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| Bild | Produkt anzeigen | Hersteller-Nr | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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Mitsubishi | CM200DU-24NFH MOSFET SIC | SEHEN SIE ES | CMH200DU-24NFH | Verfügbare Menge | -- | -- | -- | -- | -- | 2in1 | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 200 V | -- | -- | -- | -- |
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Mitsubishi | PSF15S92F6 MOSFET SIC. | SEHEN SIE ES | PSF15S92F6 | Verfügbare Menge | -- | -- | -- | -- | -- | 6in1 | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 15 V | -- | -- | -- | -- |
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Mitsubishi | SIC-MOSFET-Module | SEHEN SIE ES | -- | Verfügbare Menge | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
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SEMIKRON | SK25TMLID12F4TE2 3-Ebene | SEHEN SIE ES | SK25TMLID12F4TE2 | Verfügbare Menge | -- | -- | -- | -- | -- | 3-level | 1200 V | 25 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
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SEMIKRON | Sk50gd12t4ete2 Sixpack | SEHEN SIE ES | SK50GD12T4ETE2 | Verfügbare Menge | -- | -- | -- | -- | -- | Six Pack | 1200 V | 50 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
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Mitsubishi | FMF800DC-66BEW MOSFET SiC | SEHEN SIE ES | FMF800DC-66BEW | Verfügbare Menge | -- | -- | -- | -- | -- | 2in1 | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 3300 V | -- | -- | -- | -- |
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GeneSiC Semiconductor | G3F18MT12FB4 Moduł Mosfet SiC | SEHEN SIE ES | G3F18MT12FB4 | Verfügbare Menge | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | |||||
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GeneSiC Semiconductor | Tranzystor SiC Mosfet G3F75MT12K | SEHEN SIE ES | G3F75MT12K | Verfügbare Menge | TO-247-4 | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 1200 V | -- | -- | -- | |||
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SEMIKRON | SKIM400GD126DLM Six Packung. | SEHEN SIE ES | SKiM400GD126DLM | Verfügbare Menge | -- | -- | -- | -- | -- | Six Pack | 1200 V | 300 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
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SEMIKRON | SKM200GB12F4 Halbbrücke. | SEHEN SIE ES | SKM200GB12F4 | Verfügbare Menge | -- | -- | -- | -- | -- | Half Bridge | 1200 V | 200 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
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Mitsubishi | 3. Generation IGBT-Module - Serie H | SEHEN SIE ES | -- | Verfügbare Menge | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
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Mitsubishi | CMH600DC-66X MOSFET SIC | SEHEN SIE ES | CMH600DC-66X | Verfügbare Menge | -- | -- | -- | -- | -- | 2in1 | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 600 V | -- | -- | -- | -- |
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GeneSiC Semiconductor | Tranzystor SiC Mosfet G3F60MT06K | SEHEN SIE ES | G3F60MT06K | Verfügbare Menge | TO-247-4 | -- | -- | -- | 42 A | -- | -- | -- | 30 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 650 V | -- | -- | ||
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GeneSiC Semiconductor | G3F17MT12FB2 Moduł Mosfet SiC | SEHEN SIE ES | G3F17MT12FB2 | Verfügbare Menge | -- | -- | -- | -- | półmostek | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | ||||
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GeneSiC Semiconductor | Tranzystor SiC Mosfet G3F75MT12J | SEHEN SIE ES | G3F75MT12J | Verfügbare Menge | TO-263-7 | -- | -- | -- | 31 A | -- | -- | -- | 22 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 1200 V | -- | -- | -- | |
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POWEREX | Doppel Hochspannung IGBT Module QID 3320004 | SEHEN SIE ES | -- | Verfügbare Menge | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
