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| Bild | Produkt anzeigen | Hersteller-Nr | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SEMIKRON | Sk15dgdl07e3ete1 sieben pack | SEHEN SIE ES | SK15DGDL07E3ETE1 | Verfügbare Menge | -- | -- | -- | -- | -- | Seven Pack | 650 V | 15 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
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GeneSiC Semiconductor | Tranzystor SiC Mosfet G3F75MT12K | SEHEN SIE ES | G3F75MT12K | Verfügbare Menge | TO-247-4 | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 1200 V | -- | -- | -- | -- | |||
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GeneSiC Semiconductor | Tranzystor SiC Mosfet G3F25MT06J | SEHEN SIE ES | G3F25MT06J | Verfügbare Menge | TO-263-7 | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 77 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 650 V | -- | -- | -- | |||
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GeneSiC Semiconductor | G3F05MT12GB2 Moduł Mosfet SiC | SEHEN SIE ES | G3F05MT12GB2 | Verfügbare Menge | -- | -- | -- | -- | półmostek | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | ||||
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EPC (Efficient Power Conversion) | EPC7018 Transistor | SEHEN SIE ES | EPC7018 | Verfügbare Menge | -- | -- | -- | -- | -- | Single Rad Hard | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 3-Sep | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 100 | 6 | 15-Feb | 4 | 2-Jun | 77 | 90 | 345 | LGA 6.05 x 2.3 | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
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Mitsubishi | 4. Generation der IPM-Module - Serie S-DASH | SEHEN SIE ES | -- | Verfügbare Menge | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
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Infineon | Standardowe moduły IGBT | SEHEN SIE ES | -- | Verfügbare Menge | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
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POWEREX | SIC MOSFET Module von POWEREX | SEHEN SIE ES | -- | Verfügbare Menge | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
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Mitsubishi | FMF750DC-66A MOSFET SIC | SEHEN SIE ES | FMF750DC-66A | Verfügbare Menge | -- | -- | -- | -- | -- | 2in1 | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 750 V | -- | -- | -- | -- | -- |
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SEMIKRON | SK25DGDL12T7ETE2S Seven Packung | SEHEN SIE ES | SK25DGDL12T7ETE2s | Verfügbare Menge | -- | -- | -- | -- | -- | Seven Pack | 1200 V | 25 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
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SEMIKRON | SK35DGDL12T7ETE2S Seven Packung | SEHEN SIE ES | SK35DGDL12T7ETE2s | Verfügbare Menge | -- | -- | -- | -- | -- | Seven Pack | 1200 V | 35 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
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SEMIKRON | Sk10dgdl07e3ete1 sieben pack | SEHEN SIE ES | SK10DGDL07E3ETE1 | Verfügbare Menge | -- | -- | -- | -- | -- | Seven Pack | 650 V | 10:00 AM | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
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GeneSiC Semiconductor | Tranzystor SiC Mosfet G3F75MT12J | SEHEN SIE ES | G3F75MT12J | Verfügbare Menge | TO-263-7 | -- | -- | -- | 31 A | -- | -- | -- | 22 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 1200 V | -- | -- | -- | -- | |
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GeneSiC Semiconductor | Tranzystor SiC G3F18MT12U | SEHEN SIE ES | G3F18MT12U | Verfügbare Menge | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | |||||
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GeneSiC Semiconductor | G3F18MT12FB4 Moduł Mosfet SiC | SEHEN SIE ES | G3F18MT12FB4 | Verfügbare Menge | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | |||||
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Vishay | IGBT-Transistoren der Firma VISHAY (IR) | SEHEN SIE ES | -- | Verfügbare Menge | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
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Microsemi | MOSFET-Module von Microsemi | SEHEN SIE ES | -- | Verfügbare Menge | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
