shopping_cart
Мапа
0,00 PLN
0
Буфер обміну
Ви повинні увійти в систему
-
-
-
Category
-
Напівпровідники
- Діоди
- Тиристори
-
Електро-ізольовані модулі
- Електроізольовані модулі | ВІШАЙ (ІЧ)
- Електроізольовані модулі | INFINEON (EUPEC)
- Електроізольовані модулі | Семікрон
- Електроізольовані модулі | POWEREX
- Електроізольовані модулі | IXYS
- Електроізольовані модулі | ПОСЕЙКО
- Електроізольовані модулі | ABB
- Електроізольовані модулі | ТЕХСЕМ
- Przejdź do podkategorii
- Випрямні мости
-
Транзистори
- Транзистори | GeneSiC
- Модулі SiC MOSFET | Mitsubishi
- Модулі SiC MOSFET | STARPOWER
- Модулі ABB SiC MOSFET
- Модулі IGBT | MITSUBISHI
- Транзисторні модулі | MITSUBISHI
- Модулі MOSFET | MITSUBISHI
- Транзисторні модулі | ABB
- Модулі IGBT | POWEREX
- Модулі IGBT | INFINEON (EUPEC)
- Напівпровідникові елементи з карбіду кремнію (SiC)
- Przejdź do podkategorii
- Драйвери
- Блоки потужності
- Przejdź do podkategorii
- Електричні перетворювачі
-
Пасивні компоненти (конденсатори, резистори, запобіжники, фільтри)
- Резистори
-
Запобіжники
- Мініатюрні запобіжники для електронних плат серії ABC і AGC
- Швидкі трубчасті запобіжники
- Повільні запобіжники з характеристиками GL / GG і AM
- Ультрашвидкі плавкі запобіжники
- Швидкі запобіжники: британський та американський стандарт
- Швидкі запобіжники. Європейський стандарт
- Тягові запобіжники
- Високовольтні запобіжні
- Przejdź do podkategorii
-
Конденсатори
- Конденсатори для електродвигунів
- Електролітичні конденсатори
- Снабберні конденсатори
- Конденсатори потужності
- Конденсатори для DC ланцюгів
- Конденсатори для компенсації пасивної потужності
- Високовольтні конденсатори
- Конденсатори великої потужності для індукційного нагріву
- Конденсатори для зберігання імпульсів та енергії
- Конденсатори DC LINK
- Конденсатори для ланцюгів змінного / постійного струму
- Przejdź do podkategorii
- EMI фільтри
- Іоністори (супер-конденсатори)
-
Захист від стрибків напруги
- Захист від перенапруги для коаксіального застосування
- Захист від перенапруг для систем відеоспостереження
- Захист від перенапруги для силових кабелів
- Розрядники перенапруги для світлодіодів
- Розрядники перенапруги для фотоелектрики
- Захист системи зважування
- Захист від перенапруги для Fieldbus
- Przejdź do podkategorii
- Фільтри виявлення випромінювання TEMPEST
- Przejdź do podkategorii
-
Реле та контактори
- Реле та контактори - теорія
- Напівпровідникові реле AC 3-фазні
- Напівпровідникові реле DC
- Контролери, системи управління та аксесуари
- Системи плавного пуску і реверсивні контактори
- Електромеханічні реле
- Контактори
- Оборотні перемикачі
-
Напівпровідникові реле AC 1-фазні
- РЕЛЕ AC 1-ФАЗНЫЕ СЕРИИ 1 D2425 | D2450
- Однофазное реле AC серии CWA и CWD
- Однофазное реле AC серии CMRA и CMRD
- Однофазное реле AC серии PS
- Реле AC двойное и четверное серии D24 D, TD24 Q, H12D48 D
- Однофазні твердотільні реле серії gn
- Однофазні напівпровідникові реле змінного струму, серія ckr
- Однофазні реле змінного струму ERDA та ERAA для DIN-рейки
- Однофазні реле змінного струму для струму 150А
- Подвійні твердотільні реле, інтегровані з радіатором для DIN-рейки
- Przejdź do podkategorii
- Напівпровідникові реле AC 1-фазні для друкованих плат
- Інтерфейсні реле
- Przejdź do podkategorii
- Індукційні компоненти
- Радіатори, варистори, термічний захист
- Вентилятори
- Кондиціонери, обладнання для шаф електричних, охолоджувачі
-
Батареї, зарядні пристрої, буферні блоки живлення та інвертори
- Батареї, зарядні пристрої - теоретичний опис
- Літій-іонні батареї. Спеціальні батареї. Система управління акумулятором (BMS)
- Батареї
- Зарядні пристрої та аксесуари
- Резервне джерело живлення ДБЖ та буферні джерела живлення
