ABB SiC-MOSFET-Module

ABB SiC MOSFET Module: Eine Revolution in der Leistungselektronik

Die moderne Leistungselektronik strebt ständig danach, die Effizienz zu steigern und die Leistungsverluste zu reduzieren. Die Schlüsselrolle in diesem Prozess spielt die Siliziumkarbid (SiC)-Technologie, die...

ABB SiC MOSFET Module: Eine Revolution in der Leistungselektronik

Die moderne Leistungselektronik strebt ständig...

Weiterlesen
Filter anzeigen
Filter ausblendenFiltrationFilter anzeigen X
Manufacturers
more... less
Gehäusetyp
more... less
Rds(on)
more... less
Dauerstrom ID
more... less
UDS Spannung
more... less
Filter
Information close
Produkte, die in der Spalte "Verfügbare Menge" mit "Auf Bestellung" gekennzeichnet sind, sind normalerweise nicht auf Lager. Solche Produkte sind käuflich zu erwerben, haben jedoch aufgrund ihrer begrenzten Kundenbasis in der Regel höhere Mindestmengen. DACPOL bietet Produkte an, die aus folgenden Gründen nicht auf Lager sind: DACPOL hat derzeit eine große Menge elektronischer Komponenten auf Lager und fügt täglich neue Produkte hinzu. Unsere Lieferanten verfügen jedoch über Zehntausende zusätzlicher Komponenten und deren verschiedene Varianten. Obwohl es aufgrund des begrenzten Umsatzes nicht zumutbar ist, alle diese Produkte auf Lager zu haben, glauben wir, dass es im besten Interesse unserer Kunden ist, sie zur Verfügung zu stellen. Unser Ziel ist es, Kunden über die maximale Anzahl verfügbarer Produkte zu informieren und ihnen zu ermöglichen, Entscheidungen auf der Grundlage von Spezifikationen, Preisen, Verfügbarkeit, erforderlichen Mindestanforderungen und unserer technischen Beratung zu treffen. Bitte beachten Sie, dass das Aktivieren des Kontrollkästchens "Auf Lager" die Anzeige möglicherweise auf Produkte beschränkt, die direkt aus dem Regal geliefert werden können.
PDF Bild
Hersteller
Produktname
Produkt anzeigen Hersteller-Nr
Verfügbare Menge
Gehäusetyp
Rds(on)
Dauerstrom ID
UDS Spannung
picture_as_pdf ABB SiC-MOSFET-Module ABB ABB SiC-MOSFET-Module SEHEN SIE ES -- Verfügbare Menge -- -- -- --
picture_as_pdf 5SFG 0660B07500x MOSFET SiC ABB 5sfg 0660B07500X MOSFET SIC SEHEN SIE ES 5SFG 0660B07500x Verfügbare Menge b 2.6 mΩ 2 x 660 A 750 V
picture_as_pdf 5SFG 0880B07500x MOSFET SiC ABB 5sfg 0880B07500X MOSFET SIC SEHEN SIE ES 5SFG 0880B07500x Verfügbare Menge b 1.8 mΩ 2 x 880 A 750 V
picture_as_pdf 5SFG 1100B07500x MOSFET SiC ABB 5SFG 1100B07500X MOSFET SIC SEHEN SIE ES 5SFG 1100B07500x Verfügbare Menge b 1.4 mΩ 2 x 1100 A 750 V
picture_as_pdf 5SFG 0580B12000x MOSFET SiC ABB 5SFG 0580B12000X MOSFET SIC SEHEN SIE ES 5SFG 0580B12000x Verfügbare Menge b 2.9 mΩ 2 x 580 A 1200 V
picture_as_pdf 5SFG 0780B12000x MOSFET SiC ABB 5SFG 0780B12000X MOSFET SIC SEHEN SIE ES 5SFG 0780B12000x Verfügbare Menge b 2.4 mΩ 2 x 780 A 1200 V
picture_as_pdf 5SFG 0980B12000x MOSFET SiC ABB 5SFG 0980B12000X MOSFET SIC SEHEN SIE ES 5SFG 0980B12000x Verfügbare Menge b 1.9 mΩ 2 x 980 A 1200 V
Ergebnisse pro Seite:

ABB SiC MOSFET Module: Eine Revolution in der Leistungselektronik

Die moderne Leistungselektronik strebt ständig danach, die Effizienz zu steigern und die Leistungsverluste zu reduzieren. Die Schlüsselrolle in diesem Prozess spielt die Siliziumkarbid (SiC)-Technologie, die traditionelle Siliziumkomponenten erfolgreich ersetzt. Die SiC MOSFET Module von ABB stellen einen der fortschrittlichsten Schritte in dieser Transformation dar und bieten Parameter, die für Standardtransistoren nicht verfügbar sind. Damit eröffnen sie neue Möglichkeiten bei der Entwicklung innovativer und energieeffizienter Stromversorgungssysteme.

