Ви повинні увійти в систему
Транзистори
Категорії
- Транзистори | GeneSiC
- Модулі SiC MOSFET | Mitsubishi
- Модулі SiC MOSFET | STARPOWER
- Модулі ABB SiC MOSFET
- Модулі IGBT | MITSUBISHI
- Транзисторні модулі | MITSUBISHI
- Модулі MOSFET | MITSUBISHI
- Транзисторні модулі | ABB
- Модулі IGBT | POWEREX
- Модулі IGBT | INFINEON (EUPEC)
- Напівпровідникові елементи з карбіду кремнію (SiC)
- Транзисторні модулі | DYNEX
- Транзистори MOSFET | VISHAY (IR)
- Модулі SiC MOSFET | POWEREX
- Модулі IGBT | Семікрон
- Драйвери MOSFET та IGBT | Semikron
- Модулі MOSFET | Microsemi
- Транзистори IGBT | ВІШАЙ (ІЧ)
- Модулі IGBT Starpower
- Epc gan транзистори
Зображення | Переглянути товар | Нумер виробника | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
picture_as_pdf |
![]() |
SEMIKRON | Модуль IGBT SK10DGDL07E3ETE1 | ZOBACZ | SK10DGDL07E3ETE1 | На замовлення | -- | -- | -- | -- | -- | Seven Pack | 650 V | 10:00 AM | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
picture_as_pdf |
![]() |
SEMIKRON | MOMIX303GB17E4P Модуль IGBT | ZOBACZ | SEMiX303GB17E4p | На замовлення | -- | -- | -- | -- | -- | Half Bridge | 1700 V | 300 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
-- |
![]() |
GeneSiC Semiconductor | Tranzystor SiC Mosfet G3F60MT06D | ZOBACZ | G3F60MT06D | На замовлення | TO-247-3 | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 650 V | -- | -- | -- | -- |
picture_as_pdf |
![]() |
GeneSiC Semiconductor | Транзистор SiC Mosfet G3F34MT12J | ZOBACZ | G3F34MT12J | На замовлення | TO-263-7 | -- | -- | -- | 68 A | -- | -- | -- | 48 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 1200 V | -- | -- | -- | |
picture_as_pdf |
![]() |
EPC (Efficient Power Conversion) | EPC2088 Транзистор | ZOBACZ | EPC2088 | На замовлення | -- | -- | -- | -- | -- | Single | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 3-Feb | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 100 | 6 | 12-May | 4-Apr | 1-Apr | 47 | 60 | 231 | LGA 3.5 x 1.95 | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
-- |
![]() |
Mitsubishi | 3 покоління модулів IPM - серія S | ZOBACZ | -- | На замовлення | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
picture_as_pdf |
![]() |
Mitsubishi | 3 покоління модулів DIP і MINI DIP IPM | ZOBACZ | -- | На замовлення | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
picture_as_pdf |
![]() |
POWEREX | Модулі SIC MOSFET - Powerex | ZOBACZ | -- | На замовлення | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
picture_as_pdf |
![]() |
Mitsubishi | Cm300dx-24nfh mosfet sic | ZOBACZ | CMH300DX-24NFH | На замовлення | -- | -- | -- | -- | -- | 2in1 | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 300 V | -- | -- | -- | -- |
picture_as_pdf |
![]() |
SEMIKRON | Sk25dgdl12t7ete2s сім упаковки | ZOBACZ | SK25DGDL12T7ETE2s | На замовлення | -- | -- | -- | -- | -- | Seven Pack | 1200 V | 25 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
picture_as_pdf |
![]() |
SEMIKRON | SKM600GB066D Half Bridge | ZOBACZ | SKM600GB066D | На замовлення | -- | -- | -- | -- | -- | Half Bridge | 600 V | 600 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
picture_as_pdf |
![]() |
SEMIKRON | SKM500GB17E4 Половина міст | ZOBACZ | SKM500GB17E4 | На замовлення | -- | -- | -- | -- | -- | Half Bridge | 1700 V | 500 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
picture_as_pdf |
![]() |
GeneSiC Semiconductor | Tranzystor SiC Mosfet G3F45MT06K | ZOBACZ | G3F45MT06K | На замовлення | TO-247-4 | -- | -- | -- | 52 A | -- | -- | -- | 37 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 650 V | -- | -- | ||
-- |
![]() |
GeneSiC Semiconductor | Транзистор SiC Mosfet G3F25MT12K | ZOBACZ | G3F25MT12K | На замовлення | TO-247-4 | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 1200 V | -- | -- | -- | |
picture_as_pdf |
![]() |
