Musíte být přihlášen
-
-
-
Category
-
Polovodiče
- LED diody
- Tyristory
- Elektroizolační moduly
- Přemosťovací usměrňovače
-
Tranzistory
- Tranzistory | GeneSiC
- SiC MOSFET moduly | Mitsubishi
- SiC MOSFET moduly | STARPOWER
- Moduly ABB SiC MOSFET
- Moduly IGBT | MITSUBISHI
- Tranzistorové moduly | MITSUBISHI
- Moduly MOSFET | MITSUBISHI
- Tranzistorové moduly | ABB
- Moduly IGBT | POWEREX
- Moduly IGBT | INFINEON (EUPEC)
- Polovodičové prvky z karbidu křemíku (SiC)
- Go to the subcategory
- Ovladače brány
- Bloky napájení
- Go to the subcategory
- Měniče proudu a napětí LEM
-
Pasivní součásti (kondenzátory, rezistory, pojistky, filtry)
- Rezistory
-
Pojistky
- Miniaturní pojistky pro elektronické obvody řady ABC a AGC
- Trubkové rychle působící pojistky
- Pojistkové vložky s časovým zpožděním s charakteristikami GL / GG a AM
- Ultrarychlé pojistkové články
- Rychle působící pojistky (britský a americký standard)
- Rychle působící pojistky (evropský standard)
- Pojistky pojezdu
- Pojistkové vložky vysokého napětí
- Go to the subcategory
-
Kondenzátory
- Motorové kondenzátory
- Elektrolytické kondenzátory
- Filmové kondenzátory
- Výkonové kondenzátory
- Kondenzátory pro stejnosměrné obvody
- Kondenzátory korekce účiníku
- Vysokonapěťové kondenzátory
- Indukční topné kondenzátory
- Kondenzátory pulsu a energie
- DC LINK kondenzátory
- Kondenzátory pro AC / DC obvody
- Go to the subcategory
- EMI filtry
- Superkondenzátory
- Přepěťová ochrana
- Filtry pro odhalování emisí TEMPEST
- Go to the subcategory
-
Relé a stykače
- Teorie relé a stykačů
- 3fázová střídavá polovodičová relé
- 3fázová střídavá polovodičová relé
- Regulátory, ovládací prvky a příslušenství
- Měkké spouštění a reverzační stykače
- Elektromechanická relé
- Stykače
- Otočné spínače
-
Jednofázová střídavá polovodičová relé
- Jednofázová střídavá polovodičová relé, 1 řada | D2425 | D2450
- Jednofázová střídavá polovodičová relé řady CWA a CWD
- Jednofázová střídavá polovodičová relé řady CMRA a CMRD
- Jednofázová střídavá polovodičová relé řady PS
- Dvojitá a čtyřnásobná střídavá polovodičová relé řady D24 D, TD24 Q, H12D48 D.
- Jednofázová polovodičová relé řady GN
- Jednofázová střídavá polovodičová relé řady CKR
- Jednofázová AC relé na lištu DIN řady ERDA A ERAA
- Jednofázová AC relé pro proud 150 A.
