shopping_cart
Мапа
0,00 PLN
0
Буфер обміну
Ви повинні увійти в систему
Категорії
Інформація
Продуктів, позначених як "На замовлення" у стовпці "Доступна кількість", як правило, немає на складі. Такі товари можна придбати, однак через обмежену базу споживачів вони, як правило, мають вищі мінімальні кількості. DACPOL пропонує товари, яких немає на складі з наступних причин: DACPOL в даний час має на складі велику кількість електронних компонентів і додає нові продукти щодня, але наші постачальники мають десятки тисяч додаткових компонентів та їх різноманітних варіантів. Незважаючи на те, що нерозумно мати всі ці товари на складі через обмежені продажі, ми вважаємо, що в інтересах наших клієнтів є їх надання. Наша мета - поінформувати клієнтів про максимальну кількість доступних продуктів та дати їм можливість прийняти рішення на основі специфікацій, цін, наявності, необхідних мінімумів та наших технічних консультацій. Зверніть увагу, що встановивши прапорець "На складі", дисплей може обмежуватися лише товарами, доступними для доставки безпосередньо з полиці.
Зображення | Переглянути товар | Нумер виробника | |||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
-- | GeneSiC Semiconductor | Транзистори SIC MOSFET | ZOBACZ | -- | На замовлення | -- | -- | -- | -- | -- | |
picture_as_pdf | GeneSiC Semiconductor | G3R40MT12J MOSFET SIC | ZOBACZ | G3R40MT12J | На замовлення | 1200 V | 75 A | 53 A | 0.04 Ohm | TO-263-7 | |
picture_as_pdf | GeneSiC Semiconductor | G3R40MT12K MOSFET SIC | ZOBACZ | G3R40MT12K | 16 | 1200 V | 71 A | 50 A | 0.04 Ohm | TO-247-4 | |
picture_as_pdf | GeneSiC Semiconductor | G3R450MT17D MOSFET SIC | ZOBACZ | G3R450MT17D | На замовлення | 1700 V | 9:00 AM | 6:00 AM | 0.45 Ohm | TO-247-3 | |
picture_as_pdf | GeneSiC Semiconductor | G3R450MT17J MOSFET SIC | ZOBACZ | G3R450MT17J | На замовлення | 1700 V | 9:00 AM | 6:00 AM | 0.45 Ohm | TO-263-7 | |
picture_as_pdf | GeneSiC Semiconductor | G3R45MT17D MOSFET SIC | ZOBACZ | G3R45MT17D | На замовлення | 1700 V | 61 A | 43 A | 0.045 Ohm | TO-247-3 | |
picture_as_pdf | GeneSiC Semiconductor | G3r75mt12d mosfet sic | ZOBACZ | G3R75MT12D | На замовлення | 1200 V | 41 A | 29 A | 0.075 Ohm | TO-247-3 | |
picture_as_pdf | GeneSiC Semiconductor | G3r75mt12j mosfet sic | ZOBACZ | G3R75MT12J | 30 | 1200 V | 42 A | 50 A | 0.075 Ohm | TO-263-7 | |
picture_as_pdf | GeneSiC Semiconductor | G3R75MT2K MOSFET SIC | ZOBACZ | G3R75MT12K | 544 | 1200 V | 41 A | 29 A | 0.075 Ohm | TO-247-4 | |
picture_as_pdf | GeneSiC Semiconductor | G3R160MT17J MOSFET SIC | ZOBACZ | G3R160MT17J | На замовлення | 1700 V | 21 A | 15 A | 0.16 Ohm | TO-263-7 | |
picture_as_pdf | GeneSiC Semiconductor | G3R20MT2K MOSFET SIC | ZOBACZ | G3R20MT12K | На замовлення | 1200 V | 128 A | 90 A | 0.02 Ohm | TO-247-4 | |
picture_as_pdf | GeneSiC Semiconductor | G3r60mt07j mosfet sic | ZOBACZ | G3R60MT07J | 1 | 750 V | -- | -- | 0.06 Ohm | TO-263-7 | |
