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ABB SiC-MOSFET-Module
| Bild | Produkt anzeigen | Hersteller-Nr | ||||||||
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ABB | ABB SiC-MOSFET-Module | SEHEN SIE ES | -- | Verfügbare Menge | -- | -- | -- | -- |
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ABB | 5sfg 0660B07500X MOSFET SIC | SEHEN SIE ES | 5SFG 0660B07500x | Verfügbare Menge | b | 2.6 mΩ | 2 x 660 A | 750 V |
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ABB | 5sfg 0880B07500X MOSFET SIC | SEHEN SIE ES | 5SFG 0880B07500x | Verfügbare Menge | b | 1.8 mΩ | 2 x 880 A | 750 V |
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ABB | 5SFG 1100B07500X MOSFET SIC | SEHEN SIE ES | 5SFG 1100B07500x | Verfügbare Menge | b | 1.4 mΩ | 2 x 1100 A | 750 V |
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ABB | 5SFG 0580B12000X MOSFET SIC | SEHEN SIE ES | 5SFG 0580B12000x | Verfügbare Menge | b | 2.9 mΩ | 2 x 580 A | 1200 V |
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ABB | 5SFG 0780B12000X MOSFET SIC | SEHEN SIE ES | 5SFG 0780B12000x | Verfügbare Menge | b | 2.4 mΩ | 2 x 780 A | 1200 V |
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ABB | 5SFG 0980B12000X MOSFET SIC | SEHEN SIE ES | 5SFG 0980B12000x | Verfügbare Menge | b | 1.9 mΩ | 2 x 980 A | 1200 V |
ABB SiC MOSFET Module: Eine Revolution in der Leistungselektronik
Die moderne Leistungselektronik strebt ständig danach, die Effizienz zu steigern und die Leistungsverluste zu reduzieren. Die Schlüsselrolle in diesem Prozess spielt die Siliziumkarbid (SiC)-Technologie, die traditionelle Siliziumkomponenten erfolgreich ersetzt. Die SiC MOSFET Module von ABB stellen einen der fortschrittlichsten Schritte in dieser Transformation dar und bieten Parameter, die für Standardtransistoren nicht verfügbar sind. Damit eröffnen sie neue Möglichkeiten bei der Entwicklung innovativer und energieeffizienter Stromversorgungssysteme.
Ein Neues Zeitalter in der Leistungselektronik: ABB SiC MOSFET Module
SiC MOSFET Transistoren zeichnen sich durch deutlich bessere physikalische Eigenschaften aus als ihre Silizium-Pendants, darunter eine höhere Betriebstemperatur, eine größere Durchschlagsfestigkeit und, was am wichtigsten ist, minimale Schaltverluste. ABB, als führendes Unternehmen in der Energietechnologie, nutzt diese Vorteile, indem es Module mit bahnbrechender Leistung herstellt. Durch die Verwendung von Siliziumkarbid ermöglichen ABB Module den Betrieb bei höheren Schaltfrequenzen, was eine Reduzierung der Größe und Masse passiver Komponenten wie Spulen und Kondensatoren erlaubt. Dies führt zu kleineren, leichteren und energieeffizienteren Endsystemen.
Wichtige Technische Parameter und Hohe Leistung
Die SiC MOSFETs von ABB sind für die anspruchsvollsten Hochleistungsanwendungen konzipiert. Ihre Spezifikation bestätigt ihre führende Position auf dem Markt:
- Niedriger RDS(ON): Ein extrem niedriger Einschaltwiderstand, der nur 1.4 mΩ erreicht, minimiert Leitungsverluste und führt zu einer besseren Wärmeableitung. Es sind auch Varianten mit Widerständen von 1.8 mΩ, 1.9 mΩ, 2.4 mΩ, 2.6 mΩ und 2.9 mΩ erhältlich, was eine präzise Auswahl für spezifische Designanforderungen ermöglicht.
- Hohe Spannung UDS: Die Module sind in Spannungsklassen von 1200 V erhältlich, was sie ideal für Hochspannungsanwendungen macht, sowie in einer 750 V-Version für Systeme, die auf niedrigeren, aber immer noch anspruchsvollen Niveaus arbeiten.
- Hoher Dauerstrom ID: Die Module bieten eine hohe Strombelastbarkeit und erreichen in einer Dual-Konfiguration Dauerströme von bis zu 2 x 1100 A. Es sind auch Varianten von 2 x 580 A, 2 x 660 A, 2 x 780 A, 2 x 880 A und 2 x 980 A erhältlich. Diese Stromleistung garantiert Zuverlässigkeit in Systemen mit hohem Leistungsbedarf.
Robuste Bauweise und Einhaltung von Standards (Gehäusetyp)
Die SiC MOSFET Module von ABB zeichnen sich durch hohe mechanische und thermische Zuverlässigkeit aus. Sie werden oft in Standard-, markterprobten Gehäusen, wie dem Typ b6, angeboten, was ihre Integration in bestehende und neu entwickelte Systeme erleichtert. Die langlebige Konstruktion der Module gewährleistet eine optimale Wärmeübertragung zum Kühlkörper, was für die Aufrechterhaltung der maximalen Lebensdauer und Leistung der SiC-Komponenten von entscheidender Bedeutung ist. ABB legt Wert auf Fertigungsqualität, um den strengen Normen und Zertifizierungsanforderungen in der Energie- und Transportindustrie gerecht zu werden.
Anwendungen der ABB SiC MOSFET Module
Die einzigartigen Eigenschaften der ABB SiC MOSFET Module machen sie unverzichtbar in modernen Anwendungen, bei denen Energieeffizienz, Leistungsdichte und Zuverlässigkeit entscheidend sind:
- Elektrofahrzeuge (EV) und Schienenverkehr: Hohe Spannungen und Ströme sowie eine erhöhte thermische Beständigkeit sind ideal für Traktionswechselrichter und Bordladegeräte, wodurch die Reichweite und Dynamik der Fahrzeuge erhöht wird.
- Erneuerbare Energiequellen: In Photovoltaik-Wechselrichtern und Windkonvertern verbessern SiC-Module die Effizienz der Energieumwandlung und minimieren Verluste im kritischen Verarbeitungsschritt.
- Industrielle Stromversorgungssysteme: USV (unterbrechungsfreie Stromversorgungen), Schaltnetzteile und Hochleistungsmotorantriebe profitieren von geringeren Verlusten und kleineren Abmessungen.
- Intelligente Netze (Smart Grids): ABB Module unterstützen fortschrittliche Energiemanagementsysteme in Netzen und ermöglichen ein schnelles und präzises Schalten der Leistung.