Морате бити пријављени да
-
-
-
Category
-
Полупроводници
- диоде
- Тиристори
-
Електро изоловани модули
- Електро изоловани модули | ВИСХАИ (ИР)
- Електро изоловани модули | ИНФИНЕОН (ЕУПЕЦ)
- Електро изоловани модули | Семикрон
- Електро изоловани модули | ПОВЕРЕКС
- Електро изоловани модули | ИКСИС
- Електро изоловани модули | ПОСЕИЦО
- Електро изоловани модули | АББ
- Електро изоловани модули | ТЕЦХСЕМ
- Go to the subcategory
- Мостовни исправљачи
-
Транзистори
- Транзистори | GeneSiC
- SiC MOSFET модули | Mitsubishi
- SiC MOSFET модули | STARPOWER
- АББ СиЦ МОСФЕТ модули
- IGBT модули | MITSUBISHI
- Транзисторски модули | MITSUBISHI
- MOSFET модули | MITSUBISHI
- Транзисторски модули | ABB
- ИГБТ модули | POWEREX
- ИГБТ модули | ИНФИНЕОН (ЕУПЕЦ)
- Silicijum-karbidni poluprovodnički elementi
- Go to the subcategory
- Гате Дриверс
- Блокови напајања
- Go to the subcategory
- Električni pretvarači
-
Пасивне компоненте (кондензатори, отпорници, осигурачи, филтери)
- Otpornici
-
Osigurači
- Minijaturni osigurači za elektronske sisteme serije ABC i AGC
- Cilindrični brzi osigurači
- Osigurači sa odloženim delovanjem GL/GG i AM karakteristika
- Ultra-brzi osigurači
- Brzi osigurači sa britanskim i američkim standardom
- Brzi osigurači sa evropskim standardom
- Vučni osigurači
- Visokonaponski osigurači
- Go to the subcategory
-
Kondenzatori
- Motorni kondenzatori
- Elektrolitski kondenzatori
- Kondenzatori - snubberi
- Energetski kondenzatori
- Kondenzatori za DC kola
- kondenzatori za kompenzaciju snage
- Visokonaponski kondenzatori
- Kondenzatori za indukciono grejanje
- Impulsni kondenzatori
- ДЦ ЛИНК кондензатори
- Кондензатори за АЦ/ДЦ кола
- Go to the subcategory
- EMI filtri
- Superkondenzatori
- Заштита од пренапона
- TEMPEST филтери за откривање емисије
- Go to the subcategory
-
Releji i kontaktori
- Теорија релеја и склопника
- Trofazni poluprovodnički releji
- Трофазни полупроводнички релеји наизменичне струје
- Регулатори, команде и додаци
- Sistemi za meki sart i reverziblni kontaktori
- Elektromehanički releji
- Kontaktori
- Rotacioni prekidači
-
Једнофазни полупроводнички релеји наизменичне струје
- Једнофазни релеји наизменичне струје, 1 серија | Д2425 | Д2450
- Jednofazni poluvodički izmjenični releji CWA i CWD serije
- Jednofazni poluvodički izmjenični releji CMRA i CMRD serije
- Jednofazni poluvodički izmjenični releji - serija PS
- Двоструки и четвороструки полупроводнички релеји наизменичне струје, серије Д24 Д, ТД24 К, Х12Д48 Д.
- Jednofazni poluvodički releji - gn serije
- Jednofazni kružni releji Ckr serije
- Jednofazni AC poluvodički releji za DIN sabirnice - ERDA I ERAA serija
- 150A AC jednofazni releji
- Čvrsti releji s ugrađenim hladnjakom na šini - ENDA, ERDA1 / ERAA1 series
- Go to the subcategory
- Monofazni poluprovodnički releji za štampane ploče
- Интерфејс релеји
- Go to the subcategory
- Indukcione komponenete
- Radijatori, Varistori, Termička zaštita
- Ventilatori
- Klimatizacija, Pribor za industrijska kućišta, Kuleri
-
Батерије, пуњачи, бафер напајања и претварачи
- Батерије, пуњачи - теоријски опис
- Litijum-jonske baterije. Nestandardne baterije. Sistem za upravljanje baterijom (BMS)
- Baterije
- Punjači i dodaci za baterije
- UPS i puferski izvori napajanja
- Pretvarači i dodaci- fotonaponski
- Складиште енергије
- Гориве ћелије
- Литијум-јонске батерије
- Go to the subcategory
- Automatika
-
Kablovi, Licnaste žice, Kablovski kanali, Fleksibilne veze
- жице
- Кабловски уводи и спојнице
- лицнастим жице
- Каблови за специјалне намене
- схиртс
-
плетенице
- браидс флат
- плетенице коло
- Врло флексибилан плетеница - стан
- Врло флексибилан плетеница - коло
- Бакар плетена цилиндрични
- Бакра плетеница штит и цилиндрични
- Флексибилни уземљење траке
- Плетенице ЦИЛИНДРИЦАЛ поцинковани и нерђајућег челика
- ПВЦ изолацијом бакарне плетенице - Температура 85 ° Ц
- Стан плетени алуминијум