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Mitsubishi | 5. Generation von IPM-Modulen - Serie L | SEHEN SIE ES | -- | Verfügbare Menge | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
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SEMIKRON | SEMIDRIVER Treiber | SEHEN SIE ES | -- | Verfügbare Menge | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
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Mitsubishi | FMF375DC-66A MOSFET SIC | SEHEN SIE ES | FMF375DC-66A | Verfügbare Menge | -- | -- | -- | -- | -- | 2in1 | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 375 V | -- | -- | -- | -- | -- |
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SEMIKRON | Skiip 11AC12T7V1 Sixpack | SEHEN SIE ES | SKiiP11AC12T7V1 | Verfügbare Menge | -- | -- | -- | -- | -- | Six Pack | 1200 V | 10:00 AM | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
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SEMIKRON | SKM600GB066D Halbbrücke. | SEHEN SIE ES | SKM600GB066D | Verfügbare Menge | -- | -- | -- | -- | -- | Half Bridge | 600 V | 600 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
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SEMIKRON | SK225GH07H5TD1E2 H-BRÜCKE | SEHEN SIE ES | SK225GH07H5TD1E2 | Verfügbare Menge | -- | -- | -- | -- | -- | H-Bridge | 650 V | 225 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
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GeneSiC Semiconductor | Tranzystor SiC Mosfet G3F40MT12K | SEHEN SIE ES | G3F40MT12K | Verfügbare Menge | TO-247-4 | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 39 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 1200 V | -- | -- | -- | -- |
Transistoren von einem vertrauenswürdigen Lieferanten
DACPOL ist ein erfahrener Lieferant von Schlüsselprodukten im Bereich Transistoren. Unsere Kunden können sich auf die Qualität unserer Produkte und Dienstleistungen verlassen – ob es sich um MOSFET-Module, Dioden oder Siliziumkarbid-Halbleiter handelt.
Wir liefern sowohl einzelne Transistoren als auch Großmengen und stellen eine umfassende Verfügbarkeit aller Produkte sicher.
Um höchste Servicequalität zu gewährleisten, bieten wir ausschließlich Produkte von bewährten Herstellern und Lieferanten an. Unser Ingenieurteam steht Ihnen in jeder Phase mit Wissen und Beratung zur Seite und informiert über die richtige Anwendung der gekauften Produkte.
Das DACPOL-Angebot im Bereich elektronische Bauelemente, Stromversorgung und Steckverbinder ist noch breiter und umfasst verschiedene elektrische und industrielle Artikel im Bereich Transistoren. Die vollständige Produktpalette finden Sie auf unserer Website in der Rubrik elektronische Bauelemente, Stromversorgung und Steckverbinder.
Transistoren – Typen und Anwendungen
NPN- und PNP-Transistoren sind grundlegende elektronische Bauteile, die in Schaltungen wie Arduino oder Raspberry Pi verwendet werden. Diese diskreten Halbleiterbauelemente bestehen aus drei Halbleiterschichten und drei Anschlüssen – Emitter, Basis und Kollektor – die den Stromfluss zwischen Kollektor und Emitter steuern. Bei unipolaren Transistoren, z. B. MOSFETs, erfolgt die Steuerung über die sogenannte Gate-Elektrode (Drain-Source), was eine präzise Verstärkung des elektrischen Signals ermöglicht.
Die Stromverstärkung – also das Verhältnis von Basisstrom zu Kollektorstrom – ist entscheidend für die richtige Polarisation und den Betrieb elektronischer Geräte. Da eine kleine Steuerstromstärke genügt, um große Ströme zu schalten, können Transistoren als Stabilisatoren, Schalter oder Verstärker eingesetzt werden. Entdecken Sie unser Angebot an elektronischen Bauteilen und finden Sie den passenden Transistor für Ihr Projekt!
Feldeffekttransistoren bei DACPOL
Wir bieten zwei Arten von Transistoren an: MOS-FET und IGBT.
MOS-FET-Transistoren
MOS-FETs eignen sich besonders für Parallelschaltungen. Es können problemlos mehrere Dutzend parallel geschaltet werden. Sie sind einfach zu steuern und erfordern keine Korrekturen bei der Stromverteilung.
Erhältlich für Ströme von 1,1 A bis 250 A und Spannungen von 12 V bis 900 V. MOS-FET-Transistoren werden in folgenden Gehäusen hergestellt: SO8, SOT223, D-Pak, D2-Pak, I-Pak, TO-262, TO-220, TO-247, SOT-227, HEXDIP.