- Dvojitá polovodičová relé integrovaná s chladičem pro lištu DIN
- Go to the subcategory
- Jednofázová AC polovodičová relé pro PCB
- Relé rozhraní
- Go to the subcategory
- Jádra a další indukční součásti
- Radiátory, varistory, tepelné ochrany
- Fanoušci
- Klimatizace, příslušenství pro elektrické skříně, chladiče
-
Baterie, nabíječky, vyrovnávací zdroje a střídače
- Baterie, nabíječky - teoretický popis
- Lithium-iontové baterie. Vlastní baterie. Systém správy baterií (BMS)
- Baterie
- Nabíječky baterií a příslušenství
- Záložní zdroj UPS a vyrovnávací napájecí zdroje
- Převaděče a příslušenství pro fotovoltaiku
- Úschovna energie
- Palivové články
- Lithium-iontové baterie
- Go to the subcategory
- Automatika
-
Kabely, dráty, vodiče, flexibilní připojení
- dráty
- lanka
- Kabely pro speciální aplikace
- košile
-
prýmky
- prýmky byt
- prýmky kolo
- Velmi flexibilní opletení - plochý
- Velmi flexibilní opletení - Round
- Měď opletené válcové
- Mědí štít a válcové
- Flexibilní zemnící pásky
- Opletení válcovité pozinkované a nerezové oceli
- PVC izolované měděné pletivo - teplota 85 ° C
- Ploché pletené hliníkové
- Connection Kit - prýmky a trubky
- Go to the subcategory
- Příslušenství pro trakční
- kabelové botky
- Ohebné izolované přípojnice
- Vícevrstvá ohebná lišta
- Systémy vedení kabelů
- Go to the subcategory
- View all categories
-
Polovodiče
-
-
Tranzistory
Kategorie
- Tranzistory | GeneSiC
- SiC MOSFET moduly | Mitsubishi
- SiC MOSFET moduly | STARPOWER
- Moduly ABB SiC MOSFET
- Moduly IGBT | MITSUBISHI
- Tranzistorové moduly | MITSUBISHI
- Moduly MOSFET | MITSUBISHI
- Tranzistorové moduly | ABB
- Moduly IGBT | POWEREX
- Moduly IGBT | INFINEON (EUPEC)
- Polovodičové prvky z karbidu křemíku (SiC)
- Tranzistorové moduly | DYNEX
- MOSFET tranzistory | VISHAY (IR)
- SiC MOSFET moduly | POWEREX
- Moduly IGBT | Semikron
- Ovladače MOSFET a IGBT | Semikron
- Moduly MOSFET | Microsemi
- IGBT tranzistory | VISHAY (IR)
- Moduly IGBT Starpower
- EPC GAN tranzistory
| obraz | Zobrazit produkt | Č. Výrobce | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| picture_as_pdf |
|
SEMIKRON | SK25DGDL12T7ETE2S sedm pack. | ZOBRAZIT | SK25DGDL12T7ETE2s | On Order | -- | -- | -- | -- | -- | Seven Pack | 1200 V | 25 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
| picture_as_pdf |
|
SEMIKRON | SK35DGDL12T7ETE2S sedm pack. | ZOBRAZIT | SK35DGDL12T7ETE2s | On Order | -- | -- | -- | -- | -- | Seven Pack | 1200 V | 35 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
| picture_as_pdf |
|
SEMIKRON | SK10DGDL07E3ETE1 IGBT modul. | ZOBRAZIT | SK10DGDL07E3ETE1 | On Order | -- | -- | -- | -- | -- | Seven Pack | 650 V | 10:00 AM | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
| picture_as_pdf |
|
GeneSiC Semiconductor | Tranzystor SiC Mosfet G3F75MT12J | ZOBRAZIT | G3F75MT12J | On Order | TO-263-7 | -- | -- | -- | 31 A | -- | -- | -- | 22 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 1200 V | -- | -- | -- | -- | |
| -- |
|
GeneSiC Semiconductor | SiC tranzistor G3F18MT12U | ZOBRAZIT | G3F18MT12U | On Order | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | |||||
| picture_as_pdf |
|
GeneSiC Semiconductor | G3F18MT12FB4 Moduł Mosfet SiC | ZOBRAZIT | G3F18MT12FB4 | On Order | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | |||||
| picture_as_pdf |
|
Vishay | Tranzistory IGBT firmy VISHAY (IR) | ZOBRAZIT | -- | On Order | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
| picture_as_pdf |
|
Microsemi | Moduly MOSFET - Microsemi | ZOBRAZIT | -- | On Order | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
| picture_as_pdf |
|
Mitsubishi | 5. generace modulů IPM - série L | ZOBRAZIT | -- | On Order | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
| picture_as_pdf |
|
SEMIKRON | Semidriver ovladače | ZOBRAZIT | -- | On Order | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
| picture_as_pdf |
|
