G3R60MT07K MOSFET SIC
G3R60MT07K MOSFET SIC

Zdjęcia mają charakter wyłacznie informacyjny. Zobacz specyfikację produktu

please use latin characters

Producent: GeneSiC Semiconductor

G3R60MT07K MOSFET SIC

  • G3R60MT07K
  • Тип корпуса TO-247-4
  • Тривалий струм ID при Tc=25oC 48 A
  • Тривалий струм ID при Tc=100oC 34 A
  • RDS(ON) для VGS = 18 В -
  • RDS(ON) для VGS = 15 В 60 mΩ
  • Напруга UDS 750 V

The "G3R60MT07K" SiC MOSFET transistor is made using GeneSiC's patented Trench-Assisted Planar technology.

Features:

  • Low Temperature Coefficient of RDS(ON)
  • Lower QG and Smaller RG(INT)
  • Low Device Capacitances (COSS, CRSS)
  • LoRing – Electromagnetically Optimazed Design
  • Robust Body Diode with Low VF and Low QRR
  • 100% Avalanche (UIL) Tested

Applications:

  • Solar Inverters
  • EV/HEV Charging
  • Motor Drives
  • High Voltage DC-DC Converters
  • Switched Mode Power Supplies
  • UPS
  • Smart Grid Transmission and Distribution
  • Induction Heating and Welding
Mniej
Czytaj więcej

Wyślij zapytanie ofertowe

Jesteś zainteresowany tym produktem? Potrzebujesz dodatkowych informacji lub indywidualnej wyceny?

Skontakuj się z nami
Запитайте про продукт close
Дякуємо за надіслане повідомлення. Ми відповімо якомога швидше.
Запитайте про продукт close
Огляд
Надіслати запит

Add to wishlist

Musisz być zalogowany/a

  • Тип корпуса TO-247-4
  • Тривалий струм ID при Tc=25oC 48 A
  • Тривалий струм ID при Tc=100oC 34 A
  • RDS(ON) для VGS = 18 В -
  • RDS(ON) для VGS = 15 В 60 mΩ
  • Напруга UDS 750 V

The "G3R60MT07K" SiC MOSFET transistor is made using GeneSiC's patented Trench-Assisted Planar technology.

Features:

  • Low Temperature Coefficient of RDS(ON)
  • Lower QG and Smaller RG(INT)
  • Low Device Capacitances (COSS, CRSS)
  • LoRing – Electromagnetically Optimazed Design
  • Robust Body Diode with Low VF and Low QRR
  • 100% Avalanche (UIL) Tested

Applications:

  • Solar Inverters
  • EV/HEV Charging
  • Motor Drives
  • High Voltage DC-DC Converters
  • Switched Mode Power Supplies
  • UPS
  • Smart Grid Transmission and Distribution
  • Induction Heating and Welding
Mniej
Czytaj więcej

Статті

МОП-транзистори G3R™ 750V SiC пропонують неперевершену продуктивність та надійність МОП-транзистори G3R™ 750V SiC пропонують неперевершену продуктивність та надійність
Опубліковано в: Новини, Новини, База знань
07-07-2021
Наступне покоління MOSFET-транзисторів GeneSiC 750V G3RTMSiC забезпечить безпрецедентний рівень продуктивності та...
Read more
SiC-діоди Шотткі MPS™ SiC-діоди Шотткі MPS™
Опубліковано в: Новини, R&D
18-10-2024
Об'єднані PiN-діоди Шотткі (MPS) – це нова конструкція GeneSiC, яка поєднує найкращі характеристики структур PiN та...
Read more
Comments (0)