SEMIKRON | MONTIP 39AC12T4V10 Модуль IGBT | ZOBACZ | SKiiP39AC12T4V10 | На замовлення | -- | -- | -- | -- | -- | Six Pack | 1200 V | 150 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
picture_as_pdf |
![]() |
SEMIKRON | Модуль IgB5 SKM75GB17E4H16 | ZOBACZ | SKM75GB17E4H16 | На замовлення | -- | -- | -- | -- | -- | Half Bridge | 1700 V | 75 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
-- |
![]() |
Mitsubishi | 4 покоління модулів IPM - серія S-DASH | ZOBACZ | -- | На замовлення | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
picture_as_pdf |
![]() |
Mitsubishi | Гібридні драйвери для модулів IGBT | ZOBACZ | -- | На замовлення | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
picture_as_pdf |
![]() |
SEMIKRON | Драйвери напівтверді | ZOBACZ | -- | На замовлення | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
picture_as_pdf |
![]() |
GeneSiC Semiconductor | G3r60mt07j mosfet sic | ZOBACZ | G3R60MT07J | На замовлення | TO-263-7 | -- | -- | -- | 44 A44 A | -- | -- | -- | 31 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | - | 60 mΩ | 750 V | -- | -- | -- | -- |
picture_as_pdf |
![]() |
SEMIKRON | SK35DGDL12T7ETE2S IGBT модуль | ZOBACZ | SK35DGDL12T7ETE2s | На замовлення | -- | -- | -- | -- | -- | Seven Pack | 1200 V | 35 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
picture_as_pdf |
![]() |
GeneSiC Semiconductor | Tranzystor SiC Mosfet G3F45MT06J | ZOBACZ | G3F45MT06J | На замовлення | TO-263-7 | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 39 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 650 V | -- | -- | |||
picture_as_pdf |
![]() |
EPC (Efficient Power Conversion) | EPC7007 транзистор | ZOBACZ | EPC7007 | На замовлення | -- | -- | -- | -- | -- | Single Rad Hard | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 25 | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 200 | 6 | 5-Apr | 1-May | 1 | 37 | 20 | 80 | LGA 3.6 x 1.6 | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
-- |
![]() |
GeneSiC Semiconductor | Tranzystor SiC Mosfet G3F20MT12K | ZOBACZ | G3F20MT12K | На замовлення | TO-247-4 | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 1200 V | -- | -- | -- |
Транзистори від перевіреного постачальника
Dacpol є досвідченим постачальником необхідних товарів у категорії транзисторів. Наші клієнти можуть покладатися на якість продукції та послуг, які ми надаємо, незалежно від того, чи купують вони MOSFET-модулі, діоди постійного струму чи напівпровідникові елементи з карбіду кремнію.
Ми готові поставити оптову кількість шуканого вами продукту незалежно від того, чи замовляєте ви окремі транзистори, чи купуєте їх оптом, пропонуючи комплексну доставку всіх товарів.
Завдяки найвищій якості обслуговування ми пропонуємо нашим клієнтам лише продукцію від перевірених постачальників і виробників. Наша команда інженерів на кожному етапі надає свої знання та консультації, щоб забезпечити клієнтів інформацією щодо обслуговування та експлуатації придбаних виробів.
Пропозиція Dacpol у категорії електронних компонентів, живлення та роз’ємів значно ширша і включає різноманітні електричні та промислові товари з категорії транзисторів. На нашому вебсайті ви можете ознайомитися з повним асортиментом товарів з групи електронних компонентів, живлення та роз’ємів.
Польові транзистори від DACPOL
Ми пропонуємо два види польових транзисторів: MOS-FET транзистори та IGBT транзистори.
MOS-FET транзистори
MOS-FET транзистори добре працюють при паралельних з’єднаннях. Їх можна з’єднувати паралельно навіть до кількох десятків штук. Вони легко керуються і не потребують коригування розподілу струму навантаження між собою.
Доступні в діапазоні струмів від 1,1А до 250А та напруг від 12В до 900В. MOS-FET транзистори виготовляються у наступних типах корпусів: SO8, SOT223, D-Pak, D2-Pak, I-Pak, TO-262, TO-220, TO-247, SOT-227, HEXDIP.
