Musíte být přihlášen
-
-
-
Category
-
Polovodiče
- LED diody
- Tyristory
- Elektroizolační moduly
- Přemosťovací usměrňovače
-
Tranzistory
- Tranzistory | GeneSiC
- SiC MOSFET moduly | Mitsubishi
- SiC MOSFET moduly | STARPOWER
- Moduly ABB SiC MOSFET
- Moduly IGBT | MITSUBISHI
- Tranzistorové moduly | MITSUBISHI
- Moduly MOSFET | MITSUBISHI
- Tranzistorové moduly | ABB
- Moduly IGBT | POWEREX
- Moduly IGBT | INFINEON (EUPEC)
- Polovodičové prvky z karbidu křemíku (SiC)
- Przejdź do podkategorii
- Ovladače brány
- Bloky napájení
- Przejdź do podkategorii
- Měniče proudu a napětí LEM
-
Pasivní součásti (kondenzátory, rezistory, pojistky, filtry)
- Rezistory
-
Pojistky
- Miniaturní pojistky pro elektronické obvody řady ABC a AGC
- Trubkové rychle působící pojistky
- Pojistkové vložky s časovým zpožděním s charakteristikami GL / GG a AM
- Ultrarychlé pojistkové články
- Rychle působící pojistky (britský a americký standard)
- Rychle působící pojistky (evropský standard)
- Pojistky pojezdu
- Pojistkové vložky vysokého napětí
- Przejdź do podkategorii
-
Kondenzátory
- Motorové kondenzátory
- Elektrolytické kondenzátory
- Filmové kondenzátory
- Výkonové kondenzátory
- Kondenzátory pro stejnosměrné obvody
- Kondenzátory korekce účiníku
- Vysokonapěťové kondenzátory
- Indukční topné kondenzátory
- Kondenzátory pulsu a energie
- DC LINK kondenzátory
- Kondenzátory pro AC / DC obvody
- Przejdź do podkategorii
- EMI filtry
- Superkondenzátory
- Přepěťová ochrana
- Filtry pro odhalování emisí TEMPEST
- Svodič přepětí
- Przejdź do podkategorii
-
Relé a stykače
- Teorie relé a stykačů
- 3fázová střídavá polovodičová relé
- 3fázová střídavá polovodičová relé
- Regulátory, ovládací prvky a příslušenství
- Měkké spouštění a reverzační stykače
- Elektromechanická relé
- Stykače
- Otočné spínače
-
Jednofázová střídavá polovodičová relé
- Jednofázová střídavá polovodičová relé, 1 řada | D2425 | D2450
- Jednofázová střídavá polovodičová relé řady CWA a CWD
- Jednofázová střídavá polovodičová relé řady CMRA a CMRD
- Jednofázová střídavá polovodičová relé řady PS
- Dvojitá a čtyřnásobná střídavá polovodičová relé řady D24 D, TD24 Q, H12D48 D.
- Jednofázová polovodičová relé řady GN
- Jednofázová střídavá polovodičová relé řady CKR
- Jednofázová AC relé na lištu DIN řady ERDA A ERAA
- Jednofázová AC relé pro proud 150 A.
