Tranzistory

Tranzistory od důvěryhodného dodavatele

DACPOL je zkušeným dodavatelem klíčových produktů v kategorii tranzistorů. Naši zákazníci se mohou spolehnout na kvalitu nabízených výrobků a služeb – ať už jde o MOSFET moduly, diody nebo polovodičové prvky z karbidu...

Tranzistory od důvěryhodného dodavatele

DACPOL je zkušeným dodavatelem klíčových produktů v kategorii...

Přečtěte si více
Zobrazit filtry
Skrýt filtryFiltraceZobrazit filtry X
Manufacturers
more... less
Typ bydlení
more... less
Typ bydlení
more... less
Rthjc
more... less
Bydlení
more... less
Trvalý proud I D při Tc = 25 o C
more... less
Konfigurace
more... less
Napětí VCES
more... less
Sběratelský proud IC
more... less
Continous currentID at Tc=100oC
more... less
Kontinuální proud I C při Tc = 25 o C
more... less
Continous current IC at Tc=100oC
more... less
Napájení
more... less
Napětí V (RD) DSS
more... less
Rds(on)
more... less
Aktuální I d
more... less
UCE
more... less
UCC
more... less
IOUTpeak
more... less
fmax
more... less
dv/dt
more... less
IT(AV)
more... less
Napětí
more... less
Elektřina
more... less
Trvalý proud ID
more... less
Napětí URRM
more... less
VDSmax
more... less
VGSmax
more... less
QG typ (nC)
more... less
QGS typ (nC)
more... less
QGD typ (nC)
more... less
QOSS typ (nC)
more... less
ID (A)
more... less
Pulsed ID (A)
more... less
Package (mm)
more... less
RDS(ON) pro VGS = 18 V
more... less
RDS(ON) pro VGS = 15 V
more... less
Napětí UDS
more... less
more... less
more... less
Filter
Informace close
Products that are marked "On Order" in the "Available Quantity" column are usually not in stock. Such products are available for purchase, however, due to their limited customer base, they usually have higher minimum quantities. DACPOL offers products that are not in stock for the following reasons: DACPOL currently has a large number of electronic components in stock and adds new products every day, however, tens of thousands of additional components and their various variants are available from our suppliers. Even though it is unreasonable to have all these products in stock due to the limited sales, we believe that it is in the best interest of our customers to make them available. Our goal is to inform customers about the maximum number of products available and enable them to make decisions based on specifications, prices, availability, required minimums and our technical advice. Please note that selecting the "In Stock" checkbox may limit the display to only products available for delivery straight from the shelf.
PDF obraz
Výrobce
Jméno výrobku
Zobrazit produkt Č. Výrobce
Dostupné množství
Typ bydlení
Typ bydlení
Rthjc
Bydlení
Trvalý proud I D při Tc = 25 o C
Konfigurace
Napětí VCES
Sběratelský proud IC
Continous currentID at Tc=100oC
Kontinuální proud I C při Tc = 25 o C
Continous current IC at Tc=100oC
Napájení
Napětí V (RD) DSS
Rds(on)
Aktuální I d
IOUTpeak
dv/dt
IT(AV)
Napětí
Elektřina
Trvalý proud ID
Napětí URRM
VDSmax
VGSmax
QG typ (nC)
QGS typ (nC)
QGD typ (nC)
QOSS typ (nC)
ID (A)
Pulsed ID (A)
Package (mm)
RDS(ON) pro VGS = 18 V
RDS(ON) pro VGS = 15 V
Napětí UDS
picture_as_pdf SK30DGDL07E3ETE1 sedm pack. SEMIKRON SK30DGDL07E3ETE1 sedm pack. ZOBRAZIT SK30DGDL07E3ETE1 On Order -- -- -- -- -- Seven Pack 650 V 30 A -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- --
-- Tranzystor SiC Mosfet G3F20MT12K GeneSiC Semiconductor Tranzystor SiC Mosfet G3F20MT12K ZOBRAZIT G3F20MT12K On Order TO-247-4 -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- 1200 V -- -- -- --
-- SiC tranzistor G2R50MS65-CAx GeneSiC Semiconductor SiC tranzistor G2R50MS65-CAx ZOBRAZIT G2R50MS65-CAx On Order -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- --
picture_as_pdf G3F09MT12FB2 Moduł Mosfet SiC GeneSiC Semiconductor G3F09MT12FB2 Moduł Mosfet SiC ZOBRAZIT G3F09MT12FB2 On Order -- -- -- -- półmostek -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- --