IGBT транзистори
IGBT транзистори характеризуються низьким падінням напруги провідності (від 2,15 до 5,2В) при великих струмах (від 10 до 3600А), здатністю блокувати високі напруги (від 250 до 6500В), керуванням за напругою через ізольований затвор та високою швидкістю переключення. Виготовляються у вигляді стандартних модулів, високочастотних модулів, високовольтних модулів та інтелектуальних високовольтних модулів. Також пропонуються високовольтні діодні модулі для співпраці з IGBT транзисторами.
Висока якість пропонованих продуктів
Доступні в електроізольованих корпусах у вигляді окремих транзисторів, двотранзисторних модулів (півмостів), шестиелементних модулів (повних мостів), семиелементних модулів (повних мостів з транзистором). Типові корпуси: TO220, TO247, A1, NF1, NF2, NF3, NF4, NF5, NF6, U2, U3, U4, U5, U6, U7, U8, A1, A2, A3, A4, A5, H1, H2, H3, H4, H5, H6, H7, H8, H9, H10, H11, H12, H13, DM1, DM2, HV1, HV2, HV3, HV4, HV5, HV6, HV7, HV8, SD1, SD2, SD3, SD4.
IGBT транзистори, виготовлені у вигляді інтелектуальних модулів, містять окрім транзисторів схеми керування та захисту від коротких замикань і перенапруг.
Перегляньте також наші продукти з категорії випрямні мости!
Що таке транзистори і які їх основні види?
Транзистори — це напівпровідникові електронні елементи з трьома електродами, які призначені перш за все для підсилення сигналу шляхом збільшення його амплітуди. Крім того, вони можуть контролювати потік струму в електричних колах — працювати як перемикач. Виготовляються з напівпровідникових матеріалів, таких як кремній чи германій. Транзистор був вперше створений у 1948 році Дж. Бардіном і В. Браттейном. Його конструктори разом з В. Б. Шоклі — творцем біполярної моделі — отримали за нього Нобелівську премію у 1956 році.
Напівпровідникові електронні елементи з трьома електродами поділяються на два основні види. Перші — польові транзистори, також називані уніполярними, які керуються напругою. Вони складаються із затвора, на який при подачі напруги створюється електромагнітне поле, що змінює опір між стоком і джерелом, тобто місцем виходу сигналу.
Біполярний транзистор, також називаний переходним, — це другий вид. Складається з бази, емітера та колектора. Керується струмом, що протікає між емітером і базою. Біполярні транзистори додатково діляться на моделі n-p-n та p-n-p.
Чим характеризується польовий транзистор і де найчастіше застосовується?
Транзистор MOS-FET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor), що належить до польових чотиризакладних моделей, характеризується високим вихідним опором і дуже швидким часом переключення. З цієї причини вони застосовуються передусім у:
- імпульсних блоках живлення, де забезпечують ефективне й продуктивне керування мережею,
- зарядних пристроях для електромобілів та гібридних автомобілів,
- джерелах безперебійного живлення (UPS),
- приводах двигунів, які використовуються в автомобілебудуванні та промисловості,
- підсилювачах аудіо- чи телекомунікаційних систем,
- інтегральних схемах, особливо на базі технології CMOS (Complementary Metal-Oxide-Semiconductor), що нині застосовується у більшості мікропроцесорів.
Крім того, слід зазначити, що польові транзистори можуть використовуватися як в інтегральних схемах на основі аналогових, так і цифрових сигналів.
Що таке транзистори IGBT і для чого їх використовують?
Транзистор IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor), що належить до ізольованих вентильних пристроїв, поєднує властивості біполярних і MOS-FET моделей. Завдяки цьому він характеризується легкістю керування і перемикання. IGBT транзистор призначений для роботи з навантаженнями значної потужності, що досягає кількох сотень кіловат. Також він здатний блокувати високі напруги до 6 кВ. Водночас його використання забезпечує низькі втрати потужності. З цієї причини цей тип транзистора може застосовуватися, зокрема, у:
- інверторах, де він перетворює постійну напругу в змінну для енергетичних систем,
- індукційних плитах і зарядних пристроях,
- аварійних джерелах живлення,
- імпульсних блоках живлення,
- системах приводів, що застосовуються в промисловості, таких як електродвигуни.