- Dvojitá polovodičová relé integrovaná s chladičem pro lištu DIN
- Przejdź do podkategorii
- Jednofázová AC polovodičová relé pro PCB
- Relé rozhraní
- Przejdź do podkategorii
- Jádra a další indukční součásti
- Radiátory, varistory, tepelné ochrany
- Fanoušci
- Klimatizace, příslušenství pro elektrické skříně, chladiče
-
Baterie, nabíječky, vyrovnávací zdroje a střídače
- Baterie, nabíječky - teoretický popis
- Lithium-iontové baterie. Vlastní baterie. Systém správy baterií (BMS)
- Baterie
- Nabíječky baterií a příslušenství
- Záložní zdroj UPS a vyrovnávací napájecí zdroje
- Převaděče a příslušenství pro fotovoltaiku
- Úschovna energie
- Palivové články
- Lithium-iontové baterie
- Przejdź do podkategorii
- Automatika
-
Kabely, dráty, vodiče, flexibilní připojení
- dráty
- Kabelové průchodky a spojky
- lanka
- Kabely pro speciální aplikace
- košile
-
prýmky
- prýmky byt
- prýmky kolo
- Velmi flexibilní opletení - plochý
- Velmi flexibilní opletení - Round
- Měď opletené válcové
- Mědí štít a válcové
- Flexibilní zemnící pásky
- Opletení válcovité pozinkované a nerezové oceli
- PVC izolované měděné pletivo - teplota 85 ° C
- Ploché pletené hliníkové
- Connection Kit - prýmky a trubky
- Przejdź do podkategorii
- Příslušenství pro trakční
- kabelové botky
- Ohebné izolované přípojnice
- Vícevrstvá ohebná lišta
- Systémy vedení kabelů
- Przejdź do podkategorii
- Zobacz wszystkie kategorie
-
Polovodiče
-
-
Tranzistory
Kategorie
- Tranzistory | GeneSiC
- SiC MOSFET moduly | Mitsubishi
- SiC MOSFET moduly | STARPOWER
- Moduly ABB SiC MOSFET
- Moduly IGBT | MITSUBISHI
- Tranzistorové moduly | MITSUBISHI
- Moduly MOSFET | MITSUBISHI
- Tranzistorové moduly | ABB
- Moduly IGBT | POWEREX
- Moduly IGBT | INFINEON (EUPEC)
- Polovodičové prvky z karbidu křemíku (SiC)
- Tranzistorové moduly | DYNEX
- MOSFET tranzistory | VISHAY (IR)
- SiC MOSFET moduly | POWEREX
- Moduly IGBT | Semikron
- Ovladače MOSFET a IGBT | Semikron
- Moduly MOSFET | Microsemi
- IGBT tranzistory | VISHAY (IR)
- Moduly IGBT Starpower
- EPC GAN tranzistory
| obraz | Zobrazit produkt | Č. Výrobce | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| picture_as_pdf |
|
SEMIKRON | SK30DGDL07E3ETE1 sedm pack. | ZOBRAZIT | SK30DGDL07E3ETE1 | On Order | -- | -- | -- | -- | -- | Seven Pack | 650 V | 30 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
| -- |
|
GeneSiC Semiconductor | Tranzystor SiC Mosfet G3F20MT12K | ZOBRAZIT | G3F20MT12K | On Order | TO-247-4 | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 1200 V | -- | -- | -- | -- | |
| -- |
|
GeneSiC Semiconductor | SiC tranzistor G2R50MS65-CAx | ZOBRAZIT | G2R50MS65-CAx | On Order | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | ||||
| picture_as_pdf |
|
GeneSiC Semiconductor | G3F09MT12FB2 Moduł Mosfet SiC | ZOBRAZIT | G3F09MT12FB2 | On Order | -- | -- | -- | -- | półmostek | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | ||||
| picture_as_pdf |
|
Mitsubishi | Vysokonapěťové diodové moduly | ZOBRAZIT | -- | On Order | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
| picture_as_pdf |
|
SEMIKRON | IPM moduly - Skiip2 / 3 | ZOBRAZIT | -- | On Order | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
| picture_as_pdf |
|
GeneSiC Semiconductor | G3R60MT07K MOSFET SIC. | ZOBRAZIT | G3R60MT07K | On Order | TO-247-4 | -- | -- | -- | 48 A | -- | -- | -- | 34 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | - | 60 mΩ | 750 V | -- | -- | -- | -- | -- |
| picture_as_pdf |
|
SEMIKRON | SK 30 DGDL 066 et IGBT modul | ZOBRAZIT | SK30DGDL066ET | On Order | -- | -- | -- | -- | -- | Seven Pack | 600 V | 30 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
| picture_as_pdf |
|
GeneSiC Semiconductor | SiC Mosfet G3F25MT12J tranzistor | ZOBRAZIT | G3F25MT12J | On Order | TO-263-7 | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 1200 V | -- | -- | -- | -- | |||
| -- |
|
GeneSiC Semiconductor | SiC tranzistor G2R50MT65-CAx | ZOBRAZIT | G2R50MT65-CAx | On Order | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | ||||
| picture_as_pdf |
|
GeneSiC Semiconductor | SiC Mosfet G3F135MT12J tranzistor | ZOBRAZIT | G3F135MT12J | On Order | TO-263-7 | -- | -- | -- | 18 A | -- | -- | -- | 13 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 1200 V | -- | -- | -- | -- | |
