Транзистори

Транзистори від перевіреного постачальника

Dacpol є досвідченим постачальником необхідних товарів у категорії транзисторів. Наші клієнти можуть покладатися на якість продукції та послуг, які ми надаємо, незалежно від того, чи купують вони MOSFET-модулі, діоди...

Транзистори від перевіреного постачальника

Dacpol є досвідченим постачальником необхідних товарів у...

Читати більше
Показати фільтри
Приховати фільтриФільтраціяПоказати фільтри X
Manufacturers
more... less
Тип корпуса
more... less
Тип житла
more... less
Rthjc
more... less
Корпус
more... less
Тривалий струм ID при Tc=25oC
more... less
Конфігурація
more... less
Напруга VCES
more... less
Струм колектора IC
more... less
Тривалий струм ID при Tc=100oC
more... less
Тривалий струм IC при Tc=25oC
more... less
Тривалий струм IC при Tc=100oC
more... less
Потужність
more... less
Напруга V(RD)DSS
more... less
Rds(on)
more... less
Струм Id
more... less
UCE
more... less
UCC
more... less
IOUT піковий
more... less
fmax
more... less
dv/dt
more... less
IT(AV)
more... less
Напруга
more... less
Електрика
more... less
Безперервний струм ID
more... less
Напруга URRM
more... less
VDSmax
more... less
VGSmax
more... less
QG typ (nC)
more... less
QGS typ (nC)
more... less
QGD typ (nC)
more... less
QOSS typ (nC)
more... less
ID (A)
more... less
Pulsed ID (A)
more... less
Package (mm)
more... less
RDS(ON) для VGS = 18 В
more... less
RDS(ON) для VGS = 15 В
more... less
Напруга UDS
more... less
more... less
more... less
Filter
Інформація close
Продуктів, позначених як "На замовлення" у стовпці "Доступна кількість", як правило, немає на складі. Такі товари можна придбати, однак через обмежену базу споживачів вони, як правило, мають вищі мінімальні кількості. DACPOL пропонує товари, яких немає на складі з наступних причин: DACPOL в даний час має на складі велику кількість електронних компонентів і додає нові продукти щодня, але наші постачальники мають десятки тисяч додаткових компонентів та їх різноманітних варіантів. Незважаючи на те, що нерозумно мати всі ці товари на складі через обмежені продажі, ми вважаємо, що в інтересах наших клієнтів є їх надання. Наша мета - поінформувати клієнтів про максимальну кількість доступних продуктів та дати їм можливість прийняти рішення на основі специфікацій, цін, наявності, необхідних мінімумів та наших технічних консультацій. Зверніть увагу, що встановивши прапорець "На складі", дисплей може обмежуватися лише товарами, доступними для доставки безпосередньо з полиці.
PDF Зображення
Виробник
Назва продукту
Переглянути товар Нумер виробника
Доступна кількість
Тип корпуса
Тип житла
Rthjc
Корпус
Тривалий струм ID при Tc=25oC
Конфігурація
Напруга VCES
Струм колектора IC
Тривалий струм ID при Tc=100oC
Тривалий струм IC при Tc=25oC
Тривалий струм IC при Tc=100oC
Потужність
Напруга V(RD)DSS
Rds(on)
Струм Id
IOUT піковий
dv/dt
IT(AV)
Напруга
Електрика
Безперервний струм ID
Напруга URRM
VDSmax
VGSmax
QG typ (nC)
QGS typ (nC)
QGD typ (nC)
QOSS typ (nC)
ID (A)
Pulsed ID (A)
Package (mm)
RDS(ON) для VGS = 18 В
RDS(ON) для VGS = 15 В
Напруга UDS
picture_as_pdf Модуль IGBT SK10DGDL07E3ETE1 SEMIKRON Модуль IGBT SK10DGDL07E3ETE1 ZOBACZ SK10DGDL07E3ETE1 На замовлення -- -- -- -- -- Seven Pack 650 V 10:00 AM -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- --
picture_as_pdf MOMIX303GB17E4P Модуль IGBT SEMIKRON MOMIX303GB17E4P Модуль IGBT ZOBACZ SEMiX303GB17E4p На замовлення -- -- -- -- -- Half Bridge 1700 V 300 A -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- --
-- Tranzystor SiC Mosfet G3F60MT06D GeneSiC Semiconductor Tranzystor SiC Mosfet G3F60MT06D ZOBACZ G3F60MT06D На замовлення TO-247-3 -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- 650 V -- -- -- --
picture_as_pdf Транзистор SiC Mosfet G3F34MT12J GeneSiC Semiconductor Транзистор SiC Mosfet G3F34MT12J ZOBACZ G3F34MT12J На замовлення TO-263-7 -- -- -- 68 A -- -- -- 48 A -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- 1200 V -- -- --
