkim vremenom prebacivanja. Zbog toga se primenjuje pre svega u:

  • prekidačkim napajanjima,
  • punjačima za električna i hibridna vozila,
  • UPS sistemima,
  • pogonima motora u automobilskoj industriji i industriji uopšte,
  • audio i telekomunikacionim pojačavačima,
  • integrisanim kolima, posebno u CMOS tehnologiji, koja se koristi u većini mikroporcesora.

Takođe, poljski tranzistori mogu se koristiti kako u analognoj, tako i u digitalnoj tehnologiji integrisanih kola.

Karakteristike i primena IGBT tranzistora

IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor), pripada kategoriji uređaja sa izolovanom gate elektrodama, kombinuje karakteristike bipolarnih tranzistora i MOS-FET-a. Zahvaljujući tome, lako se kontroliše i brzo prebacuje. IGBT je prilagođen za rad sa opterećenjima velike snage – i do nekoliko stotina kW – i može blokirati visoka napona do 6,5 kV. Njegova primena omogućava male gubitke snage. Zbog toga se koristi, između ostalog, u:

  • inverterima koji pretvaraju jednosmernu struju u naizmeničnu za energetske sisteme,
  • indukcionim šporetima i punjačima,
  • UPS uređajima,
  • prekidačkim napajanjima,
  • industrijskim pogonskim sistemima, npr. za električne motore.