- Цоннецтион Кит - плетенице и цеви
- Go to the subcategory
- Прибор за вучу
- папучица
- Флексибилни исолатед сабирнице
- Вишеслојна флексибилан шина
- системи за управљање кабл
- Go to the subcategory
- View all categories
-
Полупроводници
-
-
Транзистори
Категорије
- Транзистори | GeneSiC
- SiC MOSFET модули | Mitsubishi
- SiC MOSFET модули | STARPOWER
- АББ СиЦ МОСФЕТ модули
- IGBT модули | MITSUBISHI
- Транзисторски модули | MITSUBISHI
- MOSFET модули | MITSUBISHI
- Транзисторски модули | ABB
- ИГБТ модули | POWEREX
- ИГБТ модули | ИНФИНЕОН (ЕУПЕЦ)
- Silicijum-karbidni poluprovodnički elementi
- Транзисторски модули | DYNEX
- MOSFET транзистори | VISHAY (IR)
- SiC MOSFET модули | POWEREX
- ИГБТ модули | Semikron
- МОСФЕТ и ИГБТ управљачки програми | Semikron
- МОСФЕТ модули | Мицросеми
- ИГБТ транзистори | VISHAY (IR)
- Старповер ИГБТ модули
- ЕПЦ ГАН ТРАНСИСТЕРОРС
| ПДФ | Слика | Погледајте производ | Не. Произвођач | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| picture_as_pdf |
|
SEMIKRON | СКМ600ГАР07Е3 Појединачни прекидач | ВИДИ ГА | SKM600GAR07E3 | On Order | -- | -- | -- | -- | -- | Single Switch | 650 V | 600 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
| picture_as_pdf |
|
SEMIKRON | СКМ400ГАР176Д Појединачни прекидач | ВИДИ ГА | SKM400GAR176D | On Order | -- | -- | -- | -- | -- | Single Switch | 1700 V | 300 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
| picture_as_pdf |
|
GeneSiC Semiconductor | СиЦ Мосфет Г3Ф60МТ06Л транзистор | ВИДИ ГА | G3F60MT06L | On Order | -- | -- | -- | 48 A | -- | -- | -- | 34 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 650 V | -- | -- | -- | |||
| picture_as_pdf |
|
GeneSiC Semiconductor | Tranzystor SiC Mosfet G3F33MT06K | ВИДИ ГА | G3F33MT06K | On Order | TO-247-4 | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 53 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 650 V | -- | -- | -- | |||
| picture_as_pdf |
|
GeneSiC Semiconductor | СиЦ Мосфет Г3Ф34МТ12К транзистор | ВИДИ ГА | G3F34MT12K | On Order | TO-247-4 | -- | -- | -- | 63 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 1200 V | -- | -- | -- | -- | ||
| picture_as_pdf |
|
EPC (Efficient Power Conversion) | ЕПЦ7007 Транзистор | ВИДИ ГА | EPC7007 | On Order | -- | -- | -- | -- | -- | Single Rad Hard | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 25 | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 200 | 6 | 5-Apr | 1-May | 1 | 37 | 20 | 80 | LGA 3.6 x 1.6 | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
| picture_as_pdf |
|
Mitsubishi | DIP-IPM 1200V | ВИДИ ГА | -- | On Order | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
| picture_as_pdf |
|
Mitsubishi | Полуводички елементи са силиконским карбидом | ВИДИ ГА | -- | On Order | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
| picture_as_pdf |
|
Mitsubishi | Псх30л92ц6-ин мосфет сиц | ВИДИ ГА | PSH30L92C6-W | On Order | -- | -- | -- | -- | -- | Three-phase interleaved | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 30Arms V | -- | -- | -- | -- | -- |
| picture_as_pdf |
|
Starpower | ГД15ПЈИ120Л2С ИГБТ | ВИДИ ГА | GD15PJY120L2S | On Order | -- | L2.2 | -- | -- | -- | -- | 1200 V | 15 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
| picture_as_pdf |
|
SEMIKRON | СКМ600ГАЛ07Е3 Појединачни прекидач | ВИДИ ГА | SKM600GAL07E3 | On Order | -- | -- | -- | -- | -- | Single Switch | 650 V | 600 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
| picture_as_pdf |
|
SEMIKRON | СК50ДГДЛ12Т7ЕТЕ2С Севен Пацк | ВИДИ ГА | SK50DGDL12T7ETE2s | On Order | -- | -- | -- | -- | -- | Seven Pack | 1200 V | 50 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
| picture_as_pdf |
|
SEMIKRON | СК20ГД07Е3ЕТЕ1 Сик пацк | ВИДИ ГА | SK20GD07E3ETE1 | On Order | -- | -- | -- | -- | -- | Six Pack | 650 V | 20 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
| picture_as_pdf |
|