picture_as_pdf EPC2088 Транзистор EPC (Efficient Power Conversion) EPC2088 Транзистор ZOBACZ EPC2088 На замовлення -- -- -- -- -- Single -- -- -- -- -- -- -- 3-Feb -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- 100 6 12-May 4-Apr 1-Apr 47 60 231 LGA 3.5 x 1.95 -- -- -- -- -- -- --
-- Третій модуль генерації IPM - S Series Mitsubishi 3 покоління модулів IPM - серія S ZOBACZ -- На замовлення -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- --
picture_as_pdf 3-ий модуль генерації DIP-і міні DIP-IPM Mitsubishi 3 покоління модулів DIP і MINI DIP IPM ZOBACZ -- На замовлення -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- --
picture_as_pdf Модулі SIC MOSFET - Powerex POWEREX Модулі SIC MOSFET - Powerex ZOBACZ -- На замовлення -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- --
picture_as_pdf Cm300dx-24nfh mosfet sic Mitsubishi Cm300dx-24nfh mosfet sic ZOBACZ CMH300DX-24NFH На замовлення -- -- -- -- -- 2in1 -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- 300 V -- -- -- --
picture_as_pdf Sk25dgdl12t7ete2s сім упаковки SEMIKRON Sk25dgdl12t7ete2s сім упаковки ZOBACZ SK25DGDL12T7ETE2s На замовлення -- -- -- -- -- Seven Pack 1200 V 25 A -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- --
picture_as_pdf SKM600GB066D Half Bridge SEMIKRON SKM600GB066D Half Bridge ZOBACZ SKM600GB066D На замовлення -- -- -- -- -- Half Bridge 600 V 600 A -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- --
picture_as_pdf SKM500GB17E4 Половина міст SEMIKRON SKM500GB17E4 Половина міст ZOBACZ SKM500GB17E4 На замовлення -- -- -- -- -- Half Bridge 1700 V 500 A -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- --
picture_as_pdf Tranzystor SiC Mosfet G3F45MT06K GeneSiC Semiconductor Tranzystor SiC Mosfet G3F45MT06K ZOBACZ G3F45MT06K На замовлення TO-247-4 -- -- -- 52 A -- -- -- 37 A -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- 650 V -- --
-- Транзистор SiC Mosfet G3F25MT12K GeneSiC Semiconductor Транзистор SiC Mosfet G3F25MT12K ZOBACZ G3F25MT12K На замовлення TO-247-4 -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- 1200 V -- -- --
picture_as_pdf MONTIP 39AC12T4V10 Модуль IGBT SEMIKRON MONTIP 39AC12T4V10 Модуль IGBT ZOBACZ SKiiP39AC12T4V10 На замовлення -- -- -- -- -- Six Pack 1200 V 150 A -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- --
picture_as_pdf Модуль IgB5 SKM75GB17E4H16 SEMIKRON Модуль IgB5 SKM75GB17E4H16 ZOBACZ SKM75GB17E4H16 На замовлення -- -- -- -- -- Half Bridge 1700 V 75 A -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- --
-- модуль генерації IPM четверта - серія S-DASH Mitsubishi 4 покоління модулів IPM - серія S-DASH ZOBACZ -- На замовлення -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- --
picture_as_pdf Гібридний драйвер модулі IGBT Mitsubishi Гібридні драйвери для модулів IGBT ZOBACZ -- На замовлення -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- --
picture_as_pdf Драйвери напівтверді SEMIKRON Драйвери напівтверді ZOBACZ -- На замовлення -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- --
picture_as_pdf G3r60mt07j mosfet sic GeneSiC Semiconductor G3r60mt07j mosfet sic ZOBACZ G3R60MT07J На замовлення TO-263-7 -- -- -- 44 A44 A -- -- -- 31 A -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- - 60 mΩ 750 V -- -- -- --
picture_as_pdf SK35DGDL12T7ETE2S IGBT модуль SEMIKRON SK35DGDL12T7ETE2S IGBT модуль ZOBACZ SK35DGDL12T7ETE2s На замовлення -- -- -- -- -- Seven Pack 1200 V 35 A -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- --
picture_as_pdf Tranzystor SiC Mosfet G3F45MT06J GeneSiC Semiconductor Tranzystor SiC Mosfet G3F45MT06J ZOBACZ G3F45MT06J На замовлення TO-263-7 -- -- -- -- -- -- 39 A -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- 650 V -- --
picture_as_pdf EPC7007 транзистор EPC (Efficient Power Conversion) EPC7007 транзистор ZOBACZ EPC7007 На замовлення -- -- -- -- -- Single Rad Hard -- -- -- -- -- -- -- 25 -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- 200 6 5-Apr 1-May 1 37 20 80 LGA 3.6 x 1.6 -- -- -- -- -- -- --
-- Tranzystor SiC Mosfet G3F20MT12K GeneSiC Semiconductor Tranzystor SiC Mosfet G3F20MT12K ZOBACZ G3F20MT12K На замовлення TO-247-4 -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- 1200 V -- -- --
Результатів на сторінці:

Транзистори від перевіреного постачальника

Dacpol є досвідченим постачальником необхідних товарів у категорії транзисторів. Наші клієнти можуть покладатися на якість продукції та послуг, які ми надаємо, незалежно від того, чи купують вони MOSFET-модулі, діоди постійного струму чи напівпровідникові елементи з карбіду кремнію.

Ми готові поставити оптову кількість шуканого вами продукту незалежно від того, чи замовляєте ви окремі транзистори, чи купуєте їх оптом, пропонуючи комплексну доставку всіх товарів.

Завдяки найвищій якості обслуговування ми пропонуємо нашим клієнтам лише продукцію від перевірених постачальників і виробників. Наша команда інженерів на кожному етапі надає свої знання та консультації, щоб забезпечити клієнтів інформацією щодо обслуговування та експлуатації придбаних виробів.

Пропозиція Dacpol у категорії електронних компонентів, живлення та роз’ємів значно ширша і включає різноманітні електричні та промислові товари з категорії транзисторів. На нашому вебсайті ви можете ознайомитися з повним асортиментом товарів з групи електронних компонентів, живлення та роз’ємів.

Польові транзистори від DACPOL

Ми пропонуємо два види польових транзисторів: MOS-FET транзистори та IGBT транзистори.

MOS-FET транзистори

MOS-FET транзистори добре працюють при паралельних з’єднаннях. Їх можна з’єднувати паралельно навіть до кількох десятків штук. Вони легко керуються і не потребують коригування розподілу струму навантаження між собою.
Доступні в діапазоні струмів від 1,1А до 250А та напруг від 12В до 900В. MOS-FET транзистори виготовляються у наступних типах корпусів: SO8, SOT223, D-Pak, D2-Pak, I-Pak, TO-262, TO-220, TO-247, SOT-227, HEXDIP.

IGBT транзистори

IGBT транзистори характеризуються низьким падінням напруги провідності (від 2,15 до 5,2В) при великих струмах (від 10 до 3600А), здатністю блокувати високі напруги (від 250 до 6500В), керуванням за напругою через ізольований затвор та високою швидкістю переключення. Виготовляються у вигляді стандартних модулів, високочастотних модулів, високовольтних модулів та інтелектуальних високовольтних модулів. Також пропонуються високовольтні діодні модулі для співпраці з IGBT транзисторами.