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Mitsubishi | 4. Generation von IGBT TRENCH Modulen - Serie F | SEHEN SIE ES | -- | Verfügbare Menge | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
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Mitsubishi | 6. Generation IPM - Full Gate (V1-Serie) | SEHEN SIE ES | -- | Verfügbare Menge | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
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Mitsubishi | PSF20L91A6-A MOSFET SIC | SEHEN SIE ES | PSF20L91A6-A | Verfügbare Menge | -- | -- | -- | -- | -- | Two-phase interleaved | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 20Arms V | -- | -- | -- | -- |
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Mitsubishi | FMF750DC-66A MOSFET SIC | SEHEN SIE ES | FMF750DC-66A | Verfügbare Menge | -- | -- | -- | -- | -- | 2in1 | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 750 V | -- | -- | -- | -- |
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SEMIKRON | Skiip 11AC12T7V1 Sixpack | SEHEN SIE ES | SKiiP11AC12T7V1 | Verfügbare Menge | -- | -- | -- | -- | -- | Six Pack | 1200 V | 10:00 AM | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
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GeneSiC Semiconductor | G3F09MT12FB2 Moduł Mosfet SiC | SEHEN SIE ES | G3F09MT12FB2 | Verfügbare Menge | -- | -- | -- | -- | półmostek | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | ||||
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GeneSiC Semiconductor | Tranzystor SiC Mosfet G3F40MT12K | SEHEN SIE ES | G3F40MT12K | Verfügbare Menge | TO-247-4 | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 39 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 1200 V | -- | -- | -- | ||
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Mitsubishi | Hochspannungs-Diodenmodule | SEHEN SIE ES | -- | Verfügbare Menge | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
Transistoren von einem zuverlässigen Anbieter
Dacpol ist ein erfahrener Anbieter von unverzichtbaren Artikeln der Transistorkategorie. Unsere Kunden können sich auf die Qualität der von uns gelieferten Produkte und Dienstleistungen verlassen, egal ob sie MOSFET-Module, Gleichstromdioden oder Halbleiterelemente aus Siliziumkarbid kaufen.
Wir sind bereit, die von Ihnen gesuchten Produkte in großen Mengen zu liefern, egal, ob Sie einzelne Transistoren bestellen oder Großmengen kaufen. Wir bieten eine umfassende Lieferung aller Produkte an.
Aufgrund unseres höchsten Servicestandards bieten wir unseren Kunden nur Produkte von bewährten Lieferanten und Herstellern an. Unser Ingenieurteam steht jederzeit mit Fachwissen und Beratung zur Verfügung, um Informationen zur Wartung und Verwendung der gekauften Produkte zu gewährleisten.
Das Angebot von Dacpol im Bereich elektronischer Bauelemente, Stromversorgungen und Steckverbinder ist deutlich umfangreicher und umfasst verschiedene elektrische und industrielle Artikel der Kategorie Transistoren. Auf unserer Webseite können Sie das vollständige Sortiment an elektronischen Bauteilen, Stromversorgungen und Steckverbindern einsehen.
Feldeffekttransistoren von DACPOL
Wir bieten zwei Arten von Feldeffekttransistoren an: MOS-FET und IGBT.
MOS-FET-Transistoren
MOS-FET-Transistoren funktionieren gut in Parallelschaltungen. Sie können sogar in mehreren Dutzend parallel geschaltet werden. Sie sind einfach zu steuern und benötigen keine Stromkorrektur zwischen ihnen.
Sie sind in Strombereichen von 1,1A bis 250A und Spannungen von 12V bis 900V erhältlich. MOS-FET-Transistoren werden in folgenden Gehäusetypen hergestellt: SO8, SOT223, D-Pak, D2-Pak, I-Pak, TO-262, TO-220, TO-247, SOT-227, HEXDIP.
IGBT-Transistoren
IGBT-Transistoren zeichnen sich durch eine geringe Durchlassspannung (2,15 bis 5,2V) bei hohen Strömen (10-3600A), die Fähigkeit, hohe Spannungen (250-6500V) zu blockieren, isolierte Gate-Steuerung und hohe Schaltgeschwindigkeit aus. Sie werden als Standardmodule, Hochfrequenzmodule, Hochspannungsmodule und intelligente Hochspannungsmodule hergestellt. Außerdem bieten wir Hochspannungs-Diodenmodule zur Verwendung mit IGBT-Transistoren an.