Mitsubishi | FMF375DC-66A MOSFET SIC | ZOBRAZIT | FMF375DC-66A | On Order | -- | -- | -- | -- | -- | 2in1 | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 375 V | -- | -- | -- | -- | -- |
| picture_as_pdf |
|
SEMIKRON | Skiip 11Ac12t7v1 šest balení | ZOBRAZIT | SKiiP11AC12T7V1 | On Order | -- | -- | -- | -- | -- | Six Pack | 1200 V | 10:00 AM | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
| picture_as_pdf |
|
SEMIKRON | SKM600GB066D Poloviční most | ZOBRAZIT | SKM600GB066D | On Order | -- | -- | -- | -- | -- | Half Bridge | 600 V | 600 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
| -- |
|
SEMIKRON | SK225GH07H5TD1E2 H-most | ZOBRAZIT | SK225GH07H5TD1E2 | On Order | -- | -- | -- | -- | -- | H-Bridge | 650 V | 225 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
| picture_as_pdf |
|
GeneSiC Semiconductor | Tranzystor SiC Mosfet G3F40MT12K | ZOBRAZIT | G3F40MT12K | On Order | TO-247-4 | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 39 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 1200 V | -- | -- | -- | -- | ||
| -- |
|
GeneSiC Semiconductor | SiC tranzistor G2R300MT65-CAx | ZOBRAZIT | G2R300MT65-CAx | On Order | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | |||||
| picture_as_pdf |
|
GeneSiC Semiconductor | G3F17MT12FB2 Moduł Mosfet SiC | ZOBRAZIT | G3F17MT12FB2 | On Order | -- | -- | -- | -- | półmostek | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | ||||
| picture_as_pdf |
|
Mitsubishi | 1200V FMF600DXE-24BN | ZOBRAZIT | FMF600DXE-24BN | On Order | -- | -- | -- | -- | -- | 2in1 | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 1200 V | -- | -- | -- | -- | -- |
| picture_as_pdf |
|
SEMIKRON | SKM200GB12F4 Poloviční most | ZOBRAZIT | SKM200GB12F4 | On Order | -- | -- | -- | -- | -- | Half Bridge | 1200 V | 200 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
| picture_as_pdf |
|
ABB | IGBT IGB. | ZOBRAZIT | -- | On Order | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
| picture_as_pdf |
|
Mitsubishi | Nový Mega Power Dual Modules - IGBT | ZOBRAZIT | -- | On Order | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
| picture_as_pdf |
|
SEMIKRON | MOSFET moduly | ZOBRAZIT | -- | On Order | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
| -- |
|
Mitsubishi | 7 generace modulů IGBT | ZOBRAZIT | -- | On Order | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
| picture_as_pdf |
|
SEMIKRON | SK30DGDL07E3ETE1 sedm pack. | ZOBRAZIT | SK30DGDL07E3ETE1 | On Order | -- | -- | -- | -- | -- | Seven Pack | 650 V | 30 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
Tranzistory od ověřeného dodavatele
Dacpol je zkušeným dodavatelem nezbytných položek v kategorii tranzistorů. Naši zákazníci se mohou spolehnout na kvalitu produktů a služeb, které dodáváme, ať už kupují MOSFET moduly, stejnosměrné diody nebo polovodičové prvky z karbidu křemíku.
Jsme připraveni dodat Vámi hledaný produkt ve velkém množství, bez ohledu na to, zda objednáváte jednotlivé tranzistory, nebo nakupujete velkoobchodně. Nabízíme komplexní dodávku všech produktů.
Vzhledem k nejvyšší kvalitě služeb nabízíme našim zákazníkům pouze produkty od ověřených dodavatelů a výrobců. Naši inženýři jsou vám k dispozici v každé fázi s odbornými radami a znalostmi, aby mohli zajistit informace o údržbě a používání zakoupených výrobků.
Sortiment Dacpol v oblasti elektronických součástek, napájení a konektorů je mnohem širší a zahrnuje různé elektrické a průmyslové produkty z kategorie tranzistorů. Na našich webových stránkách si můžete prohlédnout kompletní nabídku z této skupiny.
Polní tranzistory od DACPOL
Nabízíme dva typy polních tranzistorů: MOS-FET a IGBT.
MOS-FET tranzistory
MOS-FET tranzistory dobře spolupracují v paralelních zapojeních. Lze je paralelně propojit i desítky kusů. Snadno se řídí a není nutná korekce rozložení proudu mezi nimi.
Jsou dostupné v proudovém rozsahu od 1,1A do 250A a v napětích od 12V do 900V. MOS-FET tranzistory se vyrábějí v těchto typech pouzder: SO8, SOT223, D-Pak, D2-Pak, I-Pak, TO-262, TO-220, TO-247, SOT-227, HEXDIP.