picture_as_pdf | GeneSiC Semiconductor | G3R60MT07D MOSFET SIC | ZOBACZ | G3R60MT07D | На замовлення | 750 V | -- | -- | 0.06 Ohm | TO-247-3 | |
picture_as_pdf | GeneSiC Semiconductor | G3R60MT07K MOSFET SIC | ZOBACZ | G3R60MT07K | 1 | 750 V | -- | -- | 0.06 Ohm | TO-247-4 | |
picture_as_pdf | GeneSiC Semiconductor | G3R40MT12D MOSFET SIC | ZOBACZ | G3R40MT12D | На замовлення | 1200 V | 71 A | 50 A | 0.04 Ohm | TO-247-3 | |
picture_as_pdf | GeneSiC Semiconductor | G3R350MT12J MOSFET SIC | ZOBACZ | G3R350MT12J | На замовлення | 1200 V | 11:00 AM | 8:00 AM | 0.35 Ohm | TO-263-7 | |
picture_as_pdf | GeneSiC Semiconductor | G3R160MT12J MOSFET SIC | ZOBACZ | G3R160MT12J | На замовлення | 1200 V | 22 A | 16 A | 0.16 Ohm | TO-263-7 | |
picture_as_pdf | GeneSiC Semiconductor | G2R1000MT17D MOSFET SIC | ZOBACZ | G2R1000MT17D | На замовлення | 1700 V | 5:00 AM | 4:00 AM | 1 Ohm | TO-247-3 | |
picture_as_pdf | GeneSiC Semiconductor | G2R1000MT17J MOSFET SIC | ZOBACZ | G2R1000MT17J | 900 | 1700 V | 5:00 AM | 4:00 AM | 1 Ohm | TO-263-7 | |
picture_as_pdf | GeneSiC Semiconductor | G2r1000mt33j mosfet sic | ZOBACZ | G2R1000MT33J | На замовлення | 3300 V | 5:00 AM | 4:00 AM | 1 Ohm | TO-263-7 | |
picture_as_pdf | GeneSiC Semiconductor | G3R160MT12D MOSFET SIC | ZOBACZ | G3R160MT12D | На замовлення | 1200 V | 22 A | 15 A | 0.16 Ohm | TO-247-3 | |
picture_as_pdf | GeneSiC Semiconductor | G3R160MT17D MOSFET SIC | ZOBACZ | G3R160MT17D | На замовлення | 1700 V | 22 A | 15 A | 0.16 Ohm | TO-247-3 | |
picture_as_pdf | GeneSiC Semiconductor | G3R20MT12N MOSFET SIC | ZOBACZ | G3R20MT12N | На замовлення | 1200 V | 105 A | 74 A | 0.02 Ohm | SOT-227 | |
picture_as_pdf | GeneSiC Semiconductor | G3R20MT17K MOSFET SIC | ZOBACZ | G3R20MT17K | На замовлення | 1700 V | 100 A | 70 A | 0.02 Ohm | TO-247-4 |
Результатів на сторінці:
We’re an experienced supplier of necessary products for the category of transistors.
Field-effect transistors - we’re offering two types of field-effect transistors: MOS-FET and IGBT transistors.MOS-FET transistors
MOS-FET transistors cooperate well in parallel connections. They can be combined in parallel up to several dozen pieces. They are easily controlled and do not require adjustment in the load current distribution between them.
IGBT transistors
IGBT transistors are characterized by a small decrease in conduction voltage (from 2.15 - 5.2V) at high current (10 - 3600A), high voltage blocking capacity (250 - 6500V), voltage control via an isolated gate, and high switching speed. They are produced in the form of standard modules, high-frequency modules, high voltage modules as well as intelligent modules, and high voltage intelligent modules. In addition, high-voltage diode modules are offered for cooperation with IGBT transistors.
The IGBT transistors manufactured in the form of intelligent modules contain, besides transistors, control systems as well as short circuit and overvoltage protection.