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Information
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| Bild | Produkt anzeigen | Hersteller-Nr | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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EPC (Efficient Power Conversion) | EPC7019 Transistor | SEHEN SIE ES | EPC7019 | Verfügbare Menge | -- | -- | -- | -- | -- | Single Rad Hard | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 1-May | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 40 | 6 | 23 | 7-Jun | 3-Apr | 51 | 95 | 530 | LGA 6.05 x 2.3 | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
| picture_as_pdf |
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GeneSiC Semiconductor | Tranzystor SiC Mosfet G3F25MT06K | SEHEN SIE ES | G3F25MT06K | Verfügbare Menge | TO-247-4 | -- | -- | -- | 100 A | -- | -- | -- | 71 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 650 V | -- | -- | ||
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GeneSiC Semiconductor | SiC-Mosfet G3F45MT06L-Transistor | SEHEN SIE ES | G3F45MT06L | Verfügbare Menge | -- | -- | -- | 61 A | -- | -- | -- | 43 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 650 V | -- | -- | |||
| picture_as_pdf |
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EPC (Efficient Power Conversion) | EPC23104 Transistor | SEHEN SIE ES | EPC23104 | Verfügbare Menge | -- | -- | -- | -- | -- | Half Bridge ePower Stage | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 11 | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 100 | 6 | -- | -- | -- | 15, 16.6 | 15 | 78 | QFN 3.5 x 5 | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
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Mitsubishi | Intelligente Leistungsmodule DIPIPM 600V, 1200V | SEHEN SIE ES | -- | Verfügbare Menge | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
| picture_as_pdf |
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Mitsubishi | MDIP und MINI - DIP IPM | SEHEN SIE ES | -- | Verfügbare Menge | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
| picture_as_pdf |
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Infineon | IGBT-Module der EASY PIM Serie | SEHEN SIE ES | -- | Verfügbare Menge | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
| picture_as_pdf |
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GeneSiC Semiconductor | G3R60MT07K MOSFET SIC. | SEHEN SIE ES | G3R60MT07K | Verfügbare Menge | TO-247-4 | -- | -- | -- | 48 A | -- | -- | -- | 34 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | - | 60 mΩ | 750 V | -- | -- | -- | -- |
| picture_as_pdf |
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Mitsubishi | CM300DU-24NFH MOSFET SIC | SEHEN SIE ES | CMH300DU-24NFH | Verfügbare Menge | -- | -- | -- | -- | -- | 2in1 | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 300 V | -- | -- | -- | -- |
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DYNEX POWER | Transistormodule | SEHEN SIE ES | -- | Verfügbare Menge | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
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SEMIKRON | SK225GH07H5TD1E2 H-BRÜCKE | SEHEN SIE ES | SK225GH07H5TD1E2 | Verfügbare Menge | -- | -- | -- | -- | -- | H-Bridge | 650 V | 225 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
| picture_as_pdf |
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SEMIKRON | SK 75 GB 12T4 T halbbrücke | SEHEN SIE ES | SK75GB12T4T | Verfügbare Menge | -- | -- | -- | -- | -- | Half Bridge | 1200 V | 75 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
| picture_as_pdf |
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Starpower | GD600HFX65C6H IGBT. | SEHEN SIE ES | GD600HFX65C6H | Verfügbare Menge | -- | C6.12 | -- | -- | -- | -- | 650 V | 600 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
| picture_as_pdf |
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SEMIKRON | SKM400Gar176D IGBT-Modul. | SEHEN SIE ES | SKM400GAR176D | Verfügbare Menge | -- | -- | -- | -- | -- | Single Switch | 1700 V | 300 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
| picture_as_pdf |
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GeneSiC Semiconductor | Tranzystor SiC Mosfet G3F25MT06J | SEHEN SIE ES | G3F25MT06J | Verfügbare Menge | TO-263-7 | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 77 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 650 V | -- | -- | |||
| picture_as_pdf |
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GeneSiC Semiconductor | SiC-Mosfet-G3F25MT12J-Transistor | SEHEN SIE ES | G3F25MT12J | Verfügbare Menge | TO-263-7 | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 1200 V | -- | -- | -- | |||
