shopping_cart
Coș
0,00 PLN
0
Clipboard
trebuie să fii logat
tranzistoare GeneSiC
Categorii
informație
Produsele marcate „La comandă” în coloana „Cantitate disponibilă” nu sunt de obicei în stoc. Astfel de produse sunt disponibile pentru cumpărare, totuși, datorită bazei limitate de clienți, de obicei au cantități minime mai mari. DACPOL oferă produse care nu sunt în stoc din următoarele motive: DACPOL are în prezent un număr mare de componente electronice în stoc și adaugă produse noi în fiecare zi, cu toate acestea, zeci de mii de componente suplimentare și diferitele variante ale acestora sunt disponibile de la furnizorii noștri. Chiar dacă este nerezonabil să aveți toate aceste produse în stoc din cauza vânzărilor limitate, credem că este în interesul clienților noștri să le punem la dispoziție. Scopul nostru este de a informa clienții cu privire la numărul maxim de produse disponibile și de a le permite să ia decizii pe baza specificațiilor, prețurilor, disponibilității, minimelor necesare și sfaturilor noastre tehnice. Vă rugăm să rețineți că bifarea casetei de selectare „În stoc” poate limita afișarea la numai produsele disponibile pentru livrare direct de pe raft.
| Imagina | Vizualizați produsul | Producător nr. | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| -- |
|
GeneSiC Semiconductor | Tranzistor SiC G2R325MS65-CAx | VEZI-L | G2R325MS65-CAx | La comandă | Die | 15 | -- | -- | -- | -- | -- | Industrial | 325 | -- | -- | 6500 |
| picture_as_pdf |
|
GeneSiC Semiconductor | Tranzistor SiC Mosfet G3F34MT12K | VEZI-L | G3F34MT12K | La comandă | TO-247-4 | 63 A | -- | 45 A | -- | -- | 1200 V | -- | 34 mΩ | -- | -- | -- |
| picture_as_pdf |
|
GeneSiC Semiconductor | Tranzistor SiC Mosfet G3F34MT12J | VEZI-L | G3F34MT12J | La comandă | TO-263-7 | 68 A | -- | 48 A | -- | -- | 1200 V | -- | 34 mΩ | -- | -- | -- |
| picture_as_pdf |
|
GeneSiC Semiconductor | Tranzistor SiC Mosfet G3F25MT12J | VEZI-L | G3F25MT12J | La comandă | TO-263-7 | 87 A | -- | 61 A | -- | -- | 1200 V | -- | 25 mΩ | -- | -- | -- |
| -- |
|
GeneSiC Semiconductor | Tranzistor SiC Mosfet G3F25MT12K | VEZI-L | G3F25MT12K | La comandă | TO-247-4 | -- | -- | -- | -- | -- | 1200 V | -- | 25 mΩ | -- | -- | -- |
| -- |
|
GeneSiC Semiconductor | Tranzistor SiC Mosfet G3F18MT12K | VEZI-L | G3F18MT12K | La comandă | TO-247-4 | -- | -- | -- | -- | -- | 1200 V | -- | 18,5 mΩ | -- | -- | -- |
| picture_as_pdf |
|
GeneSiC Semiconductor | Tranzistor SiC Mosfet G3F18MT12J | VEZI-L | G3F18MT12J | La comandă | TO-263-7 | 122 A | -- | 86 A | -- | -- | 1200 V | -- | 18,5 mΩ | -- | -- | -- |
| picture_as_pdf |
|
GeneSiC Semiconductor | Tranzistor SiC Mosfet G3F60MT06L | VEZI-L | G3F60MT06L | La comandă | TOLL | 48 A | -- | 34 A | -- | -- | 650 V | -- | 55 mΩ | 68 mΩ | -- | -- |
| picture_as_pdf |
|
GeneSiC Semiconductor | Tranzistor SiC Mosfet G3F45MT06L | VEZI-L | G3F45MT06L | La comandă | TOLL | 61 A | -- | 43 A | -- | -- | 650 V | -- | 42 mΩ | 55 mΩ | -- | -- |
| picture_as_pdf |
|
GeneSiC Semiconductor | Tranzistor SiC Mosfet G3F33MT06L | VEZI-L | G3F33MT06L | La comandă | TOLL | 90 A | -- | 64 A | -- | -- | 650 V | -- | 28,5 mΩ | 38 mΩ | -- | -- |
| picture_as_pdf |
|