picture_as_pdf Vysokonapěťová dioda moduly Mitsubishi Vysokonapěťové diodové moduly ZOBRAZIT -- On Order -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- --
picture_as_pdf IPM moduly - Skiip2 / 3 SEMIKRON IPM moduly - Skiip2 / 3 ZOBRAZIT -- On Order -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- --
picture_as_pdf G3R60MT07K MOSFET SIC. GeneSiC Semiconductor G3R60MT07K MOSFET SIC. ZOBRAZIT G3R60MT07K On Order TO-247-4 -- -- -- 48 A -- -- -- 34 A -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- - 60 mΩ 750 V -- -- -- -- --
picture_as_pdf SK 30 DGDL 066 et IGBT modul SEMIKRON SK 30 DGDL 066 et IGBT modul ZOBRAZIT SK30DGDL066ET On Order -- -- -- -- -- Seven Pack 600 V 30 A -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- --
picture_as_pdf SiC Mosfet G3F25MT12J tranzistor GeneSiC Semiconductor SiC Mosfet G3F25MT12J tranzistor ZOBRAZIT G3F25MT12J On Order TO-263-7 -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- 1200 V -- -- -- --
-- SiC tranzistor G2R50MT65-CAx GeneSiC Semiconductor SiC tranzistor G2R50MT65-CAx ZOBRAZIT G2R50MT65-CAx On Order -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- --
picture_as_pdf SiC Mosfet G3F135MT12J tranzistor GeneSiC Semiconductor SiC Mosfet G3F135MT12J tranzistor ZOBRAZIT G3F135MT12J On Order TO-263-7 -- -- -- 18 A -- -- -- 13 A -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- 1200 V -- -- -- --
picture_as_pdf FMF800DC-66BEW MOSFET SiC Mitsubishi FMF800DC-66BEW MOSFET SiC ZOBRAZIT FMF800DC-66BEW On Order -- -- -- -- -- 2in1 -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- 3300 V -- -- -- -- --
-- Moduly CI / CIB Mitsubishi Moduly CI / CIB ZOBRAZIT -- On Order -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- --
picture_as_pdf Hybridní řidič moduly IGBT Mitsubishi Hybridní ovladače pro moduly IGBT ZOBRAZIT -- On Order -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- --
picture_as_pdf IGBT moduly - Semitrans SEMIKRON IGBT moduly - Semitrans ZOBRAZIT -- On Order -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- --
picture_as_pdf GD600HFX65C6H IGBT. Starpower GD600HFX65C6H IGBT. ZOBRAZIT GD600HFX65C6H On Order -- C6.12 -- -- -- -- 650 V 600 A -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- --
picture_as_pdf Skim429GD17E4V5 IGBT modul. SEMIKRON Skim429GD17E4V5 IGBT modul. ZOBRAZIT SKiM429GD17E4V5 On Order -- -- -- -- -- Six Pack 1700 V 420 A -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- --
picture_as_pdf Tranzystor SiC Mosfet G3F20MT12J GeneSiC Semiconductor Tranzystor SiC Mosfet G3F20MT12J ZOBRAZIT G3F20MT12J On Order TO-263-7 -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- 1200 V -- -- -- --
-- SiC tranzistor G2R50MT33K GeneSiC Semiconductor SiC tranzistor G2R50MT33K ZOBRAZIT G2R50MT33K On Order TO-247-4 -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- --
picture_as_pdf SiC Mosfet G3F65MT12K tranzistor GeneSiC Semiconductor SiC Mosfet G3F65MT12K tranzistor ZOBRAZIT G3F65MT12K On Order TO-247-4 -- -- -- 35 A -- -- -- 25 A -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- 1200 V -- -- -- --
-- Tranzistorové moduly Mitsubishi Tranzistorové moduly ZOBRAZIT -- On Order -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- --
picture_as_pdf IGBT moduly vysokého napětí Mitsubishi Wysokonapięciowe moduły IGBT ZOBRAZIT -- On Order -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- --
picture_as_pdf IGBT moduly řady EconoPACK + Infineon Moduly IGBT série EconoPACK+ ZOBRAZIT -- On Order -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- --
picture_as_pdf GD225HFY120C6S IGBT. Starpower GD225HFY120C6S IGBT. ZOBRAZIT GD225HFY120C6S On Order -- C6.1 Black -- -- -- -- 1200 V 225 A -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- --
Výsledky na stránku:

Tranzistory od důvěryhodného dodavatele

DACPOL je zkušeným dodavatelem klíčových produktů v kategorii tranzistorů. Naši zákazníci se mohou spolehnout na kvalitu nabízených výrobků a služeb – ať už jde o MOSFET moduly, diody nebo polovodičové prvky z karbidu křemíku.

Dodáváme produkty jak při odběru jednotlivých tranzistorů, tak i při velkoobjemových objednávkách – zajišťujeme plnou dostupnost všech typů produktů.

Abychom zajistili nejvyšší úroveň služeb, nabízíme pouze produkty od prověřených výrobců a dodavatelů. Náš tým inženýrů sdílí své znalosti a poskytuje poradenství v každé fázi, včetně informací o správném použití zakoupených výrobků.

Nabídka DACPOL v oblasti elektronických součástek, napájecích zdrojů a konektorů je ještě širší a zahrnuje různé elektrické a průmyslové produkty v kategorii tranzistorů. Kompletní sortiment elektronických součástek, napájecích zdrojů a konektorů najdete přímo na našich webových stránkách.

Tranzistory – typy a použití

NPN a PNP tranzistory jsou základní elektronické prvky používané při návrhu obvodů, jako jsou Arduino nebo Raspberry Pi. Tyto diskrétní polovodiče se skládají ze tří vrstev polovodičového materiálu a tří elektrod – emitoru, báze a kolektoru – které umožňují řídit proud mezi kolektorem a emitorem. U unipolárních tranzistorů, například MOSFET, se řídicí proud přivádí přes tzv. „gate“ (drain–source), což umožňuje přesné zesílení elektrického signálu.

Proudový zisk – tedy poměr mezi proudem báze a proudem kolektoru – je klíčový pro správnou polarizaci a činnost elektronických zařízení. Díky principu činnosti, založenému na malém řídicím proudu, mohou tranzistory spínat velké proudy, a proto se používají jako stabilizátory, spínače nebo zesilovače. Objevte naši kompletní nabídku elektronických součástek a vyberte si tranzistor vhodný pro váš projekt!

Polovodičové tranzistory MOS-FET v nabídce DACPOL

Nabízíme dva typy tranzistorů: MOS-FET a IGBT.

MOS-FET tranzistory

MOS-FET tranzistory velmi dobře fungují při paralelním zapojení. Lze jich paralelně připojit i několik desítek. Jsou snadno ovladatelné a nevyžadují žádné úpravy pro vyrovnání proudu.

Jsou dostupné pro proudy od 1,1 A do 250 A a napětí od 12 V do 900 V. Vyrábějí se v různých pouzdrech: SO8, SOT223, D-Pak, D2-Pak, I-Pak, TO-262, TO-220, TO-247, SOT-227, HEXDIP.