GeneSiC Semiconductor | СиЦ Мосфет Г3Ф45МТ06Л транзистор | ВИДИ ГА | G3F45MT06L | On Order | -- | -- | -- | 61 A | -- | -- | -- | 43 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 650 V | -- | -- | -- | |||
| picture_as_pdf |
|
GeneSiC Semiconductor | Tranzystor SiC Mosfet G3F33MT06J | ВИДИ ГА | G3F33MT06J | On Order | TO-263-7 | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 650 V | -- | -- | -- | ||||
| -- |
|
GeneSiC Semiconductor | СиЦ транзистор Г3Ф33МТ06У | ВИДИ ГА | G3F33MT06U | On Order | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | |||||
| picture_as_pdf |
|
SEMIKRON | Семик355мли12м7 3-ниво | ВИДИ ГА | SEMiX355MLI12M7 | On Order | -- | -- | -- | -- | -- | 3-level | 1200 V | 350 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
| picture_as_pdf |
|
Mitsubishi | AS-IPM | ВИДИ ГА | -- | On Order | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
| picture_as_pdf |
|
Mitsubishi | 5. generacija IGBT modula - serija A | ВИДИ ГА | -- | On Order | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
| picture_as_pdf |
|
Infineon | Moduły IGBT dużej mocy | ВИДИ ГА | -- | On Order | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
| picture_as_pdf |
|
Mitsubishi | ПСФ25С92Ф6 МОСФЕТ СИЦ | ВИДИ ГА | PSF25S92F6 | On Order | -- | -- | -- | -- | -- | 6in1 | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 25 V | -- | -- | -- | -- | -- |
| picture_as_pdf |
|
GeneSiC Semiconductor | СиЦ Мосфет Г3Ф33МТ06Л транзистор | ВИДИ ГА | G3F33MT06L | On Order | -- | -- | -- | 90 A | -- | -- | -- | 64 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 650 V | -- | -- | -- | |||
| -- |
|
GeneSiC Semiconductor | СиЦ Мосфет Г3Ф25МТ12К транзистор | ВИДИ ГА | G3F25MT12K | On Order | TO-247-4 | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 1200 V | -- | -- | -- | -- | |
| -- |
|
GeneSiC Semiconductor | СиЦ транзистор Г3Ф25МТ06У | ВИДИ ГА | G3F25MT06U | On Order | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
Tranzistori od pouzdanog dobavljača
DACPOL je iskusan dobavljač ključnih proizvoda u kategoriji tranzistora. Naši klijenti mogu računati na kvalitet naših proizvoda i usluga – bilo da se radi o MOSFET modulima, diodama ili poluprovodničkim elementima od silicijum-karbida.
Spremni smo da isporučimo proizvode bez obzira da li naručujete pojedinačne tranzistore ili u velikim količinama – obezbeđujemo kompletnu dostupnost svih proizvoda.
Kako bismo obezbedili najviši nivo usluge, nudimo samo proizvode od proverenih dobavljača i proizvođača. Naš tim inženjera pruža svoja znanja i savete u svakoj fazi, uključujući informacije o pravilnoj primeni kupljenih proizvoda.
Ponuda DACPOL-a u oblasti elektronskih komponenti, napajanja i konektora je mnogo šira i uključuje različite električne i industrijske proizvode u kategoriji tranzistora. Puni asortiman elektronskih komponenti, napajanja i konektora možete pronaći na našoj web stranici.
Tranzistori – vrste i primena
NPN i PNP tranzistori su osnovne elektronske komponente koje se koriste u izradi kola kao što su Arduino ili Raspberry Pi. Ovi diskretni poluprovodnici se sastoje od tri sloja poluprovodničkog materijala i tri priključka – emiter, baza i kolektor – koji omogućavaju kontrolu protoka struje između kolektora i emitera. Kod unipolarnih tranzistora, npr. MOSFET-a, upravljačka struja prolazi kroz elektrodu nazvanu "gate" (drain–source), što omogućava precizno pojačavanje električnog signala.
Parametar pojačanja struje – odnosno odnos struje baze prema struji kolektora – ključan je za pravilnu polarizaciju i rad elektronskih uređaja. Zahvaljujući principu rada zasnovanom na maloj upravljačkoj struji, tranzistor može uključivati ili isključivati velike struje, što omogućava njegovu primenu kao stabilizatora, prekidača ili pojačavača. Otkrijte detalje i odaberite odgovarajući tranzistor za svoj projekat – proverite našu ponudu elektronskih komponenti već danas!