GeneSiC Semiconductor | Tranzistor SiC Mosfet G3F25MT06L | VEZI-L | G3F25MT06L | La comandă | TOLL | 125 A | -- | 88 A | -- | -- | 650 V | -- | 20,5 mΩ | 29 mΩ | -- | -- |
| picture_as_pdf |
|
GeneSiC Semiconductor | Tranzystor SiC Mosfet G3F75MT12K | VEZI-L | G3F75MT12K | La comandă | TO-247-4 | 30 A | -- | 21 A | -- | -- | 1200 V | -- | 75 mΩ | -- | -- | -- |
| picture_as_pdf |
|
GeneSiC Semiconductor | Tranzystor SiC Mosfet G3F75MT12J | VEZI-L | G3F75MT12J | La comandă | TO-263-7 | 31 A | -- | 22 A | -- | -- | 1200 V | -- | 75 mΩ | -- | -- | -- |
| picture_as_pdf |
|
GeneSiC Semiconductor | Tranzystor SiC Mosfet G3F40MT12K | VEZI-L | G3F40MT12K | La comandă | TO-247-4 | 55 A | -- | 39 A | -- | -- | 1200 V | -- | 40 mΩ | -- | -- | -- |
| picture_as_pdf |
|
GeneSiC Semiconductor | Tranzystor SiC Mosfet G3F40MT12J | VEZI-L | G3F40MT12J | La comandă | TO-263-7 | 59 A | -- | 42 A | -- | -- | 1200 V | -- | 40 mΩ | -- | -- | -- |
| -- |
|
GeneSiC Semiconductor | Tranzystor SiC Mosfet G3F20MT12K | VEZI-L | G3F20MT12K | La comandă | TO-247-4 | -- | -- | -- | -- | -- | 1200 V | -- | 20 mΩ | -- | -- | -- |
| picture_as_pdf |
|
GeneSiC Semiconductor | Tranzystor SiC Mosfet G3F20MT12J | VEZI-L | G3F20MT12J | La comandă | TO-263-7 | 108 A | -- | 76 A | -- | -- | 1200 V | -- | 20 mΩ | -- | -- | -- |
| picture_as_pdf |
|
GeneSiC Semiconductor | Tranzystor SiC Mosfet G3F60MT06K | VEZI-L | G3F60MT06K | La comandă | TO-247-4 | 42 A | -- | 30 A | -- | -- | 650 V | -- | 55 mΩ | 68 mΩ | -- | -- |
| picture_as_pdf |
|
GeneSiC Semiconductor | Tranzistor SiC Mosfet G3F65MT12J | VEZI-L | G3F65MT12J | La comandă | TO-263-7 | 37 A | -- | 26 A | -- | -- | 1200 V | -- | 65 mΩ | -- | -- | -- |
| picture_as_pdf |
|
GeneSiC Semiconductor | Tranzistor SiC Mosfet G3F65MT12K | VEZI-L | G3F65MT12K | La comandă | TO-247-4 | 35 A | -- | 25 A | -- | -- | 1200 V | -- | 65 mΩ | -- | -- | -- |
| picture_as_pdf |
|
GeneSiC Semiconductor | Tranzistor SiC Mosfet G3F135MT12J | VEZI-L | G3F135MT12J | La comandă | TO-263-7 | 18 A | -- | 13 A | -- | -- | 1200 V | -- | 135 mΩ | -- | -- | -- |
| -- |
|
GeneSiC Semiconductor | Tranzistor SiC G2R300MT65-CAx | VEZI-L | G2R300MT65-CAx | La comandă | Die | 16 | -- | -- | -- | -- | -- | Industrial | 300 | -- | -- | 6500 |
| -- |
|
GeneSiC Semiconductor | Tranzistor SiC G2R50MS65-CAx | VEZI-L | G2R50MS65-CAx | La comandă | Die | -- | -- | -- | -- | -- | -- | Industrial | 50 | -- | -- | 6500 |
| -- |
|
GeneSiC Semiconductor | Tranzistor SiC G2R50MT65-CAx | VEZI-L | G2R50MT65-CAx | La comandă | Die | -- | -- | -- | -- | -- | -- | Industrial | 50 | -- | -- | 6500 |
Rezultate pe pagina:
Tranzistoarele MOSFET SiC de la GeneSiC oferă performanțe excelente de conducere și comutare în comparație cu siliciul (Si) datorită caracteristicilor lor de „bandă interzisă largă” și a înaltei intensități a câmpului electric.
Tehnologia patentată Trench-Assisted Planar de la GeneSiC oferă cel mai scăzut coeficient RDS(ON) la temperaturi ridicate și cele mai mici pierderi de energie la viteze mari. Acest lucru permite atingerea unor niveluri de performanță, robustețe și calitate fără precedent, lider în industrie.
Vă invităm să explorați cea mai largă gamă de tranzistoare MOSFET SiC de la 650 V la 6,5 kV.