IGBT tranzistory
IGBT tranzistory se vyznačují nízkým napěťovým poklesem (2,15 až 5,2 V) při vysokých proudech (10 až 3600 A), schopností blokovat vysoká napětí (250 až 6500 V), řízením přes izolovanou bránu a vysokou spínací rychlostí. Vyrábějí se jako standardní moduly, vysokofrekvenční moduly, vysokonapěťové moduly a inteligentní vysokonapěťové moduly. Kromě toho nabízíme vysokonapěťové diodové moduly pro použití s IGBT tranzistory.
Vysoká kvalita nabízených produktů
Jsou dostupné v elektroizolovaných pouzdrech jako jednotlivé tranzistory, dvoutranzistorové moduly (polomosty), šestiprvkové moduly (plné mosty), sedmiprvkové moduly (plný most s tranzistorem). Typická pouzdra jsou: TO220, TO247, A1, NF1, NF2, NF3, NF4, NF5, NF6, U2, U3, U4, U5, U6, U7, U8, A1, A2, A3, A4, A5, H1, H2, H3, H4, H5, H6, H7, H8, H9, H10, H11, H12, H13, DM1, DM2, HV1, HV2, HV3, HV4, HV5, HV6, HV7, HV8, SD1, SD2, SD3, SD4.
IGBT tranzistory vyráběné jako inteligentní moduly obsahují kromě tranzistorů i obvody pro jejich řízení a ochrany proti zkratu a přepětí.
Podívejte se také na naše produkty z kategorie usměrňovacích můstků!
Co jsou tranzistory a jaké jsou jejich základní typy?
Tranzistory jsou polovodičové elektronické součástky se třemi elektrodami, jejichž hlavní funkcí je zesílení signálu zvýšením jeho amplitudy. Kromě toho mohou řídit tok proudu v elektrických obvodech – fungují jako spínače. Jsou vyrobeny z polovodičových materiálů, jako je křemík nebo germanium. První tranzistor byl vyvinut v roce 1948 J. Bardeenem a W.H. Brattainem. Jeho konstruktéři spolu s W.B. Shockleym, tvůrcem bipolárního modelu, získali v roce 1956 za tento vynález Nobelovu cenu.
Polovodičové tříelektrodové elektronické součástky se dělí do dvou hlavních skupin. První jsou polní tranzistory, také nazývané unipolární, které jsou řízené napětím. Skládají se z brány, na kterou se přivádí napětí, které vytváří elektromagnetické pole měnící odpor mezi drenem a zdrojem, tedy místem výstupu signálu.
Bipolární tranzistor, také známý jako spojový tranzistor, je druhý typ. Skládá se ze základny, emitoru a kolektoru. Řídí se proudem mezi emitorem a základnou. Bipolární tranzistory se dále dělí na modely n-p-n a p-n-p.
Čím se vyznačuje polní tranzistor a kde se nejčastěji používá?
MOS-FET tranzistor (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor), zařazený mezi polní tranzistory, je čtyřvývodový a vyznačuje se vysokým výstupním odporem a velmi rychlým přepínáním. Proto se používá především v:
- spínaných zdrojích, kde umožňuje efektivní a účinné řízení sítě,
- nabíječkách elektrických a hybridních vozidel,
- záložních zdrojích UPS,
- motorových pohonech používaných v automobilovém průmyslu a průmyslu obecně,
- zesilovačích audio a telekomunikačních systémů,
- integrovaných obvodech, zejména založených na technologii CMOS (Complementary Metal-Oxide-Semiconductor), která je dnes používána ve většině mikroprocesorů.
Dále je třeba zdůraznit, že polní tranzistory mohou být využívány v analogových i digitálních integrovaných obvodech.
Co jsou IGBT tranzistory a k čemu slouží?
IGBT tranzistor (Insulated Gate Bipolar Transistor), zařazený mezi izolovaně řízená bránová zařízení, kombinuje vlastnosti bipolárních tranzistorů a MOS-FETů. Díky tomu má jednoduché řízení a rychlé přepínání. IGBT tranzistory jsou schopné zpracovat vysoké výkony až do několika set kW. Mají také schopnost blokovat vysoká napětí až do 6 kV. Zároveň zajišťují nízké ztráty výkonu. Proto se používají například v:
- měničích, které převádějí stejnosměrné napětí na střídavé pro energetické systémy,
- indukčních vařičích a nabíječkách,
- záložních zdrojích,
- spínaných zdrojích,
- průmyslových pohonných systémech, jako jsou elektrické motory.
Související příspěvky