Ein Neues Zeitalter in der Leistungselektronik: ABB SiC MOSFET Module

SiC MOSFET Transistoren zeichnen sich durch deutlich bessere physikalische Eigenschaften aus als ihre Silizium-Pendants, darunter eine höhere Betriebstemperatur, eine größere Durchschlagsfestigkeit und, was am wichtigsten ist, minimale Schaltverluste. ABB, als führendes Unternehmen in der Energietechnologie, nutzt diese Vorteile, indem es Module mit bahnbrechender Leistung herstellt. Durch die Verwendung von Siliziumkarbid ermöglichen ABB Module den Betrieb bei höheren Schaltfrequenzen, was eine Reduzierung der Größe und Masse passiver Komponenten wie Spulen und Kondensatoren erlaubt. Dies führt zu kleineren, leichteren und energieeffizienteren Endsystemen.

Wichtige Technische Parameter und Hohe Leistung

Die SiC MOSFETs von ABB sind für die anspruchsvollsten Hochleistungsanwendungen konzipiert. Ihre Spezifikation bestätigt ihre führende Position auf dem Markt:

  •    
  • Niedriger RDS(ON): Ein extrem niedriger Einschaltwiderstand, der nur 1.4 mΩ erreicht, minimiert Leitungsverluste und führt zu einer besseren Wärmeableitung. Es sind auch Varianten mit Widerständen von 1.8 mΩ, 1.9 mΩ, 2.4 mΩ, 2.6 mΩ und 2.9 mΩ erhältlich, was eine präzise Auswahl für spezifische Designanforderungen ermöglicht.    
  • Hohe Spannung UDS: Die Module sind in Spannungsklassen von 1200 V erhältlich, was sie ideal für Hochspannungsanwendungen macht, sowie in einer 750 V-Version für Systeme, die auf niedrigeren, aber immer noch anspruchsvollen Niveaus arbeiten.    
  • Hoher Dauerstrom ID: Die Module bieten eine hohe Strombelastbarkeit und erreichen in einer Dual-Konfiguration Dauerströme von bis zu 2 x 1100 A. Es sind auch Varianten von 2 x 580 A, 2 x 660 A, 2 x 780 A, 2 x 880 A und 2 x 980 A erhältlich. Diese Stromleistung garantiert Zuverlässigkeit in Systemen mit hohem Leistungsbedarf.

Robuste Bauweise und Einhaltung von Standards (Gehäusetyp)

Die SiC MOSFET Module von ABB zeichnen sich durch hohe mechanische und thermische Zuverlässigkeit aus. Sie werden oft in Standard-, markterprobten Gehäusen, wie dem Typ b6, angeboten, was ihre Integration in bestehende und neu entwickelte Systeme erleichtert. Die langlebige Konstruktion der Module gewährleistet eine optimale Wärmeübertragung zum Kühlkörper, was für die Aufrechterhaltung der maximalen Lebensdauer und Leistung der SiC-Komponenten von entscheidender Bedeutung ist. ABB legt Wert auf Fertigungsqualität, um den strengen Normen und Zertifizierungsanforderungen in der Energie- und Transportindustrie gerecht zu werden.

Anwendungen der ABB SiC MOSFET Module

Die einzigartigen Eigenschaften der ABB SiC MOSFET Module machen sie unverzichtbar in modernen Anwendungen, bei denen Energieeffizienz, Leistungsdichte und Zuverlässigkeit entscheidend sind:

  •    
  • Elektrofahrzeuge (EV) und Schienenverkehr: Hohe Spannungen und Ströme sowie eine erhöhte thermische Beständigkeit sind ideal für Traktionswechselrichter und Bordladegeräte, wodurch die Reichweite und Dynamik der Fahrzeuge erhöht wird.    
  • Erneuerbare Energiequellen: In Photovoltaik-Wechselrichtern und Windkonvertern verbessern SiC-Module die Effizienz der Energieumwandlung und minimieren Verluste im kritischen Verarbeitungsschritt.    
  • Industrielle Stromversorgungssysteme: USV (unterbrechungsfreie Stromversorgungen), Schaltnetzteile und Hochleistungsmotorantriebe profitieren von geringeren Verlusten und kleineren Abmessungen.    
  • Intelligente Netze (Smart Grids): ABB Module unterstützen fortschrittliche Energiemanagementsysteme in Netzen und ermöglichen ein schnelles und präzises Schalten der Leistung.