| picture_as_pdf |
|
Mitsubishi | FMF800DC-66BEW MOSFET SiC | ZOBRAZIT | FMF800DC-66BEW | On Order | -- | -- | -- | -- | -- | 2in1 | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 3300 V | -- | -- | -- | -- | -- |
| -- |
|
Mitsubishi | Moduly CI / CIB | ZOBRAZIT | -- | On Order | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
| picture_as_pdf |
|
Mitsubishi | Hybridní ovladače pro moduly IGBT | ZOBRAZIT | -- | On Order | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
| picture_as_pdf |
|
SEMIKRON | IGBT moduly - Semitrans | ZOBRAZIT | -- | On Order | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
| picture_as_pdf |
|
Starpower | GD600HFX65C6H IGBT. | ZOBRAZIT | GD600HFX65C6H | On Order | -- | C6.12 | -- | -- | -- | -- | 650 V | 600 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
| picture_as_pdf |
|
SEMIKRON | Skim429GD17E4V5 IGBT modul. | ZOBRAZIT | SKiM429GD17E4V5 | On Order | -- | -- | -- | -- | -- | Six Pack | 1700 V | 420 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
| picture_as_pdf |
|
GeneSiC Semiconductor | Tranzystor SiC Mosfet G3F20MT12J | ZOBRAZIT | G3F20MT12J | On Order | TO-263-7 | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 1200 V | -- | -- | -- | -- | |||
| -- |
|
GeneSiC Semiconductor | SiC tranzistor G2R50MT33K | ZOBRAZIT | G2R50MT33K | On Order | TO-247-4 | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | ||||
| picture_as_pdf |
|
GeneSiC Semiconductor | SiC Mosfet G3F65MT12K tranzistor | ZOBRAZIT | G3F65MT12K | On Order | TO-247-4 | -- | -- | -- | 35 A | -- | -- | -- | 25 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 1200 V | -- | -- | -- | -- | |
| -- |
|
Mitsubishi | Tranzistorové moduly | ZOBRAZIT | -- | On Order | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
| picture_as_pdf |
|
Mitsubishi | Wysokonapięciowe moduły IGBT | ZOBRAZIT | -- | On Order | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
| picture_as_pdf |
|
Infineon | Moduly IGBT série EconoPACK+ | ZOBRAZIT | -- | On Order | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
| picture_as_pdf |
|
Starpower | GD225HFY120C6S IGBT. | ZOBRAZIT | GD225HFY120C6S | On Order | -- | C6.1 Black | -- | -- | -- | -- | 1200 V | 225 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
Tranzistory od důvěryhodného dodavatele
DACPOL je zkušeným dodavatelem klíčových produktů v kategorii tranzistorů. Naši zákazníci se mohou spolehnout na kvalitu nabízených výrobků a služeb – ať už jde o MOSFET moduly, diody nebo polovodičové prvky z karbidu křemíku.
Dodáváme produkty jak při odběru jednotlivých tranzistorů, tak i při velkoobjemových objednávkách – zajišťujeme plnou dostupnost všech typů produktů.
Abychom zajistili nejvyšší úroveň služeb, nabízíme pouze produkty od prověřených výrobců a dodavatelů. Náš tým inženýrů sdílí své znalosti a poskytuje poradenství v každé fázi, včetně informací o správném použití zakoupených výrobků.
Nabídka DACPOL v oblasti elektronických součástek, napájecích zdrojů a konektorů je ještě širší a zahrnuje různé elektrické a průmyslové produkty v kategorii tranzistorů. Kompletní sortiment elektronických součástek, napájecích zdrojů a konektorů najdete přímo na našich webových stránkách.
Tranzistory – typy a použití
NPN a PNP tranzistory jsou základní elektronické prvky používané při návrhu obvodů, jako jsou Arduino nebo Raspberry Pi. Tyto diskrétní polovodiče se skládají ze tří vrstev polovodičového materiálu a tří elektrod – emitoru, báze a kolektoru – které umožňují řídit proud mezi kolektorem a emitorem. U unipolárních tranzistorů, například MOSFET, se řídicí proud přivádí přes tzv. „gate“ (drain–source), což umožňuje přesné zesílení elektrického signálu.
Proudový zisk – tedy poměr mezi proudem báze a proudem kolektoru – je klíčový pro správnou polarizaci a činnost elektronických zařízení. Díky principu činnosti, založenému na malém řídicím proudu, mohou tranzistory spínat velké proudy, a proto se používají jako stabilizátory, spínače nebo zesilovače. Objevte naši kompletní nabídku elektronických součástek a vyberte si tranzistor vhodný pro váš projekt!
Polovodičové tranzistory MOS-FET v nabídce DACPOL
Nabízíme dva typy tranzistorů: MOS-FET a IGBT.
