Морате бити пријављени да
-
-
-
Category
-
Полупроводници
- диоде
- Тиристори
-
Електро изоловани модули
- Електро изоловани модули | ВИСХАИ (ИР)
- Електро изоловани модули | ИНФИНЕОН (ЕУПЕЦ)
- Електро изоловани модули | Семикрон
- Електро изоловани модули | ПОВЕРЕКС
- Електро изоловани модули | ИКСИС
- Електро изоловани модули | ПОСЕИЦО
- Електро изоловани модули | АББ
- Електро изоловани модули | ТЕЦХСЕМ
- Go to the subcategory
- Мостовни исправљачи
-
Транзистори
- Транзистори | GeneSiC
- SiC MOSFET модули | Mitsubishi
- SiC MOSFET модули | STARPOWER
- АББ СиЦ МОСФЕТ модули
- IGBT модули | MITSUBISHI
- Транзисторски модули | MITSUBISHI
- MOSFET модули | MITSUBISHI
- Транзисторски модули | ABB
- ИГБТ модули | POWEREX
- ИГБТ модули | ИНФИНЕОН (ЕУПЕЦ)
- Silicijum-karbidni poluprovodnički elementi
- Go to the subcategory
- Гате Дриверс
- Блокови напајања
- Go to the subcategory
- Električni pretvarači
-
Пасивне компоненте (кондензатори, отпорници, осигурачи, филтери)
- Otpornici
-
Osigurači
- Minijaturni osigurači za elektronske sisteme serije ABC i AGC
- Cilindrični brzi osigurači
- Osigurači sa odloženim delovanjem GL/GG i AM karakteristika
- Ultra-brzi osigurači
- Brzi osigurači sa britanskim i američkim standardom
- Brzi osigurači sa evropskim standardom
- Vučni osigurači
- Visokonaponski osigurači
- Go to the subcategory
-
Kondenzatori
- Motorni kondenzatori
- Elektrolitski kondenzatori
- Kondenzatori - snubberi
- Energetski kondenzatori
- Kondenzatori za DC kola
- kondenzatori za kompenzaciju snage
- Visokonaponski kondenzatori
- Kondenzatori za indukciono grejanje
- Impulsni kondenzatori
- ДЦ ЛИНК кондензатори
- Кондензатори за АЦ/ДЦ кола
- Go to the subcategory
- EMI filtri
- Superkondenzatori
- Заштита од пренапона
- TEMPEST филтери за откривање емисије
- Go to the subcategory
-
Releji i kontaktori
- Теорија релеја и склопника
- Trofazni poluprovodnički releji
- Трофазни полупроводнички релеји наизменичне струје
- Регулатори, команде и додаци
- Sistemi za meki sart i reverziblni kontaktori
- Elektromehanički releji
- Kontaktori
- Rotacioni prekidači
-
Једнофазни полупроводнички релеји наизменичне струје
- Једнофазни релеји наизменичне струје, 1 серија | Д2425 | Д2450
- Jednofazni poluvodički izmjenični releji CWA i CWD serije
- Jednofazni poluvodički izmjenični releji CMRA i CMRD serije
- Jednofazni poluvodički izmjenični releji - serija PS
- Двоструки и четвороструки полупроводнички релеји наизменичне струје, серије Д24 Д, ТД24 К, Х12Д48 Д.
