Модули IGBT | МИЦУБИСИ
Категории
- 5-е поколение модулей IGBT - серия A
- 5-е поколение модулей IGBT TRENCH - серия NF
- Модули IGBT - серия NFM
- Модули Fast IGBT - серия NFH
- 4-е поколение модулей IGBT TRENCH - серия F
- 3 генерация модулей IGBT - серия H
- Модули IGBT 3-го поколения - серия U
- Модули IGBT - серия DIP-C.I.B/серия C.I.B.
- Модули IGBT высокого напряжения
- Высоковольтные диодные модули
- Интеллектуальный силовой модуль высокого напряжения
- Модули IPM 5-го поколения - для использования в преобразователях и солнечных батареях.
- 5-е поколение модулей IPM - серия L
- Модули IPM 4-го поколения - серия S-DASH
- Модули IPM 3-го поколения - серия S
- Модули IPM 3-го поколения - серия V
- AS-IPM
- DIP-IPM 1200V
- Модули DIP IPM 4-го поколения
- 3 генерация модулей DIP и MINI DIP IPM
- MDIP и MINI - DIP IPM
- Гибридные драйверы для модулей IGBT
- Модули IGBT 6-го поколения - серия NX
- Многоуровневые модули IGBT
- Новые модули Mega POWER DUAL - IGBT
- Модули IPM 5-го поколения - серия FULL GATE CSTBT (версии L1 и S1)
- 6-е поколение модулей ipm - серия FULL GATE V1
- Модули 7-го поколения IGBT
- DIPIPM TM 600V & 1200V
- Модули CI / CIB
Мы являемся опытным поставщиком необходимых товаров для категории транзисторов.
Полевые транзисторы - мы предлагаем два типа полевых транзисторов: MOSFET и IGBT.
Транзисторы IGBT
Транзисторы IGBT характеризуются небольшим падением напряжения при проводимости (от 2,15 до 5,2 В) при большом токе (10–3600 А), способностью блокировать высокие напряжения (250–6500 В), управлением по напряжению через изолированный затвор и высокой скоростью переключения. Производятся в виде стандартных модулей, высокочастотных модулей, высоковольтных модулей, а также интеллектуальных модулей и высоковольтных интеллектуальных модулей. Дополнительно предлагаются высоковольтные диодные модули для работы с транзисторами IGBT.
IGBT-транзисторы, выпускаемые в виде интеллектуальных модулей, содержат, кроме самих транзисторов, схемы их управления, а также защиты от короткого замыкания и перенапряжения.