- Перетворювачі та аксесуари для фотоелектрики
- Зберігання енергії
- Паливні елементи
- Літій-іонні акумулятори
- Przejdź do podkategorii
- Автоматика
-
Провід, літцендрат, гофровані рукави, гнучкі з'єднання
- Дроти
- Багатожильні дроти Lica
-
Кабелі і дроти для спеціальних застосувань
- Подовжувальні та компенсаційні дроти
- Дроти для термопар
- Приєднувальні дроти для датчиків PT
- Багатожильні дроти темп. -60C до +1400C
- Дроти середньої напруги
- Дроти запалювання
- Нагрівальні дроти
- Одножильні дроти темп. -60C до +450C
- Залізничні дроти
- Нагрівальні дроти для вибухонебезпечних зон
- Przejdź do podkategorii
- Оболонки
-
Плетені кабелі
- Плоскі плетені кабелі
- Круглі плетені кабелі
- Дуже гнучкі плетені кабелі - плоскі
- Дуже гнучкі плетені кабелі - круглі
- Мідні циліндричні плетені кабелі
- Мідні циліндричні плетені кабелі і кожуха
- Гнучкі заземлювальні стрічки
- Циліндричні плетені дроти з лудженої і нержавіючої сталі
- Мідні ізольовані плетені дроти PCV - температура до 85 градусів C
- Плоскі алюмінієві плетені дроти
- З'єднувальний набір - плетені дроти і трубки
- Przejdź do podkategorii
- Аксесуари для тяги
- Кабельні наконечники
- Ізольовані еластичні шини
- Багатошарові гнучкі шини
- Системи прокладки кабелю (PESZLE)
- Przejdź do podkategorii
- Zobacz wszystkie kategorie
-
Напівпровідники
-
-
Транзистори | GeneSiC
Категорії
Інформація
Продуктів, позначених як "На замовлення" у стовпці "Доступна кількість", як правило, немає на складі. Такі товари можна придбати, однак через обмежену базу споживачів вони, як правило, мають вищі мінімальні кількості. DACPOL пропонує товари, яких немає на складі з наступних причин: DACPOL в даний час має на складі велику кількість електронних компонентів і додає нові продукти щодня, але наші постачальники мають десятки тисяч додаткових компонентів та їх різноманітних варіантів. Незважаючи на те, що нерозумно мати всі ці товари на складі через обмежені продажі, ми вважаємо, що в інтересах наших клієнтів є їх надання. Наша мета - поінформувати клієнтів про максимальну кількість доступних продуктів та дати їм можливість прийняти рішення на основі специфікацій, цін, наявності, необхідних мінімумів та наших технічних консультацій. Зверніть увагу, що встановивши прапорець "На складі", дисплей може обмежуватися лише товарами, доступними для доставки безпосередньо з полиці.
| Зображення | Переглянути товар | Нумер виробника | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| -- |
|
GeneSiC Semiconductor | Транзистор SiC G2R325MS65-CAx | ZOBACZ | G2R325MS65-CAx | На замовлення | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | |||||
| picture_as_pdf |
|
GeneSiC Semiconductor | Транзистор SiC Mosfet G3F34MT12K | ZOBACZ | G3F34MT12K | На замовлення | TO-247-4 | 63 A | -- | -- | -- | 1200 V | -- | -- | -- | -- | ||
| picture_as_pdf |
|
GeneSiC Semiconductor | Транзистор SiC Mosfet G3F34MT12J | ZOBACZ | G3F34MT12J | На замовлення | TO-263-7 | 68 A | -- | 48 A | -- | -- | 1200 V | -- | -- | -- | -- | |
| picture_as_pdf |
|
GeneSiC Semiconductor | Транзистор SiC Mosfet G3F25MT12J | ZOBACZ | G3F25MT12J | На замовлення | TO-263-7 | -- | -- | -- | 1200 V | -- | -- | -- | -- | |||
| -- |
|
GeneSiC Semiconductor | Транзистор SiC Mosfet G3F25MT12K | ZOBACZ | G3F25MT12K | На замовлення | TO-247-4 | -- | -- | -- | -- | -- | 1200 V | -- | -- | -- | -- | |
| -- |
|
GeneSiC Semiconductor | Транзистор SiC Mosfet G3F18MT12K | ZOBACZ | G3F18MT12K | На замовлення | TO-247-4 | -- | -- | -- | -- | -- | 1200 V | -- | -- | -- | -- | |
| picture_as_pdf |
|
GeneSiC Semiconductor | Транзистор SiC Mosfet G3F18MT12J | ZOBACZ | G3F18MT12J | На замовлення | TO-263-7 | -- | -- | -- | 1200 V | -- | -- | -- | -- | |||