- Jednofazni poluvodički releji - gn serije
- Jednofazni kružni releji Ckr serije
- Jednofazni AC poluvodički releji za DIN sabirnice - ERDA I ERAA serija
- 150A AC jednofazni releji
- Čvrsti releji s ugrađenim hladnjakom na šini - ENDA, ERDA1 / ERAA1 series
- Go to the subcategory
- Monofazni poluprovodnički releji za štampane ploče
- Интерфејс релеји
- Go to the subcategory
- Indukcione komponenete
- Radijatori, Varistori, Termička zaštita
- Ventilatori
- Klimatizacija, Pribor za industrijska kućišta, Kuleri
-
Батерије, пуњачи, бафер напајања и претварачи
- Батерије, пуњачи - теоријски опис
- Litijum-jonske baterije. Nestandardne baterije. Sistem za upravljanje baterijom (BMS)
- Baterije
- Punjači i dodaci za baterije
- UPS i puferski izvori napajanja
- Pretvarači i dodaci- fotonaponski
- Складиште енергије
- Гориве ћелије
- Литијум-јонске батерије
- Go to the subcategory
- Automatika
-
Kablovi, Licnaste žice, Kablovski kanali, Fleksibilne veze
- жице
- лицнастим жице
- Каблови за специјалне намене
- схиртс
-
плетенице
- браидс флат
- плетенице коло
- Врло флексибилан плетеница - стан
- Врло флексибилан плетеница - коло
- Бакар плетена цилиндрични
- Бакра плетеница штит и цилиндрични
- Флексибилни уземљење траке
- Плетенице ЦИЛИНДРИЦАЛ поцинковани и нерђајућег челика
- ПВЦ изолацијом бакарне плетенице - Температура 85 ° Ц
- Стан плетени алуминијум
- Цоннецтион Кит - плетенице и цеви
- Go to the subcategory
- Прибор за вучу
- папучица
- Флексибилни исолатед сабирнице
- Вишеслојна флексибилан шина
- системи за управљање кабл
- Go to the subcategory
- View all categories
-
Полупроводници
-
-
Транзистори
Категорије
- Транзистори | GeneSiC
- SiC MOSFET модули | Mitsubishi
- SiC MOSFET модули | STARPOWER
- АББ СиЦ МОСФЕТ модули
- IGBT модули | MITSUBISHI
- Транзисторски модули | MITSUBISHI
- MOSFET модули | MITSUBISHI
- Транзисторски модули | ABB
- ИГБТ модули | POWEREX
- ИГБТ модули | ИНФИНЕОН (ЕУПЕЦ)
- Silicijum-karbidni poluprovodnički elementi
- Транзисторски модули | DYNEX
- MOSFET транзистори | VISHAY (IR)
- SiC MOSFET модули | POWEREX
- ИГБТ модули | Semikron
- МОСФЕТ и ИГБТ управљачки програми | Semikron
- МОСФЕТ модули | Мицросеми
- ИГБТ транзистори | VISHAY (IR)
- Старповер ИГБТ модули
- ЕПЦ ГАН ТРАНСИСТЕРОРС
| ПДФ | Слика | Погледајте производ | Не. Произвођач | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| picture_as_pdf |
|
GeneSiC Semiconductor | Tranzystor SiC Mosfet G3F60MT06K | ВИДИ ГА | G3F60MT06K | On Order | TO-247-4 | -- | -- | -- | 42 A | -- | -- | -- | 30 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 650 V | -- | -- | ||
| picture_as_pdf |
|
GeneSiC Semiconductor | G3F17MT12FB2 Moduł Mosfet SiC | ВИДИ ГА | G3F17MT12FB2 | On Order | -- | -- | -- | -- | półmostek | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | ||||
| picture_as_pdf |
|
GeneSiC Semiconductor | Tranzystor SiC Mosfet G3F75MT12J | ВИДИ ГА | G3F75MT12J | On Order | TO-263-7 | -- | -- | -- | 31 A | -- | -- | -- | 22 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 1200 V | -- | -- | -- | |
| picture_as_pdf |
|
POWEREX | Dupli IGBT HVIGBT Modul QID3320004 | ВИДИ ГА | -- | On Order | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
| picture_as_pdf |
|
Mitsubishi | 4 generacija modula IGBT TRENCH - serija F | ВИДИ ГА | -- | On Order | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
| picture_as_pdf |
|
Mitsubishi | 6. generacija ipm modula - FULL GATE V1 serija | ВИДИ ГА | -- | On Order | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
| picture_as_pdf |
|
Mitsubishi | ЦМХ600ДЦ-66Кс МОСФЕТ СИЦ | ВИДИ ГА | CMH600DC-66X | On Order | -- | -- | -- | -- | -- | 2in1 | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 600 V | -- | -- | -- | -- |
| picture_as_pdf |
|
SEMIKRON | Скиип 11АЦ12Т7В1 Сик пацк | ВИДИ ГА | SKiiP11AC12T7V1 | On Order | -- | -- | -- | -- | -- | Six Pack | 1200 V | 10:00 AM | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
| picture_as_pdf |
|
GeneSiC Semiconductor | G3F09MT12FB2 Moduł Mosfet SiC | ВИДИ ГА | G3F09MT12FB2 | On Order | -- | -- | -- | -- | półmostek | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | ||||
| picture_as_pdf |
|
GeneSiC Semiconductor | Tranzystor SiC Mosfet G3F40MT12K | ВИДИ ГА | G3F40MT12K | On Order | TO-247-4 | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 39 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 1200 V | -- | -- | -- | ||
