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IGBT-Module | MITSUBISHI
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Wir sind ein erfahrener Anbieter von wichtigen Artikeln für die Kategorie Transistoren.
Feldeffekttransistoren - wir bieten zwei Arten von Feldeffekttransistoren an: MOSFET und IGBT.
IGBT-Transistoren
IGBT-Transistoren zeichnen sich durch einen geringen Durchlassspannungsabfall (von 2,15 bis 5,2 V) bei hohen Strömen (10–3600 A), die Fähigkeit zur Sperrung hoher Spannungen (250–6500 V), spannungsgesteuerte Ansteuerung über ein isoliertes Gate und hohe Schaltgeschwindigkeit aus. Sie werden in Form von Standardmodulen, Hochfrequenzmodulen, Hochspannungsmodulen sowie intelligenten Modulen und hochspannungsintelligenten Modulen hergestellt. Zusätzlich werden Hochspannungs-Diodenmodule für die Zusammenarbeit mit IGBT-Transistoren angeboten.
IGBT-Transistoren, die in Form intelligenter Module hergestellt werden, enthalten neben den Transistoren selbst auch Steuer- und Schutzschaltungen gegen Kurzschluss und Überspannung.