Транзисторные модули | MITSUBISHI

Мы — опытный поставщик необходимых компонентов в категории транзисторов.

Полевые транзисторы — мы предлагаем два типа полевых транзисторов: MOSFET и IGBT.

Транзисторы MOS-FET

Транзисторы MOS-FET хорошо работают при параллельном соединении. Их можно...

Мы — опытный поставщик необходимых компонентов в категории транзисторов.

Полевые транзисторы — мы...

Читать больше

Категории

Показать фильтры
Скрыть фильтрыФильтрацияПоказать фильтры X
Производители
ещё... свернуть
Напряжение VCES
ещё... свернуть
Ток коллектора IC
ещё... свернуть
Фильтр
Загрузить список товаров
Информация close
Товаров, помеченных как «Под заказ» в столбце «Доступное количество», обычно нет в наличии. Такие продукты доступны для покупки, однако из-за их ограниченной клиентской базы они обычно имеют более высокие минимальные количества. DACPOL предлагает продукты, которых нет на складе по следующим причинам: DACPOL в настоящее время имеет большое количество электронных компонентов на складе и ежедневно добавляет новые продукты, однако десятки тысяч дополнительных компонентов и их различных вариантов доступны у наших поставщиков. Несмотря на то, что иметь все эти продукты на складе неразумно из-за ограниченных продаж, мы считаем, что сделать их доступными в интересах наших клиентов. Наша цель - проинформировать клиентов о максимальном количестве доступных продуктов и дать им возможность принимать решения на основе характеристик, цен, наличия, необходимых минимумов и наших технических рекомендаций. Обратите внимание, что установка флажка «В наличии» может ограничить отображение только продуктов, доступных для доставки прямо с полки.
PDF Изображение
Производитель
descasc
Наименование товара
descasc
 Посмотреть продукт Номер производителя
Доступное количество
descasc
Напряжение VCES
descasc
Ток коллектора IC
descasc
-- Транзисторные модули Mitsubishi Транзисторные модули ПОСМОТРЕТЬ -- Под заказ -- --
-- QM100DY-2H Биполярный транзистор Mitsubishi QM100DY-2H Биполярный транзистор ПОСМОТРЕТЬ QM100DY-2H 3 1000 V 100 A
-- QM30DY-H Биполярный транзистор Mitsubishi QM30DY-H Биполярный транзистор ПОСМОТРЕТЬ QM30DY-H Под заказ 600 V 30 A
-- QM75HA-H Биполярный транзистор Mitsubishi QM75HA-H Биполярный транзистор ПОСМОТРЕТЬ QM75HA-H 3 600 V 75 A
-- КМ200DY-H Биполярный модуль Mitsubishi КМ200DY-H Биполярный модуль ПОСМОТРЕТЬ QM200DY-H 2 600 V 200 A
-- QM400HA-2H Биполярный транзистор Mitsubishi QM400HA-2H Биполярный транзистор ПОСМОТРЕТЬ QM400HA-2H 1 1000 V 400 A
-- QM50DY-2H Биполярный транзистор Mitsubishi QM50DY-2H Биполярный транзистор ПОСМОТРЕТЬ QM50DY-2H Под заказ 1000 V 50 A
-- QM75Y-2H Биполярный транзистор Mitsubishi QM75Y-2H Биполярный транзистор ПОСМОТРЕТЬ QM75DY-2H Под заказ 1000 V 75 A
-- QM300HA-2H Биполярный транзистор Mitsubishi QM300HA-2H Биполярный транзистор ПОСМОТРЕТЬ QM300HA-2H Под заказ 1000 V 300 A
-- QM20TD-H Биполярный транзистор Mitsubishi QM20TD-H Биполярный транзистор ПОСМОТРЕТЬ QM20TD-H 14 600 V 20 A
-- QM150HY-2H Биполярный транзистор Mitsubishi QM150HY-2H Биполярный транзистор ПОСМОТРЕТЬ QM150HY-2H 1 1000 V 15 A
-- QM150DY-2H Биполярный транзистор Mitsubishi QM150DY-2H Биполярный транзистор ПОСМОТРЕТЬ QM150DY-2H Под заказ 1000 V 150 A
-- QM600HA-24 биполярный транзистор Mitsubishi QM600HA-24 биполярный транзистор ПОСМОТРЕТЬ QM600HA-24 1 1200 V 60 A
-- QM10HA-HB Биполярный транзистор Mitsubishi QM10HA-HB Биполярный транзистор ПОСМОТРЕТЬ QM10HA-HB 1 600 V 10:00 AM
-- QM77Y-H Биполярный транзистор Mitsubishi QM77Y-H Биполярный транзистор ПОСМОТРЕТЬ QM75DY-H Под заказ 600 V 75 A
Результатов на странице:
Вернуться вверх

Мы — опытный поставщик необходимых компонентов в категории транзисторов.

Полевые транзисторы — мы предлагаем два типа полевых транзисторов: MOSFET и IGBT.

Транзисторы MOS-FET

Транзисторы MOS-FET хорошо работают при параллельном соединении. Их можно подключать параллельно в количестве до нескольких десятков штук. Они просты в управлении и не требуют корректировки распределения тока нагрузки между ними.

Транзисторы IGBT

Транзисторы IGBT характеризуются низким падением напряжения в открытом состоянии (от 2,15 до 5,2 В) при большом токе (10–3600 А), способностью блокировать высокие напряжения (250–6500 В), управлением по напряжению через изолированный затвор и высокой скоростью переключения. Производятся в виде стандартных модулей, модулей высокой частоты, высоковольтных модулей, а также интеллектуальных и высоковольтных интеллектуальных модулей. Дополнительно предлагаются высоковольтные диодные модули для совместной работы с транзисторами IGBT.

IGBT транзисторы, выполненные в виде интеллектуальных модулей, содержат, помимо транзисторов, схемы управления, а также защиту от короткого замыкания и перенапряжения.