| picture_as_pdf |
|
GeneSiC Semiconductor | Транзистор SiC Mosfet G3F60MT06L | ZOBACZ | G3F60MT06L | На замовлення | 48 A | -- | 34 A | -- | -- | 650 V | -- | -- | -- | |||
| picture_as_pdf |
|
GeneSiC Semiconductor | Транзистор SiC Mosfet G3F45MT06L | ZOBACZ | G3F45MT06L | На замовлення | 61 A | -- | 43 A | -- | -- | 650 V | -- | -- | -- | |||
| picture_as_pdf |
|
GeneSiC Semiconductor | Транзистор SiC Mosfet G3F33MT06L | ZOBACZ | G3F33MT06L | На замовлення | 90 A | -- | 64 A | -- | -- | 650 V | -- | -- | -- | |||
| picture_as_pdf |
|
GeneSiC Semiconductor | Транзистор SiC Mosfet G3F25MT06L | ZOBACZ | G3F25MT06L | На замовлення | 125 A | -- | 88 A | -- | -- | 650 V | -- | -- | -- | |||
| picture_as_pdf |
|
GeneSiC Semiconductor | Tranzystor SiC Mosfet G3F75MT12K | ZOBACZ | G3F75MT12K | На замовлення | TO-247-4 | -- | -- | -- | 1200 V | -- | -- | -- | -- | |||
| picture_as_pdf |
|
GeneSiC Semiconductor | Tranzystor SiC Mosfet G3F75MT12J | ZOBACZ | G3F75MT12J | На замовлення | TO-263-7 | 31 A | -- | 22 A | -- | -- | 1200 V | -- | -- | -- | -- | |
| picture_as_pdf |
|
GeneSiC Semiconductor | Tranzystor SiC Mosfet G3F40MT12K | ZOBACZ | G3F40MT12K | На замовлення | TO-247-4 | -- | 39 A | -- | -- | 1200 V | -- | -- | -- | -- | ||
| picture_as_pdf |
|
GeneSiC Semiconductor | Tranzystor SiC Mosfet G3F40MT12J | ZOBACZ | G3F40MT12J | На замовлення | TO-263-7 | -- | 42 A | -- | -- | 1200 V | -- | -- | -- | -- | ||
| -- |
|
GeneSiC Semiconductor | Tranzystor SiC Mosfet G3F20MT12K | ZOBACZ | G3F20MT12K | На замовлення | TO-247-4 | -- | -- | -- | -- | -- | 1200 V | -- | -- | -- | -- | |
| picture_as_pdf |
|
GeneSiC Semiconductor | Tranzystor SiC Mosfet G3F20MT12J | ZOBACZ | G3F20MT12J | На замовлення | TO-263-7 | -- | -- | -- | 1200 V | -- | -- | -- | -- | |||
| picture_as_pdf |
|
GeneSiC Semiconductor | Tranzystor SiC Mosfet G3F60MT06K | ZOBACZ | G3F60MT06K | На замовлення | TO-247-4 | 42 A | -- | 30 A | -- | -- | 650 V | -- | -- | -- | ||
| picture_as_pdf |
|
GeneSiC Semiconductor | Транзистор SiC Mosfet G3F65MT12J | ZOBACZ | G3F65MT12J | На замовлення | TO-263-7 | 37 A | -- | 26 A | -- | -- | 1200 V | -- | -- | -- | -- | |
| picture_as_pdf |
|
GeneSiC Semiconductor | Транзистор SiC Mosfet G3F65MT12K | ZOBACZ | G3F65MT12K | На замовлення | TO-247-4 | 35 A | -- | 25 A | -- | -- | 1200 V | -- | -- | -- | -- | |
| picture_as_pdf |
|
GeneSiC Semiconductor | Транзистор SiC Mosfet G3F135MT12J | ZOBACZ | G3F135MT12J | На замовлення | TO-263-7 | 18 A | -- | 13 A | -- | -- | 1200 V | -- | -- | -- | -- | |
| -- |
|
GeneSiC Semiconductor | SiC транзистор G2R300MT65-CAx | ZOBACZ | G2R300MT65-CAx | На замовлення | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | |||||
| -- |
|
GeneSiC Semiconductor | Транзистор SiC G2R50MS65-CAx | ZOBACZ | G2R50MS65-CAx | На замовлення | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | ||||
| -- |
|
GeneSiC Semiconductor | SiC транзистор G2R50MT65-CAx | ZOBACZ | G2R50MT65-CAx | На замовлення | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
Результатів на сторінці:
SiC MOSFET транзистори компанії GeneSiC забезпечують відмінну провідність і продуктивність перемикання в порівнянні з кремнієм (Si) завдяки їх характеристикам «широкої забороненої зони» і високій напруженості електричного поля.
Запатентована технологія Trench-Assisted Planar компанії GeneSiC забезпечує найнижчий коефіцієнт RDS(ON) при високих температурах і найменші втрати енергії при високих швидкостях. Це дозволяє досягти безпрецедентного, провідного у галузі рівня продуктивності, надійності та якості.
Запрошуємо ознайомитися з найширшим асортиментом SiC MOSFET транзисторів від 650 В до 6,5 кВ.
Схожі повідомлення
