Трябва да сте влезли в
ABB SiC MOSFET модули
| Образ | Вижте продукта | Не. Производител | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| picture_as_pdf |
|
ABB | ABB SiC MOSFET модули | ВИЖ ГО | -- | On Order | -- | -- | -- | -- |
| picture_as_pdf |
|
ABB | 5SFG 0660B07500X MOSFET SIC | ВИЖ ГО | 5SFG 0660B07500x | On Order | b | 2.6 mΩ | 2 x 660 A | 750 V |
| picture_as_pdf |
|
ABB | 5SFG 0880B07500X MOSFET SIC | ВИЖ ГО | 5SFG 0880B07500x | On Order | b | 1.8 mΩ | 2 x 880 A | 750 V |
| picture_as_pdf |
|
ABB | 5SFG 1100B07500X MOSFET SIC | ВИЖ ГО | 5SFG 1100B07500x | On Order | b | 1.4 mΩ | 2 x 1100 A | 750 V |
| picture_as_pdf |
|
ABB | 5SFG 0580B12000X MOSFET SIC | ВИЖ ГО | 5SFG 0580B12000x | On Order | b | 2.9 mΩ | 2 x 580 A | 1200 V |
| picture_as_pdf |
|
ABB | 5SFG 0780B12000X MOSFET SIC | ВИЖ ГО | 5SFG 0780B12000x | On Order | b | 2.4 mΩ | 2 x 780 A | 1200 V |
| picture_as_pdf |
|
ABB | 5SFG 0980B12000X MOSFET SIC | ВИЖ ГО | 5SFG 0980B12000x | On Order | b | 1.9 mΩ | 2 x 980 A | 1200 V |
SiC MOSFET модули на ABB: Революция в силовата електроника
Съвременната силова електроника непрекъснато се стреми към повишаване на ефективността и намаляване на загубите на мощност. Ключова роля в този процес играе технологията на силициевия карбид (SiC), която успешно замества традиционните силициеви компоненти. SiC MOSFET модулите на ABB представляват една от най-напредничавите стъпки в тази трансформация, предлагайки параметри, недостъпни за стандартните транзистори, като по този начин откриват нови възможности за конструиране на иновативни и енергоспестяващи захранващи системи.
Нова Ера в Силовата Електроника: SiC MOSFET Модули на ABB
SiC MOSFET транзисторите се характеризират със значително по-добри физически свойства от техните силициеви аналози, включително по-висока работна температура, по-голяма диелектрична якост и, най-важното, минимални загуби при превключване. ABB, като лидер в областта на енергийните технологии, използва тези предимства, като произвежда модули с революционна производителност. Благодарение на използването на силициев карбид, модулите на ABB позволяват работа при по-високи честоти на превключване, което дава възможност за намаляване на размера и масата на пасивните компоненти, като бобини и кондензатори. Това означава по-малки, по-леки и по-енергийно ефективни крайни системи.
Ключови Технически Параметри и Висока Производителност
SiC MOSFET транзисторите на ABB са проектирани за най-взискателните приложения с висока мощност. Техните спецификации потвърждават водещата им позиция на пазара:
- Ниско RDS(ON): Изключително ниското съпротивление в отворено състояние, достигащо само 1.4 mΩ, минимизира загубите от проводимост и води до по-добро разсейване на топлината. Предлагат се и варианти със съпротивления от 1.8 mΩ, 1.9 mΩ, 2.4 mΩ, 2.6 mΩ и 2.9 mΩ, което позволява прецизен избор за конкретни изисквания на проекта.
- Високо Напрежение UDS: Модулите се предлагат в класове на напрежение 1200 V, което ги прави идеални за високоволтови приложения, както и във версия 750 V за системи, работещи на по-ниски, но все още взискателни нива.
- Голям Постоянен Ток ID: Модулите предлагат висок токов капацитет, достигащ постоянен ток до 2 x 1100 A в двойна конфигурация (dual). Предлагат се и варианти от 2 x 580 A, 2 x 660 A, 2 x 780 A, 2 x 880 A и 2 x 980 A. Тази токова производителност гарантира надеждност в системи с голямо търсене на мощност.
Солидна Конструкция и Съответствие със Стандартите (Тип Корпус)
SiC MOSFET модулите на ABB се характеризират с висока механична и термична надеждност. Те често се предлагат в стандартни, доказани на пазара корпуси, като например тип b6, което улеснява тяхното интегриране със съществуващи и новопроектирани системи. Здравата конструкция на модулите осигурява оптимален топлопренос към радиатора, което е от решаващо значение за поддържане на максималния експлоатационен живот и производителност на SiC компонентите. ABB се фокусира върху качеството на изработката, за да отговаря на строгите норми и изисквания за сертифициране в енергийния и транспортния сектор.
Приложения на SiC MOSFET Модулите на ABB
Уникалните свойства на SiC MOSFET модулите на ABB ги правят незаменими в съвременните приложения, където енергийната ефективност, плътността на мощността и надеждността са ключови:
- Електрически Превозни Средства (EV) и Железопътен Транспорт: Високите напрежения и токове, заедно с повишената термична устойчивост, са идеални за тягови инвертори и бордови зарядни устройства, увеличавайки обхвата и динамиката на превозните средства.
- Възобновяеми Източници на Енергия: Във фотоволтаичните инвертори и вятърните преобразуватели SiC модулите подобряват ефективността на преобразуване на енергията, минимизирайки загубите в критичния етап на обработка.
- Промишлени Захранващи Системи: UPS (системи за непрекъсваемо захранване), импулсни захранващи устройства и задвижвания на двигатели с висока мощност печелят от по-ниските загуби и по-малките размери.
- Интелигентни Мрежи (Smart Grids): Модулите на ABB поддържат усъвършенствани системи за управление на енергията в мрежите, позволявайки бързо и прецизно превключване на мощността.