Poljski tranzistori kod DACPOL-a
Nudimo dve vrste tranzistora: MOS-FET i IGBT.
MOS-FET tranzistori
MOS-FET tranzistori dobro rade u paralelnim vezama. Mogu se paralelno povezati i desetine komada. Lako se upravljaju i ne zahtevaju korekcije u raspodeli struje.
Dostupni su za struje od 1,1A do 250A i napone od 12V do 900V. MOS-FET tranzistori se proizvode u kućištima: SO8, SOT223, D-Pak, D2-Pak, I-Pak, TO-262, TO-220, TO-247, SOT-227, HEXDIP.
IGBT tranzistori
IGBT tranzistori karakterišu se malim padom napona (2,15 ÷ 5,2V) pri velikim strujama (10 ÷ 3600A), sposobnošću blokiranja visokih napona (250 ÷ 6500V), upravljanjem putem izolovane gate elektrode i visokom brzinom prebacivanja. Proizvode se kao standardni moduli, visokofrekventni moduli, visokovoltni moduli, kao i inteligentni moduli. Takođe se nude visokovoltni diodni moduli za saradnju sa IGBT tranzistorima.
Visok kvalitet ponuđenih proizvoda
Dostupni su u elektroizolovanim kućištima kao pojedinačni tranzistori, kao i u polumostovima i punim mostovima. Tipična kućišta: TO220, TO247, A1, NF1, NF2, NF3, NF4, NF5, NF6, U2, U3, U4, U5, U6, U7, U8, A1, A2, A3, A4, A5, H1, H2, H3, H4, H5, H6, H7, H8, H9, H10, H11, H12, H13, DM1, DM2, HV1, HV2, HV3, HV4, HV5, HV6, HV7, HV8, SD1, SD2, SD3, SD4.
IGBT inteligentni moduli osim tranzistora, sadrže i upravljačke sklopove i zaštitu od kratkog spoja i prenapona.
Proverite takođe naše proizvode u kategoriji ispravljački mostovi!
Šta su tranzistori i koje su njihove osnovne vrste?
Tranzistori mogu kontrolisati protok struje u električnim kolima – funkcionišu kao prekidači. Izrađeni su od poluprovodničkih materijala, kao što su silicijum ili karbid silicijuma. Prvi tranzistor je izgrađen 1948. godine od strane J. Bardeena i W. Brattaina. Njegovi tvorci, zajedno sa W. Shockley-jem – autorom bipolarog modela – dobili su Nobelovu nagradu 1956. godine.
Ovi poluprovodnički troelektrodni elektronski elementi dele se na dve glavne vrste. Prva vrsta su poljski (unipolarni) tranzistori, koji se upravljaju naponom. Sastoje se od gate elektrode, koja pod naponom stvara elektromagnetno polje i menja otpor između drain-a i source-a.
Bipolarni tranzistor, takođe poznat kao spojni tranzistor, je druga vrsta. Sastoji se od baze, emitera i kolektora. Upravljanje se vrši strujom koja teče između emitera i baze. Bipolarni tranzistori se dalje dele na n-p-n i p-n-p modele.
Karakteristike i primena MOS-FET tranzistora
MOS-FET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor), poljski tranzistor sa četiri priključka, odlikuje se visokim izlaznim otporom i vrlo kratkim vremenom prebacivanja. Zbog toga se primenjuje pre svega u:
- prekidačkim napajanjima,
- punjačima za električna i hibridna vozila,
- UPS sistemima,
- pogonima motora u automobilskoj industriji i industriji uopšte,
- audio i telekomunikacionim pojačavačima,
- integrisanim kolima, posebno u CMOS tehnologiji, koja se koristi u većini mikroporcesora.
Takođe, poljski tranzistori mogu se koristiti kako u analognoj, tako i u digitalnoj tehnologiji integrisanih kola.
Karakteristike i primena IGBT tranzistora
IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor), pripada kategoriji uređaja sa izolovanom gate elektrodama, kombinuje karakteristike bipolarnih tranzistora i MOS-FET-a. Zahvaljujući tome, lako se kontroliše i brzo prebacuje. IGBT je prilagođen za rad sa opterećenjima velike snage – i do nekoliko stotina kW – i može blokirati visoka napona do 6,5 kV. Njegova primena omogućava male gubitke snage. Zbog toga se koristi, između ostalog, u:
- inverterima koji pretvaraju jednosmernu struju u naizmeničnu za energetske sisteme,
- indukcionim šporetima i punjačima,
- UPS uređajima,
- prekidačkim napajanjima,
- industrijskim pogonskim sistemima, npr. za električne motore.
Повезани постови