| picture_as_pdf |
|
Mitsubishi | Visokonaponski moduli dioda | ВИДИ ГА | -- | On Order | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
| picture_as_pdf |
|
Mitsubishi | Brzi IGBT moduli - NFH serija | ВИДИ ГА | -- | On Order | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
| picture_as_pdf |
|
Mitsubishi | 5. generacija IPM modula - FULL GATE CSTBT serije (verzije L1 i S1) | ВИДИ ГА | -- | On Order | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
| picture_as_pdf |
|
Mitsubishi | ПСФ20Л91А6-А МОСФЕТ СИЦ | ВИДИ ГА | PSF20L91A6-A | On Order | -- | -- | -- | -- | -- | Two-phase interleaved | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 20Arms V | -- | -- | -- | -- |
| picture_as_pdf |
|
Mitsubishi | ФМФ750ДЦ-66А МОСФЕТ СИЦ | ВИДИ ГА | FMF750DC-66A | On Order | -- | -- | -- | -- | -- | 2in1 | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 750 V | -- | -- | -- | -- |
| picture_as_pdf |
|
SEMIKRON | СК10ДГДЛ12Т7ЕТЕ1С Севен Пацк | ВИДИ ГА | SK10DGDL12T7ETE1s | On Order | -- | -- | -- | -- | -- | Seven Pack | 1200 V | 10:00 AM | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
| picture_as_pdf |
|
SEMIKRON | СК50ДГДЛ12Т7ЕТЕ2С Севен Пацк | ВИДИ ГА | SK50DGDL12T7ETE2s | On Order | -- | -- | -- | -- | -- | Seven Pack | 1200 V | 50 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
| picture_as_pdf |
|
SEMIKRON | СК30ДГДЛ07Е3ЕТЕ1 Севен Пацк | ВИДИ ГА | SK30DGDL07E3ETE1 | On Order | -- | -- | -- | -- | -- | Seven Pack | 650 V | 30 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
| picture_as_pdf |
|
EPC (Efficient Power Conversion) | ЕПЦ2304 Транзистор | ВИДИ ГА | EPC2304 | On Order | -- | -- | -- | -- | -- | Single | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 5 | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 200 | 6 | 21 | 7-May | 2-Jun | 115 | 102 | 260 | QFN 3 x 5 | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
| picture_as_pdf |
|
GeneSiC Semiconductor | СиЦ Мосфет Г3Ф135МТ12Ј транзистор | ВИДИ ГА | G3F135MT12J | On Order | TO-263-7 | -- | -- | -- | 18 A | -- | -- | -- | 13 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 1200 V | -- | -- | -- | |
| picture_as_pdf |
|
GeneSiC Semiconductor | Tranzystor SiC Mosfet G3F40MT12J | ВИДИ ГА | G3F40MT12J | On Order | TO-263-7 | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 42 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 1200 V | -- | -- | -- | ||
| picture_as_pdf |
|
Mitsubishi | 4 generacija modula DIP IPM | ВИДИ ГА | -- | On Order | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
| picture_as_pdf |
|
Mitsubishi | Moduli IGBT - serija NFM | ВИДИ ГА | -- | On Order | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
| picture_as_pdf |
|
Mitsubishi | Novi mega POWER DUAL - IGBT moduli | ВИДИ ГА | -- | On Order | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
Tranzistori od pouzdanog dobavljača
Dacpol je iskusan dobavljač neophodnih artikala u kategoriji tranzistora. Naši klijenti mogu da se oslone na kvalitet proizvoda i usluga koje pružamo, bilo da kupuju MOSFET module, diode za jednosmernu struju ili poluprovodničke elemente od karbida silicijuma.
Spremni smo da isporučimo traženi proizvod u velikim količinama bez obzira na to da li naručujete pojedinačne tranzistore ili kupujete na veliko, nudimo kompletnu isporuku svih proizvoda.
Zbog najvišeg kvaliteta usluge, nudimo našim klijentima isključivo proizvode od proverenih dobavljača i proizvođača. Naš tim inženjera vam na svakom koraku pruža znanje i savetovanje kako bi vam obezbedili informacije o održavanju i korišćenju kupljenih proizvoda.
Ponuda Dacpol-a u segmentu elektronskih komponenti, napajanja i konektora je znatno šira i uključuje razne električne i industrijske artikle iz kategorije tranzistora. Na našem sajtu možete se upoznati sa kompletnom ponudom proizvoda iz ove grupe.
Polovni tranzistori od DACPOL-a
Nudimo dve vrste polovnih tranzistora: MOS-FET i IGBT.
MOS-FET tranzistori
MOS-FET tranzistori dobro funkcionišu u paralelnim vezama. Mogu se povezati paralelno i do nekoliko desetina komada. Lako se njima upravlja i nije potrebna korekcija u raspodeli struje između njih.
Dostupni su u opsegu struja od 1,1A do 250A i napona od 12V do 900V. MOS-FET tranzistori se proizvode u sledećim tipovima kućišta: SO8, SOT223, D-Pak, D2-Pak, I-Pak, TO-262, TO-220, TO-247, SOT-227, HEXDIP.