| picture_as_pdf |
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GeneSiC Semiconductor | SiC-Mosfet G3F33MT06L-Transistor | SEHEN SIE ES | G3F33MT06L | Verfügbare Menge | -- | -- | -- | 90 A | -- | -- | -- | 64 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 650 V | -- | -- | |||
| picture_as_pdf |
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Microsemi | MOSFET-Module von Microsemi | SEHEN SIE ES | -- | Verfügbare Menge | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
| picture_as_pdf |
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Mitsubishi | IGBT-Module - Serie DIP-C.I.B/Serie C.I.B. | SEHEN SIE ES | -- | Verfügbare Menge | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
| picture_as_pdf |
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Infineon | Integrierte Leistungsmodul PIM | SEHEN SIE ES | -- | Verfügbare Menge | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
| picture_as_pdf |
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Mitsubishi | PSH30L92C6-in MOSFET SIC | SEHEN SIE ES | PSH30L92C6-W | Verfügbare Menge | -- | -- | -- | -- | -- | Three-phase interleaved | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 30Arms V | -- | -- | -- | -- |
| picture_as_pdf |
|
Mitsubishi | 1700V FMF600DXE-34BN | SEHEN SIE ES | FMF600DXE-34BN | Verfügbare Menge | -- | -- | -- | -- | -- | 2in1 | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 1700 V | -- | -- | -- | -- |
| picture_as_pdf |
|
GeneSiC Semiconductor | G3F05MT12GB2 Moduł Mosfet SiC | SEHEN SIE ES | G3F05MT12GB2 | Verfügbare Menge | -- | -- | -- | -- | półmostek | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | ||||
| picture_as_pdf |
|
GeneSiC Semiconductor | SiC-Mosfet G3F25MT06L-Transistor | SEHEN SIE ES | G3F25MT06L | Verfügbare Menge | -- | -- | -- | 125 A | -- | -- | -- | 88 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 650 V | -- | -- |
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DACPOL is an experienced supplier of necessary products for the category of transistors. Our clients can rely on the quality of the products and services we provide, regardless of whether they buy MOSFET modules, DC diodes or silicon carbide semiconductors.
We are ready to provide you with a wholesale quantity of the products you are looking for. Regardless of whether you order single product from the transistors category or buy them in bulk quantities, we offer a comprehensive delivery of all products.
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The products DACPOL offers from the group of electronic components, power supply and connectors is much larger and includes various types of electrical and industrial items from the category of transistors. On our website you can familiarize yourself with the full range of products from the group of electronic components, power supply and connectors.
Field effect transistor
We offer two types of field effect transistors: MOS-FET and IGBT transistors.
MOS-FET transistors
MOS-FET transistors cooperate well in parallel connections. They can be combined in parallel up to several dozen pieces. They are easily controlled and do not require adjustment in the load current distribution between them.
They are available in the current range from 1.1A to 250A and voltages from 12V to 900V. The MOS-FET transistors are manufactured in the following types of enclosures: SO8, SOT223, D-Pak, D2-Pak, I-Pak, TO-262, TO-220, TO-247, SOT-227, HEXDIP.
IGBT transistors
IGBT transistors are characterized by a small decrease in conduction voltage (from 2.15 - 5.2V) at high current (10 - 3600A), high voltage blocking capacity (250 - 6500V), voltage control via an isolated gate and high switching speed. They are produced in the form of standard modules, high frequency modules, high voltage modules as well as intelligent modules and high voltage intelligent modules. In addition, high-voltage diode modules are offered for cooperation with IGBT transistors.
They are available in electro-insulated enclosures as single transistors, two-bridge modules (half-bridge), six-element modules (full bridge), seven-element modules (full bridge with transistor). Typical enclosures are: TO220, TO247, A1, NF1, NF2, NF3, NF4, NF5, NF6, U2, U3, U4, U5, U6, U7, U8, A1, A2, A3, A4, A5, H1, H2, H3, H4, H5, H6, H7, H8, H9, H10, H11, H12, H13, DM1, DM2, HV1, HV2, HV3, HV4, HV5, HV6, HV7, HV8, SD1, SD2, SD3, and SD4.
The IGBT transistors manufactured in the form of intelligent modules contain, besides transistors, control systems as well as short circuit and overvoltage protections.
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