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Transistormodule | MITSUBISHI
Kategorien
Wir sind ein erfahrener Anbieter von unverzichtbaren Komponenten für die Kategorie Transistoren.
Feldeffekttransistoren – wir bieten zwei Arten von Feldeffekttransistoren an: MOSFET- und IGBT-Transistoren.
MOS-FET-Transistoren
MOS-FET-Transistoren eignen sich gut für Parallelschaltungen. Sie können in Dutzenden parallel geschaltet werden. Sie sind leicht zu steuern und erfordern keine Korrektur der Laststromverteilung untereinander.
IGBT-Transistoren
IGBT-Transistoren zeichnen sich durch einen geringen Durchlassspannungsabfall (von 2,15 bis 5,2 V) bei hohen Strömen (10–3600 A), die Fähigkeit zur Sperrung hoher Spannungen (250–6500 V), spannungsgesteuerte Steuerung über ein isoliertes Gate und eine hohe Schaltgeschwindigkeit aus. Sie werden als Standardmodule, Hochfrequenzmodule, Hochspannungsmodule sowie als intelligente und hochspannungsintelligente Module hergestellt. Zusätzlich werden Hochspannungs-Diodenmodule zur Zusammenarbeit mit IGBT-Transistoren angeboten.
IGBT-Transistoren, die als intelligente Module hergestellt werden, enthalten neben den Transistoren auch Steuerschaltungen sowie Kurzschluss- und Überspannungsschutzfunktionen.