IGBT tranzistori
IGBT tranzistori karakterišu se niskim padom napona u provodnom režimu (od 2,15 do 5,2 V) pri velikim strujama (10 do 3600 A), sposobnošću blokiranja visokih napona (250 do 6500 V), upravljanjem putem izolovane kapije i velikom brzinom prekida. Proizvode se kao standardni moduli, moduli za visoke frekvencije, visokonaponski moduli i inteligentni visokonaponski moduli. Takođe, nudimo visokonaponske diodne module za rad sa IGBT tranzistorima.
Visok kvalitet ponuđenih proizvoda
Dostupni su u elektroizolovanim kućištima kao pojedinačni tranzistori, dvostruki tranzistorski moduli (polumoštovi), šestosmerni moduli (puni most), sedmosmerni moduli (puni most sa tranzistorom). Tipična kućišta su: TO220, TO247, A1, NF1, NF2, NF3, NF4, NF5, NF6, U2, U3, U4, U5, U6, U7, U8, A1, A2, A3, A4, A5, H1, H2, H3, H4, H5, H6, H7, H8, H9, H10, H11, H12, H13, DM1, DM2, HV1, HV2, HV3, HV4, HV5, HV6, HV7, HV8, SD1, SD2, SD3, SD4.
IGBT tranzistori proizvedeni kao inteligentni moduli sadrže pored tranzistora i kola za njihovo upravljanje i zaštitu od kratkog spoja i prenapona.
Pogledajte i naše proizvode iz kategorije ispravljačkih mostova!
Šta su tranzistori i koji su njihovi osnovni tipovi?
Tranzistori su poluprovodnički elektronski elementi sa tri elektrode, čija je osnovna funkcija pojačavanje signala povećanjem njegove amplitude. Takođe mogu kontrolisati protok struje u električnim kolima – funkcionišu kao prekidači. Prave se od poluprovodničkih materijala poput silicijuma ili germana. Prvi tranzistor je napravljen 1948. godine od strane J. Bardeena i W.H. Brattaina. Njegovi tvorci, zajedno sa W.B. Shockleyem, tvorcem bipolarnog modela, dobili su Nobelovu nagradu 1956. godine za ovaj izum.
Poluprovodnički elektronski elementi sa tri elektrode dele se na dve glavne vrste. Prvi su polovni tranzistori, poznati i kao unipolarni, kojima se upravlja naponom. Sastoje se od kapije, na koju se primenjuje napon koji stvara elektromagnetno polje i menja otpor između odvoda i izvora, mesta izlaza signala.
Bipolarni tranzistor, poznat i kao spojni tranzistor, je druga vrsta. Sastoji se od baze, emitera i kolektora. Njime se upravlja pomoću struje koja protiče između emitera i baze. Bipolarni tranzistori se dalje dele na n-p-n i p-n-p modele.
Po čemu se polovni tranzistor izdvaja i gde se najčešće koristi?
MOS-FET tranzistor (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor), svrstani među polovne tranzistore, ima četiri priključka i karakteriše ga visok izlazni otpor i veoma brzo prebacivanje. Zbog toga se koristi pre svega u:
- impulsnim napajanjima gde omogućava efikasno i produktivno upravljanje mrežom,
- punjačima za električna i hibridna vozila,
- UPS napajanjima,
- motorima za pogon koji se koriste u automobilskoj industriji i drugim industrijama,
- pojačivačima audio i telekomunikacionih sistema,
- integrisanim kolima, posebno onim baziranim na CMOS tehnologiji (Complementary Metal-Oxide-Semiconductor), koja se danas koristi u većini mikroprocesora.
Treba napomenuti da polovni tranzistori mogu biti korišćeni i u analognim i u digitalnim integrisanim kolima.
Šta su IGBT tranzistori i čemu služe?
IGBT tranzistor (Insulated Gate Bipolar Transistor), svrstani među izolovana kapijska kola, kombinuje osobine bipolarnog i MOS-FET tranzistora. Zbog toga se odlikuje jednostavnim upravljanjem i brzom promenom stanja. IGBT tranzistori mogu raditi sa opterećenjima visokih snaga, i do nekoliko stotina kW. Imaju sposobnost da blokiraju visoke napone do 6 kV, a pritom imaju male gubitke snage. Zato se koriste u:
- inverterima koji pretvaraju jednosmernu struju u naizmeničnu za potrebe energetskih sistema,
- indukcionim šporetima i punjačima,
- rezervnim napajanjima,
- impulsnim napajanjima,
- industrijskim pogonima kao što su električni motori.
Повезани постови