IGBT tranzistory

IGBT se vyznačují nízkým úbytkem napětí (2,15 ÷ 5,2 V) při vysokých proudech (10 ÷ 3600 A), schopností blokovat vysoké napětí (250 ÷ 6500 V), řízením pomocí izolované brány a vysokou spínací rychlostí. Jsou k dispozici ve standardních modulech, vysokofrekvenčních, vysokonapěťových i v chytrých modulech. Existují také moduly s vysokonapěťovými diodami pro spolupráci s IGBT.

Vysoká kvalita nabízených produktů

Jsou dostupné v elektricky izolovaných pouzdrech jako jednotlivé tranzistory, půl-mosty a celé mosty. Typická pouzdra: TO220, TO247, A1, NF1, NF2, NF3, NF4, NF5, NF6, U2, U3, U4, U5, U6, U7, U8, A1, A2, A3, A4, A5, H1, H2, H3, H4, H5, H6, H7, H8, H9, H10, H11, H12, H13, DM1, DM2, HV1, HV2, HV3, HV4, HV5, HV6, HV7, HV8, SD1, SD2, SD3, SD4.

Chytré IGBT kromě samotných tranzistorů obsahují také řídicí obvody a ochranu proti zkratu či přepětí.

Podívejte se také na naše produkty v kategorii usměrňovací můstky!

Co je tranzistor a jaké jsou jeho hlavní typy?

Tranzistory umožňují řízení toku elektrického proudu v obvodech – podobně jako spínače. Jsou vyrobeny z polovodičových materiálů, jako je křemík nebo karbid křemíku. První tranzistor byl sestrojen v roce 1948 J. Bardeenem a W. Brattainem. Spolu s W. Shockleym – autorem bipolárního modelu – za něj v roce 1956 obdrželi Nobelovu cenu.

Tato polovodičová zařízení se třemi vývody se dělí na dva hlavní typy. Prvním typem jsou tranzistory s řízením napětím – tzv. unipolární, tedy FET. Ty mají bránu, která při přivedení napětí vytváří elektromagnetické pole a mění odpor mezi drainem a sourcem.

Druhým typem je bipolární tranzistor, známý také jako tranzistor s přechodem. Skládá se z báze, emitoru a kolektoru. Jeho činnost se řídí proudem mezi emitorem a bází. Bipolární tranzistory se dále dělí na typy n-p-n a p-n-p.

Vlastnosti a použití MOS-FET tranzistorů

MOS-FET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor), patřící mezi tranzistory s řízením polem se čtyřmi elektrodami, se vyznačuje vysokým výstupním odporem a velmi krátkou spínací dobou. Používá se především v:

  • spínaných napájecích zdrojích,
  • nabíječkách pro elektrická a hybridní vozidla,
  • UPS systémech,
  • pohonových systémech v automobilovém průmyslu a průmyslu obecně,
  • audio zesilovačích a telekomunikačních obvodech,
  • integrovaných obvodech, zejména v CMOS technologii používané ve většině mikroprocesorů.

Je důležité zmínit, že tranzistory s řízením polem lze využít jak v analogových, tak i v digitálních integrovaných obvodech.

Vlastnosti a použití IGBT tranzistorů

IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor), patřící mezi prvky s izolovanou bránou, spojuje vlastnosti bipolárních tranzistorů a MOS-FET. Díky tomu je zároveň snadno ovladatelný a rychle spínatelný. Je určen pro práci s vysokovýkonnými zátěžemi – až stovky kW – a dokáže blokovat napětí až 6,5 kV. Současně jeho použití zajišťuje nízké energetické ztráty. Proto se využívá například v:

  • měničích, které převádějí stejnosměrné napětí na střídavé pro energetické systémy,
  • indukčních deskách a nabíječkách,
  • UPS systémech,
  • spínaných napájecích zdrojích,
  • pohonových systémech v průmyslu, např. pro elektromotory.