shopping_cart
Колица
0,00 PLN
0
цлипбоард
Морате бити пријављени да
Транзистори | GeneSiC
Категорије
Информације
Products that are marked "On Order" in the "Available Quantity" column are usually not in stock. Such products are available for purchase, however, due to their limited customer base, they usually have higher minimum quantities. DACPOL offers products that are not in stock for the following reasons: DACPOL currently has a large number of electronic components in stock and adds new products every day, however, tens of thousands of additional components and their various variants are available from our suppliers. Even though it is unreasonable to have all these products in stock due to the limited sales, we believe that it is in the best interest of our customers to make them available. Our goal is to inform customers about the maximum number of products available and enable them to make decisions based on specifications, prices, availability, required minimums and our technical advice. Please note that selecting the "In Stock" checkbox may limit the display to only products available for delivery straight from the shelf.
| ПДФ | Слика | Погледајте производ | Не. Произвођач | |||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| -- |
|
GeneSiC Semiconductor | СиЦ транзистор Г2Р325МС65-ЦАк | ВИДИ ГА | G2R325MS65-CAx | On Order | Die | 15 | -- | -- | -- | -- | -- | Industrial | 325 | -- | -- | 6500 |
| picture_as_pdf |
|
GeneSiC Semiconductor | СиЦ Мосфет Г3Ф34МТ12К транзистор | ВИДИ ГА | G3F34MT12K | On Order | TO-247-4 | 63 A | -- | 45 A | -- | -- | 1200 V | -- | 34 mΩ | -- | -- | -- |
| picture_as_pdf |
|
GeneSiC Semiconductor | СиЦ Мосфет Г3Ф34МТ12Ј транзистор | ВИДИ ГА | G3F34MT12J | On Order | TO-263-7 | 68 A | -- | 48 A | -- | -- | 1200 V | -- | 34 mΩ | -- | -- | -- |
| picture_as_pdf |
|
GeneSiC Semiconductor | СиЦ Мосфет Г3Ф25МТ12Ј транзистор | ВИДИ ГА | G3F25MT12J | On Order | TO-263-7 | 87 A | -- | 61 A | -- | -- | 1200 V | -- | 25 mΩ | -- | -- | -- |
| -- |
|
GeneSiC Semiconductor | СиЦ Мосфет Г3Ф25МТ12К транзистор | ВИДИ ГА | G3F25MT12K | On Order | TO-247-4 | -- | -- | -- | -- | -- | 1200 V | -- | 25 mΩ | -- | -- | -- |
| -- |
|
GeneSiC Semiconductor | СиЦ Мосфет Г3Ф18МТ12К транзистор | ВИДИ ГА | G3F18MT12K | On Order | TO-247-4 | -- | -- | -- | -- | -- | 1200 V | -- | 18,5 mΩ | -- | -- | -- |
| picture_as_pdf |
|
GeneSiC Semiconductor | СиЦ Мосфет Г3Ф18МТ12Ј транзистор | ВИДИ ГА | G3F18MT12J | On Order | TO-263-7 | 122 A | -- | 86 A | -- | -- | 1200 V | -- | 18,5 mΩ | -- | -- | -- |
| picture_as_pdf |
|
GeneSiC Semiconductor | СиЦ Мосфет Г3Ф60МТ06Л транзистор | ВИДИ ГА | G3F60MT06L | On Order | TOLL | 48 A | -- | 34 A | -- | -- | 650 V | -- | 55 mΩ | 68 mΩ | -- | -- |
| picture_as_pdf |
|
GeneSiC Semiconductor | СиЦ Мосфет Г3Ф45МТ06Л транзистор | ВИДИ ГА | G3F45MT06L | On Order | TOLL | 61 A | -- | 43 A | -- | -- | 650 V | -- | 42 mΩ | 55 mΩ | -- | -- |
| picture_as_pdf |
|
GeneSiC Semiconductor | СиЦ Мосфет Г3Ф33МТ06Л транзистор | ВИДИ ГА | G3F33MT06L | On Order | TOLL | 90 A | -- | 64 A | -- | -- | 650 V | -- | 28,5 mΩ | 38 mΩ | -- | -- |
| picture_as_pdf |
|