Висока якість пропонованих продуктів

Доступні в електроізольованих корпусах у вигляді окремих транзисторів, двотранзисторних модулів (півмостів), шестиелементних модулів (повних мостів), семиелементних модулів (повних мостів з транзистором). Типові корпуси: TO220, TO247, A1, NF1, NF2, NF3, NF4, NF5, NF6, U2, U3, U4, U5, U6, U7, U8, A1, A2, A3, A4, A5, H1, H2, H3, H4, H5, H6, H7, H8, H9, H10, H11, H12, H13, DM1, DM2, HV1, HV2, HV3, HV4, HV5, HV6, HV7, HV8, SD1, SD2, SD3, SD4.

IGBT транзистори, виготовлені у вигляді інтелектуальних модулів, містять окрім транзисторів схеми керування та захисту від коротких замикань і перенапруг.

 

Перегляньте також наші продукти з категорії випрямні мости!

Що таке транзистори і які їх основні види?

Транзистори — це напівпровідникові електронні елементи з трьома електродами, які призначені перш за все для підсилення сигналу шляхом збільшення його амплітуди. Крім того, вони можуть контролювати потік струму в електричних колах — працювати як перемикач. Виготовляються з напівпровідникових матеріалів, таких як кремній чи германій. Транзистор був вперше створений у 1948 році Дж. Бардіном і В. Браттейном. Його конструктори разом з В. Б. Шоклі — творцем біполярної моделі — отримали за нього Нобелівську премію у 1956 році.

Напівпровідникові електронні елементи з трьома електродами поділяються на два основні види. Перші — польові транзистори, також називані уніполярними, які керуються напругою. Вони складаються із затвора, на який при подачі напруги створюється електромагнітне поле, що змінює опір між стоком і джерелом, тобто місцем виходу сигналу.

Біполярний транзистор, також називаний переходним, — це другий вид. Складається з бази, емітера та колектора. Керується струмом, що протікає між емітером і базою. Біполярні транзистори додатково діляться на моделі n-p-n та p-n-p.

Чим характеризується польовий транзистор і де найчастіше застосовується?

Транзистор MOS-FET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor), що належить до польових чотиризакладних моделей, характеризується високим вихідним опором і дуже швидким часом переключення. З цієї причини вони застосовуються передусім у:

- імпульсних блоках живлення, де забезпечують ефективне й продуктивне керування мережею,

- зарядних пристроях для електромобілів та гібридних автомобілів,

- джерелах безперебійного живлення (UPS),

- приводах двигунів, які використовуються в автомобілебудуванні та промисловості,

- підсилювачах аудіо- чи телекомунікаційних систем,

- інтегральних схемах, особливо на базі технології CMOS (Complementary Metal-Oxide-Semiconductor), що нині застосовується у більшості мікропроцесорів.

Крім того, слід зазначити, що польові транзистори можуть використовуватися як в інтегральних схемах на основі аналогових, так і цифрових сигналів.

Що таке транзистори IGBT і для чого їх використовують?

Транзистор IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor), що належить до ізольованих вентильних пристроїв, поєднує властивості біполярних і MOS-FET моделей. Завдяки цьому він характеризується легкістю керування і перемикання. IGBT транзистор призначений для роботи з навантаженнями значної потужності, що досягає кількох сотень кіловат. Також він здатний блокувати високі напруги до 6 кВ. Водночас його використання забезпечує низькі втрати потужності. З цієї причини цей тип транзистора може застосовуватися, зокрема, у:

- інверторах, де він перетворює постійну напругу в змінну для енергетичних систем,

- індукційних плитах і зарядних пристроях,

- аварійних джерелах живлення,

- імпульсних блоках живлення,

- системах приводів, що застосовуються в промисловості, таких як електродвигуни.