MOS-FET tranzistory
MOS-FET tranzistory velmi dobře fungují při paralelním zapojení. Lze jich paralelně připojit i několik desítek. Jsou snadno ovladatelné a nevyžadují žádné úpravy pro vyrovnání proudu.
Jsou dostupné pro proudy od 1,1 A do 250 A a napětí od 12 V do 900 V. Vyrábějí se v různých pouzdrech: SO8, SOT223, D-Pak, D2-Pak, I-Pak, TO-262, TO-220, TO-247, SOT-227, HEXDIP.
IGBT tranzistory
IGBT se vyznačují nízkým úbytkem napětí (2,15 ÷ 5,2 V) při vysokých proudech (10 ÷ 3600 A), schopností blokovat vysoké napětí (250 ÷ 6500 V), řízením pomocí izolované brány a vysokou spínací rychlostí. Jsou k dispozici ve standardních modulech, vysokofrekvenčních, vysokonapěťových i v chytrých modulech. Existují také moduly s vysokonapěťovými diodami pro spolupráci s IGBT.
Vysoká kvalita nabízených produktů
Jsou dostupné v elektricky izolovaných pouzdrech jako jednotlivé tranzistory, půl-mosty a celé mosty. Typická pouzdra: TO220, TO247, A1, NF1, NF2, NF3, NF4, NF5, NF6, U2, U3, U4, U5, U6, U7, U8, A1, A2, A3, A4, A5, H1, H2, H3, H4, H5, H6, H7, H8, H9, H10, H11, H12, H13, DM1, DM2, HV1, HV2, HV3, HV4, HV5, HV6, HV7, HV8, SD1, SD2, SD3, SD4.
Chytré IGBT kromě samotných tranzistorů obsahují také řídicí obvody a ochranu proti zkratu či přepětí.
Podívejte se také na naše produkty v kategorii usměrňovací můstky!
Co je tranzistor a jaké jsou jeho hlavní typy?
Tranzistory umožňují řízení toku elektrického proudu v obvodech – podobně jako spínače. Jsou vyrobeny z polovodičových materiálů, jako je křemík nebo karbid křemíku. První tranzistor byl sestrojen v roce 1948 J. Bardeenem a W. Brattainem. Spolu s W. Shockleym – autorem bipolárního modelu – za něj v roce 1956 obdrželi Nobelovu cenu.
Tato polovodičová zařízení se třemi vývody se dělí na dva hlavní typy. Prvním typem jsou tranzistory s řízením napětím – tzv. unipolární, tedy FET. Ty mají bránu, která při přivedení napětí vytváří elektromagnetické pole a mění odpor mezi drainem a sourcem.
Druhým typem je bipolární tranzistor, známý také jako tranzistor s přechodem. Skládá se z báze, emitoru a kolektoru. Jeho činnost se řídí proudem mezi emitorem a bází. Bipolární tranzistory se dále dělí na typy n-p-n a p-n-p.
Vlastnosti a použití MOS-FET tranzistorů
MOS-FET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor), patřící mezi tranzistory s řízením polem se čtyřmi elektrodami, se vyznačuje vysokým výstupním odporem a velmi krátkou spínací dobou. Používá se především v:
- spínaných napájecích zdrojích,
- nabíječkách pro elektrická a hybridní vozidla,
- UPS systémech,
- pohonových systémech v automobilovém průmyslu a průmyslu obecně,
- audio zesilovačích a telekomunikačních obvodech,
- integrovaných obvodech, zejména v CMOS technologii používané ve většině mikroprocesorů.
Je důležité zmínit, že tranzistory s řízením polem lze využít jak v analogových, tak i v digitálních integrovaných obvodech.
Vlastnosti a použití IGBT tranzistorů
IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor), patřící mezi prvky s izolovanou bránou, spojuje vlastnosti bipolárních tranzistorů a MOS-FET. Díky tomu je zároveň snadno ovladatelný a rychle spínatelný. Je určen pro práci s vysokovýkonnými zátěžemi – až stovky kW – a dokáže blokovat napětí až 6,5 kV. Současně jeho použití zajišťuje nízké energetické ztráty. Proto se využívá například v:
- měničích, které převádějí stejnosměrné napětí na střídavé pro energetické systémy,
- indukčních deskách a nabíječkách,
- UPS systémech,
- spínaných napájecích zdrojích,
- pohonových systémech v průmyslu, např. pro elektromotory.
Související příspěvky