GeneSiC Semiconductor | СиЦ Мосфет Г3Ф25МТ06Л транзистор | ВИДИ ГА | G3F25MT06L | On Order | TOLL | 125 A | -- | 88 A | -- | -- | 650 V | -- | 20,5 mΩ | 29 mΩ | -- | -- |
| picture_as_pdf |
|
GeneSiC Semiconductor | Tranzystor SiC Mosfet G3F75MT12K | ВИДИ ГА | G3F75MT12K | On Order | TO-247-4 | 30 A | -- | 21 A | -- | -- | 1200 V | -- | 75 mΩ | -- | -- | -- |
| picture_as_pdf |
|
GeneSiC Semiconductor | Tranzystor SiC Mosfet G3F75MT12J | ВИДИ ГА | G3F75MT12J | On Order | TO-263-7 | 31 A | -- | 22 A | -- | -- | 1200 V | -- | 75 mΩ | -- | -- | -- |
| picture_as_pdf |
|
GeneSiC Semiconductor | Tranzystor SiC Mosfet G3F40MT12K | ВИДИ ГА | G3F40MT12K | On Order | TO-247-4 | 55 A | -- | 39 A | -- | -- | 1200 V | -- | 40 mΩ | -- | -- | -- |
| picture_as_pdf |
|
GeneSiC Semiconductor | Tranzystor SiC Mosfet G3F40MT12J | ВИДИ ГА | G3F40MT12J | On Order | TO-263-7 | 59 A | -- | 42 A | -- | -- | 1200 V | -- | 40 mΩ | -- | -- | -- |
| -- |
|
GeneSiC Semiconductor | Tranzystor SiC Mosfet G3F20MT12K | ВИДИ ГА | G3F20MT12K | On Order | TO-247-4 | -- | -- | -- | -- | -- | 1200 V | -- | 20 mΩ | -- | -- | -- |
| picture_as_pdf |
|
GeneSiC Semiconductor | Tranzystor SiC Mosfet G3F20MT12J | ВИДИ ГА | G3F20MT12J | On Order | TO-263-7 | 108 A | -- | 76 A | -- | -- | 1200 V | -- | 20 mΩ | -- | -- | -- |
| picture_as_pdf |
|
GeneSiC Semiconductor | Tranzystor SiC Mosfet G3F60MT06K | ВИДИ ГА | G3F60MT06K | On Order | TO-247-4 | 42 A | -- | 30 A | -- | -- | 650 V | -- | 55 mΩ | 68 mΩ | -- | -- |
| picture_as_pdf |
|
GeneSiC Semiconductor | СиЦ Мосфет Г3Ф65МТ12Ј транзистор | ВИДИ ГА | G3F65MT12J | On Order | TO-263-7 | 37 A | -- | 26 A | -- | -- | 1200 V | -- | 65 mΩ | -- | -- | -- |
| picture_as_pdf |
|
GeneSiC Semiconductor | СиЦ Мосфет Г3Ф65МТ12К транзистор | ВИДИ ГА | G3F65MT12K | On Order | TO-247-4 | 35 A | -- | 25 A | -- | -- | 1200 V | -- | 65 mΩ | -- | -- | -- |
| picture_as_pdf |
|
GeneSiC Semiconductor | СиЦ Мосфет Г3Ф135МТ12Ј транзистор | ВИДИ ГА | G3F135MT12J | On Order | TO-263-7 | 18 A | -- | 13 A | -- | -- | 1200 V | -- | 135 mΩ | -- | -- | -- |
| -- |
|
GeneSiC Semiconductor | СиЦ транзистор Г2Р300МТ65-ЦАк | ВИДИ ГА | G2R300MT65-CAx | On Order | Die | 16 | -- | -- | -- | -- | -- | Industrial | 300 | -- | -- | 6500 |
| -- |
|
GeneSiC Semiconductor | СиЦ транзистор Г2Р50МС65-ЦАк | ВИДИ ГА | G2R50MS65-CAx | On Order | Die | -- | -- | -- | -- | -- | -- | Industrial | 50 | -- | -- | 6500 |
| -- |
|
GeneSiC Semiconductor | СиЦ транзистор Г2Р50МТ65-ЦАк | ВИДИ ГА | G2R50MT65-CAx | On Order | Die | -- | -- | -- | -- | -- | -- | Industrial | 50 | -- | -- | 6500 |
Резултати по страни:
SiC MOSFET tranzistori kompanije GeneSiC pružaju izvrsnu provodljivost i performanse preklapanja u poređenju sa silicijumom (Si) zahvaljujući svojim karakteristikama „široke zabranjene zone“ i visoke jačine električnog polja.
Patentirana tehnologija Trench-Assisted Planar kompanije GeneSiC nudi najniži RDS(ON) na visokim temperaturama i najniže energetske gubitke pri velikim brzinama. To omogućava postizanje neviđenog, vodećeg nivoa performansi, robusnosti i kvaliteta u industriji.
Pozivamo vas da istražite najširi asortiman SiC MOSFET tranzistora od 650 V do 6,5 kV.