IGBT-Module | POWEREX

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Field-effect transistors - we’re offering two types of field-effect transistors: MOS-FET and IGBT transistors.

IGBT transistors
IGBT transistors are characterized by a...

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Hersteller
descasc
Produktname
descasc
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Verfügbare Menge
descasc
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picture_as_pdf Doppel Hochspannung IGBT Module QID 3320004 POWEREX Doppel Hochspannung IGBT Module QID 3320004 SEHEN SIE ES -- Verfügbare Menge -- --
-- IGBT-Module - Powerex POWEREX IGBT-Module - Powerex SEHEN SIE ES -- Verfügbare Menge -- --
picture_as_pdf QID3320002 IGBT module POWEREX QID3320002 IGBT-Modul. SEHEN SIE ES QID3320002 Verfügbare Menge 3300 V 200 A
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We’re an experienced supplier of necessary products for the category of transistors. 

Field-effect transistors - we’re offering two types of field-effect transistors: MOS-FET and IGBT transistors.

IGBT transistors
IGBT transistors are characterized by a small decrease in conduction voltage (from 2.15 - 5.2V) at high current (10 - 3600A), high voltage blocking capacity (250 - 6500V), voltage control via an isolated gate, and high switching speed. They are produced in the form of standard modules, high-frequency modules, high voltage modules as well as intelligent modules, and high voltage intelligent modules. In addition, high-voltage diode modules are offered for cooperation with IGBT transistors.

The IGBT transistors manufactured in the form of intelligent modules contain, besides transistors, control systems as well as short circuit and overvoltage protection.