IGBT-Transistoren
IGBTs zeichnen sich durch einen niedrigen Durchlass-Spannungsabfall (2,15 ÷ 5,2 V) bei hohen Strömen (10 ÷ 3600 A), die Fähigkeit zur Sperrung hoher Spannungen (250 ÷ 6500 V), spannungsgesteuerte Ansteuerung über ein isoliertes Gate und hohe Schaltgeschwindigkeit aus. Sie werden als Standardmodule, Hochfrequenzmodule, Hochspannungsmodule sowie intelligente Module angeboten. Zusätzlich sind Hochspannungsdiodenmodule erhältlich, die zusammen mit IGBT-Transistoren verwendet werden.
Hohe Qualität der angebotenen Produkte
Sie sind in isolierten Gehäusen als Einzeltransistoren sowie als Halb- und Vollbrücken erhältlich. Typische Gehäuseformen sind: TO220, TO247, A1, NF1, NF2, NF3, NF4, NF5, NF6, U2, U3, U4, U5, U6, U7, U8, A1, A2, A3, A4, A5, H1, H2, H3, H4, H5, H6, H7, H8, H9, H10, H11, H12, H13, DM1, DM2, HV1, HV2, HV3, HV4, HV5, HV6, HV7, HV8, SD1, SD2, SD3, SD4.
Intelligente IGBT-Module enthalten neben den Transistoren auch Steuerkreise sowie Schutzfunktionen gegen Kurzschlüsse und Überspannungen.
Sehen Sie sich auch unsere Produkte in der Kategorie Gleichrichterbrücken an!
Was sind Transistoren und welche Grundtypen gibt es?
Transistoren steuern den Stromfluss in elektrischen Schaltungen – ähnlich wie Schalter. Sie bestehen aus Halbleitermaterialien wie Silizium oder Siliziumkarbid. Der erste Transistor wurde 1948 von J. Bardeen und W. Brattain entwickelt. Zusammen mit W. Shockley – dem Erfinder des bipolaren Modells – erhielten sie 1956 den Nobelpreis.
Diese dreipoligen Halbleiterbauelemente lassen sich in zwei Haupttypen einteilen. Der erste Typ sind die spannungsgesteuerten Feldeffekttransistoren (unipolar). Sie verfügen über ein Gate, das bei Anlegen einer Spannung ein elektromagnetisches Feld erzeugt und dadurch den Widerstand zwischen Drain und Source verändert.
Der zweite Typ ist der bipolare Transistor, auch als Sperrschichttransistor bekannt. Er besteht aus Basis, Emitter und Kollektor. Seine Steuerung erfolgt über den Stromfluss zwischen Emitter und Basis. Bipolare Transistoren werden weiter in NPN- und PNP-Typen unterteilt.
Merkmale und Anwendungen von MOS-FET-Transistoren
Der MOS-FET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor), ein Feldeffekttransistor mit vier Anschlüssen, zeichnet sich durch hohen Ausgangswiderstand und sehr kurze Schaltzeiten aus. Er wird hauptsächlich verwendet in:
- Schaltnetzteilen,
- Ladegeräten für Elektro- und Hybridfahrzeuge,
- USV-Systemen,
- Antrieben in der Automobil- und Industriebranche,
- Audio- und Telekommunikationsverstärkern,
- integrierten Schaltungen, insbesondere CMOS-Technologie, die heute in den meisten Mikroprozessoren eingesetzt wird.
Es ist wichtig zu erwähnen, dass Feldeffekttransistoren sowohl in analogen als auch in digitalen integrierten Schaltungen eingesetzt werden können.
Merkmale und Anwendungen von IGBT-Transistoren
Der IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor), ein Bauelement mit isoliertem Gate, kombiniert die Eigenschaften von bipolaren Transistoren und MOS-FETs. Dadurch ist er sowohl leicht steuerbar als auch schnell schaltbar. IGBTs sind für den Betrieb mit hohen Leistungen – bis zu mehreren hundert kW – ausgelegt und können Spannungen bis 6,5 kV sperren. Gleichzeitig sorgt ihr Einsatz für geringe Energieverluste. Deshalb finden sie Anwendung in:
- Wechselrichtern, die Gleichstrom in Wechselstrom für Energiesysteme umwandeln,
- Induktionskochfeldern und Ladegeräten,
- unterbrechungsfreien Stromversorgungen (USV),
- Schaltnetzteilen,
- Antriebssystemen in der Industrie, z. B. für Elektromotoren.
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