Hohe Qualität der angebotenen Produkte
Erhältlich in elektrisch isolierten Gehäusen als Einzeltransistoren, Zweitransistormodule (Halbbrücken), Sechselementmodule (Vollbrücken), Siebenelementmodule (Vollbrücke mit Transistor). Typische Gehäuse sind: TO220, TO247, A1, NF1, NF2, NF3, NF4, NF5, NF6, U2, U3, U4, U5, U6, U7, U8, A1, A2, A3, A4, A5, H1, H2, H3, H4, H5, H6, H7, H8, H9, H10, H11, H12, H13, DM1, DM2, HV1, HV2, HV3, HV4, HV5, HV6, HV7, HV8, SD1, SD2, SD3, SD4.
IGBT-Transistoren, die als intelligente Module gefertigt werden, enthalten neben Transistoren auch Steuer- und Schutzschaltungen gegen Kurzschluss und Überspannung.
Siehe auch unsere Produkte in der Kategorie Gleichrichterbrücken!
Was sind Transistoren und welche Grundtypen gibt es?
Transistoren sind halbleiterbasierte elektronische Bauteile mit drei Elektroden, deren Hauptfunktion die Verstärkung von Signalen durch Erhöhung ihrer Amplitude ist. Außerdem können sie den Stromfluss in elektrischen Schaltungen steuern – sie fungieren als Schalter. Sie bestehen aus Halbleitermaterialien wie Silizium oder Germanium. Der erste Transistor wurde 1948 von J. Bardeen und W.H. Brattain entwickelt. Ihre Erfinder sowie W.B. Shockley, Schöpfer des Bipolar-Modells, erhielten 1956 den Nobelpreis für diese Erfindung.
Halbleiter-Dreielektroden-Bauelemente werden in zwei Haupttypen eingeteilt. Der erste Typ sind Feldeffekttransistoren, auch als unipolare Transistoren bezeichnet, die spannungsgesteuert sind. Sie verfügen über ein Gate, an das eine Spannung angelegt wird, die ein elektromagnetisches Feld erzeugt, das den Widerstand zwischen Drain und Source – dem Ausgangspunkt des Signals – verändert.
Der Bipolartransistor, auch als Junction-Transistor bekannt, ist der zweite Typ. Er besteht aus Basis, Emitter und Kollektor. Die Steuerung erfolgt durch den Strom zwischen Emitter und Basis. Bipolartransistoren werden weiter in n-p-n und p-n-p Modelle unterteilt.
Wodurch zeichnen sich Feldeffekttransistoren aus und wo werden sie hauptsächlich eingesetzt?
Der MOS-FET-Transistor (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor), ein vierpoliger Feldeffekttransistor, zeichnet sich durch hohen Ausgangswiderstand und sehr schnelle Schaltzeiten aus. Deshalb wird er hauptsächlich verwendet in:
- Schaltnetzteilen, die eine effiziente und zuverlässige Netzsteuerung ermöglichen,
- Ladegeräten für Elektro- und Hybridfahrzeuge,
- USV-Anlagen (unterbrechungsfreie Stromversorgungen),
- Motorsteuerungen in der Automobilindustrie und im Maschinenbau,
- Audio- und Telekommunikationsverstärkern,
- Integrierten Schaltkreisen, insbesondere solchen auf CMOS-Technologie (Complementary Metal-Oxide-Semiconductor), die in den meisten modernen Mikroprozessoren verwendet wird.
Darüber hinaus können Feldeffekttransistoren sowohl in analogen als auch in digitalen integrierten Schaltungen eingesetzt werden.
Was sind IGBT-Transistoren und wofür werden sie verwendet?
Der IGBT-Transistor (Insulated Gate Bipolar Transistor), ein isoliert gesteuertes Bauteil, kombiniert Eigenschaften von Bipolar- und MOS-FET-Transistoren. Dadurch zeichnet er sich durch einfache Steuerung und schnelles Schalten aus. IGBT-Transistoren sind für den Betrieb mit hohen Leistungen bis zu mehreren hundert kW ausgelegt. Sie können hohe Spannungen bis zu 6 kV blockieren und gleichzeitig geringe Leistungsverluste aufweisen. Deshalb werden sie beispielsweise verwendet in:
- Wechselrichtern, die Gleichspannung in Wechselspannung für Energiesysteme umwandeln,
- Induktionskochfeldern und Ladegeräten,
- Notstromversorgungen,
- Schaltnetzteilen,
- Antriebssystemen in der Industrie, wie z.B. Elektromotoren.
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